TWI417648B - 空白光罩 - Google Patents

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Description

空白光罩
本發明關於一種用於製造光罩之空白光罩，而光罩係使用於半導體積體電路、電荷耦合裝置(CCD)、用於液晶顯示器(LCD)之濾色器、磁頭及類似者之製作。
於半導體製作中，特別是大型積體電路之積體化程度的增加，已導致近年來較小體形電路圖案之需求的成長。此需求增強於構成電路之佈線圖案中縮減特徵尺寸的技術之需要，並增強用於構成電池之層間連結的接觸窗(contact hole)圖案中縮減特徵尺寸的技術之需要。因此，於製造電路圖案已被寫至其上之光罩且使用此光罩於光微影法以形成此等佈線圖案及接觸窗圖案時，有必要提供一種技術，其於保有上述小體形之趨勢的同時，能夠以更小規模及更高準確度寫入電路圖案。
為產生更高準確度之光罩圖案於光罩基材上，首先必須於空白光罩上形成高度準確的光阻圖案。因於實際的半導體基材之光微影製程中包含執行縮小投影，而光罩圖案係約實際所需圖案之尺寸的四倍。然而，此並不代表準確度之要求可因而放寬。作為主件的光罩確實必須具有高於曝光後圖案所需準確度之一定程度的準確度。
此外，於現今採用的微影法中，欲被寫入的電路圖案之尺寸實質上小於用於曝光之光的波長。因此，當使用經四倍放大的具有電路形狀之光罩圖案時，肇因於實際光微影期間發生之諸如光干擾的效應，光罩圖案無法以完全相同的形狀被轉移至光阻膜。為減少此等效應，有時必須執行使光罩圖案的形狀較實際電路圖案複雜的製程，亦即例如藉由實施光學鄰近修正術(OPC)所得的形狀。因此，於現今用於圖案化光罩的微影技術中亦有必要提供一種更高準確度的製程方法。微影表現有時意指“最小解晰度”。所欲的是，使用於光罩製造操作中的微影技術之解析度限制表示實質上等於或大於光微影法中所需之解析度限制的準確度，而光微影法係採用於其中使用光罩之半導體製作中。
典型地，於形成光罩圖案時，沉積一光阻層於由透明基材所構成的空白光罩上，而透明基材上設置有遮光膜。藉電子束曝光並執行顯影而將圖案寫至光阻膜上，藉此形成光阻圖案。接著使用光阻圖案作為蝕刻遮罩對遮光膜進行蝕刻，藉此形成遮光圖案。當欲形成較小微特徵尺寸之遮光圖案時，若製程中使用的光阻膜厚度與尺寸縮減前所使用者大約相同，則膜厚度對圖案特徵尺寸之比(即深寬比)增加且光阻圖案形狀降解而防止恰當地執行圖案轉移。於一些情況中，光阻圖案甚至可能崩解或自基材分離。因而必須縮減光阻膜的厚度以配合特徵尺寸之縮減。
至於使用光阻作為蝕刻遮罩而進行蝕刻的遮光膜材料，迄今雖於先前技術中已描述多種材料，但因現有之關於蝕刻鉻化合物膜的知識豐富且標準製程操作已完善建立，所以於實際上多採用鉻化合物膜。
然而，一般用於乾蝕刻諸如鉻化合物之鉻系膜的含氧氯系乾蝕刻，亦經常於某種程度上蝕刻有機膜。因此，當使用薄光阻膜執行此蝕刻時，難以準確地轉移光阻圖案。如何獲得致能高解析度及高準確度蝕刻執行之具抗蝕刻性的光阻為令人卻步的挑戰。因此，為達高解析度及高準確度兩者，需重新檢視遮光膜材料，使得完全依賴光阻表現性的方法可改變為亦增進遮光膜表現性的方法。
作為強調此問題的一種方式，發明人於早先發現每單位膜厚度的金屬矽化物系材料較鉻系材料具有較高之遮光表現性，尤其是於250 nm以下波長進行曝光時(見JP－A 2006－78807)。其亦顯示當被置放於低氧化態中，雖過渡金屬矽化物系材料對氨/過氧化氫水溶液或常用於清潔之類似物具減少之化學穩定性的危機，藉設定材料中之過渡金屬的比例(過渡金屬/(過渡金屬＋矽))為20%或以下，可確保材料於光罩製作時具有必要的化學穩定性。此外，發明人提及，當使用鉻系材料於形成抗反射膜時，金屬矽化物系材料及鉻系材料之蝕刻選擇度的差異致能相互選擇性蝕刻的執行。亦即，藉使用鉻系材料膜作為硬遮罩，初始沉積之光阻膜上的負載降低，即便於較薄的光阻膜厚度之情況中致能執行高精密度蝕刻。
於製造光罩時使用電子束微影法係眾所知悉者。當其被用於重複地寫入相同圖案時，雖電子束微影法之效率低於採用遮罩之光微影法，其係有利於形成較小體形圖案且因此較光微影法更適於光罩製作。近年來為達到改進電子束曝光系統及提升產量之目的，試圖於電子束照射期間增加電流密度。然而，於此時增加電流密度將傾向於電子束寫入期間產生“充電(charge－up)”效應。
如前述註記，發明人早先揭露使用過渡金屬矽化物化合物取代習知的鉻系材料，以於適應用於使用低波長曝光光線之光罩中作為更有利的遮光膜材料。然而，光罩中遮光膜材料所欲的化學穩定性致使必須確保矽含量(以矽/(矽＋過渡金屬)表示)超過80%。但是，所欲之較不易充電的材料將很可能引起導電性高於迄今所需之導電性範圍的需求。發明人預期，為獲得以過渡金屬矽化物化合物所製成的使用波長為250 nm或以下之光而達到相當官能性的遮光膜，藉升高過渡金屬的濃度可增加導電性。然而，當使用的遮光膜材料之矽含量為80%或以下時，以現有的知識無法確保化學穩定性，而顯然需要一種新的方法以確保化學穩定性。
因此本發明之一目的在於提供一種空白光罩，其於矽含量(以矽/(矽＋過渡金屬)表示)小於80原子%的過渡金屬矽化物中具有實質上沒有問題的化學穩定性。雖先前認為此種過渡金屬矽化物難以用於較小體形光罩圖案之製造，尤其是作為使用波長為250 nm或以下的曝光光線(如氬氟準分子雷射(ArF excimer laser))執行光微影法所需之較小體形光罩中的遮光膜材料，此種過渡金屬矽化物係有益於作為提供較高導電性的手段。
發明人發現藉提供相當低含量的矽予過渡金屬矽化物並亦包括些許的氮於組成中，獲得導電性及化學穩定性兩者而遮光表現性並無實質上的損失。亦即，迄今已使用藉由添加相當大量的氮或氮及氧至過渡金屬化合物而被賦予半透明性並因此增加氧化數的膜作為半色(halftone)膜，且證實其為化學穩定者。然而，發明人發現當組成中包括一定含量的氮時，即便過渡金屬矽化物的矽含量相當低，可於使矽化物完全作為遮光膜的氧化程度下維持化學穩定性。此外，發明人發現提供含氮組成予過渡金屬矽化物遮光膜，不僅確保於遮罩清潔條件下的化學穩定性，亦增加於包括氯及氧存在的乾蝕刻條件下之遮光膜的乾蝕刻抗性。因此，當結合使用此種遮光膜與鉻系膜時，可達到高製程準確度。
因此，本發明提供一種用於製造光罩之空白光罩，該光罩具有透明基材而透明基材上設置有對曝光光線呈透明的區域和實質上呈不透明的區域之遮罩圖案，其中空白光罩包括遮光膜及一或更多鉻系材料膜兩者，而遮光膜由含有過渡金屬、矽和氮之材料製成的單層所構成或是由包括至少一層由含有過渡金屬、矽和氮之材料製成的層之複數層所構成。含有過渡金屬、矽和氮之材料之矽對過渡金屬的原子比(以矽/過渡金屬表示)為至少1：1但小於4：1，且此材料之氮含量為至少5原子%但不超過40原子%。
於本發明之一較佳面向中，由含有過渡金屬、矽和氮之材料所構成的層之過渡金屬與矽的結合量(以製成該層材料之比例計)為至少60原子%。
鉻系材料膜可形成於遮光膜遠離透明基材的一側中，於此情況下，鉻系材料膜可形成部份或是全部的抗反射膜或可為蝕刻遮罩膜。
可供選擇地，可沉積鉻系材料膜於透明基材及遮光膜之間，於此情況下，鉻系材料膜可為蝕刻停止膜。
迄今已使用藉由添加相當大量的氮或氮及氧至過渡金屬矽化物而被賦予半透明性並藉此增加氧化數的膜作為半色膜，且證實其為化學性穩定者。然而，使用於本發明中之含有過渡金屬、矽和氮之材料，於致能此材料完全作為遮光膜的氧化程度下確保化學穩定性。
因其高過渡金屬含量，本發明之空白光罩為導電者並因此於光罩製造過程中具有預防充電的能力，此外其對光罩製造過程中之清潔步驟亦具有良好的化學穩定性。另外，於本發明的空白光罩中，因為於遮光膜內之由含有過渡金屬、矽和氮之材料所構成的層之氮含量為至少5原子%，其對包括氯及氧的乾蝕刻條件展現高抗性。當空白光罩，連同此層，亦具有不僅單作為諸如以下述鉻系材料膜所構成的蝕刻遮罩膜或蝕刻停止膜之抗反射膜的鉻系材料膜時，於圖案化操作中，由含有過渡金屬、矽和氮之材料所構成的層被圖案化之後，連同此層一起設置之鉻系材料膜可能需於包括氯及氧存在的蝕刻條件下進行乾蝕刻步驟。而即便當執行此乾蝕刻步驟時，藉前述提及之高抗蝕刻性來預防諸如側蝕刻等問題而致能達成高製程準確度。
本發明之空白光罩為一種用於製造光罩之空白光罩，此光罩具有透明基材而透明基材上設置有對曝光光線呈透明的區域和實質上呈不透明的區域之遮罩圖案。本發明之空白光罩包括遮光膜及一或更多鉻系材料膜兩者，而遮光膜由含有過渡金屬、矽和氮之材料製成的單層所構成或是由包括至少一層由含有過渡金屬、矽和氮之材料製成的層之複數層所構成。構成遮光膜之含有過渡金屬、矽和氮的材料之矽對過渡金屬的原子比(以矽/過渡金屬表示)為至少1：1但小於4：1(亦即，1≦(矽/過渡金屬)<4)，且此材料之氮含量為至少5原子%但不超過40原子%。
於本發明之空白光罩中，遮光膜可為單層膜或是多層膜。構成此膜的至少一層含有過渡金屬、矽和氮，而矽對過渡金屬的原子比(以矽/過渡金屬表示)為至少1：1但小於4：1(1≦(矽/過渡金屬)<4)，且較佳為自1：1至3：1(1≦(矽/過渡金屬)≦3)。使所包括之過渡金屬比例(以過渡金屬/(過渡金屬＋矽)表示)為大於20%，且較佳為至少25%，輕易地賦予導電性。
先前已證實，當所包括的過渡金屬超過20%，尤其是25%或以上時，舉例而言，造成於光罩製造中採用氨/過氧化氫水溶液進行清潔操作中所需之化學穩定性的喪失。然而，藉於膜中包括5至40原子%的氮，即使矽對過渡金屬的比例位於上述範圍中，可達到化學穩定性。
迄今於業界中已知，使用作為半透明膜之具高氧化態的膜於含有氮時尤為化學穩定者(見JP－A 10－148929)。此外，於諸如鉬、鉭、鋯、鉿及矽之元素的情況中，雖先前無法確保於低氧化態下相關此等使用作為遮光膜之化學穩定性，此等之氧化物具有高化學穩定性，其大於先前所認為之於較高氧化態中可達到的穩定性。相較之下，於本發明中，於低氧化態下可達到化學穩定性；亦即，當過渡金屬與矽的結合量佔所有材料之至少60原子%，且尤佳為至少65原子%時。
所包括的氮含量為至少5原子%，但不超過40原子%，且較佳為至少5原子%，但不超過35原子%。於少於5原子%時，無法確保充分的化學穩定性。另一方面，於大於40原子%時，尤其當採用膜作為用於生產供氬氟準分子雷射曝光用之光罩的遮光膜時(相當適合本發明之用途)，形成的膜必須非常厚，使得基材形變並使其必須於微製作中將光阻膜的厚度增加至如250 nm或以上，而此係於實際用途上非所欲者。
同時，遮光膜需具化學穩定性以使膜厚度不會在清潔期間改變。於供ArF曝光之光罩的情況中，清潔時膜厚度的改變需不超過3 nm。然而，於對於光罩製造過程為必須之清潔條件下，尤其是以硫酸/過氧化氫水溶液(硫酸過氧化物混合物)進行之清潔，遮光膜遭受損傷而必須注意遮光表現性的喪失。當構成遮光膜的材料之矽對過渡金屬的原子比(以矽/過渡金屬表示)為小於4：1(矽/過渡金屬<4)時，於無氮時，處於上述條件中的膜缺少化學穩定性；尤其是於矽/過渡金屬比為1：1時，其將直接溶解。然而，若所包括的氮為至少5原子%，確保了針對上述條件之一定程度的可解決實際問題之化學穩定性。
亦需要注意的是膜之導電性，以預防用於圖案化遮罩之微影法中以電子束進行照射時所發生的充電。只要矽對過渡金屬的比例小於4：1，即矽/過渡金屬<4，則可達到必須的傳導性。
此遮光膜中之過渡金屬的較佳實例包括鉬、鉭、鋯及鉿。由乾蝕刻可行性的觀點而言，以鉬為最佳者。
為使光罩上的膜作為具充分遮光性的膜，於常用之具有遮光膜及抗反射膜的二元空白遮罩中，遮光膜及抗反射膜，連同於下述空白遮罩具有蝕刻停止膜的情況中之蝕刻停止膜，及另外地於半色調偏移空白遮罩之半色調偏移膜，對曝光光線之光學密度(OD)均須為至少2.5，較佳至少2.8，及最佳至少3.0。
雖然若所包括之較輕元素超過給定含量而可能無法達成充分遮光特性，構成遮光膜之含有過渡金屬、矽和氮之材料亦可包括諸如氧及碳之輕元素的另外組份。因此，本發明特別適用於供波長為193 nm或以下之光進行曝光的空白光罩，尤其是供波長為193 nm之氬氟準分子雷射進行曝光的空白光罩，其碳含量較佳不超過20原子%及氧含量較佳不超過10%，且其最佳氮、碳及氧的結合量不超過40原子%。相同的，過渡金屬與矽的結合量較佳為總材料比例之至少60原子%，尤其是至少65原子%。
由含有過渡金屬、矽和氮之材料所組成的遮光膜層可藉習知方法進行沉積。慣用地為藉濺鍍法進行的沉積，因以此方法最易獲得具優異均勻性之層。於本發明中濺鍍製程亦為較佳的沉積方法。濺鍍法可使用單一靶材執行，於其中所含有的矽及過渡金屬比例經調整為恰當者。可供選擇地，矽及過渡金屬的比例藉適當地選擇矽靶材、過渡金屬靶材及由矽和過渡金屬所構成的靶材(過渡金屬矽化物靶材)，以及調整靶材的濺鍍表面積或施加至靶材的功率而可被調整。為於由含有過渡金屬、矽和氮之材料所構成的層中包括氮，及於一些情況中包括其他諸如氧及碳的元素，藉反應性濺鍍可執行沉積，於其中含氮氣體或另外含有氧及碳的氣體係合適地導入而作為對濺鍍性氣體之反應性氣體。
前述遮光膜與鉻系材料膜結合使用時為更有用者。尤其是，若鉻系材料膜為蝕刻遮罩膜或以下將描述之蝕刻停止膜時，於含有矽、過渡金屬和氮的膜經圖案化之後，鉻系材料將必須被剝離或經圖案化。然而，即使當含有過渡金屬、矽和氮之材料中矽對過渡金屬的原子比(矽/過渡金屬)為至少1：1但小於4：1，若所使用的材料不含有氮，已發現於供鉻系材料膜之蝕刻條件下，即包括氯及氧的乾蝕刻，部份圖案有遭受蝕刻，尤其是側蝕刻，的風險。即使當矽對過渡金屬的原子比(矽/過渡金屬)為至少1：1但小於4：1時，藉包括至少5原子%的氮可有效抑制此種側蝕刻。
本發明之空白光罩具有遮光膜及一或更多鉻系材料膜於透明基材上，其中鉻系材料膜可沉積於遮光膜遠離透明基材的一側，或可沉積於透明基材及遮光膜之間。於前者的情況中，鉻系材料膜可形成部份或全部的抗反射膜及/或可形成蝕刻遮罩膜。於後者的情況中，鉻系材料膜可形成蝕刻停止膜。此外，若必須，則可分別設置其他膜於透明基材及遮光膜之間、透明基材及鉻系材料膜之間，或遮光膜及鉻系材料膜之間。舉例而言，可設置半透明膜，或是對曝光光線為半透明或透明的相偏移膜於透明基材及遮光膜之間。
因蝕刻停止膜及蝕刻遮罩膜必須具有極度不同於由含有過渡金屬、矽和氮之材料所構成之遮光膜層的蝕刻選擇度，此等膜較佳具有於速率緩慢的氟系乾蝕刻及具有乾蝕刻抗性的金屬矽化物系材料之條件下，致能此等膜進行乾蝕刻的物理特性。基於此需求，較佳於鉻系材料中進行選擇。於不使用蝕刻遮罩膜的情況中，於其中部份或全部的抗反射膜連同部份的遮光膜(若遮光膜為複數層時，則為部份的層)係由鉻系材料所構成且光阻圖案首先轉移至鉻系材料所構成的膜(層)，接著改變蝕刻條件及執行藉乾蝕刻將圖案轉移至金屬矽化物系材料(部份的抗反射膜非由鉻系材料所構成，且部份或全部的遮光膜非由鉻系材料所構成)之方法為較佳者，因可製作較薄的光阻膜而致能形成高準確度之小尺寸的圖案。
當本發明之空白光罩為相偏移空白遮罩時，蝕刻停止膜係有用者。不論相偏移膜之相偏移部分對曝光光線呈透明或半透明，於相偏移遮罩之成型過程中，圖案化遮光膜以及形成相偏移圖案接續剝離相偏移圖案上之部份遮光膜係慣用方法。然而，當使用含有過渡金屬及矽的材料於遮光膜中時，用於剝離此材料之最有效乾蝕刻法的氟系乾蝕刻法可能於製程期間損害相偏移部分及透明基材。
於此情況中，藉設置蝕刻停止膜於含有過渡金屬、矽和氮的遮光膜及形成相偏移部分的材料(即透明基材或相偏移膜)之間以及，舉例而言，將相偏移部分圖案首先轉移至遮光膜接著轉移至蝕刻停止膜，接續形成光阻圖案以保護欲留下之遮光膜部份，接下來執行相偏移部分的乾蝕刻處理，欲被剝離的遮光膜部份於同時間經移除。接續藉於包括氯及氧存在的乾蝕刻條件下剝離蝕刻停止膜，可剝離遮光膜之不必要的部份而不會損害相偏移部分或透明基材。
當設置抗反射膜及蝕刻遮罩膜兩者於遮光膜遠離透明基材的一側時，蝕刻遮罩膜(於此使用的“蝕刻遮罩膜”意指當乾蝕刻膜時設置於其側邊(下層膜)之透明基材上作為蝕刻遮罩的膜，且因其於使用過程中係完全剝離而不會存留於完整的遮罩上)為經沉積於抗反射膜遠離透明基板一側的膜，並作為下層膜蝕刻期間的蝕刻遮罩。
特別是，當相偏移空白遮罩中的抗反射膜亦由含有過渡金屬和矽之材料所構成時，於相偏移部分製程期間，抗反射膜必須受到強烈保護，否則將於相同條件下遭受蝕刻。然而，為提供此種保護而增加光阻膜的厚度可能不利於接續較難以小尺寸製作之光阻圖案本身。因此，就微製作的觀點而言，有必要以具有不同於抗反射膜之蝕刻特性的材料保護抗反射膜，於此情況中，首先將光阻圖案轉移至蝕刻遮罩膜，接著使用蝕刻遮罩圖案作為蝕刻遮罩而進行下層膜的蝕刻。
蝕刻遮罩膜及蝕刻停止膜可各由單層或複數層膜所組成，或可具有梯度組成物(即於膜厚度方向中連續或不連續地改變之組成物)。於此使用的鉻系材料較佳為未結合的鉻或是含有鉻及一或多種選自氧、氮及碳之鉻化合物；且更佳為含有鉻、氧及/或氮之鉻化合物。以不含矽之鉻化合物為較佳者。較佳鉻化合物之說明性實例包括氧化鉻、氮化鉻、含氧氮化鉻、含氧碳化鉻、碳氮化鉻及含氧碳氮化鉻。
於蝕刻遮罩膜的情況中，亦因特別隨膜厚度變異之蝕刻抗性，藉使用未結合的鉻或含有前述範圍之鉻的鉻化合物將鉻含量增進為50原子%或以上，尤其是60原子%或以上，可預期獲得高蝕刻遮罩效果的膜而不會使蝕刻遮罩膜非常厚。
對遮光膜及/或透明基材具有充分蝕刻選擇度的蝕刻遮罩膜可藉提供由鉻系材料所構成之蝕刻遮罩膜而獲得，而其鉻含量為50至100原子%，尤其是60至100原子%；氧含量為0至50原子%，尤其是0至40原子%；氮含量為0至50原子%，尤其是0至40原子%；以及碳含量為0至20原子%，尤其是0至10原子%。
於蝕刻停止膜的情況中，因為基本上若是相關於含有過渡金屬、矽和氮之膜的蝕刻選擇度為大時所欲目標係可以達成者，蝕刻停止膜可由類似於組成上述蝕刻遮罩膜之鉻系材料所構成。然而，當所欲者為設置於透明基材及供製造如無鉻遮罩之製造步驟中具有強蝕刻遮罩效果的遮光膜之間的蝕刻停止膜時，較佳選擇上述材料之一者作為用於蝕刻遮罩膜之鉻系材料的較佳實例。
當提供由上述鉻系材料所構成之蝕刻遮罩膜時，為促使蝕刻遮罩膜剝離，抗反射膜較佳由含有過渡金屬及矽的材料所構成。當使用含有過渡金屬及矽的材料於抗反射膜之中時，抗反射膜可由單層或複數層所組成，或是由其中為梯度組成物的材料所組成。
於此抗反射膜中之過渡金屬的較佳實例為鉬、鉭、鋯及鉿。就膜對乾蝕刻之可行性的觀點而言，以鉬為最佳者。
當抗反射膜由含有過渡金屬及矽的材料所構成時，組成物較佳具有自10至80原子%的矽含量，尤其是自30至50原子%；自0至60原子%的氧含量，尤其是自0至40原子%；自0至57原子%的氮含量，尤其是自20至50原子%；自0至20原子%的碳含量，尤其是自0至5原子%；以及自0至35原子%的過渡金屬含量，尤其是自1至20原子%。當抗反射膜的組成物於厚度方向呈梯度狀時，此抗反射膜的組成物較佳具有自0至90原子%的矽含量，尤其是自10至90原子%；自0至67原子%的氧含量，尤其是自5至67原子%；自0至57原子%的氮含量，尤其是自5至50原子%；自0至20原子%的碳含量，尤其是自0至5原子%；以及自0至95原子%的過渡金屬含量，尤其是自1至20原子%。
當未設置時刻遮罩膜時，於遠離透明基材側(表層側)的部份抗反射膜或全部的抗反射膜可由鉻系材料所組成，且可確保由此鉻系材料所構成之膜部份具有蝕刻遮罩功能。若所欲者為更強大的蝕刻遮罩功能，除抗反射膜之外，部份遮光膜亦可由鉻系材料所構成。當執行製程於蝕刻整體遮光膜期間改變蝕刻條件的情況中，藉於抗反射膜中使用具有不同蝕刻特性的材料等，可減低製程中所使用之光阻膜的負載且可製作較薄的光阻膜厚度，致能較小型微特徵尺寸之製作。
抗反射膜可由單層或複數層所組成，或是可具有梯度組成物。構成抗反射膜及遮光膜的鉻系材料較佳為未結合的鉻或是含有鉻及一或多種選自氧、氮及碳的鉻化合物；且更佳為含有鉻結合氧及/或氮的鉻化合物。以不含矽之鉻化合物為較佳者。較佳鉻化合物之說明性實例包括氧化鉻、氮化鉻、含氧氮化鉻、含氧碳化鉻、碳氮化鉻及含氧碳氮化鉻。
當抗反射膜由鉻系材料所構成時，材料較佳具有自30至70原子%的鉻含量，尤其是35至50原子%；自0至60原子%的氧含量，尤其是20至60原子%；自0至50原子%的氮含量，尤其是3至30原子%；以及自0至20原子%的碳含量，尤其是0至5原子%。當組成物於厚度方向呈梯度時，抗反射膜組成物較佳具有自30至100原子%的鉻含量，尤其是35至90原子%；自0至60原子%的氧含量，尤其是3至60原子%；自0至50原子%的氮含量，尤其是3至50原子%；以及自0至30原子%的碳含量，尤其是0至20原子%。
當部分遮光膜由鉻系材料所構成時，鉻系材料較佳具有自50至100原子%的鉻含量，尤其是60至100原子%；自0至50原子%的氧含量，尤其是0至40原子%；自0至50原子%的氮含量，尤其是0至40原子%；以及自0至20原子%的碳含量，尤其是0至10原子%。當遮光膜具有於膜之厚度方向梯度狀的組成物時，遮光膜組成物較佳具有自50至100原子%的鉻含量，尤其是60至100原子%；自0至60原子%的氧含量，尤其是0至50原子%；自0至50原子%的氮含量，尤其是0至40原子%；以及自0至20原子%的碳含量，尤其是0至10原子%。
由鉻系材料所組成的上述膜可藉執行用於沉積鉻系遮光膜及抗反射膜之業界熟悉的傳統方法而進行沉積。蝕刻停止膜及蝕刻遮罩膜亦可使用類似方法進行沉積。於慣用之一種合適的方法中，沉積係藉使用鉻靶材之濺鍍法且於諸如氬之惰性氣體流，諸如含氧氣體、含氮氣體或含碳氣體之反應性氣體，或由惰性氣體及反應性起體所組成之混合氣體中而執行(如，見JP－A－7－140635)。
為提供令人滿意的遮光表現性亦及達到之前指出的光學密度，遮光膜較佳具有大致為至少10 nm的厚度，雖然厚度亦取決於使用的材料、抗反射膜的光學密度和其他特性以及蝕刻停止膜之存在與否，且為預防壓力引發之基材形狀變形及預防蝕刻性下降，遮光膜厚度較佳不超過70 nm。藉設定抗反射膜的厚度為大約自5至50 nm，且較佳為自10至30 nm可達到抗反射效果，雖膜厚度亦取決於光罩製造或使用時用於檢測所需之所使用之光波長而變化。尤其是用於ArF準分子雷射曝光之厚度以自15至25 nm者為較佳。
蝕刻遮罩膜的厚度可根據膜之結構進行合適地選擇。一般於自2至55 nm，且尤其是自2至30 nm的厚度達到充足的蝕刻遮罩功能。可供選擇地，藉設定蝕刻停止膜的厚度為至少2 nm，尤其是至少5 nm可誘發此功能。而上限可大致設定為20 nm或以下，尤其是15 nm或以下。
第1圖顯示根據本發明之空白光罩的實例。於第1A圖中所顯示的空白光罩具有(依沉積順序)透明基材1、蝕刻停止膜2、遮光膜3、抗反射膜4及蝕刻遮罩膜5。於第1B圖中所顯示的空白光罩具有(依沉積順序)透明基材1、相偏移膜8、蝕刻停止膜2、遮光膜3、抗反射膜4及蝕刻遮罩膜5。
光罩可採用諸如乾蝕刻之蝕刻技術製作，以圖案化經沉積於本發明之空白光罩的透明基材上之膜，且若必須圖案化透明基材時，則使用化學性放大的正型或負型光阻膜。
接下來描述根據本發明之空白光罩之製作實例。首先，參照第2圖，其中描述使用得自連續沉積由如氮化鉻所構成的蝕刻停止膜2、含有過渡金屬、矽和氮的遮光膜3、含有過渡金屬和矽的抗反射膜4，以及如由氮化鉻所構成的蝕刻遮罩膜5之空白光罩，而製造Levenson相偏移遮罩的實例(製作實例A)。
於此光罩製作中，第一光阻膜6係沉積於空白光罩上(第2A圖)，且藉微影製程而於其中形成相偏移圖案形狀之光阻圖案(第2B圖)。於此之光阻膜厚度至少應足夠厚以使蝕刻遮罩膜5能被蝕刻。接續使用此光阻圖案作為蝕刻遮罩，底下之鉻系材料於包括氧及氯的傳統乾蝕刻條件下經乾蝕刻，藉此轉移圖案至蝕刻遮罩膜5(第2C圖)。使用所得的蝕刻遮罩圖案5作為蝕刻遮罩以接著藉由氟系乾蝕刻將圖案轉移至抗反射膜4及遮光膜3(第2D圖)。蝕刻停止膜2接續地於同樣之包括氯及氧的乾蝕刻條件下經圖案化(第2E圖)。於此時，存在於遮光膜3之中的氮防止遮光膜3受到側蝕刻，而使得工作面( 側壁)維持垂直。
於此時，初始形成的第一光阻膜6圖案已剝離，而第二光阻膜7經沉積以形成於其中僅留下欲蝕刻入透明基材1之特徵區域的開口之光阻圖案(第2F圖)。使用此第二光阻膜7圖案作為蝕刻遮罩，藉氟系乾蝕刻製程蝕刻透明基材1至使用光罩時所採用的曝光光線之相位將改變約180°之深度(第2G圖)。於此蝕刻製程期間，作為蝕刻遮罩膜5之鉻系材料膜係於強烈蝕刻條件下進行曝光。然而，藉使用具有高鉻含量的蝕刻遮罩膜5，即使光阻圖案7的邊緣後縮，仍可保持蝕刻遮罩膜5免於後縮並因此預防抗反射膜4因乾蝕刻而發生損傷。接著藉使用供剝離光阻膜之硫酸/過氧化物水溶液或氨-過氧化氫溶液之清潔步驟而剝離第二光阻膜7。於此，亦可移除光阻膜7而不會傷害含氮遮光膜3。最後，藉包括氯及氧的乾蝕刻製程移除蝕刻遮罩膜5。此保持抗反射膜4及經圖案化的透明基材1免於發生重大損傷，因此可獲得高度準確度之Levenson相偏移遮罩(第2H圖)。
接下來，參照第3及4圖，描述使用上述空白光罩以製作斑紋式無鉻相偏移遮罩的實例(製作實例B)。
沉積第一光阻膜6於由其上設置有蝕刻停止膜2、遮光膜3、抗反射膜4及蝕刻遮罩膜5之透明基材1(第3A及3B圖)所組成的空白遮罩之頂部。第一光阻膜6接續藉微影製程而圖案化以於欲蝕刻入透明基材1之特徵位置形成開口(第3C及3D圖)。使用此第一光阻膜6中之圖案作為蝕刻遮罩，於包括氯及氧的乾蝕刻條件下執行蝕刻，藉此轉移圖案至蝕刻遮罩膜5(第3E及3F圖)。接下來，藉系基乾蝕刻移除於蝕刻遮罩膜5中之抗反射膜4及遮光膜3(第3G及3H圖)，接著於包括氯及氧的乾蝕刻條件下藉蝕刻而移除蝕刻停止膜2(第3I及3J圖)。
接續剝離第一光阻膜6，而重新沉積第二光阻膜7，且相應於欲留下之遮光膜3區域的形狀而形成第二光阻膜7圖案(第4A及4B圖)。於第二光阻膜7中之圖案最終變成極細緻點圖案的情況中，因透明基材1區域已曝光而非使用此第二光阻膜7圖案進行蝕刻之目標區，以預防第二光阻膜7中之細緻點圖案崩解，可試圖形成第二光阻膜7中的圖案以延伸出此等區域。接下來，使用此第二光阻膜7圖案作為抗蝕遮罩，於包括氯及氧的乾蝕刻條件下執行蝕刻，藉此移除欲移除之遮光膜3區域中的蝕刻遮罩膜5但透明基材1未經蝕刻(第4C及4D圖)。
接續地剝離第二光阻膜7(第4E及4F圖)。接下來，執行氟系乾蝕刻，藉此蝕刻透明基材1至預定深度以形成相偏移特徵，且另外使用第二光阻膜7圖案移除於蝕刻步驟中經移除之蝕刻遮罩膜5區域中的抗反射膜4及遮光膜3，而僅留下此等位置中的蝕刻停止膜2(第4G及4H圖)。最後，於包括氯及氧的乾蝕刻條件下執行蝕刻，藉此移除經曝光的蝕刻停止膜2並同時移除遮光膜3之上的抗反射膜4上之尚未被移除的蝕刻遮罩膜5，藉此完成相偏移遮罩(斑紋式無鉻遮罩)(第4I及4J圖)。
如同於上述製作實例A中所說明者，於此系列步驟中，於包括氯及氧的乾蝕刻條件下進行蝕刻的期間，具有經曝光側壁之含有過渡金屬、矽及氮的遮光膜3因氮效應而沒有發生側蝕刻。於供移除光阻膜的化學處理中亦無側蝕刻產生。
參照第5圖，亦描述以由透明基材1所組成的空白光罩製作三原色相偏移遮罩的實例，而透明基材1上係連續沉積有由如過渡金屬矽化物含氧氮化物所組成的半色調偏移膜8、由鉻化合物所組成的蝕刻停止膜2、含有過渡金屬、矽和氮的遮光膜3、含有過渡金屬和矽的抗反射膜4，以及由鉻系材料所組成的蝕刻遮罩膜5(製作實例C)。
沉積第一光阻膜6於空白光罩上(第5A圖)，接續於半色調偏移膜8上欲留下之區域的形狀中圖案化第一光阻膜6(第5B圖)。接下來，使用第一光阻膜6中所得的圖案作為抗蝕遮罩，於包括氯及氧的乾蝕刻條件下藉蝕刻而將第一光阻膜6圖案轉移至蝕刻遮罩膜5(第5C圖)。接著執行氟系乾蝕刻，藉此轉移第一光阻膜6圖案至抗反射膜4及遮光膜3(第5D圖)。
接下來剝離第一光阻膜6，而重新沉積第二光阻膜7以於欲維持之遮光膜3區域中形成圖案，且藉此保護此等區域中的蝕刻遮罩5(第5E圖)。接著於包括氯及氧的條件中藉乾蝕刻進行蝕刻並移除蝕刻停止膜2，藉此於欲移除的半色調偏移膜8的區域中形成開口，除此之外，於欲移除遮光膜3的區域中移除蝕刻遮罩膜5(第5F圖)。接下來，執行氟系乾蝕刻，藉此移除半色調偏移膜8的目標區域(蝕刻停止膜2中之開口)，且亦移除未受第二光阻膜7保護之區域中的抗反射膜4及遮光膜3(第5G圖)。接續剝離第二光阻膜7且於包括氯及氧的乾蝕刻條件下再一次執行蝕刻，藉此移除殘留於欲移除之遮光膜3區域中的蝕刻停止膜2，且亦移除遮光膜3之上的抗反射膜4上之尚未被移除的蝕刻遮罩膜5。以此方式，於個別膜中所有欲移除的區域均被移除而不會傷害透明基材1或半色調偏移膜8，產生完整的三原色相偏移遮罩(第5H圖)。
如同於上述製作實例A中所說明者，於此系列步驟中，於包括氯及氧的乾蝕刻條件下進行蝕刻的期間，具有經曝光側壁之含有過渡金屬、矽及氮的遮光膜3因氮效應而沒有發生側蝕刻。於供移除光阻膜的化學處理中亦無側蝕刻產生。
以本發明之空白光罩亦可製造諸如半色調偏移遮罩或無鉻相偏移遮罩之相偏移遮罩。
根據本發明之空白遮罩係有益作為適用於實際使用於光罩製造(藉由電子束微影法，尤其是於電子束曝光期間增加電流密度的電子束微影，諸如採用電流密度為40 A/cm2 或以上，且尤其是50至80 A/cm2 的電子束微影法)中具有導電性及化學穩定性兩者之空白光罩。
實例
下述之試驗及實例係用於闡述而非限制目的。
試驗1至15
於氬氣體環境，或當調整施加功率時於氬氣及氮氣之氣體環境中，使用分別的鉬及矽靶材執行濺鍍，藉此沉積顯示於表1中的MoSi系材料膜1至15(膜厚度39 nm)至石英製之透明基材上。接著浸潤膜於氨－過氧化物混合物中持續一小時(氨水/水性過氧化氫/水＝1：1：30(體積比))，而測量到膜厚度的改變(減少)。膜厚度的改變及各膜的光學密度係指明於下表中。於氮含量小於5原子%時，膜缺少充分的化學抗性，而當氮含量大於40原子%時，光密度低，造成膜不適合使用作為遮光膜。已經證實的是，當氮含量為40原子%或以下時，藉設定矽/(矽＋過渡金屬)的比例為75%或以下，可將薄板抗性設定成1 kΩ/□。
實例1至5及比較實例1至4
藉於氬氣及氮氣之氣體環境中使用鉻靶材執行濺鍍，以沉積CrN膜(原子比，Cr：N＝9：1；膜厚度為10 nm)作為透明基材上的蝕刻停止膜。於個別實例中，上述MoSi膜1、5至10、12及13中的一者經沉積於蝕刻停止膜上，接續於氬氣、氮氣及氧氣氣體環境中以鉻靶材執行濺鍍而於其上沉積CrON膜(原子比，Cr：O：N＝4：5：1；膜厚度為20 nm)作為抗反射膜，藉此形成空白光罩。
接續塗覆光阻膜至抗反射膜上，且藉電子束微影法形成5 μm線與間隔的圖案。使用此光阻圖案作為蝕刻遮罩，藉導入混合流速分別為20 sccm、9 sccm及80 sccm氯氣、氧氣及氦氣而製備的蝕刻氣體至蝕刻室以蝕刻CrON膜(抗反射膜)，且於室內壓為2 Pa時執行乾蝕刻。接下來，C2 F6 氣體藉其自身以20 sccm之流速進入蝕刻室中，且於室內壓為2Pa時執行蝕刻MoSi膜(遮光膜)。接著以同於前述之包括氯及氧的乾蝕刻條件下進行CrN膜(蝕刻停止膜)之乾蝕刻，藉此形成光罩模型。於掃描式電子顯微鏡下檢視光罩上之圖案。所得結果顯示於表2中。
實例6
藉使用濺鍍製程沉積分別的膜以製造具有第1A圖中所顯示之膜結構的空白光罩。個別膜係如下述。
透明基材：石英基材蝕刻停止膜：CrN(CR：N＝9：1(原子比)，膜厚度為10 nm)遮光膜：MoSiN(Mo：Si：N＝1：3：1.5(原子比)，膜厚度為41 nm)抗反射膜：MoSiN(組成物於厚度方向呈梯度，使於遮光膜側上的Mo：Si：N＝1：3：1.5(原子比)，且於遠離透明基材側(蝕刻遮罩膜側)上的Mo：Si：N＝1：5：5(原子比))蝕刻遮罩膜：CrN(Cr：N＝9：1(原子比)，膜厚度為10 nm)
此空白光罩係根據上述光罩製作實例A進行製程，藉此產生Levenson遮罩。
化學性放大的負型光阻膜主要由羥基苯乙烯樹脂、交聯劑及使用作為第一光阻膜及第二光阻膜的酸產生劑所組成。各膜的厚度係設定為250 nm，且藉電子束微影法而被圖案化。設定形成於透明基材中之相偏移部分的深度為172 nm，其為相偏移約180°時的深度。
不論圖案多稀疏或密集，所獲得的光罩良好反射所選擇的圖案，顯示空白光罩對密度的依賴性低。此外，於蝕刻遮光膜期間，基材未受到腐蝕。因此，可於基材中形成具有預定相偏移量的相偏移部分。
實例7
藉使用濺鍍製程沉積分別的膜以製造具有第1A圖中所顯示之膜結構的空白光罩。個別膜係如下述。
透明基材：石英基材蝕刻停止膜：CrN(CR：N＝9：1(原子比)，膜厚度為10 nm)遮光膜：MoSiN(Mo：Si：N＝1：3：1.5(原子比)，膜厚度為41 nm)抗反射膜：MoSiN(組成物於厚度方向呈梯度，使於遮光膜側上的Mo：Si：N＝1：3：1.5(原子比)，且於遠離透明基材側(蝕刻遮罩膜側)上的Mo：Si：N＝1：5：5(原子比))蝕刻遮罩膜：CrN(Cr：N＝9：1(原子比)，膜厚度為10 nm)
此空白光罩係根據上述光罩製作實例B進行製程，藉此產生斑紋式無鉻遮罩。
化學性放大的負型光阻膜主要由羥基苯乙烯樹脂、交聯劑及使用作為第一光阻膜及第二光阻膜的酸產生劑所組成。各膜的厚度係設定為200 nm，且藉電子束微影法而被圖案化。設定形成於透明基材中之相偏移部分的深度為172 nm，其為相偏移約180°時的深度。
不論圖案多稀疏或密集，所獲得的光罩良好反射所選擇的圖案，顯示空白光罩對密度的依賴性低。此外，於蝕刻遮光膜期間，基材未受到腐蝕。因此，可於基材中準確地形成具有預定相偏移量的相偏移部分。
實例8
藉使用濺鍍製程沉積分別的膜以製造具有第1B圖中所顯示之膜結構的空白光罩。個別膜係如下述。
透明基材：石英基材半色調偏移膜：MoSiON膜(Mo：Si：O：N＝1：4：1：4(原子比)，膜厚度為75 nm)蝕刻停止膜：CrN(CR：N＝9：1(原子比)，膜厚度為10 nm)遮光膜：MoSiN(Mo：Si：N＝1：3：1.5(原子比)，膜厚度為41 nm)抗反射膜：MoSiN(組成物於厚度方向呈梯度，使於遮光膜側上的Mo：Si：N＝1：3：1.5(原子比)，且於遠離透明基材側(蝕刻遮罩膜側)上的Mo：Si：N＝1：5：5(原子比)，膜厚度為18 nm)蝕刻遮罩膜：CrN(Cr：N＝4：1(原子比)，膜厚度為10 nm)
此空白光罩係根據上述光罩製作實例C進行製程，藉此產生三原色相偏移遮罩。
化學性放大的負型光阻膜主要由羥基苯乙烯樹脂、交聯劑及使用作為第一光阻膜及第二光阻膜的酸產生劑所組成。各膜的厚度係設定為250 nm，且藉電子束微影法而被圖案化。
不論圖案多稀疏或密集，所獲得的光罩良好反射所選擇的圖案尺寸，顯示空白光罩對密度的依賴性低。此外，於蝕刻遮光膜期間，相偏移膜及基材未受到腐蝕。因此，可於基材中準確地形成具有預定相偏移量的相偏移部分。
1．．．透明基材
2．．．蝕刻停止膜
3．．．遮光膜
4．．．抗反射膜
5．．．蝕刻遮罩膜
6．．．第一光阻膜
7．．．第二光阻膜
8．．．半色調偏移膜
第1圖顯示根據本發明之空白光罩的實例。第1A圖係空白光罩之截面視圖，其中遮光膜係直接設置於透明基材上，以及第1B圖係空白光罩之截面視圖，其中遮光膜係設置於透明基材上的相偏移干擾膜之上；第2A至2H圖顯示根據本發明之由空白光罩製造光罩的步驟。各圖式係製造Levenson遮罩過程(製作實例A)中之一個步驟的截面視圖；第3圖顯示根據本發明之由空白光罩製造光罩的步驟。各圖式描述製造斑紋式無鉻遮罩過程(製作實例B)中之一個步驟。第3A、C、E、G及I圖係截面視圖，及第3B、D、F、H及J圖係俯視圖；第4圖顯示根據本發明之由空白光罩製造光罩的步驟。圖式描述接續第3圖步驟之製造斑紋式無鉻遮罩過程(製作實例B)的步驟。第4A、C、E、G及I圖係截面視圖，及第4B、D、F、H及J圖係俯視圖；以及第5圖顯示根據本發明之由空白光罩製造光罩的步驟。圖式描述製造三原色相偏移遮罩過程(製作實例C)的步驟。
1．．．透明基材
2．．．蝕刻停止膜
3．．．遮光膜
4．．．抗反射膜
5．．．蝕刻遮罩膜
8．．．半色調偏移膜

Claims (7)

  1. 一種用於製造光罩之空白光罩，該光罩具有透明基材，此透明基材上設置對曝光光線呈透明的區域和實質上呈不透明的區域之遮罩圖案，該空白光罩包含：遮光膜，其由含有過渡金屬、矽和氮之材料製成的單層所構成或是由複數層所構成，該複數層包括至少一層由含有過渡金屬、矽和氮之材料製成的層，以及一或更多鉻系材料膜；其中該含有過渡金屬、矽和氮之材料之矽對過渡金屬的原子比(以矽/過渡金屬表示)為至少1：1但小於4：1，且該材料之氮含量為至少5原子%但不超過40原子%。
  2. 根據申請專利範圍第1項之空白光罩，其中該由含有過渡金屬、矽和氮之材料製成的層之過渡金屬與矽的結合量(以製成該層材料之比例計)為至少60原子%。
  3. 根據申請專利範圍第1項之空白光罩，其中該鉻系材料膜係形成於該遮光膜遠離該透明基材的一側中。
  4. 根據申請專利範圍第3項之空白光罩，其中該鉻系材料膜形成部分或全部的抗反射膜。
  5. 根據申請專利範圍第3項之空白光罩，其中該鉻系材料膜係蝕刻遮罩膜。
  6. 根據申請專利範圍第1項之空白光罩，其中該鉻系材料膜係形成於該透明基材和該遮光膜之間。
  7. 根據申請專利範圍第6項之空白光罩，其中該鉻系材料膜係蝕刻停止膜。
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KR (2) KR101330136B1 (zh)
CN (1) CN101140416B (zh)
DE (1) DE602007012785D1 (zh)
TW (1) TWI417648B (zh)

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008203373A (ja) * 2007-02-16 2008-09-04 Clean Surface Gijutsu:Kk ハーフトーンブランクス及びハーフトーンブランクスの製造方法
US20100294651A1 (en) * 2007-10-12 2010-11-25 Ulvac Coating Corporation Process for producing gray tone mask
JP5393972B2 (ja) * 2007-11-05 2014-01-22 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク及び転写用マスクの製造方法
JP5580972B2 (ja) * 2008-06-06 2014-08-27 デクセリアルズ株式会社 スパッタリング複合ターゲット
TWI409580B (zh) * 2008-06-27 2013-09-21 S&S Tech Co Ltd 空白光罩、光罩及其製造方法
JP5615488B2 (ja) * 2008-06-30 2014-10-29 Hoya株式会社 位相シフトマスクの製造方法
JP4849276B2 (ja) * 2008-08-15 2012-01-11 信越化学工業株式会社 グレートーンマスクブランク、グレートーンマスク、及び製品加工標識又は製品情報標識の形成方法
WO2010020337A1 (en) * 2008-08-21 2010-02-25 Asml Holding Nv Euv reticle substrates with high thermal conductivity
TWI446103B (zh) * 2008-09-30 2014-07-21 Hoya Corp A mask substrate, a photomask and a method of manufacturing the same, and a method of manufacturing the semiconductor element
JP5356784B2 (ja) * 2008-11-19 2013-12-04 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法
JP4826843B2 (ja) * 2009-01-15 2011-11-30 信越化学工業株式会社 ドライエッチング方法
JP4826842B2 (ja) * 2009-01-15 2011-11-30 信越化学工業株式会社 フォトマスクの製造方法及びフォトマスクブランク
EP2209048B1 (en) * 2009-01-15 2013-09-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for manufacturing a photomask, and dry etching method
KR101793285B1 (ko) * 2009-03-31 2017-11-02 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크 및 전사용 마스크
JP5201361B2 (ja) * 2009-05-15 2013-06-05 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの加工方法
US9017902B2 (en) * 2009-06-18 2015-04-28 Hoya Corporation Mask blank, transfer mask, and method of manufacturing a transfer mask
WO2011007800A1 (ja) * 2009-07-16 2011-01-20 Hoya株式会社 マスクブランク及び転写用マスク
TWI422966B (zh) * 2009-07-30 2014-01-11 Hoya Corp 多調式光罩、光罩基底、多調式光罩之製造方法、及圖案轉印方法
JP5714266B2 (ja) * 2009-08-25 2015-05-07 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクおよびこれらの製造方法
JP5606028B2 (ja) * 2009-09-11 2014-10-15 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法
JP4739461B2 (ja) 2009-10-12 2011-08-03 Ｈｏｙａ株式会社 転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
US20110159411A1 (en) * 2009-12-30 2011-06-30 Bennett Olson Phase-shift photomask and patterning method
JP5704754B2 (ja) * 2010-01-16 2015-04-22 Hoya株式会社 マスクブランク及び転写用マスクの製造方法
JP5662032B2 (ja) * 2010-02-05 2015-01-28 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス及びハーフトーンマスク
JP5434825B2 (ja) * 2010-07-09 2014-03-05 信越化学工業株式会社 ドライエッチング方法
JP5682493B2 (ja) * 2010-08-04 2015-03-11 信越化学工業株式会社 バイナリーフォトマスクブランク及びバイナリーフォトマスクの製造方法
JP5644293B2 (ja) * 2010-09-10 2014-12-24 信越化学工業株式会社 遷移金属ケイ素系材料膜の設計方法
JP2012078553A (ja) * 2010-10-01 2012-04-19 Toppan Printing Co Ltd クロムレス位相シフトマスク及びクロムレス位相シフトマスクの製造方法
JP5900773B2 (ja) 2010-11-05 2016-04-06 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
US8968972B2 (en) 2010-11-22 2015-03-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank, process for production of photomask, and chromium-containing material film
JP5653888B2 (ja) 2010-12-17 2015-01-14 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP5728223B2 (ja) * 2010-12-27 2015-06-03 アルバック成膜株式会社 ハーフトーンマスク、ハーフトーンマスクブランクス及びハーフトーンマスクの製造方法
EP2594994B1 (en) * 2011-11-21 2016-05-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Light pattern exposure method
JP5879951B2 (ja) * 2011-11-21 2016-03-08 信越化学工業株式会社 光パターン照射方法、ハーフトーン位相シフトマスク及びハーフトーン位相シフトマスクブランク
KR101407230B1 (ko) * 2012-05-14 2014-06-13 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법
JP5865199B2 (ja) 2012-07-09 2016-02-17 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、感活性光線性又は感放射線性膜を備えたマスクブランクス、パターン形成方法、及び、フォトマスクの製造方法
KR102056509B1 (ko) 2012-07-13 2019-12-16 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법
JP6389375B2 (ja) 2013-05-23 2018-09-12 Hoya株式会社 マスクブランクおよび転写用マスク並びにそれらの製造方法
JP5686216B1 (ja) * 2013-08-20 2015-03-18 大日本印刷株式会社 マスクブランクス、位相シフトマスク及びその製造方法
KR102246172B1 (ko) * 2013-09-10 2021-04-28 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 전사용 마스크의 제조 방법
WO2015045801A1 (ja) * 2013-09-24 2015-04-02 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクの製造方法
JP6258151B2 (ja) * 2013-09-25 2018-01-10 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびその製造方法
KR101506888B1 (ko) * 2013-10-02 2015-03-30 주식회사 에스앤에스텍 블랭크 마스크 및 포토마스크
JP6192164B2 (ja) * 2013-11-13 2017-09-06 Hoya株式会社 マスクブランク、および転写用マスクの製造方法
JP6229466B2 (ja) * 2013-12-06 2017-11-15 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
JP5823655B1 (ja) * 2014-03-18 2015-11-25 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
KR102260188B1 (ko) * 2014-04-08 2021-06-04 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 그 제조 방법
US10386718B2 (en) * 2014-07-11 2019-08-20 Synopsys, Inc. Method for modeling a photoresist profile
JP6601245B2 (ja) * 2015-03-04 2019-11-06 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法
KR101846065B1 (ko) * 2015-03-27 2018-04-05 호야 가부시키가이샤 포토마스크 블랭크 및 이것을 사용한 포토마스크의 제조 방법, 및 표시 장치의 제조 방법
JP6375269B2 (ja) * 2015-07-01 2018-08-15 信越化学工業株式会社 無機材料膜、フォトマスクブランク、およびフォトマスクの製造方法
JP6621626B2 (ja) * 2015-09-18 2019-12-18 Hoya株式会社 マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP2016095533A (ja) * 2016-01-25 2016-05-26 信越化学工業株式会社 光パターン照射方法
KR102624985B1 (ko) * 2016-07-26 2024-01-16 삼성전자주식회사 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 그 제조방법
KR102273801B1 (ko) * 2017-02-27 2021-07-06 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 전사용 마스크의 제조 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP6642493B2 (ja) * 2017-03-10 2020-02-05 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク
JP6780550B2 (ja) * 2017-03-10 2020-11-04 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
JP6808566B2 (ja) * 2017-04-08 2021-01-06 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP6756796B2 (ja) * 2018-10-09 2020-09-16 アルバック成膜株式会社 マスクブランクス、ハーフトーンマスク、製造方法
JP7298556B2 (ja) * 2020-06-30 2023-06-27 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法
JP7074162B2 (ja) * 2020-07-16 2022-05-24 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
CN111965933A (zh) * 2020-08-12 2020-11-20 Tcl华星光电技术有限公司 掩膜板以及制备方法、显示面板的制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005284213A (ja) * 2004-03-31 2005-10-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法
TW200537239A (en) * 2004-02-19 2005-11-16 Shinetsu Chemical Co Preparation of halftone phase shift mask blank
US20050260505A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of photomask blank and photomask

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6385553A (ja) 1986-09-30 1988-04-16 Toshiba Corp マスク基板およびマスクパタ−ンの形成方法
US4707218A (en) 1986-10-28 1987-11-17 International Business Machines Corporation Lithographic image size reduction
JP2556534B2 (ja) 1987-11-30 1996-11-20 ホーヤ株式会社 フォトマスクブランク
JP2991444B2 (ja) 1989-09-29 1999-12-20 ホーヤ株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスク
JPH0720427Y2 (ja) 1990-01-11 1995-05-15 豊生ブレーキ工業株式会社 シュー間隙自動調節機構を備えたドラムブレーキ
JP3037763B2 (ja) 1991-01-31 2000-05-08 ホーヤ株式会社 フォトマスクブランク及びその製造方法、並びにフォトマスク及びその製造方法
JP3228354B2 (ja) 1992-09-11 2001-11-12 凸版印刷株式会社 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク並びに位相シフトマスクブランクの製造方法
JPH0695363A (ja) 1992-09-11 1994-04-08 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクブランク及びその製造方法並びにフォトマスク
JP3064769B2 (ja) * 1992-11-21 2000-07-12 アルバック成膜株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法
US5674647A (en) * 1992-11-21 1997-10-07 Ulvac Coating Corporation Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask
JP3453435B2 (ja) * 1993-10-08 2003-10-06 大日本印刷株式会社 位相シフトマスクおよびその製造方法
JPH07181672A (ja) 1993-11-15 1995-07-21 Sanyo Electric Co Ltd ステンシルマスクの製造方法
JP3440346B2 (ja) 1994-12-22 2003-08-25 大日本印刷株式会社 ブラックマトリックス用クロムブランクスおよび液晶デイスプレイ用カラーフイルター
JP2966369B2 (ja) * 1996-03-30 1999-10-25 ホーヤ株式会社 位相シフトマスク、及び位相シフトマスクブランク
JPH11184067A (ja) 1997-12-19 1999-07-09 Hoya Corp 位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク
WO2000007072A1 (fr) 1998-07-31 2000-02-10 Hoya Corporation Ebauche pour photomasque, photomasque, ses procedes de fabrication et procede de formage de micromodeles
US6835505B2 (en) 1998-10-08 2004-12-28 Rochester Institute Of Technology Mask for projection photolithography at or below about 160 nm and a method thereof
AU6417499A (en) 1998-10-08 2000-04-26 Rochester Institute Of Technology Photomask for projection lithography at or below about 160 nm and a method
US6037083A (en) * 1998-12-22 2000-03-14 Hoya Corporation Halftone phase shift mask blanks, halftone phase shift masks, and fine pattern forming method
KR20010070403A (ko) 2000-01-05 2001-07-25 카나가와 치히로 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상시프트 마스크의 제조 방법
JP4686006B2 (ja) 2000-04-27 2011-05-18 大日本印刷株式会社 ハーフトーン位相シフトフォトマスクとハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法
JP2002072445A (ja) * 2000-09-04 2002-03-12 Dainippon Printing Co Ltd ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス
JP3722029B2 (ja) 2000-09-12 2005-11-30 Ｈｏｙａ株式会社 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクの製造方法
JP4088742B2 (ja) 2000-12-26 2008-05-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクス、フォトマスク及びフォトマスクブランクスの製造方法
JP2003195483A (ja) 2001-12-28 2003-07-09 Hoya Corp フォトマスクブランク、フォトマスク、及びそれらの製造方法
JP2003195479A (ja) 2001-12-28 2003-07-09 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
DE10307518B4 (de) 2002-02-22 2011-04-14 Hoya Corp. Halbtonphasenschiebermaskenrohling, Halbtonphasenschiebermaske und Verfahren zu deren Herstellung
JP3806702B2 (ja) * 2002-04-11 2006-08-09 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法
US20040072081A1 (en) 2002-05-14 2004-04-15 Coleman Thomas P. Methods for etching photolithographic reticles
US7022436B2 (en) 2003-01-14 2006-04-04 Asml Netherlands B.V. Embedded etch stop for phase shift masks and planar phase shift masks to reduce topography induced and wave guide effects
US20060057469A1 (en) * 2003-02-03 2006-03-16 Mitsuhiro Kureishi Photomask blank, photomask, and pattern transfer method using photomask
JP2004302078A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク並びにそれらの製造方法
KR101161450B1 (ko) 2003-04-09 2012-07-20 호야 가부시키가이샤 포토 마스크의 제조방법 및 포토 마스크 블랭크
US7264908B2 (en) 2003-05-16 2007-09-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photo mask blank and photo mask
KR100546365B1 (ko) 2003-08-18 2006-01-26 삼성전자주식회사 블랭크 포토마스크 및 이를 사용한 포토마스크의 제조방법
JP4336206B2 (ja) 2004-01-07 2009-09-30 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランクの製造方法、及びマスクブランク製造用スパッタリングターゲット
KR20050076827A (ko) 2004-01-22 2005-07-28 쇼오트 아게 초 고투과율 위상편이 마스크 블랭크
JP2005340835A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Hoya Corp 電子線露光用マスクブランクおよびマスク
JP5161419B2 (ja) * 2004-06-22 2013-03-13 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスクブランク及びグレートーンマスクの製造方法
US20060051681A1 (en) 2004-09-08 2006-03-09 Phototronics, Inc. 15 Secor Road P.O. Box 5226 Brookfield, Conecticut Method of repairing a photomask having an internal etch stop layer
JP4407815B2 (ja) * 2004-09-10 2010-02-03 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP4883278B2 (ja) * 2006-03-10 2012-02-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
JP4509050B2 (ja) 2006-03-10 2010-07-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200537239A (en) * 2004-02-19 2005-11-16 Shinetsu Chemical Co Preparation of halftone phase shift mask blank
JP2005284213A (ja) * 2004-03-31 2005-10-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及びパターン転写方法
US20050260505A1 (en) * 2004-05-18 2005-11-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Preparation of photomask blank and photomask

Also Published As

Publication number Publication date
JP4737426B2 (ja) 2011-08-03
CN101140416B (zh) 2011-07-27
US20070248897A1 (en) 2007-10-25
KR20120069650A (ko) 2012-06-28
EP1847874A2 (en) 2007-10-24
TW200804969A (en) 2008-01-16
DE602007012785D1 (de) 2011-04-14
US7790339B2 (en) 2010-09-07
KR101283960B1 (ko) 2013-07-09
CN101140416A (zh) 2008-03-12
EP1847874A3 (en) 2010-01-06
EP1847874B1 (en) 2011-03-02
JP2007292824A (ja) 2007-11-08
KR20070104289A (ko) 2007-10-25
KR101330136B1 (ko) 2013-11-15

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