JP2016122684A5 - - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 230000001681 protective Effects 0.000 claims 4
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- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 1
Claims (9)
- 基板上に多層反射膜と、ＥＵＶ光の位相をシフトさせる位相シフト膜とがこの順に形成された反射型マスクブランクであって、
前記位相シフト膜表面における１μｍ×１μｍ領域において、原子間力顕微鏡で測定して得られる二乗平均平方根粗さ（Ｒｍｓ）が０．５０ｎｍ以下であり、かつ空間周波数１０〜１００μｍ−１のパワースペクトル密度が１７ｎｍ４以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。 - 前記多層反射膜上に保護膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
- 前記位相シフト膜は、タンタルと窒素を含むタンタル系材料層と、前記タンタル系材料層上にクロム及び窒素を含むクロム系材料層とを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の反射型マスクブランク。
- 前記クロム系材料層の膜厚は、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを有することを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクブランク。
- 基板上に多層反射膜と、ＥＵＶ光の位相をシフトさせる位相シフト膜パターンとがこの順に形成された反射型マスクであって、
前記位相シフト膜パターン表面における１μｍ×１μｍ領域において、原子間力顕微鏡で測定して得られる二乗平均平方根粗さ（Ｒｍｓ）が０．５０ｎｍ以下であり、かつ空間周波数１０〜１００μｍ−１のパワースペクトル密度が１７ｎｍ４以下であることを特徴とする反射型マスク。 - 前記多層反射膜上に保護膜が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の反射型マスク。
- 前記多層反射膜又は前記保護膜表面における１μｍ×１μｍ領域において、原子間力顕微鏡で測定して得られる二乗平均平方根粗さ（Ｒｍｓ）が０．１５ｎｍ以下であり、かつ空間周波数１０〜１００μｍ−１のパワースペクトル密度が７ｎｍ４以下であることを特徴とする請求項５又は６に記載の反射型マスク。
- 前記位相シフト膜パターン表面のパワースペクトル密度と、前記多層反射膜又は前記保護膜表面におけるパワースペクトル密度との差が１０ｎｍ４以下であることを特徴とする請求項５〜７に記載の反射型マスク。
- 請求項５〜８のいずれか一項に記載の反射型マスクを用いて、露光装置を使用したリソグラフィープロセスを行い、被転写体上に転写パターンを形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014260280A JP6499440B2 (ja) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
| US15/539,263 US10394113B2 (en) | 2014-12-24 | 2015-12-15 | Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device |
| KR1020177020000A KR102545187B1 (ko) | 2014-12-24 | 2015-12-15 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조방법 |
| KR1020237020102A KR102561655B1 (ko) | 2014-12-24 | 2015-12-15 | 반사형 마스크 블랑크, 반사형 마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| PCT/JP2015/085020 WO2016104239A1 (ja) | 2014-12-24 | 2015-12-15 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| TW108143988A TWI721681B (zh) | 2014-12-24 | 2015-12-22 | 反射型光罩基底、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法 |
| TW104143235A TWI682232B (zh) | 2014-12-24 | 2015-12-22 | 反射型光罩基底、反射型光罩及半導體裝置之製造方法 |
| US16/504,151 US10642149B2 (en) | 2014-12-24 | 2019-07-05 | Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014260280A JP6499440B2 (ja) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019048469A Division JP6678269B2 (ja) | 2019-03-15 | 2019-03-15 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016122684A JP2016122684A (ja) | 2016-07-07 |
| JP2016122684A5 true JP2016122684A5 (ja) | 2018-01-25 |
| JP6499440B2 JP6499440B2 (ja) | 2019-04-10 |
Family
ID=56150264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014260280A Active JP6499440B2 (ja) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10394113B2 (ja) |
| JP (1) | JP6499440B2 (ja) |
| KR (2) | KR102561655B1 (ja) |
| TW (2) | TWI721681B (ja) |
| WO (1) | WO2016104239A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7511136B2 (ja) | 2021-12-13 | 2024-07-05 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6740107B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2020-08-12 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
| KR20240025717A (ko) | 2017-03-03 | 2024-02-27 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP6861095B2 (ja) | 2017-03-03 | 2021-04-21 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| KR102402767B1 (ko) | 2017-12-21 | 2022-05-26 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 마스크 블랭크, 극자외선 마스크 블랭크를 이용하여 제조된 포토마스크, 포토마스크를 이용한 리소그래피 장치 및 포토마스크를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
| JPWO2019225737A1 (ja) * | 2018-05-25 | 2021-06-10 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| TWI835798B (zh) | 2018-05-25 | 2024-03-21 | 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 | 反射型光罩基底、反射型光罩及其製造方法、以及半導體裝置之製造方法 |
| TWI847949B (zh) * | 2018-11-30 | 2024-07-01 | 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 | 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 |
| JP6929340B2 (ja) * | 2019-11-21 | 2021-09-01 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP7280171B2 (ja) * | 2019-12-05 | 2023-05-23 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| US11111176B1 (en) * | 2020-02-27 | 2021-09-07 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus of processing transparent substrates |
| KR20210155863A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-24 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 리소그래피용 위상 반전 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
| US11940725B2 (en) * | 2021-01-27 | 2024-03-26 | S&S Tech Co., Ltd. | Phase shift blankmask and photomask for EUV lithography |
| KR20240008979A (ko) | 2021-12-13 | 2024-01-19 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 방법 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69523165T2 (de) | 1995-07-19 | 2002-05-29 | Hoya Corp., Tokio/Tokyo | Phasenschiebermasken-rohling und verfahren zu seiner herstellung |
| JP2004207593A (ja) | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 |
| JP4602430B2 (ja) | 2008-03-03 | 2010-12-22 | 株式会社東芝 | 反射型マスク及びその作製方法 |
| KR101678228B1 (ko) * | 2008-05-09 | 2016-11-21 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 |
| JP5282507B2 (ja) | 2008-09-25 | 2013-09-04 | 凸版印刷株式会社 | ハーフトーン型ｅｕｖマスク、ハーフトーン型ｅｕｖマスクの製造方法、ハーフトーン型ｅｕｖマスクブランク及びパターン転写方法 |
| JP5538638B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2014-07-02 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、透過型マスクブランク、反射型マスクブランク、透過型マスク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| KR102190850B1 (ko) * | 2012-11-08 | 2020-12-14 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크의 제조 방법 및 전사용 마스크의 제조 방법 |
| KR101995879B1 (ko) | 2012-12-28 | 2019-07-03 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조방법 |
| JP6147514B2 (ja) * | 2013-01-31 | 2017-06-14 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法 |
| JP6357143B2 (ja) | 2013-02-22 | 2018-07-11 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
-
2014
- 2014-12-24 JP JP2014260280A patent/JP6499440B2/ja active Active
-
2015
- 2015-12-15 KR KR1020237020102A patent/KR102561655B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-15 US US15/539,263 patent/US10394113B2/en active Active
- 2015-12-15 WO PCT/JP2015/085020 patent/WO2016104239A1/ja active Application Filing
- 2015-12-15 KR KR1020177020000A patent/KR102545187B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-22 TW TW108143988A patent/TWI721681B/zh active
- 2015-12-22 TW TW104143235A patent/TWI682232B/zh active
-
2019
- 2019-07-05 US US16/504,151 patent/US10642149B2/en active Active
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| JP7511136B2 (ja) | 2021-12-13 | 2024-07-05 | Ａｇｃ株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
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