JP2013257593A5 - 転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

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  1. 基板上に、転写パターンを形成するための金属を含む材料からなり、炭化水素を含む酸化膜からなる表面改質層を有する薄膜を備えるマスクブランクを準備し、
    前記マスクブランク上にレジスト膜を形成し、
    前記レジスト膜に対し、電子線描画装置を用いてパターン描画を行い、現像液で現像してレジストパターンを形成し、
    前記レジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングすることを特徴とする転写用マスクの製造方法。
  2. 基板上に、転写パターンを形成するための金属を含む材料からなり、炭化水素を含む酸化膜からなる表面改質層を有する薄膜を備え、該薄膜上にレジスト膜を備えるマスクブランクを準備し、
    前記レジスト膜に対し、電子線描画装置を用いてパターン描画を行い、現像液で現像してレジストパターンを形成し、
    前記レジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングすることを特徴とする転写用マスクの製造方法。
  3. 前記薄膜は積層膜であり、該積層膜の最上層は前記金属として遷移金属を含む材料からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の転写用マスクの製造方法。
  4. 前記遷移金属は、クロムであり、
    前記表面改質層は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）によって測定されるO（酸素）1sスペクトルにおいて、結合エネルギーがそれぞれ532eV付近にある第１のピークと530eV付近にある第２のピークとに分離したときに、第２のピーク面積に対する第１のピーク面積の割合が２．０以上であることを特徴とする請求項３に記載の転写用マスクの製造方法。
  5. 前記遷移金属は、タンタルであることを特徴とする請求項３に記載の転写用マスクの製造方法。
  6. 前記表面改質層の膜厚は、３ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
  7. 前記薄膜は積層膜であり、該積層膜の最上層は遷移金属およびケイ素を含む材料からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の転写用マスクの製造方法。
  8. 前記レジスト膜は、化学増幅型レジスト膜であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法。
  9. 前記化学増幅型レジスト膜はネガ型であることを特徴とする請求項８に記載の転写用マスクの製造方法。
  10. 請求項１乃至９のいずれかに記載の転写用マスクの製造方法で作製された転写用マスクを用いて製造されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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