JP2015133514A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. マスクブランク用基板の主表面の上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜及び吸収体膜を含むマスクブランク用多層膜を有する反射型マスクブランクであって、
   前記マスクブランク用多層膜が形成されている前記反射型マスクブランク表面における３μｍ×３μｍの領域において、原子間力顕微鏡で測定して得られる二乗平均平方根粗さ（Ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であり、且つ、空間周波数１〜１０μｍ^−１のパワースペクトル密度の積分値が８００×１０ ^−３ ｎｍ ^３ 以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。
2. 前記パワースペクトル密度の積分値は、６５０×１０ ^−３ ｎｍ ^３ 以下であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランク。
3. 前記マスクブランク用多層膜が、前記多層反射膜の表面のうち、マスクブランク用基板とは反対側の表面に接して配置される保護膜を更に含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の反射型マスクブランク。
4. 前記マスクブランク用多層膜が、前記吸収体膜の表面のうち、マスクブランク用基板とは反対側の表面に接して配置されるエッチングマスク膜を更に含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の反射型マスクブランク。
5. 前記吸収体膜は、タンタルと窒素とを含有し、窒素の含有量が１０原子％以上５０原子％以下であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の反射型マスクブランク。
6. 前記吸収体膜の膜厚は６０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の反射型マスクブランク。
7. 前記吸収体膜は、該吸収体膜表面からの反射光と、前記吸収体膜が形成されていない前記多層反射膜又は前記保護膜表面からの反射光との位相差が所定の位相差を有する位相シフト機能を有することを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の反射型マスクブランク。
8. マスクブランク用基板の主表面の上に、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層した多層反射膜及び吸収体膜を含むマスクブランク用多層膜を有する反射型マスクブランクの製造方法であって、
   前記マスクブランク用基板の主表面の上に、前記多層反射膜を形成する工程と、
   前記多層反射膜の上に、前記吸収体膜を形成する工程とを含み、
   前記反射型マスクブランクの表面が、３μｍ×３μｍの領域において、原子間力顕微鏡で測定して得られる二乗平均平方根粗さ（Ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であり、且つ、空間周波数１〜１０μｍ^−１のパワースペクトル密度の積分値が８００×１０ ^−３ ｎｍ ^３ 以下となるように、前記吸収体膜を形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
9. 前記パワースペクトル密度の積分値は、６５０×１０ ^−３ ｎｍ ^３ 以下であることを特徴とする請求項８に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
10. 前記多層反射膜を形成する工程において、前記多層反射膜は、高屈折率材料のスパッタリングターゲット及び低屈折率材料のスパッタリングターゲットにイオンビームを交互に照射して、イオンビームスパッタリング法により形成されることを特徴とする請求項８又は９に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
11. 前記吸収体膜を形成する工程において、前記吸収体膜は、吸収体膜材料のスパッタリングターゲットを用いる反応性スパッタリング法により形成され、反応性スパッタリングの際の雰囲気ガスに含まれる成分が含有されるように前記吸収体膜が形成され、前記二乗平均平方根粗さ（Ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であり、且つ、前記パワースペクトル密度の積分値が８００×１０ ^−３ ｎｍ ^３ 以下となるように、雰囲気ガスの流量を制御することを特徴とする請求項８乃至１０の何れかに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
12. 前記雰囲気ガスは、不活性ガスと、窒素ガスとを含有する混合ガスであることを特徴とする請求項１１に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
13. 前記吸収体膜は、タンタルを含む材料のスパッタリングターゲットを用いて形成されることを特徴とする請求項８乃至１２の何れかに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
14. 前記吸収体膜を形成する工程において、前記吸収体膜は、吸収体膜材料のスパッタリングターゲットを用いるスパッタリング法により形成され、前記吸収体膜表面が、前記二乗平均平方根粗さ（Ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であり、且つ前記パワースペクトル密度の積分値が８００×１０ ^−３ ｎｍ ^３ 以下となるように、前記吸収体膜の材料と膜厚を選定することを特徴とする請求項８乃至１０の何れかに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
15. 前記吸収体膜の材料が窒素を含む材料とし、前記吸収体膜の膜厚が６０ｎｍ以下とすることを特徴とする請求項１４記載の反射型マスクブランクの製造方法。
16. 前記多層反射膜の表面に接して配置される保護膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項８乃至１５の何れかに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
17. 前記保護膜は、保護膜材料のスパッタリングターゲットにイオンビームを照射する、イオンビームスパッタリング法により形成されることを特徴とする請求項１６に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
18. 前記多層反射膜の表面に接して配置されるエッチングマスク膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項８乃至１７の何れかに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
19. 請求項１乃至７の何れかに記載の反射型マスクブランク、又は請求項８乃至１８の何れかに記載の製造方法により得られた反射型マスクブランクの前記吸収体膜をパターニングした吸収体パターンを、前記多層反射膜の上に有することを特徴とする反射型マスク。
20. 請求項１９に記載の反射型マスクを用いて、露光装置を使用したリソグラフィープロセスを行い、被転写体に転写パターンを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。