JP2012078441A5 - - Google Patents
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Claims (20)
- ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、
前記遮光膜は、下層および上層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が２．８以上であり、
前記下層は、遷移金属およびケイ素を含有し、屈折率ｎが１．８０以下、かつ消衰係数ｋが２．３７以上である材料からなり、膜厚が３０ｎｍ以上であり、
前記上層は、屈折率ｎが２．００以上、かつ消衰係数ｋが１．００以下である材料からなり、膜厚が３ｎｍ以上６ｎｍ以下であり、
前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が３０度以下である
ことを特徴とするマスクブランク。 - 前記上層は、遷移金属およびケイ素に、さらに酸素、窒素のうち少なくとも１つの元素を含有する材料、ケイ素に、さらに酸素、窒素のうち少なくとも１つの元素を含有する材料、又は、遷移金属に、さらに酸素、窒素のうち少なくとも１つの元素を含有する材料からなることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク。
- 前記上層は、遷移金属およびケイ素を含有し、さらに窒素および酸素のうち少なくとも１つの元素を含有する材料からなることを特徴とする請求項１記載のマスクブランク。
- 前記上層中の遷移金属は、モリブデン（Ｍｏ）であることを特徴とする請求項２または３に記載のマスクブランク。
- 前記下層は、遷移金属およびケイ素の合計含有量が９０原子％以上である材料からなることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記下層中の遷移金属は、モリブデン（Ｍｏ）であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記下層中におけるモリブデンの含有量をモリブデンとケイ素の合計含有量で除した比率が、２％以上３５％以下であることを特徴とする請求項６記載のマスクブランク。
- 前記上層は、前記下層とは屈折率ｎおよび消衰係数ｋが異なるようにスパッタリング法で形成されたものであることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のマスクブランク。
- 請求項１から８のいずれかに記載のマスクブランクにおける前記遮光膜を、エッチングによりパターニングするエッチング工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
- ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型の転写用マスクであって、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、転写パターンを有する遮光膜を有してなり、
前記遮光膜は、下層および上層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が２．８以上であり、
前記下層は、遷移金属およびケイ素を含有し、屈折率ｎが１．８０以下、かつ消衰係数ｋが２．３７以上である材料からなり、膜厚が３０ｎｍ以上であり、
前記上層は、屈折率ｎが２．００以上、かつ消衰係数ｋが１．００以下である材料からなり、膜厚が３ｎｍ以上６ｎｍ以下であり、
前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が３０度以下である
ことを特徴とする転写用マスク。 - 前記上層は、遷移金属およびケイ素に、さらに酸素、窒素のうち少なくとも１つの元素を含有する材料、ケイ素に、さらに酸素、窒素のうち少なくとも１つの元素を含有する材料、又は、遷移金属に、さらに酸素、窒素のうち少なくとも１つの元素を含有する材料からなることを特徴とする請求項１０記載の転写用マスク。
- 前記上層は、遷移金属およびケイ素を含有し、さらに窒素および酸素のうち少なくとも１つの元素を含有する材料からなることを特徴とする請求項１０記載の転写用マスク。
- 前記上層中の遷移金属は、モリブデン（Ｍｏ）であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の転写用マスク。
- 前記下層は、遷移金属およびケイ素の合計含有量が９０原子％以上である材料からなることを特徴とする請求項１０から１３のいずれかに記載の転写用マスク。
- 前記下層中の遷移金属は、モリブデン（Ｍｏ）であることを特徴とする請求項１０から１４のいずれかに記載の転写用マスク。
- 前記下層中におけるモリブデンの含有量をモリブデンとケイ素の合計含有量で除した比率が、２％以上３５％以下であることを特徴とする請求項１５記載の転写用マスク。
- 前記上層は、前記下層とは屈折率ｎおよび消衰係数ｋが異なるようにスパッタリング法で形成されたものであることを特徴とする請求項１０から１６のいずれかに記載の転写用マスク。
- 前記遮光膜に形成されている転写パターンには、ハーフピッチ４０ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンが含まれていることを特徴とする請求項１０から１７のいずれかに記載の転写用マスク。
- 請求項１０から１８のいずれかに記載の転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。
- 半導体ウェハ上に形成される回路パターンには、ハーフピッチ４０ｎｍ以下のラインアンドスペースパターンが含まれていることを特徴する請求項１９に記載の半導体デバイスの製造方法。
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