TWI609232B - 二元光罩坯料、其製造方法及二元光罩的製造方法 - Google Patents

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Description

二元光罩坯料、其製造方法及二元光罩的製造方法
本發明係有關於一種作為半導體積體電路、CCD(電荷耦合元件)、LCD(液晶顯示元件)用彩色濾光片、磁頭等的微細加工所使用之二元光罩的素材的二元光罩坯料，尤其係有關於一種ArF準分子雷射曝光所使用之二元光罩用之二元光罩坯料、其製造方法、及使用二元光罩坯料之二元光罩的製造方法。
近年來，在半導體加工中，尤其是，隨著大規模積體電路的高積體化，電路圖案的微細化愈來愈重要，對構成電路之配線圖案的細線化、或構成單元之層間的配線用之接觸孔圖案的微細化技術的要求也愈來愈高。因此，在形成此等配線圖案或接觸孔圖案的光微影術中所使用之寫入電路圖案的光罩的製造中，也隨著前述微細化，要求可更微細且正確地寫入電路圖案的技術。
為了將精度更高的光罩圖案形成於光罩基板上，首先，必需在光罩坯料上形成高精度的阻劑圖案。實 際之對半導體基板加工時的光微影術，為了進行縮小投影，光罩圖案為實際所需之圖案尺寸的4倍左右大小，但僅此並無法緩和精度，反而，作為原版的光罩係要求比曝光後之圖案精度所要求者更高的精度。
再者，在現行的微影術中，所欲描繪之電路圖案的尺寸係遠低於使用之光的波長，如使用將電路的形狀直接放大4倍的光罩圖案，則會因進行實際之光微影術所產生的光的干涉等的影響，無法對阻劑膜轉印仿照光罩圖案之形狀。因此，為了減少此等的影響，光罩圖案有時需予以加工成比實際之電路圖案更複雜的形狀(應用所稱OPC：Optical Proximity Correction(光學鄰近修正)等的形狀)。因此，在用以獲得光罩圖案的微影技術中，目前亦要求更高精度的加工方法。就微影性能而言，有時會以極限解析度表現之，惟就解析極限而言，光罩加工步驟的微影技術要求與使用光罩之半導體加工步驟中所使用的光微影術所需之解析極限同等程度、或較其為高的極限解析精度。
在光罩圖案的形成中，通常係於在透明基板上具有遮光膜的光罩坯料上形成光阻膜，進行採用電子束的圖案描繪，再經過顯像而得到阻劑圖案，其後，以所得阻劑圖案為蝕刻遮罩，對遮光膜進行蝕刻而予以加工成遮光圖案；惟，將遮光圖案微細化時，如欲在將阻劑膜的膜厚維持於與微細化前相同的狀態下進行加工，則膜厚對圖案的比，即所謂的縱橫比會變大，致阻劑的圖案形狀劣化 而無法順利地進行圖案轉印、或隨情況不同阻劑圖案發生倒塌或剝落。因此，隨著微細化，有減薄阻劑膜厚之必要。
另一方面，關於以阻劑為蝕刻遮罩進行蝕刻的遮光膜材料，迄今已提出有多種，而吾人對於蝕刻的知識見解繁多，作為標準加工步驟已然確立，因此，實用上，經常使用鉻化合物膜。就此而言，例如，作為以鉻化合物構成ArF準分子雷射曝光用之光罩坯料所需的遮光膜者，例如，日本特開2003-195479號公報(專利文獻1)中報導一種膜厚50~77nm的鉻化合物膜。
然而，作為鉻化合物膜等鉻系膜的一般的乾式蝕刻條件之含氧的氯系乾式蝕刻，對於有機膜亦具有一定程度進行蝕刻的性質。因此，為了進行更微細之圖案的轉印，由於前述之必要性，而以更薄的阻劑膜進行蝕刻時，於蝕刻中阻劑膜會受損，而不易正確地轉印阻劑圖案。於此，為了達成微細化與高精度之兼有，需由僅依存於阻劑性能之提升的方法，對如提升遮光膜之加工性的遮光膜材料再次進行研究。
舉例來說，日本特開2006-78807號公報(專利文獻2)示出，透過使用構成遮光膜的層的至少1層包含矽與過渡金屬作為主成分，且矽與過渡金屬的原子比為矽：金屬=4~15：1的材料，可獲得遮光性能與加工性優良的ArF準分子雷射曝光用之遮光膜。又，為了使用包含矽與過渡金屬的遮光膜來獲得更高精度的加工性，日本特 開2007-241060號公報(專利文獻3)中示出一種將以鉻系材料形成的薄膜作為硬遮罩膜使用的方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2003-195479號公報
[專利文獻2]日本特開2006-78807號公報
[專利文獻3]日本特開2007-241060號公報
[專利文獻4]日本特開平7-140635號公報
諸如前述，為了正確地製作更微細的圖案，則需要一種在加工時可對阻劑圖案，以不會進一步造成損傷的加工條件進行加工的遮光膜；惟，若為日本特開2007-241060號公報(專利文獻3)所提案之具備：使用含有過渡金屬與矽作為賦予穿透率降低機能的元素，且進一步視需求包含氮或氧等低原子量成分的材料的遮光膜、及鉻系之硬遮罩膜的光罩坯料時，作為有效用於縮小對阻劑之負荷的方策，可舉出與硬遮罩膜的膜厚共同減薄遮光膜之膜厚本身的方法。此時，尤其是對於遮光膜側，為了以薄膜獲得高遮光性，添加於使用之材料的氮或氧等低原子量成分便極力調成低濃度，而將所謂的金屬性較高的膜作為遮光膜使用。
又，諸如前述，設於用以製造光罩之光罩坯料的光學機能膜，例如遮光膜或相位偏移膜等需滿足作成光罩時所需之物理特性，尤為光學特性、或化學穩定性，而為了更容易地獲得高精度的遮罩圖案，亦需提高被加工性。尤其是，隨著光微影術之目標圖案的微細化持續進展，對於遮罩圖案，亦要求更微細且更高精度的圖案。
此外，由無機材料膜形成微細且高精度的圖案時，作為被加工膜之無機材料膜的膜厚較佳在滿足所需之物理特性的範圍盡可能地薄。其原因在於，諸如前述，為了將加工時所使用的阻劑圖案作成更高精度，而需將阻劑膜的膜厚做得較薄，使用由此阻劑膜所得之阻劑圖案並藉由乾式蝕刻等方法對無機材料膜進行圖案轉印之際，透過盡量減少阻劑膜的負擔，則可實施高精度的圖案轉印。
尤其是，在可因應線寬為60nm以下之曝光圖案的形成的光罩用之光罩坯料中，於光罩製造時，尤其在清洗步驟等當中，為了減少遮光膜的圖案倒塌，而需減薄遮光膜的膜厚。又，為了降低光罩上之圖案設計時的三維效果，亦要求遮光膜的薄型化。
日本特開2007-241060號公報(專利文獻3)所示之含有過渡金屬與矽作為穿透率降低機能的元素之化合物所製成的遮光膜，其對波長為200nm以下的光的遮蔽性能較高，而且能以氟系之乾式蝕刻條件進行蝕刻加工，因此，相對於微影術時用作阻劑材料的有機材料，可確保較佳的蝕刻比。然，使用此種材料時，在維持遮光性 能的狀態下予以薄膜化，對於確保加工精度方面亦屬有效，例如，欲獲得精度較高的二元光罩時，較佳為進一步減薄遮光膜的膜厚。為將遮光膜薄型化並獲得充分的遮光性能，且為了增加膜對曝光時的光的吸收係數，則需降低氮或氧等輕元素的含有率，而製成金屬性更高的膜。
本發明係為了解決前述課題而完成者，茲以提供一種可確保作為遮光膜所需之遮光性，且具備更薄之遮光膜的二元光罩坯料、其製造方法、及使用二元光罩坯料之二元光罩的製造方法為目的。
本案發明人等為解決前述課題而致力重複多次研究的結果發現，在透明基板上具備含有過渡金屬及矽或過渡金屬、矽及氮之光學濃度3.0以上的遮光膜的二元光罩坯料中，對於既定的厚度以下之遮光膜，藉由將遮光膜，以過渡金屬M、矽Si及氮N的組成滿足既定算式的單層或包含滿足既定算式的層的複數層構成，具體而言，以由(A)使遮光膜的膜厚成為47nm以下，且過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(1)B≦0.68×A+0.23 (1)
(式中，A為M相對於Si之原子比，B為N相對於 Si之原子比)的層、 (B)使遮光膜的膜厚成為43nm以下，且過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(2)B≦1.19×A-0.19 (2)
(式中，A、B係與式(1)相同)的層、或(C)使遮光膜的膜厚成為41nm以下，且過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(3)B≦2.12×A-0.70 (3)
(式中，A、B係與式(1)相同)的層所形成的單層或包含滿足前述式的層的複數層構成，即形成可確保作為遮光膜所需之遮光性，且具備更薄之遮光膜的二元光罩坯料，進而，藉由將前述式應用於構成元素之組成的設計，可配合膜厚有效地設計為了獲得更薄之遮光膜所需的構成元素，尤為過渡金屬、矽及氮的組成，終至完成本發明。
從而，本發明係提供以下之二元光罩坯料、二元光罩坯料的製造方法、及二元光罩的製造方法。
請求項1：
一種二元光罩坯料，其係在透明基板上具備含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分，且由單層或複數層構成之光學濃度3.0以上的遮光膜的二元光罩坯料，其特徵為：前述遮光膜係包含過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(1)B≦0.68×A+0.23 (1)
(式中，A為M相對於Si之原子比，B為N相對於Si之原子比)的層，前述遮光膜的膜厚為47nm以下。
請求項2：
一種二元光罩坯料，其係在透明基板上具備含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分，且由單層或複數層構成之光學濃度3.0以上的遮光膜的二元光罩坯料，其特徵為：前述遮光膜係包含過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(2)B≦1.19×A-0.19 (2)
(式中，A為M相對於Si之原子比，B為N相對於Si之原子比) 的層，前述遮光膜的膜厚為43nm以下。
請求項3：
一種二元光罩坯料，其係在透明基板上具備含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分，且由單層或複數層構成之光學濃度3.0以上的遮光膜的二元光罩坯料，其特徵為：前述遮光膜係包含過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(3)B≦2.12×A-0.70 (3)
(式中，A為M相對於Si之原子比，B為N相對於Si之原子比)的層，前述遮光膜的膜厚為41nm以下。
請求項4：
如請求項1至3中任一項之二元光罩坯料，其中前述過渡金屬為鉬。
請求項5：
如請求項1至3中任一項之二元光罩坯料，其中在前述遮光膜上，具有以對該遮光膜進行蝕刻時具蝕刻耐性之材料所形成的硬遮罩膜。
請求項6：
如請求項5之二元光罩坯料，其中前述過渡金屬為鉬，前述硬遮罩膜係包含鉻。
請求項7：
一種二元光罩的製造方法，其係由二元光罩坯料製造二元光罩的方法，其特徵為包括：在如請求項1至4之二元光罩坯料的遮光膜上形成膜厚150nm以下之阻劑膜的步驟；形成該阻劑膜之蝕刻遮罩圖案的步驟；使用該阻劑膜之蝕刻遮罩圖案，對遮光膜形成光罩圖案的步驟；及去除前述阻劑膜之蝕刻遮罩圖案的步驟。
請求項8：
一種二元光罩的製造方法，其係由二元光罩坯料製造二元光罩的方法，其特徵為包括：在如請求項5或6之二元光罩坯料的硬遮罩膜上形成膜厚150nm以下之阻劑膜的步驟；形成該阻劑膜之蝕刻遮罩圖案的步驟；使用該阻劑膜之蝕刻遮罩圖案，對硬遮罩膜形成蝕刻遮罩圖案的步驟；使用該硬遮罩膜之蝕刻遮罩圖案，對遮光膜形成光罩圖案的步驟；及去除前述阻劑膜之蝕刻遮罩圖案及硬遮罩膜之蝕刻遮罩圖案的步驟。
請求項9：
一種二元光罩坯料的製造方法，其係製造在透明基板上具備含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮 N作為主成分，且由單層或複數層構成之光學濃度3.0以上的遮光膜的二元光罩坯料之方法，其特徵為：將前述遮光膜形成為包含過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(1)B≦0.68×A+0.23 (1)
(式中，A為M相對於Si之原子比，B為N相對於Si之原子比)的層，將遮光膜的膜厚形成為47nm以下。
請求項10：
一種二元光罩坯料的製造方法，其係製造在透明基板上具備含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分，且由單層或複數層構成之光學濃度3.0以上的遮光膜的二元光罩坯料之方法，其特徵為：將前述遮光膜形成為包含過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(2)B≦1.19×A-0.19 (2)
(式中，A為M相對於Si之原子比，B為N相對於Si之原子比)的層，將遮光膜的膜厚形成為43nm以下。
請求項11：
一種二元光罩坯料的製造方法，其係製造在透明基板上具備含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分，且由單層或複數層構成之光學濃度3.0以上的遮光膜的二元光罩坯料之方法，其特徵為：將前述遮光膜形成為包含過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(3)B≦2.12×A-0.70 (3)
(式中，A為M相對於Si之原子比，B為N相對於Si之原子比)的層，將遮光膜的膜厚形成為41nm以下。
請求項12：
如請求項9至11中任一項之二元光罩坯料的製造方法，其中前述過渡金屬為鉬。
本發明之二元光罩坯料可充分遮蔽曝光時的光，且具備更薄的遮光膜，當對該二元光罩坯料進行光罩加工時，由於可使用更薄的阻劑膜，而能夠獲得高精度的二元光罩。又，只要對具有以本發明之鉻系材料等所形成之硬遮罩膜的二元光罩坯料進行光罩加工，即可獲得更高精度的二元光罩。
1‧‧‧透明基板
2‧‧‧遮光膜
21‧‧‧透明基板側的層
22‧‧‧遠離透明基板之一側的層
3‧‧‧蝕刻遮罩膜
第1圖為本發明之二元光罩坯料的第1態樣之一例的剖面圖。
第2圖為本發明之二元光罩坯料的第2態樣之一例的剖面圖。
第3圖為本發明之二元光罩坯料的第3態樣之一例的剖面圖。
第4圖為本發明之二元光罩坯料的第4態樣之一例的剖面圖。
第5圖為表示實驗例1中所得的膜之A值(過渡金屬M相對於矽Si之原子比)、B值(氮N相對於矽Si之原子比)及膜厚的圖。
以下，對本發明更詳細地加以說明。
本發明之二元光罩坯料係作為由透光部與遮光部此2種部分所構成的二元光罩之素材者，在石英基板等的透明基板上，具有波長193nm下之光學濃度為3.0以上的遮光膜。在二元光罩中，去除掉遮光膜之僅有透明基板的部分屬透光部、於透明基板上存在有(殘留有)遮光膜的部分屬遮光部。該遮光膜由於是用於二元光罩，故光學濃度要求為3.0以上，較佳取3.5以下。就本發明之遮光膜，將膜厚作成47nm以下，尤為43nm以下，特別是41nm以下 時，仍可確保既定的遮光性。另一方面，遮光膜的膜厚的下限通常為10nm以上。
本發明之二元光罩坯料係在透明基板上具有由單層或複數層(2層或3層以上)構成的遮光膜。作為具有由單層構成之遮光膜的二元光罩坯料，具體而言可舉出屬第1態樣之如第1圖所示，在透明基板1上形成有單層之遮光膜2者。另一方面，作為具有由複數層構成之遮光膜的二元光罩坯料，具體而言，例如為由2層構成的遮光膜時，則可舉出屬第2態樣之如第2圖所示，在透明基板1上，形成有由透明基板側的層21及遠離透明基板之一側的層22此2層所構成的遮光膜2者。
本發明之二元光罩坯料的遮光膜係含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分。當遮光膜為單層時，該層需含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分。另一方面，當遮光膜為複數層時，則至少1層需為含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分的層(第1層)。該第1層的膜厚(該層有2層以上時為彼等之合計)較佳為遮光膜全體的膜厚的50%以上，尤以70%以上為佳。另一方面，其他的層(第2層)可為含有過渡金屬M及矽Si，並進一步含有由氮N、氧O及碳C中選出的1種以上者，惟較佳為所有的層為含有過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分的層。
當含有過渡金屬M及矽Si或含有過渡金屬 M、矽Si及氮N作為主成分的遮光膜以單層構成時，較佳含有合計80原子%以上的過渡金屬M、矽Si及氮N，較佳的是過渡金屬M為10原子%以上且35原子%以下，矽Si為50原子%以上且80原子%以下，氮N為0原子%以上，尤為1原子%以上且30原子%以下。又，當含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分的遮光膜以複數層構成時，在含有前述過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分的層(第1層)中，較佳含有合計80原子%以上的過渡金屬M、矽Si及氮N，較佳的是過渡金屬M為10原子%以上且35原子%以下，矽Si為50原子%以上且80原子%以下，氮N為0原子%以上，尤為1原子%以上且30原子%以下。另一方面，在前述其他的層(第2層)中，較佳含有合計35原子%以上的過渡金屬M及矽Si，較佳的是過渡金屬M為3原子%以上且35原子%以下，矽Si為30原子%以上且80原子%以下，氮N為0原子%以上，尤為10原子%以上且55原子%以下。在遮光膜及構成其之層中，亦可進一步含有氧O、碳C及此兩者作為輕元素成分，惟較佳為僅由過渡金屬M及矽Si、或過渡金屬M、矽Si及氮N構成。作為過渡元素，較合適者為鉬Mo。
在含有過渡金屬M，尤為鉬Mo，及矽Si作為主成分的遮光膜、或含有過渡金屬M，尤為鉬Mo，及矽Si與氮N作為主成分的遮光膜中，藉由增加過渡金屬M的量，可提高每單位膜厚的光學濃度，而能夠減薄為了 獲得所需之光學濃度，即3.0以上之光學濃度所需要的膜厚。又，藉由減少氮N的量，可提高每單位膜厚的光學濃度，而能夠減薄為了獲得所需之光學濃度，即3.0以上之光學濃度所需要的膜厚。
在本發明之二元光罩坯料中，當遮光膜為單層時、其層為複數層時，只要使構成該複數層的1層以上，較佳為所有的層之過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(1)B≦0.68×A+0.23 (1)
(式中，A為M相對於Si之原子比(M/Si，下同)，B為N相對於Si之原子比(N/Si，下同))，則可作成使遮光膜的膜厚(遮光膜全體的膜厚)成為47nm以下，且具有作為遮光膜所需之3.0以上之光學濃度的遮光膜。
又，在本發明之二元光罩坯料中，當遮光膜為單層時、其層為複數層時，只要使構成該複數層的1層以上，較佳為所有的層之過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(2)B≦1.19×A-0.19 (2)
(式中，A為M相對於Si之原子比，B為N相對於 Si之原子比)，則可作成使遮光膜的膜厚(遮光膜全體的膜厚)成為43nm以下，且具有作為遮光膜所需之3.0以上之光學濃度的遮光膜。
再者，在本發明之二元光罩坯料中，當遮光膜為單層時、其層為複數層時，只要使構成該複數層的1層以上，較佳為所有的層之過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(3)B≦2.12×A-0.70 (3)
(式中，A為M相對於Si之原子比，B為N相對於Si之原子比)，則可作成使遮光膜的膜厚(遮光膜全體的膜厚)成為41nm以下，且具有作為遮光膜所需之3.0以上之光學濃度的遮光膜。
藉由使遮光膜所含之層的組成、及遮光膜的膜厚如此構成，即形成可確保作為遮光膜所需之遮光性，且具備更薄之遮光膜的二元光罩坯料，進而，藉由將前述式應用於遮光膜的構成元素之組成的設計，可配合膜厚有效地設定為了獲得更薄之遮光膜所需的構成元素，尤為過渡金屬、矽及氮的組成。若為前述式(1)~(3)任一者時，A的值較佳為0.1~0.6，尤為0.1~0.5的範圍，B的值較佳為0~0.5的範圍。又，在本發明中，亦能以複數 層構成遮光膜，並將其一部分作成具抗反射機能的層(抗反射層)。
通常作為形成光罩坯料之遮光膜的手法，係採用反應性濺鍍等的濺鍍法，於本發明中亦較佳以濺鍍法來形成遮光膜。如欲調整形成之遮光膜及構成其之層的過渡金屬M相對於矽Si之比率(原子比)，若僅使用MSi混合靶時，可藉由改變靶的M/Si比來調整。又，以使用M靶與Si靶，調整成膜時對各者施加之電力的比例的方法，也可調整過渡金屬M相對於矽Si之比率。除此等之外，以使用2種以上之組成比不同的MSi靶的方法、或使用MSi靶與Si靶，調整成膜時對各者施加之電力的比例的方法，也可調整過渡金屬M相對於矽Si之比率。
另一方面，如欲調整形成之遮光膜及構成其之層的氮N相對於矽Si之比率(原子比)，一般而言，可藉由在成膜中導入N2氣體等含N的氣體而使遮光膜中含有N，並藉由調整成膜時導入的N量，可調整氮N相對於矽Si之比率。此外，使靶含有氮N，亦可調整氮N的量。濺鍍氣體中亦可添加Ar氣體等的惰性氣體。濺鍍壓力通常為0.02~0.5Pa。
就本發明之二元光罩坯料，亦可在遮光膜上形成有別於遮光膜的抗反射膜。作為此時的抗反射膜，較佳為增加N量的組成、或添加氧O來提升膜的透明性的組成者。又，就本發明之二元光罩坯料，也可在遮光膜上形成以對該遮光膜進行蝕刻時具蝕刻耐性之材料，即發揮 作為蝕刻遮罩之機能的材料所形成的硬遮罩膜。作為具有由單層構成之遮光膜的二元光罩坯料，具體而言可舉出屬第3態樣之如第3圖所示，在透明基板1上形成有單層之遮光膜2，並於其上進一步形成有蝕刻遮罩膜3者。另一方面，作為具有由複數層構成之遮光膜的二元光罩坯料，具體而言，例如為由2層構成的遮光膜時，則可舉出屬第4態樣之如第4圖所示，在透明基板1上形成有由透明基板側的層21及遠離透明基板之一側的層22此2層所構成的遮光膜2，並於其上進一步形成有蝕刻遮罩膜3者。
尤其是當遮光膜的過渡金屬為鉬時，較佳為以鉻化合物形成的硬遮罩膜，該鉻化合物係含有一般用作硬遮罩材料的含鉻材料(鉻系材料)，例如鉻金屬、或鉻及由氧、氮及碳中選出的輕元素。
作為以鉻系材料形成的硬遮罩膜，可舉出日本特開2007-241060號公報(專利文獻3)所示者；惟，尤其是為了進行高精度的加工，硬遮罩膜本身亦需經過高精度加工。因此，硬遮罩膜的膜厚較佳為1nm以上且10nm以下。又，就硬遮罩膜的組成，較佳的是鉻為50原子%以上且100原子%以下，尤為60原子%以上且95原子%以下，氧為0原子%以上且50原子%以下，尤為0原子%以上且30原子%以下，氮為0原子%以上且50原子%以下，尤為5原子%以上且40原子%以下，碳為0原子%以上且20原子%以下，尤為0原子%以上且10原子%以下。
硬遮罩膜的成膜較佳與遮光膜同樣地藉由濺鍍法來進行，可舉出例如使用鉻靶，僅以氬氣來進行的方法；在僅有氮或氮氧化物等反應性氣體、或者氮或氮氧化物等反應性氣體與氬氣等惰性氣體的混合氣體中進行反應性濺鍍的方法(例如參照日本特開平7-140635號公報(專利文獻4))。濺鍍氣體的流量只要配合膜特性來調整即可，於成膜中，可設為一定，而欲使氧量或氮量朝膜的厚度方向變化時，亦可配合目標組成來改變之。
本發明之二元光罩坯料特別適合作為ArF曝光(使用波長193nm之ArF準分子雷射光所進行的曝光)所使用的二元光罩用之二元光罩坯料。
本發明之二元光罩坯料，可藉由在設於最表面的遮光膜、抗反射膜或硬遮罩膜任一者上形成阻劑膜，由該阻劑膜形成阻劑圖案，並以該阻劑圖案作為蝕刻遮罩圖案形成下層的膜的光罩圖案或蝕刻遮罩圖案，來製造二元光罩，惟，本發明之二元光罩坯料，在使用膜厚較薄的阻劑膜，例如150nm以下，尤為厚度50~120nm的阻劑膜時，仍可高精度地形成遮光膜圖案。
具體而言，如未形成硬遮罩膜時，可藉由：在二元光罩坯料的遮光膜上(形成有有別於遮光膜之抗反射膜時則在抗反射膜上)形成膜厚150nm以下之阻劑膜的步驟；形成阻劑膜之蝕刻遮罩圖案的步驟；使用阻劑膜之蝕刻遮罩圖案，在遮光膜上(形成有有別於遮光膜之抗反射膜時則在遮光膜及抗反射膜上)形成光罩圖案的步 驟；及去除阻劑膜之蝕刻遮罩圖案的步驟來製造二元光罩。
另一方面，若形成有硬遮罩膜時，可藉由：在二元光罩坯料的硬遮罩膜上形成膜厚150nm以下之阻劑膜的步驟；形成阻劑膜之蝕刻遮罩圖案的步驟；使用阻劑膜之蝕刻遮罩圖案，對硬遮罩膜形成蝕刻遮罩圖案的步驟；使用硬遮罩膜之蝕刻遮罩圖案，對遮光膜(形成有有別於遮光膜之抗反射膜時則對遮光膜及抗反射膜)形成光罩圖案的步驟；及去除前述阻劑膜之蝕刻遮罩圖案及硬遮罩膜之蝕刻遮罩圖案的步驟來製造二元光罩。
[實施例]
以下示出實驗例、實施例及比較例來具體地說明本發明，惟本發明不受以下之實施例所限定。
[實驗例1]
在石英基板上，以濺鍍法，使用MoSi靶與Si靶，濺鍍氣體使用氬氣與氮氣，藉由變換對MoSi靶施加的電力、對Si靶施加的電力以及氬氣及氮氣的流量，而以光學濃度為3.0的膜厚形成組成不同的6種MoSiN膜，並藉由XPS(X射線光電子分光法)測定Mo、Si及N的組成。又，於各膜中，由所得之組成算出A值(過渡金屬M相對於矽Si之原子比)及B值(氮N相對於矽Si之原子比)，並利用A值算出相當於前述式(1)~(3)之右邊的值C1~C3 C1=0.68×A+0.23 C2=1.19×A-0.19 C3=2.12×A-0.70。將結果示於表1及第5圖。
由此等結果可知，在以Mo、Si及N為主成分之光學濃度3.0以上的遮光膜中，可基於式(1)~(3)來設計使遮光膜成為既定的膜厚以下時可應用的組成。
[實施例1]
在石英基板上，一面以於基板側，鉬為20原子%，矽為58原子%，氮為20原子%(此層於基板側的各值為A=0.34、B=0.34、C1=0.46)，於遠離基板的一側，鉬為22原子%、矽為62原子%、氮為15原子%(此層於遠離基板的一側的各值為A=0.35、B=0.24、C1=0.47)的方式使氮氣濃度連續地減少一面形成厚度43nm之屬組成傾斜層的MoSiN層。接著，以鉬為7原子%、矽為48原子%、氮為37原子%(此層的各值為A=0.15、B=0.77、 C1=0.33)的條件形成厚度4nm的MoSiN層，而形成由2層構成的遮光膜。
所得遮光膜的膜厚為47nm，對波長193nm的光，光學濃度OD為3.05，來自基板側的光的反射率為34%，來自遠離基板之一側的光的反射率為32%。藉由在基板側形成含有滿足式(1)之過渡金屬M、矽Si及氮N的MSiN膜，可形成膜厚為47nm的遮光膜。
其次，以濺鍍法形成CrN膜〔Cr：N=9：1(原子比)〕使其膜厚成為10nm後，塗佈電子線曝光用阻劑而形成厚度150nm的阻劑膜，以電子束進行曝光，再進行顯像而形成阻劑膜之線寬為120nm的線與空間圖案(蝕刻遮罩圖案)。其次，藉由進行以Cl2氣體(185sccm)、O2氣體(55sccm)及He氣體(9.25sccm)為蝕刻氣體的乾式蝕刻，將CrN膜圖案化，轉印阻劑圖案而得到CrN膜之蝕刻遮罩圖案，其後，使用CrN膜之蝕刻遮罩圖案，進行以SF6氣體(18sccm)及O2氣體(45sccm)為蝕刻氣體的乾式蝕刻，以此對遮光膜進行乾式蝕刻，其後，去除阻劑膜之蝕刻遮罩圖案與CrN膜之蝕刻遮罩圖案，得到遮光膜的光罩圖案。
以SEM觀察所得遮光膜之光罩圖案的剖面形狀。由SEM的觀察，確認有垂直性良好的剖面。
[實施例2]
在石英基板上，於基板側，以鉬為20原子%、矽為 70原子%且氮為6原子%(此層的各值為A=0.29、B=0.09、C2=0.15)的條件形成厚度39nm的MoSiN層。接著，以鉬為6原子%、矽為54原子%且氮為22原子%(此層的各值為A=0.11、B=0.41、C2=-0.06)的條件形成厚度4nm的MoSiN層，而形成由2層構成的遮光膜。
所得遮光膜的膜厚為43nm，對波長193nm的光，光學濃度OD為3.00，來自基板側的光的反射率為51%，來自膜面側的光的反射率為45%。藉由在基板側形成含有滿足式(2)之過渡金屬M、矽Si及氮N的MSiN膜，可形成膜厚為43nm以下的遮光膜。
其次，以與實施例1同樣的方式得到遮光膜之光罩圖案，以SEM觀察其剖面形狀。由SEM的觀察，確認有垂直性良好的剖面。
[實施例3]
在石英基板上，以鉬為33原子%、矽為65原子%且氮為2原子%(此層的各值為A=0.51、B=0.03、C3=0.38)的條件形成厚度40nm的MoSiN層，而形成由1層構成的遮光膜。
所得遮光膜的膜厚為40nm，對波長193nm的光，光學濃度OD為3.05，來自基板側的光的反射率為55%，來自膜面側的光的反射率為62%。藉由形成含有滿足式(3)之過渡金屬M、矽Si及氮N的MSiN膜，可形成膜厚為41nm以下的遮光膜。
其次，以與實施例1同樣的方式得到遮光膜之光罩圖案，以SEM觀察其剖面形狀。由SEM的觀察，確認有垂直性良好的剖面。
[比較例1]
在石英基板上，以鉬為17原子%、矽為55原子%、氮為28原子%(此層的各值為A=0.31、B=0.51、C1=0.44)的條件形成厚度48nm的MoSiN層，而形成由1層構成的遮光膜。
所得遮光膜的膜厚為48nm，對波長193nm的光，光學濃度OD為3.00，來自基板側的光的反射率為32%，來自膜面側的光的反射率為40%。於此MSiN膜情況下，若將膜厚減薄至低於48nm，則光學濃度未達3.0。對於含有不滿足式(1)之過渡金屬M、矽Si及氮N的MSiN膜，無法形成光學濃度為3.0以上，且膜厚為47nm以下的遮光膜。

Claims (12)

  1. 一種二元光罩坯料，其係在透明基板上具備含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分，且由單層或複數層構成之光學濃度3.0以上的遮光膜的二元光罩坯料，其特徵為：前述遮光膜係包含過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(1)B≦0.68×A+0.23 (1)(式中，A為M相對於Si之原子比，B為N相對於Si之原子比)的層，前述遮光膜的膜厚為47nm以下。
  2. 一種二元光罩坯料，其係在透明基板上具備含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分，且由單層或複數層構成之光學濃度3.0以上的遮光膜的二元光罩坯料，其特徵為：前述遮光膜係包含過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(2)B≦1.19×A-0.19 (2)(式中，A為M相對於Si之原子比，B為N相對於Si之原子比) 的層，前述遮光膜的膜厚為43nm以下。
  3. 一種二元光罩坯料，其係在透明基板上具備含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分，且由單層或複數層構成之光學濃度3.0以上的遮光膜的二元光罩坯料，其特徵為：前述遮光膜係包含過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(3)B≦2.12×A-0.70 (3)(式中，A為M相對於Si之原子比，B為N相對於Si之原子比)的層，前述遮光膜的膜厚為41nm以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之二元光罩坯料，其中前述過渡金屬為鉬。
  5. 如請求項1至3中任一項之二元光罩坯料，其中在前述遮光膜上，具有以對該遮光膜進行蝕刻時具蝕刻耐性之材料所形成的硬遮罩膜。
  6. 如請求項5之二元光罩坯料，其中前述過渡金屬為鉬，前述硬遮罩膜係包含鉻。
  7. 一種二元光罩的製造方法，其係由二元光罩坯料製造二元光罩的方法，其特徵為包括：在如請求項1至4之二元光罩坯料的遮光膜上形成膜厚150nm以下之阻劑膜的步驟； 形成該阻劑膜之蝕刻遮罩圖案的步驟；使用該阻劑膜之蝕刻遮罩圖案，對遮光膜形成光罩圖案的步驟；及去除前述阻劑膜之蝕刻遮罩圖案的步驟。
  8. 一種二元光罩的製造方法，其係由二元光罩坯料製造二元光罩的方法，其特徵為包括：在如請求項5或6之二元光罩坯料的硬遮罩膜上形成膜厚150nm以下之阻劑膜的步驟；形成該阻劑膜之蝕刻遮罩圖案的步驟；使用該阻劑膜之蝕刻遮罩圖案，對硬遮罩膜形成蝕刻遮罩圖案的步驟；使用該硬遮罩膜之蝕刻遮罩圖案，對遮光膜形成光罩圖案的步驟；及去除前述阻劑膜之蝕刻遮罩圖案及硬遮罩膜之蝕刻遮罩圖案的步驟。
  9. 一種二元光罩坯料的製造方法，其係製造在透明基板上具備含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分，且由單層或複數層構成之光學濃度3.0以上的遮光膜的二元光罩坯料之方法，其特徵為：將前述遮光膜形成為包含過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(1)B≦0.68×A+0.23 (1) (式中，A為M相對於Si之原子比，B為N相對於Si之原子比)的層，將遮光膜的膜厚形成為47nm以下。
  10. 一種二元光罩坯料的製造方法，其係製造在透明基板上具備含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分，且由單層或複數層構成之光學濃度3.0以上的遮光膜的二元光罩坯料之方法，其特徵為：將前述遮光膜形成為包含過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(2)B≦1.19×A-0.19 (2)(式中，A為M相對於Si之原子比，B為N相對於Si之原子比)的層，將遮光膜的膜厚形成為43nm以下。
  11. 一種二元光罩坯料的製造方法，其係製造在透明基板上具備含有過渡金屬M及矽Si或過渡金屬M、矽Si及氮N作為主成分，且由單層或複數層構成之光學濃度3.0以上的遮光膜的二元光罩坯料之方法，其特徵為：將前述遮光膜形成為包含過渡金屬、矽及氮的組成滿足式(3)B≦2.12×A-0.70 (3) (式中，A為M相對於Si之原子比，B為N相對於Si之原子比)的層，將遮光膜的膜厚形成為41nm以下。
  12. 如請求項9至11中任一項之二元光罩坯料的製造方法，其中前述過渡金屬為鉬。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6400763B2 (ja) * 2017-03-16 2018-10-03 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP6932552B2 (ja) * 2017-05-31 2021-09-08 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP6866246B2 (ja) * 2017-06-30 2021-04-28 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012078441A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Hoya Corp マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法
JP2012141583A (ja) * 2010-12-17 2012-07-26 Hoya Corp マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
TW201237547A (en) * 2010-11-05 2012-09-16 Hoya Corp Mask blank, transfer mask, method of manufacturing a transfer mask, and method of manufacturing a semiconductor device
TW201329613A (zh) * 2011-09-07 2013-07-16 Shinetsu Chemical Co 空白光罩、光罩及其製造方法
TW201329616A (zh) * 2011-11-30 2013-07-16 Hoya Corp 轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3064769B2 (ja) 1992-11-21 2000-07-12 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法
JP2003195479A (ja) 2001-12-28 2003-07-09 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
JP4407815B2 (ja) 2004-09-10 2010-02-03 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP4883278B2 (ja) 2006-03-10 2012-02-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
KR20090105599A (ko) * 2008-04-03 2009-10-07 주식회사 하이닉스반도체 위상반전 마스크 및 그 제조 방법
CN102165369A (zh) * 2008-09-30 2011-08-24 Hoya株式会社 光掩模坯体、光掩模及其制造方法、以及半导体器件的制造方法
WO2010113787A1 (ja) * 2009-03-31 2010-10-07 Hoya株式会社 マスクブランク及び転写用マスクの製造方法
WO2011007800A1 (ja) * 2009-07-16 2011-01-20 Hoya株式会社 マスクブランク及び転写用マスク
US8435704B2 (en) * 2010-03-30 2013-05-07 Hoya Corporation Mask blank, transfer mask, and methods of manufacturing the same
JP5682493B2 (ja) * 2010-08-04 2015-03-11 信越化学工業株式会社 バイナリーフォトマスクブランク及びバイナリーフォトマスクの製造方法
KR101269062B1 (ko) * 2012-06-29 2013-05-29 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토 마스크 제조방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012078441A (ja) * 2010-09-30 2012-04-19 Hoya Corp マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法
TW201237547A (en) * 2010-11-05 2012-09-16 Hoya Corp Mask blank, transfer mask, method of manufacturing a transfer mask, and method of manufacturing a semiconductor device
JP2012141583A (ja) * 2010-12-17 2012-07-26 Hoya Corp マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
TW201329613A (zh) * 2011-09-07 2013-07-16 Shinetsu Chemical Co 空白光罩、光罩及其製造方法
TW201329616A (zh) * 2011-11-30 2013-07-16 Hoya Corp 轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法

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