JP2012078441A - マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012078441A JP2012078441A JP2010221661A JP2010221661A JP2012078441A JP 2012078441 A JP2012078441 A JP 2012078441A JP 2010221661 A JP2010221661 A JP 2010221661A JP 2010221661 A JP2010221661 A JP 2010221661A JP 2012078441 A JP2012078441 A JP 2012078441A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- film
- light shielding
- shielding film
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012546 transfer Methods 0.000 title claims abstract description 138
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 37
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 67
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 24
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 23
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical group [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 322
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 75
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 38
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 29
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 29
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 11
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 6
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 229910021350 transition metal silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015868 MSiO Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003071 TaON Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/46—Antireflective coatings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
- G03F1/58—Absorbers, e.g. of opaque materials having two or more different absorber layers, e.g. stacked multilayer absorbers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/66—Containers specially adapted for masks, mask blanks or pellicles; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/266—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
Abstract
【解決手段】ArFエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、露光光に対する光学濃度が2.8以上、かつ膜厚が45nm以下であり、前記遮光層は、遷移金属およびケイ素の合計含有量が90原子%以上である材料からなり、膜厚が30nm以上であり、前記表面反射防止層は、膜厚が3nm以上6nm以下であり、前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が30度以下である。
【選択図】図1
Description
近年、半導体デバイスの設計仕様でいうDRAMハーフピッチ(hp)45nm〜32nm世代の開発が進められている。これはArFエキシマレーザー露光光(以下、ArF露光光)の波長193nmの約1/4〜1/6に相当している。特にhp45nm以降の世代では従来の位相シフト法、斜入射照明法や瞳フィルター法などの超解像技術(Resolution Enhancement Technology:RET)と光近接効果補正(Optical Proximity Correction : OPC)技術の適用だけでは不十分となってきており、超高NA技術(液浸リソグラフィ)が必要となってきている。
フォトマスク(レチクル)は、転写パターンを形成した領域と、その外周の領域と、を有する。この外周領域、即ちフォトマスク(レチクル)における四つの辺に沿った周縁の領域は、フォトマスク(レチクル)上の転写パターンをウェハ上の被投影領域を次々とずらしながら順次露光する際に、集積回路チップの形成数を増やす目的で、互いの外周領域が重なるようにして露光、転写される。通常、露光装置のマスクステージには、外周領域への露光光の照射を遮光するための遮蔽板が設けられている。しかし、遮蔽板による露光光の遮蔽では、位置精度の限界や光の回折現象の問題があり、外周領域へ露光光が漏れてしまう(この光を漏れ光という。)ことが避けられない。この外周領域への漏れ光がフォトマスクを透過してしまうと、ウェハ上のレジストを感光させてしまう恐れがある。このような重ね露光によるウェハ上のレジスト感光を防ぐ目的で、フォトマスクの外周領域には遮光帯(遮光体の帯、遮光体リング)をマスク加工にて作製する。また、この外周領域の遮光帯を形成する領域においては、重ね露光によるウェハ上のレジスト感光を抑制するには、通常、OD値(光学濃度)が3以上あると望ましいとされており、少なくとも2.8程度は必要とされている。
バイナリマスクの場合、遮光膜は、遮光膜の遮光性が高いため、転写パターン領域に遮光膜パターンを形成すると共に、転写パターン領域の外周の領域に遮光帯を形成する役割も有する。
遮光膜を薄膜化すると、OD値(光学濃度)が減少してしまう。クロム系の遮光膜では、一般に必要とされているOD=3 を達成するために、60nm程度のトータルの膜厚が最低限必要であり、大幅な薄膜化は困難である(例えば、特許文献1:特開2007−241136号公報の[0005]欄参照)。
また、例えば、MoSi系材料の積層構造からなる遮光膜、例えば基板側からMoSiN主遮光層/MoSiON反射防止層の積層構造からなる遮光膜等、を備えるいわゆるバイナリ型フォトマスクの場合においても、必要とされているOD=2.8を達成するために、通常60nm程度のトータルの膜厚が最低限必要であり、大幅な薄膜化は困難である(特許文献2:特開2006−78825号公報)。
まず、EMF効果の影響が小さい遮光膜であれば、TMAのシミュレーションを利用しやすくなり、EMFバイアスの補正計算の負荷を小さくすることができるということに着目した。
さらに、EMF効果の影響の小さい遮光膜について研究した結果、バイナリ型転写用マスクの場合においても、遮光膜のある遮光部を透過する露光光と遮光膜のない透光部を透過する露光光との間での位相差(以下、この位相差のことを単に位相差という。)が関係することが判明した。すなわち、遮光膜の位相差が小さくなっていくに従い、EMFバイアスが低減することがシミュレーションによって明らかになったのである。
また、遮光膜の膜厚も関係していることが判明した。すなわち、遮光膜の膜厚が、50nm未満であると、EMFバイアスの影響を補正するための転写パターンの補正計算負荷が小さくなり、転写マスク作製の負荷も小さくなる。さらに、遮光膜の膜厚が47nm以下であると、EMFバイアスがかなり低減できる。さらに、遮光膜の膜厚が40nm以下であると、より顕著な低減効果が得られることがシミュレーションによってそれぞれ判明した。
遮光膜を構成する層のうち、表面反射防止層は、反射防止機能を持たせる必要があるため、酸素や窒素をある程度以上含有させる必要があり、必然的に屈折率が高くなる。このため、表面反射防止層は、遮光膜の位相差が大きくプラスになる方向に働く。また、表面反射防止層は、反射防止機能を持たせるには、消衰係数kの小さい材料で形成する必要がある。そして、遮光層で遮光膜全体の遮光性能の大部分を確保しなければならないため、遮光層は消衰係数kの大きい材料で形成する必要がある。
これらのことを考慮した結果、まず、遮光層は、屈折率nが小さく、かつ消衰係数kが大きい材料を選定するに至った。このような特性を有する材料は、遷移金属シリサイドを含み、材料の屈折率nを上げてしまうような、あるいは消衰係数kを下げてしまうような他成分(特に、酸素や窒素)の含有量は10原子%未満に制限された遷移金属シリサイド系の材料であることを突き止めた。すなわち、遮光層を構成する材料に、遷移金属およびケイ素の合計含有量が90原子%以上の材料を選定した。
次に、遮光膜の全体膜厚が45nm以下、かつ露光光に対する光学濃度が2.8以上、かつ位相差が30度以下の3つの条件を同時に満たす膜構成を検討した。遮光膜全体の膜厚が45nm以下であり、光学濃度の低い表面反射防止層との積層構造で光学濃度2.8以上を確保するには、前記の材料で形成される遮光層は30nmの膜厚が少なくとも必要であることを突き止めた。この膜厚の遮光層になると、遮光膜の位相差が小幅のマイナスになる方向程度しか働かない。このため、表面反射防止層の膜厚を従来のような厚さにすると、遮光膜全体での位相差がプラス30度を大きく超えてしまう。また、近年の露光装置の進歩により、遮光膜からの表面反射が露光転写に与える影響が小さくなってきており、従来よりも表面反射率が多少大きくても許容されやすい傾向がある。これらのことを考慮し、遮光膜の表面反射率が50%未満と緩く設定し、検討した結果、表面反射防止層の膜厚は、選定した遮光層の材料であれば、3nm以上あれば、表面反射率を50%未満にすることができることが判明した。また、表面反射防止層の膜厚が6nm以下であれば、遮光膜全体での位相差を30度以内に抑制できることも突き止めた。
以上の多方面からの検討結果を総合的に考慮し、本発明を完成するに至った。
(構成1)
ArFエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が2.8以上、かつ膜厚が45nm以下であり、
前記遮光層は、遷移金属およびケイ素の合計含有量が90原子%以上である材料からなり、膜厚が30nm以上であり、
前記表面反射防止層は、膜厚が3nm以上6nm以下であり、
前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が30度以下である
ことを特徴とするマスクブランク。
(構成2)
前記遮光層中の遷移金属の含有量を遷移金属とケイ素の合計含有量で除した比率が42%以下であることを特徴とする構成1記載のマスクブランク。
(構成3)
前記遮光層中の遷移金属は、モリブデン(Mo)であることを特徴とする構成1または2のいずれかに記載のマスクブランク。
(構成4)
ArFエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が2.8以上、かつ膜厚が45nm以下であり、
前記遮光層は、屈折率nが2.00未満、かつ消衰係数kが2.37以上の材料からなり、膜厚が30nm以上であり、
前記表面反射防止層は、膜厚が3nm以上6nm以下であり、
前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が30度以下である
ことを特徴とするマスクブランク。
(構成5)
前記表面反射防止層は、屈折率nが2.00以上、かつ消衰係数kが1.00以下の材料からなることを特徴とする構成1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
(構成6)
前記遮光層は、膜厚が42nm以下であることを特徴とする構成1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
(構成7)
前記表面反射防止層は、遷移金属およびケイ素に、さらに酸素、窒素のうち少なくとも1つの元素を含有する材料、ケイ素に、さらに酸素、窒素のうち少なくとも1つの元素を含有する材料、又は、遷移金属に、さらに酸素、窒素のうち少なくとも1つの元素を含有する材料を主成分とすることを特徴とする構成1から6のいずれかに記載のマスクブランク。
(構成8)
前記表面反射防止層中の遷移金属は、モリブデン(Mo)であることを特徴とする構成7に記載のマスクブランク。
(構成9)
構成1から8のいずれかに記載のマスクブランクにおける前記遮光膜を、エッチングによりパターニングするエッチング工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
(構成10)
ArFエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型の転写用マスクであって、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、転写パターンを有する遮光膜を有してなり、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が2.8以上、かつ膜厚が45nm以下であり、
前記遮光層は、遷移金属およびケイ素の合計含有量が90原子%以上である材料からなり、膜厚が30nm以上であり、
前記表面反射防止層は、膜厚が3nm以上6nm以下であり、
前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が30度以下である
ことを特徴とする転写用マスク。
(構成11)
ArFエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型の転写用マスクであって、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、転写パターンを有する遮光膜を有してなり、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が2.8以上、かつ膜厚が45nm以下であり、
前記遮光層は、屈折率nが2.00未満、かつ消衰係数kが2.37以上の材料からなり、膜厚が30nm以上であり、
前記表面反射防止層は、膜厚が3nm以上6nm以下であり、
前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が30度以下である
ことを特徴とする転写用マスク。
(構成12)
前記遮光膜に形成されている転写パターンには、ハーフピッチ40nm以下のラインアンドスペースパターンが含まれていることを特徴とする構成10または11のいずれかに記載の転写用マスク。
(構成13)
構成10から12のいずれかに記載の転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。
(構成14)
半導体ウェハ上に形成される回路パターンには、ハーフピッチ40nm以下のラインアンドスペースパターンが含まれていることを特徴する構成13に記載の半導体デバイスの製造方法。
本発明のマスクブランクは、
ArFエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が2.8以上、かつ膜厚が45nm以下であり、
前記遮光層は、遷移金属およびケイ素の合計含有量が90原子%以上である材料からなり、膜厚が30nm以上であり、
前記表面反射防止層は、膜厚が3nm以上6nm以下であり、
前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が30度以下である
ことを特徴とする。
また、本発明のマスクブランクは、
ArFエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が2.8以上、かつ膜厚が45nm以下であり、
前記遮光層は、屈折率nが2.00未満、かつ消衰係数kが2.37以上の材料からなり、膜厚が30nm以上であり、
前記表面反射防止層は、膜厚が3nm以上6nm以下であり、
前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が30度以下である。
上記の各構成によれば、EMFバイアスが低減された遮光膜を実現し提供することができ、これにより転写マスク作製に係る様々な負荷が大きく軽減される。さらに、このEMFバイアスが低減された遮光膜は、重ね露光による漏れ光によって、ウェハ上のレジスト膜が露光することを抑制できるだけの光学濃度(2.8以上)を前記遮光膜に確保するという条件も同時に満たすことができる。
また、本発明は、表面反射防止層により生じる位相差が小さくなるよう設計することにより、EMFバイアスを抑制しようとする発明である。
また、本発明は、表面反射防止層により生じる位相差を従前に比べ大きく抑制することにより、EMFバイアスを抑制しようとする発明である。
また、本発明は、表面反射防止層の膜厚を従前に比べかなり小さくすることにより、EMFバイアスを抑制しようとする発明である。
本発明のマスクブランクは、例えば、図13に示すように、透光性基板1上に、遮光層11および表面反射防止層12の積層構造からなる遮光膜10を備える。
本発明において、裏面反射防止層を有しない構造によって、より薄膜化を図ることは、電磁界(EMF)効果の課題改善に有効である。
本発明において、前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層に加え、他の層(例えば裏面反射防止層)を有する構造とすることができる。
本発明において、前記表面反射防止層は、膜厚が6nm以下である必要がある。EMFバイアスのさらなる抑制の観点からは、膜厚が5nm以下、さらには4nm以下であることがより好ましい。
本発明において、前記表面反射防止層の屈折率nは、反射防止機能を持たせる観点から、2.00以上である必要がある。さらに、屈折率nは、2.10以上であることが好ましく、2.20以上であることがさらに好ましい。
本発明において、前記表面反射防止層の消衰係数kは、反射防止機能を持たせる観点から、1.00以下である必要がある。さらに、消衰係数kは、0.90以下であることが好ましく、0.80以下であることがさらに好ましい。
なお、本発明において、前記表面反射防止層は、表面反射防止を目的として成膜によって形成される層である。本発明において、前記表面反射防止層は、表面酸化処理によって前記遮光膜の表面に成された皮膜のみの構成や、加熱処理によって前記遮光膜の表面に形成された皮膜のみの構成、などは含まれない。
本発明において、前記遮光層中の遷移金属は、モリブデン(Mo)であることが好ましい。
本発明においては、ケイ素に、さらに酸素、窒素のうち少なくとも1つの元素を含有する材料を主成分とする前記表面反射防止層は、SiO,SiN,SiON,SiOC,SiCN,SiOCN等で構成できる。
本発明においては、遷移金属(M)に、さらに酸素、窒素のうち少なくとも1つの元素を含有する材料を主成分とする前記表面反射防止層は、MO,MN,MON,MOC,MCN,MOCN等で構成できる。
前記表面反射防止層には、Taを主成分とする材料(TaO,TaON,TaBO,TaBON等)が好ましい。
酸素を50原子%以上含有するタンタルの酸化物からなる前記表面反射防止層は、反射防止効果に優れるので好ましい。
前記遮光層中の遷移金属がモリブデン(Mo)である場合に、前記遮光層と同じターゲットを用いて前記表面反射防止層を成膜できるなどの利点があるからである。
また、応力制御を目的として高温で加熱処理(アニール)する際、Moの含有量が多いと膜の表面が白く曇る(白濁する)現象が生じることがわかった。これは、MoOが表面に析出するためであると考えられる。このような現象を避ける観点からは、前記表面反射防止層であるMoSiON、MoSiO、MoSiN、MoSiOC、MoSiOCN等では、表面反射防止層中のMoの含有量は10原子%未満であることが好ましい。しかし、Mo含有量が少なすぎる場合、DCスパッタリングの際の異常放電が顕著になり、欠陥発生頻度が高まる。よって、Moは正常にスパッタできる範囲で含有していることが望ましい。他の成膜技術によってはMoを含有せずに成膜可能な場合がある。
なお、ダブルパターニングとは、ウェハに対するレジスト塗布、露光、現像、レジスト剥離の一連の工程を2回行い、パターニングを行う方法をいう。つまり、ウェハ上のレジストに対しては、従来のシングル露光と同じく、1回の転写パターンの露光が行われるものであり、漏れ光による重なり露光部分では最大4回分の露光となる。
ダブル露光(DE:Double Exposure)技術は、ウェハ上のレジスト膜に、1枚目の転写用マスクによる転写パターンの露光を行った後、さらに同じレジスト膜に対して2枚目の転写用マスクによる転写パターンの露光を行うものである。
また、本発明の転写用マスクは、
ArFエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型の転写用マスクであって、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、転写パターンを有する遮光膜を有してなり、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が2.8以上、かつ膜厚が45nm以下であり、
前記遮光層は、遷移金属およびケイ素の合計含有量が90原子%以上である材料からなり、膜厚が30nm以上であり、
前記表面反射防止層は、膜厚が3nm以上6nm以下であり、
前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が30度以下である
ことを特徴とする。
また、本発明の転写用マスクは、
ArFエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型の転写用マスクであって、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、転写パターンを有する遮光膜を有してなり、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が2.8以上、かつ膜厚が45nm以下であり、
前記遮光層は、屈折率nが2.00未満、かつ消衰係数kが2.37以上の材料からなり、膜厚が30nm以上であり、
前記表面反射防止層は、膜厚が3nm以上6nm以下であり、
前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が30度以下である
ことを特徴とする。
さらに、本発明の転写用マスクは、前記遮光膜に形成されている転写パターンには、ハーフピッチ40nm以下のラインアンドスペースパターンが含まれていることを特徴とする。 上記構成によれば、EMFバイアスが低減された遮光膜を有するマスクブランクを用いることにより、転写マスク作製に係る様々な負荷が大きく軽減される。さらに、得られた転写マスクは、重ね露光による漏れ光によって、ウェハ上のレジスト膜が露光することを抑制できるだけの光学濃度を遮光膜に確保するという条件も同時に満たすことができる。
なお、本発明の転写用マスクは、シングル露光、ダブルパターニング、ダブル露光に用いられる転写マスクに適用できる。
本発明は、レジスト膜厚100nm以下、レジスト膜厚75nm以下、更にはレジスト膜厚50nmをねらった世代のマスクブランクに適用する。
本発明において、レジストは電子線描画用のレジストであること好ましい。高精度の加工に適するためである。
本発明は、電子線描画によりレジストパターンを形成する電子線描画用のマスクブランクに適用する。
本発明において、転写マスクには、位相シフト効果を使用しないバイナリ型マスク、レチクルが含まれる。本発明においては、エンハンサマスク、位相シフトマスクは含まれない。
また、本発明の半導体デバイスの製造方法は、半導体ウェハ上に形成される回路パターンには、ハーフピッチ40nm以下のラインアンドスペースパターンが含まれていることを特徴する。
本発明の転写用マスクは、ハーフピッチ40nm以下のラインアンドスペースのパターン転写精度に優れており、この転写用マスクを用いて、ハーフピッチ40nm以下のラインアンドスペースパターンを有する回路パターンを半導体ウェハ上に形成するのに最適である。
(実施例1)
(マスクブランクの作製)
図13に示すように、透光性基板1としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板1上に、遮光膜10として、MoSiN膜(遮光層11)、MoSiON膜(表面反射防止層12)、をそれぞれ形成した。
具体的には、透光性基板1上に、モリブデン(Mo)とケイ素(Si)の混合ターゲット(Mo:Si=21原子%:79原子%)を用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)の混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、遮光層11(MoSiN膜,N=約5原子%)を35nmの膜厚で形成した。
次に、遮光層11上に、モリブデン(Mo)とケイ素(Si)の混合ターゲット(Mo:Si=4原子%:96原子%)を用い、アルゴン(Ar)と酸素(O2)と窒素(N2)の混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、表面反射防止層12(MoSiON膜)を4nmの膜厚で形成した。
遮光膜10の合計膜厚は39nmとした。遮光膜10の光学濃度(OD)はArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいて3.03であった。
遮光膜10は、表面反射率が41.9%であった。透過率及び反射率の測定は、分光光度計を用いて行った。
MoSiN膜(遮光層11)は、屈折率n:1.50、消衰係数k:3.06、であった。
MoSiON膜(表面反射防止層12)は、屈折率n:2.28、消衰係数k:0.92、であった。
(成膜後加熱処理)
次に、上記基板を450℃で30分間加熱処理(アニール処理)した。
(評価)
上記遮光膜10に対して、上記遮光膜10を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差(位相角)を調べたところ、位相差は13度であった。
図11から、上層膜厚、下層膜厚、トータル膜厚、トータル位相シフト量、トータルOD、表面反射率、を総合的に検討、考慮する必要があることがわかる。
(マスクブランクの作製)
図13に示すように、透光性基板1としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板1上に、遮光膜10として、MoSiN膜(遮光層11)、MoSiON膜(表面反射防止層12)、をそれぞれ形成した。
具体的には、透光性基板1上に、モリブデン(Mo)とケイ素(Si)の混合ターゲット(Mo:Si=9.5原子%:89.5原子%)を用い、アルゴン(Ar)ガス雰囲気で、スパッタリング(DCスパッタリング)により、遮光層11(MoSi膜)を38nmの膜厚で形成した。
次に、遮光層11上に、モリブデン(Mo)とケイ素(Si)の混合ターゲット(Mo:Si=4原子%:96原子%)を用い、アルゴン(Ar)と酸素(O2)と窒素(N2)の混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、表面反射防止層12(MoSiON膜)を4nmの膜厚で形成した。
遮光膜10の合計膜厚は42nmとした。遮光膜10の光学濃度(OD)はArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいて3.0であった。
遮光膜10は、表面反射率が39.6%であった。透過率及び反射率の測定は、分光光度計を用いて行った。
MoSiN膜(遮光層11)は、屈折率n:1.24、消衰係数k:2.77、であった。
MoSiON膜(表面反射防止層12)は、屈折率n:2.28、消衰係数k:0.92、であった。
(成膜後加熱処理)
次に、上記基板を450℃で30分間加熱処理(アニール処理)した。
(評価)
上記遮光膜10に対して、上記遮光膜10を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差(位相角)を調べたところ、位相差は1.1度であった。
図12から、上層膜厚、下層膜厚、トータル膜厚、トータル位相シフト量、トータルOD、表面反射率、を総合的に検討、考慮する必要があることがわかる。
(マスクブランクの作製)
図13に示すように、透光性基板1としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板1上に、遮光膜10として、MoSiN膜(遮光層11)、MoSiON膜(表面反射防止層)、をそれぞれ形成した。
具体的には、透光性基板1上に、モリブデン(Mo)とケイ素(Si)の混合ターゲット(Mo:Si=9.5原子%:89.5原子%)を用い、アルゴン(Ar)ガス雰囲気で、スパッタリング(DCスパッタリング)により、遮光層11(MoSi膜)を39nmの膜厚で形成した。
次に、遮光層11上に、モリブデン(Mo)とケイ素(Si)の混合ターゲット(Mo:Si=4原子%:96原子%)を用い、アルゴン(Ar)と酸素(O2)と窒素(N2)の混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、表面反射防止層12(MoSiON膜)を6nmの膜厚で形成した。
遮光膜10の合計膜厚は45nmとした。遮光膜10の光学濃度(OD)はArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいて3.04であった。
遮光膜10は、表面反射率が29.8%であった。透過率及び反射率の測定は、分光光度計を用いて行った。
MoSiN膜(遮光層11)は、屈折率n:1.24、消衰係数k:2.77、であった。
MoSiON膜(表面反射防止層12)は、屈折率n:2.28、消衰係数k:0.92、であった。
(成膜後加熱処理)
次に、上記基板を450℃で30分間加熱処理(アニール処理)した。
(評価)
上記遮光膜10に対して、上記遮光膜10を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差(位相角)を調べたところ、位相差は9.5度であった。
(マスクブランクの作製)
図13に示すように、透光性基板1としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英ガラス基板を用い、透光性基板1上に、遮光膜10として、MoSiN膜(遮光層11)、MoSiON膜(表面反射防止層12)、をそれぞれ形成した。
具体的には、透光性基板1上に、モリブデン(Mo)とケイ素(Si)の混合ターゲット(Mo:Si=21原子%:79原子%)を用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)の混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、遮光層11(MoSiN膜)を50nmの膜厚で形成した。
次に、遮光層11上に、モリブデン(Mo)とケイ素(Si)の混合ターゲット(Mo:Si=4原子%:96原子%)を用い、アルゴン(Ar)と酸素(O2)と窒素(N2)の混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、表面反射防止層12(MoSiON膜)を10nmの膜厚で形成した。
なお、上記各層の元素分析は、ラザフォード後方散乱分析法を用いた。
遮光膜10の合計膜厚は60nmとした。遮光膜10の光学濃度(OD)はArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいて3.0であった。
遮光膜10は、表面反射率が21.3%であった。透過率及び反射率の測定は、分光光度計を用いて行った。
MoSiN膜(遮光層11)は、屈折率n:2.42、消衰係数k:1.91、であった。
MoSiON膜(表面反射防止層12)は、屈折率n:2.31、消衰係数k:1.00、であった。
(成膜後加熱処理)
次に、上記基板を450℃で30分間加熱処理(アニール処理)した。
(評価)
上記遮光膜10に対して、上記遮光膜10を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差(位相角)を調べたところ、位相差は143度であった。
上記実施例1〜3で得られたマスクブランク上に、エッチングマスク膜20を形成した。具体的には、遮光膜10(表面反射防止層12)上にクロムターゲットを用い、アルゴン(Ar)と二酸化炭素(CO2)と窒素(N2)とヘリウム(He)の混合ガス雰囲気で、スパッタリング(DCスパッタリング)により、エッチングマスク膜20(CrOCN膜,Cr:35原子%)を10nmの膜厚で形成した。さらに、エッチングマスク膜20を遮光膜10のアニール温度よりも低い温度でアニールすることにより、遮光膜10の膜応力に影響を与えずに、エッチングマスク膜20の応力を極力小さく(好ましくは膜応力が実質ゼロに)なるように調整した。
次に、レジスト膜100に対し、電子線描画装置を用いてDRAMハーフピッチ(hp)40nmのL&Sを含む転写パターンの描画を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターン100aを形成した(図14(2)参照)。
次に、レジストパターン100aをマスクとして、エッチングマスク膜20のドライエッチングを行って、エッチングマスク膜パターン20aを形成した(図14(3)参照)。このとき、CrOCNからなるエッチングマスク膜20のドライエッチングガスとして、塩素と酸素の混合ガス(Cl2:O2=4:1)を用いた。
次に、上記エッチングマスク膜パターン20aをマスクとして、遮光膜10のドライエッチングを行って遮光膜パターン10aを形成した(図14(5)参照)。このとき、MoSi系遮光膜10(遮光層11および表面反射防止層12)のドライエッチングガスとして、SF6とHeの混合ガスを用いた。
最後に、塩素と酸素の混合ガス(Cl2:O2=4:1)を用いてエッチングマスク膜パターン20aを除去し、バイナリ型転写用マスクを得た(図14(6)参照)。
100 レジスト膜
10 遮光膜
11 遮光層
12 表面反射防止層
20 エッチングマスク膜
Claims (14)
- ArFエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が2.8以上、かつ膜厚が45nm以下であり、
前記遮光層は、遷移金属およびケイ素の合計含有量が90原子%以上である材料からなり、膜厚が30nm以上であり、
前記表面反射防止層は、膜厚が3nm以上6nm以下であり、
前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が30度以下である
ことを特徴とするマスクブランク。 - 前記遮光層中の遷移金属の含有量を遷移金属とケイ素の合計含有量で除した比率が42%以下であることを特徴とする請求項1記載のマスクブランク。
- 前記遮光層中の遷移金属は、モリブデン(Mo)であることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載のマスクブランク。
- ArFエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が2.8以上、かつ膜厚が45nm以下であり、
前記遮光層は、屈折率nが2.00未満、かつ消衰係数kが2.37以上の材料からなり、膜厚が30nm以上であり、
前記表面反射防止層は、膜厚が3nm以上6nm以下であり、
前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が30度以下である
ことを特徴とするマスクブランク。 - 前記表面反射防止層は、屈折率nが2.00以上、かつ消衰係数kが1.00以下の材料からなることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記遮光層は、膜厚が42nm以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記表面反射防止層は、遷移金属およびケイ素に、さらに酸素、窒素のうち少なくとも1つの元素を含有する材料、ケイ素に、さらに酸素、窒素のうち少なくとも1つの元素を含有する材料、又は、遷移金属に、さらに酸素、窒素のうち少なくとも1つの元素を含有する材料を主成分とすることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記表面反射防止層中の遷移金属は、モリブデン(Mo)であることを特徴とする請求項7に記載のマスクブランク。
- 請求項1から8のいずれかに記載のマスクブランクにおける前記遮光膜を、エッチングによりパターニングするエッチング工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
- ArFエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型の転写用マスクであって、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、転写パターンを有する遮光膜を有してなり、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が2.8以上、かつ膜厚が45nm以下であり、
前記遮光層は、遷移金属およびケイ素の合計含有量が90原子%以上である材料からなり、膜厚が30nm以上であり、
前記表面反射防止層は、膜厚が3nm以上6nm以下であり、
前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が30度以下である
ことを特徴とする転写用マスク。 - ArFエキシマレーザー露光光が適用されるバイナリ型の転写用マスクであって、
前記転写用マスクは、透光性基板上に、転写パターンを有する遮光膜を有してなり、
前記遮光膜は、遮光層および表面反射防止層の積層構造からなり、前記露光光に対する光学濃度が2.8以上、かつ膜厚が45nm以下であり、
前記遮光層は、屈折率nが2.00未満、かつ消衰係数kが2.37以上の材料からなり、膜厚が30nm以上であり、
前記表面反射防止層は、膜厚が3nm以上6nm以下であり、
前記遮光膜を透過した露光光と前記遮光膜の膜厚と同じ距離だけ空気中を透過した露光光との間での位相差が30度以下である
ことを特徴とする転写用マスク。 - 前記遮光膜に形成されている転写パターンには、ハーフピッチ40nm以下のラインアンドスペースパターンが含まれていることを特徴とする請求項10または11のいずれかに記載の転写用マスク。
- 請求項10から12のいずれかに記載の転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。
- 半導体ウェハ上に形成される回路パターンには、ハーフピッチ40nm以下のラインアンドスペースパターンが含まれていることを特徴する請求項13に記載の半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010221661A JP5154626B2 (ja) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
US13/248,896 US8501372B2 (en) | 2010-09-30 | 2011-09-29 | Mask blank, transfer mask, method of manufacturing a transfer mask, and method of manufacturing a semiconductor device |
KR1020110099246A KR101286428B1 (ko) | 2010-09-30 | 2011-09-29 | 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
TW100135689A TWI497191B (zh) | 2010-09-30 | 2011-09-30 | 光罩基底、轉印用光罩、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 |
TW104121761A TWI598679B (zh) | 2010-09-30 | 2011-09-30 | 半導體裝置之製造方法 |
KR1020130058960A KR101568058B1 (ko) | 2010-09-30 | 2013-05-24 | 반도체 디바이스의 제조 방법 |
US13/920,128 US9256122B2 (en) | 2010-09-30 | 2013-06-18 | Mask blank, transfer mask, method of manufacturing a transfer mask, and method of manufacturing a semiconductor device |
US14/690,875 US9612527B2 (en) | 2010-09-30 | 2015-04-20 | Mask blank, transfer mask, method of manufacturing a transfer mask, and method of manufacturing a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010221661A JP5154626B2 (ja) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012266015A Division JP5596111B2 (ja) | 2012-12-05 | 2012-12-05 | 半導体デバイスの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012078441A true JP2012078441A (ja) | 2012-04-19 |
JP2012078441A5 JP2012078441A5 (ja) | 2012-08-30 |
JP5154626B2 JP5154626B2 (ja) | 2013-02-27 |
Family
ID=45890106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010221661A Active JP5154626B2 (ja) | 2010-09-30 | 2010-09-30 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8501372B2 (ja) |
JP (1) | JP5154626B2 (ja) |
KR (2) | KR101286428B1 (ja) |
TW (2) | TWI497191B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013065036A (ja) * | 2012-12-05 | 2013-04-11 | Hoya Corp | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2014145920A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Hoya Corp | マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
JP2015007788A (ja) * | 2014-08-06 | 2015-01-15 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
JP2016029458A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-03-03 | 信越化学工業株式会社 | バイナリフォトマスクブランク、その製造方法、及びバイナリフォトマスクの製造方法 |
JP2016057577A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
WO2018168464A1 (ja) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
JP2019105858A (ja) * | 2016-08-26 | 2019-06-27 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120083142A (ko) * | 2011-01-17 | 2012-07-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 형성 방법 |
KR20140023492A (ko) * | 2012-08-16 | 2014-02-27 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 스퍼터링 타겟 및 이에 의해 증착된 블랙 매트릭스를 포함하는 유기 발광 디스플레이 장치 |
WO2014112457A1 (ja) * | 2013-01-15 | 2014-07-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法 |
JP5880506B2 (ja) * | 2013-09-19 | 2016-03-09 | 富士ゼロックス株式会社 | 処理装置 |
JP6621626B2 (ja) * | 2015-09-18 | 2019-12-18 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
JP6756541B2 (ja) * | 2016-08-08 | 2020-09-16 | 東京応化工業株式会社 | 基板の製造方法 |
CN106505158B (zh) * | 2016-12-01 | 2019-07-09 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管器件及其制备方法 |
JP7331793B2 (ja) * | 2020-06-30 | 2023-08-23 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクの製造方法及びフォトマスクブランク |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63214755A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク |
JP2009086389A (ja) * | 2007-09-30 | 2009-04-23 | Hoya Corp | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
JP2010107921A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
JP2010107970A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク及びその製造方法 |
JP2010156880A (ja) * | 2008-12-29 | 2010-07-15 | Hoya Corp | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
WO2010113787A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4897060B2 (ja) * | 2003-06-05 | 2012-03-14 | Ntn株式会社 | ローラ軸の製造方法 |
KR101004395B1 (ko) | 2004-06-16 | 2010-12-28 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 블랭크 및 포토마스크 |
JP4407815B2 (ja) | 2004-09-10 | 2010-02-03 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP2006078825A (ja) | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
JP4843304B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2011-12-21 | 富士通セミコンダクター株式会社 | フォトマスクの製造方法、デバイスの製造方法、及び、フォトマスクのモニタ方法 |
JP4881633B2 (ja) | 2006-03-10 | 2012-02-22 | 凸版印刷株式会社 | クロムレス位相シフトマスク用フォトマスクブランク、クロムレス位相シフトマスク、及びクロムレス位相シフトマスクの製造方法 |
CN102681332B (zh) | 2006-05-30 | 2015-03-11 | Hoya株式会社 | 抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法及转印掩模的制造方法 |
JP5702920B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2015-04-15 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよび位相シフトマスクブランクの製造方法 |
US20100092894A1 (en) | 2008-10-14 | 2010-04-15 | Weihong Liu | Bottom Antireflective Coating Compositions |
KR101808981B1 (ko) | 2008-10-29 | 2017-12-13 | 호야 가부시키가이샤 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 그 제조 방법 |
TWI438562B (zh) | 2009-01-06 | 2014-05-21 | Hoya Corp | 光罩之製造方法、圖案轉印方法、光罩基板用處理裝置及薄膜圖案化方法 |
-
2010
- 2010-09-30 JP JP2010221661A patent/JP5154626B2/ja active Active
-
2011
- 2011-09-29 US US13/248,896 patent/US8501372B2/en active Active
- 2011-09-29 KR KR1020110099246A patent/KR101286428B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-30 TW TW100135689A patent/TWI497191B/zh active
- 2011-09-30 TW TW104121761A patent/TWI598679B/zh active
-
2013
- 2013-05-24 KR KR1020130058960A patent/KR101568058B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-18 US US13/920,128 patent/US9256122B2/en active Active
-
2015
- 2015-04-20 US US14/690,875 patent/US9612527B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63214755A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク |
JP2009086389A (ja) * | 2007-09-30 | 2009-04-23 | Hoya Corp | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
JP2010107970A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-05-13 | Hoya Corp | 多階調フォトマスク及びその製造方法 |
JP2010107921A (ja) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Hoya Corp | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
JP2010156880A (ja) * | 2008-12-29 | 2010-07-15 | Hoya Corp | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
WO2010113787A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013065036A (ja) * | 2012-12-05 | 2013-04-11 | Hoya Corp | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2014145920A (ja) * | 2013-01-29 | 2014-08-14 | Hoya Corp | マスクブランク、転写用マスク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
JP2016029458A (ja) * | 2014-07-15 | 2016-03-03 | 信越化学工業株式会社 | バイナリフォトマスクブランク、その製造方法、及びバイナリフォトマスクの製造方法 |
TWI609232B (zh) * | 2014-07-15 | 2017-12-21 | 信越化學工業股份有限公司 | 二元光罩坯料、其製造方法及二元光罩的製造方法 |
JP2015007788A (ja) * | 2014-08-06 | 2015-01-15 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
JP2016057577A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
JP2019105858A (ja) * | 2016-08-26 | 2019-06-27 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
WO2018168464A1 (ja) * | 2017-03-16 | 2018-09-20 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
JP2018155838A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法 |
CN110603489A (zh) * | 2017-03-16 | 2019-12-20 | Hoya株式会社 | 掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 |
US11314162B2 (en) | 2017-03-16 | 2022-04-26 | Hoya Corporation | Mask blank, transfer mask, and method of manufacturing semiconductor device |
US11624979B2 (en) | 2017-03-16 | 2023-04-11 | Hoya Corporation | Mask blank, transfer mask, and method of manufacturing semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI497191B (zh) | 2015-08-21 |
US20120082924A1 (en) | 2012-04-05 |
US9256122B2 (en) | 2016-02-09 |
US20150227039A1 (en) | 2015-08-13 |
US8501372B2 (en) | 2013-08-06 |
US20130280646A1 (en) | 2013-10-24 |
US9612527B2 (en) | 2017-04-04 |
KR20130064092A (ko) | 2013-06-17 |
KR20120057508A (ko) | 2012-06-05 |
KR101568058B1 (ko) | 2015-11-10 |
TWI598679B (zh) | 2017-09-11 |
TW201539113A (zh) | 2015-10-16 |
JP5154626B2 (ja) | 2013-02-27 |
KR101286428B1 (ko) | 2013-07-19 |
TW201227168A (en) | 2012-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5154626B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 | |
JP5602930B2 (ja) | マスクブランクおよび転写用マスク | |
KR101724046B1 (ko) | 포토마스크 블랭크의 제조방법 및 포토마스크의 제조방법 | |
JP5682493B2 (ja) | バイナリーフォトマスクブランク及びバイナリーフォトマスクの製造方法 | |
TW201702733A (zh) | 相位移光罩空白片、相位移光罩及相位移光罩空白片的製造方法 | |
JP5823563B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 | |
TW201704848A (zh) | 半色調相位移空白光罩、半色調相位移光罩及圖型曝光方法 | |
KR102011239B1 (ko) | 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
JP6502143B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
KR20170123610A (ko) | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 위상 시프트 마스크의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법 | |
KR20100048903A (ko) | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 그 제조 방법 | |
JP5596111B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP5775631B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 | |
JP5906143B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
JP2014160273A (ja) | フォトマスクブランクの製造方法およびフォトマスクの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120713 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120713 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121205 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151214 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5154626 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |