JPH07181672A - ステンシルマスクの製造方法 - Google Patents

ステンシルマスクの製造方法

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JPH07181672A
JPH07181672A JP26954694A JP26954694A JPH07181672A JP H07181672 A JPH07181672 A JP H07181672A JP 26954694 A JP26954694 A JP 26954694A JP 26954694 A JP26954694 A JP 26954694A JP H07181672 A JPH07181672 A JP H07181672A
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JP
Japan
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film
mask
mask substrate
sub
forming
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Application number
JP26954694A
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English (en)
Inventor
Takashi Goto
隆 後藤
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ステンシルマスクにおいて、ビーム吸収膜に
必要な膜厚を確保しかつビーム吸収膜に形成される加工
パターンの加工精度を向上する。さらに、製造工程数を
減少する。 【構成】 ステンシルマスクの製造方法において、マス
ク基板1の一表面上に中間体膜2のマスクパターンに基
づきエグレ部1hが形成され、さらにビーム吸収膜3に
加工パターン4が転写される。中間体膜2が薄くできる
ので、中間体膜2のマスクパターンの加工精度が向上で
きる。ビーム吸収膜3が厚く形成されても中間体膜2の
マスクパターンに基づきビーム吸収膜3に加工パターン
4が転写され、加工パターン4の加工精度は向上され
る。一方、エグレ部1hには余分なビーム吸収膜3が一
時的に堆積される。加工ビーム通過窓の形成工程におい
てエグレ部1h及び余分なビーム吸収膜3が除去され
る。さらに、中間体膜2はそのままステンシルマスクを
構成する膜として使用される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスの製造に
使用されるパターンニング用ステンシルマスクの製造方
法に関する。特に本発明は、光、電子、イオン、ラジカ
ル等の反応を促進する加工用ビーム(以下、単に加工ビ
ームという。)が使用され、前記加工ビームが照射され
る被加工体の特定表面において反応が選択的に制御され
るプロセス、例えば光励起エッチング又は光励起デポジ
ションを含む光励起プロセスで使用されるパターンニン
グ用ステンシルマスクの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイスの製造技術で使用される
エッチング技術やデポジション技術において、光励起に
よる光化学反応プロセス(以下、光励起プロセスとい
う。)が注目されている。光励起プロセスについては例
えば1984年発行の「表面科学」、第5巻、第4号、
第435頁に詳細が記載されている。光励起プロセスと
は、反応室に導入される反応種ガスと光(加工用光ビー
ムであり、以下単に加工ビームという。)とが使用さ
れ、被加工体例えば半導体基板の表面において光が照射
された領域を選択的に反応させるプロセスである。例え
ば、光励起エッチングにおいて反応種ガスにはフッ素系
等のエッチングガスが使用される。光においては反応種
ガスによる反応が促進(励起)できる。
【0003】前記光励起プロセスにおいてはフォトリソ
グラフィ技術で形成される密着型のレジストマスクが使
用されない。すなわち、レジストマスクレスで直接被加
工体のエッチングが行えるので、レジストマスクの形成
工程が省略できるなどの利点が光励起プロセスにはあ
る。
【0004】このような利点を備える結果、光励起プロ
セスで使用するステンシルマスクの必要性が高まりつつ
あり、半導体デバイスの製造技術に光励起プロセス用ス
テンシルマスクが採用される傾向にある。
【0005】図10(d)は本願出願人により先に出願
された特願平5−264948号に開示される光励起プ
ロセス用ステンシルマスクの断面図である。図10
(d)に示すステンシルマスクにおいては、マスク基板
20の一表面上に光吸収膜21が形成され、前記光吸収
膜21には加工パターン22が形成される。
【0006】前記光吸収膜21には加工ビームの吸収機
能又は反射機能に加えてセルフサポーティブ(self-sup
portive )機能が備えられる。セルフサポーティブ機能
とは、光吸収膜21自体の張力(内部応力)を補強し、
光吸収膜21に剥離や弛みを発生させない機能である。
【0007】また、前記ステンシルマスクには、マスク
基板20の裏面に背面補強膜23が形成され、マスク基
板20の裏面から一表面に貫通し前記加工パターン22
に連通する加工ビーム通過窓24が形成される。背面補
強膜23はマスク基板20の反りつまり光吸収膜21で
発生する応力を相殺する目的で形成される。背面補強膜
23は基本的には光吸収膜21と同等の材料及び同等の
膜厚において簡易に形成される。但し、光吸収膜21の
応力が小さく、マスク基板20に反りが発生しない場合
には背面補強膜23は必ずしも必要でない。
【0008】なお、前述のステンシルマスクにおいて
は、背面補強膜23はマスク基板20の反りを防止する
ために使用されるが、さらに背面補強膜23は加工ビー
ム通過窓24をバックエッチング法で形成する際のエッ
チングマスクとして使用される。
【0009】図10(a)乃至図10(c)は前記光励
起プロセス用ステンシルマスクの製造方法を説明する各
工程毎に示す断面図である。前記ステンシルマスクの製
造方法は、マスク基板20の一表面上に加工パターン2
2を有する光吸収膜21を形成する工程と、マスク基板
20に加工ビーム通過窓24を形成する工程とを備え
る。
【0010】前記光吸収膜21の形成にはリフトオフ
(lift-off)法が使用される。まず第1工程において、
図10(a)に示すように、マスク基板20の一表面上
に加工パターン22に対して反転されたマスクパターン
を有するレジスト膜25が形成される。レジスト膜25
はフォトリソグラフィ技術において形成される。
【0011】第2工程において、図10(b)に示すよ
うに、前記レジスト膜25の上部表面上及びレジスト膜
25の周囲のマスク基板20の一表面上に選択的に光吸
収膜21が形成される。
【0012】第3工程において、図10(c)に示すよ
うに、前記レジスト膜25が選択的に除去されるととも
に、レジスト膜25の表面上の余分な光吸収膜21が除
去される。この結果、同図10(c)に示すように加工
パターン22を有する光吸収膜21が形成される。
【0013】第4工程において、前記マスク基板20の
裏面上に加工ビーム通過窓24の領域が開口された背面
補強膜23が形成される。
【0014】第5工程において、前記図10(d)に示
すように、バックエッチング法が使用され、背面補強膜
23をエッチングマスクとしてマスク基板20に加工ビ
ーム通過窓24が形成される。これらの工程が終了する
と、ステンシルマスクが完成する。
【0015】このように形成されるステンシルマスクに
おいては特に以下の特徴がある。すなわち、マスク基板
上にセルフサポーティブ膜、光吸収膜を順次積層しセル
フサポーティブ機能を有する膜を別に形成する従来のス
テンシルマスクに比べて、マスク構造が簡略化できる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
光励起プロセス用ステンシルマスクの製造方法において
は、以下の点の配慮がなされていない。
【0017】第1に、リフトオフ法による光吸収膜21
の形成においては、前記光吸収膜21の膜厚が前述の図
10(a)に示すレジスト膜25の膜厚t1に制約され
る。つまり、光吸収膜21の膜厚に比べてレジスト膜2
5の膜厚t1が充分に厚い膜厚で形成され、レジスト膜
25の側面が露出しない場合には、リフトオフ法が実現
できない。特に、光吸収膜21には加工ビームの吸収機
能又は反射機能に加えてセルフサポーティブ機能が付加
されているので、光吸収膜21には厚い膜厚が要求さ
れ、レジスト膜25の膜厚t1がさらに厚くなる。
【0018】従って、レジスト膜25の膜厚t1に充分
な厚さが確保できない場合には、光吸収膜21の膜厚が
確保できないので、光吸収膜21において加工ビームの
吸収機能又は反射機能、セルフサポーティブ機能のいず
れかが低下する。
【0019】さらに、光吸収膜21の膜厚が確保できな
い場合にはステンシルマスクの機械的強度が低下し、加
工パターン22が形成できる有効面積が減少するので、
半導体デバイスの高集積化が実現できない。
【0020】第2に、前記光吸収膜21の膜厚を充分に
確保するためにレジスト膜25の膜厚t1を単純に厚く
した場合、レジスト膜25において前記図10(a)に
示すマスクパターンの幅p1が増大し、マスクパターン
の加工精度が低下する。例えば、FIB(focussed ion
beam )法を使用しレジスト膜25が露光(パターンニ
ング)される場合には、レジスト膜25の膜厚t1の増
加に伴いイオンドーズ量の増加、露光エネルギの増加、
露光ビーム形状の輪郭ぼけ、及び露光ビームの焦点深度
の低下が発生する。従って、マスクパターンの加工精度
が低下したレジスト膜25が使用されリフトオフ法で形
成される光吸収膜21においては当然に加工パターン2
2のパターンニング精度が低下する。このため、ステン
シルマスクにおいて微細な加工パターン22が形成でき
ない。
【0021】これらの課題は、光励起プロセス用ステン
シルマスクの製造方法に基づいて説明したが、当然のご
とく光励起プロセス用ステンシルマスクだけの製造方法
に留まる課題ではない。すなわち、一般的な半導体デバ
イスの製造に使用されるパターンニング用ステンシルマ
スクの全般の製造方法に係る課題である。
【0022】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、本発明の目的は以下の通りである。
【0023】第1に、本発明の目的は、ビーム吸収膜に
必要な充分な膜厚が容易に確保でき、しかもビーム吸収
膜に形成される加工パターンの加工精度が向上できる、
ステンシルマスクの製造方法を提供することにある。
【0024】第2に、本発明の他の目的は、前記目的を
達成し、製造工程数が減少できる、ステンシルマスクの
製造方法を提供することにある。
【0025】第3に、本発明の他の目的は、ビーム吸収
膜の膜厚の増加が実現できる、ステンシルマスクの製造
方法を提供することにある。ビーム吸収膜の膜厚の増加
はステンシルマスクの機械的強度が向上できる。
【0026】第4に、本発明の他の目的は、レジスト膜
を形成する工程においてレジスト膜の膜厚が薄くできる
ので、レジスト膜の使用が節約できる。
【0027】
【課題を解決するための手段及び作用】請求項1に係る
本発明は、ステンシルマスクの製造方法において、下記
工程(1)乃至工程(5)を備えたことを特徴とする。
(1)マスク基板の一表面上に所望のマスクパターンを
有する副積層膜を形成する工程。(2)前記副積層膜の
マスクパターンに基づいて前記マスク基板の一表面から
マスク基板の裏面に向かって前記マスク基板の一部を除
去し、前記マスク基板の一表面側にエグレ部(テンポラ
リーホール:temporary hole)を形成する工程。(3)
前記マスク基板に対して選択的に前記副積層膜を除去す
る工程。(4)前記副積層膜が除去されたマスク基板の
一表面上及び前記エグレ部内に少なくとも加工ビームの
吸収機能又は反射機能を有する主積層膜を堆積する工
程。(5)前記マスクパターンが形成された領域におい
て少なくとも前記マスク基板の裏面から一表面側のエグ
レ部に達するまで前記マスク基板をエッチングで除去す
るとともに前記エグレ部内に堆積された主積層膜を除去
し、マスク基板を貫通する加工ビーム通過窓を形成する
工程。
【0028】請求項1に係る発明においては、第1に、
マスク基板の一表面上に形成された副積層膜のマスクパ
ターンに基づきマスク基板の一表面にエグレ部が形成さ
れる。副積層膜には少なくともエグレ部の形成に必要な
エッチングマスクとしての機能があればよいので、副積
層膜の膜厚が薄くでき、副積層膜のマスクパターンの加
工精度が向上できる。例えばFIB法が使用され副積層
膜のマスクパターンが形成される場合には、イオンドー
ズ量の減少、露光エネルギの減少、イオンビームの輪郭
形状の明瞭化、及び焦点深度の向上が実現できる。前記
加工精度が向上された副積層膜のマスクパターンに基づ
きマスク基板の一表面にマスクパターンが転写されるの
で、マスク基板の一表面に転写されたマスクパターンに
おいては加工精度が向上される。このマスク基板の一表
面に転写されたマスクパターンに基づきマスク基板の一
表面上に主積層膜が形成される。主積層膜は加工ビーム
の吸収機能又は反射機能を有するビーム吸収膜として形
成され、さらに主積層膜にはセルフサポーティブ機能を
備えるために主積層膜の膜厚は厚く形成される。マスク
基板の一表面上に転写されたマスクパターンの加工精度
が向上されているので、この下地のマスクパターンに基
づき忠実にかつセルフアライメントで主積層膜にマスク
パターンが転写され、この主積層膜のマスクパターン
(加工パターン)の加工精度は向上される。一方、エグ
レ部においては主積層膜を形成した際にビーム吸収膜と
して使用されない余分な主積層膜が一時的に堆積され収
納(蓄積)される。前記エグレ部は加工ビーム通過窓の
形成工程において除去され、このエグレ部の除去に伴い
エグレ部内部に堆積され収納された余分な主積層膜が除
去される。
【0029】第2に、前記副積層膜はマスク基板の一表
面にエグレ部を形成する(マスクパターンを転写する)
エッチングマスクとしてだけ使用されるので、副積層膜
にはマスク基板と比較して同一エッチング条件下でエッ
チングレートの小さい材料が使用できる。つまり、副積
層膜にはエッチング選択比が確保できる。また、副積層
膜とマスク基板との間に充分なエッチング選択比が確保
できるエッチングガスやエッチング液が使用できる。副
積層膜とマスク基板との間に充分なエッチング選択比が
確保されると副積層膜の膜厚が薄くできるので、結果的
に副積層膜に形成されるマスクパターンの加工精度が向
上できる。
【0030】第3に、前記主積層膜に形成される最終的
なマスクパターンにおいては副積層膜に形成されるマス
クパターンが基準になり、この副積層膜に形成されるマ
スクパターンに対してセルフアライメントで最終的なパ
ターンが形成される。前述の通り副積層膜の膜厚が薄く
できるので、副積層膜に形成される基準のマスクパター
ンは短時間で形成できる。例えばFIB法が使用される
場合にはイオンドーズ量が減少でき、かつ露光エネルギ
が減少できるので、マスクパターンの形成において露光
時間が短縮できる。
【0031】請求項2に係る本発明は、ステンシルマス
クの製造方法において、下記工程(1)乃至工程(4)
を備えたことを特徴とする。(1)マスク基板の一表面
上に所望のマスクパターンを有する副積層膜を形成する
工程。(2)前記副積層膜のマスクパターンに基づいて
前記マスク基板の一表面からマスク基板の裏面に向かっ
て前記マスク基板の一部を除去し、前記マスク基板の一
表面側にエグレ部を形成するとともに、前記副積層膜を
除去する工程。(3)前記副積層膜が除去されたマスク
基板の一表面上及び前記エグレ部内に少なくとも加工ビ
ームの吸収機能又は反射機能を有する主積層膜を堆積す
る工程。(4)前記マスクパターンが形成された領域に
おいて少なくとも前記マスク基板の裏面から一表面側の
エグレ部に達するまで前記マスク基板をエッチングで除
去するとともに前記エグレ部内に堆積された主積層膜を
除去し、マスク基板を貫通する加工ビーム通過窓を形成
する工程。
【0032】請求項2に係る発明においては、前記請求
項1に係る発明で得られる作用効果に加えて、第1に、
前記副積層膜のマスクパターンに基づいてエグレ部が形
成されると同時に前記副積層膜が除去される。つまり、
副積層膜は少なくともエグレ部が形成されるまで存在す
ればよいので副積層膜の膜厚が薄くでき、副積層膜に形
成されるマスクパターンにおいてはより一層加工精度が
向上できる。
【0033】第2に、前記エグレ部の形成と副積層膜の
除去とが同一工程において実現できるので、副積層膜の
除去を別工程で行う場合に比べてステンシルマスクの製
造工程数が減少できる。
【0034】請求項3に係る本発明は、ステンシルマス
クの製造方法において、下記工程(1)乃至工程(4)
を備えたことを特徴とする。(1)マスク基板の一表面
上に所望のマスクパターンを有する副積層膜を形成する
工程。(2)前記副積層膜のマスクパターンに基づいて
前記マスク基板の一表面からマスク基板の裏面に向かっ
て前記マスク基板の一部を除去し、前記マスク基板の一
表面側にエグレ部を形成する工程。(3)前記副積層膜
の表面上及び前記エグレ部内に少なくとも加工ビームの
吸収機能又は反射機能を有する主積層膜を堆積する工
程。(4)前記マスクパターンが形成された領域におい
て少なくとも前記マスク基板の裏面から一表面側のエグ
レ部に達するまで前記マスク基板をエッチングで除去す
るとともに前記エグレ部内に堆積された主積層膜を除去
し、マスク基板を貫通する加工ビーム通過窓を形成する
工程。
【0035】請求項3に係る発明においては、第1に、
マスク基板の一表面上に形成された副積層膜のマスクパ
ターンに基づきマスク基板の一表面にエグレ部が形成さ
れ、かつ副積層膜の表面上に形成される主積層膜にマス
クパターンが転写される。副積層膜には少なくともエグ
レ部の形成に必要なエッチングマスクとしての機能、及
び主積層膜にマスクパターンを転写する機能があればよ
いので、副積層膜の膜厚が薄くでき、副積層膜のマスク
パターンの加工精度が向上できる。主積層膜は加工ビー
ムの吸収機能又は反射機能を有するビーム吸収膜として
形成され、さらに主積層膜にはセルフサポーティブ機能
を備えるために主積層膜の膜厚は厚く形成される。前記
加工精度が向上された副積層膜のマスクパターンに基づ
き忠実にかつセルフアライメントで主積層膜にマスクパ
ターンが転写され、しかも副積層膜のマスクパターンか
ら直接主積層膜にマスクパターンが転写されるので、主
積層膜のマスクパターンの加工精度は向上される。一
方、エグレ部においては主積層膜を形成した際にビーム
吸収膜として使用されない余分な主積層膜が一時的に堆
積され収納される。前記エグレ部は加工ビーム通過窓の
形成工程において除去され、このエグレ部の除去に伴い
エグレ部内部に堆積され収納された余分な主積層膜が除
去される。
【0036】第2に、前記副積層膜は少なくともマスク
基板の一表面にエグレ部を形成するエッチングマスク及
び主積層膜にマスクパターンを転写する基準マスクとし
て使用される。従って、副積層膜には例えばビーム吸収
膜としての機能が必ずしも必要ないので、副積層膜には
マスク基板との間に充分なエッチング選択比が確保でき
る材料が使用できる。また、副積層膜とマスク基板との
間に充分なエッチング選択比が確保できるエッチングガ
スやエッチング液が使用できる。副積層膜とマスク基板
との間に充分なエッチング選択比が確保されると副積層
膜の膜厚が薄くできるので、結果的に副積層膜に形成さ
れるマスクパターンの加工精度が向上できる。
【0037】第3に、前記主積層膜に形成される最終的
なマスクパターンにおいては副積層膜に形成されるマス
クパターンが基準になり、この副積層膜に形成されるマ
スクパターンに対してセルフアライメントで最終的なパ
ターンが形成される。前述の通り副積層膜の膜厚が薄く
できるので、副積層膜に形成される基準のマスクパター
ンは短時間で形成でき、マスクパターンの形成において
露光時間が短縮できる。
【0038】第4に、前記副積層膜はエグレ部及び主積
層膜のマスクパターンを形成した後にビーム吸収膜の一
部として又はビーム吸収膜とは別の機能を有する膜とし
て使用できる。つまり、副積層膜はそのままステンシル
マスクを構成する膜として使用され、副積層膜を除去す
る必要がないので、ステンシルマスクの製造工程数が減
少できる。
【0039】請求項4に係る発明は、ステンシルマスク
の製造方法において、下記工程(1)乃至工程(3)を
備えたことを特徴とする。(1)マスク基板の一表面上
の所望の領域に直接エッチング用ビームが照射され、前
記マスク基板の一表面からマスク基板の裏面に向かって
前記マスク基板の一部を除去し、前記マスク基板の一表
面側に所望のマスクパターンを有するエグレ部を形成す
る工程。(2)前記マスク基板の一表面上及び前記エグ
レ部内に少なくとも加工ビームの吸収機能又は反射機能
を有する主積層膜を堆積する工程。(3)前記マスクパ
ターンが形成された領域において少なくとも前記マスク
基板の裏面から一表面側のエグレ部に達するまで前記マ
スク基板をエッチングで除去するとともに前記エグレ部
内に堆積された主積層膜を除去し、マスク基板を貫通す
る加工ビーム通過窓を形成する工程。
【0040】請求項4に係る発明においては、第1に、
マスク基板の一表面上の所望の領域にエッチング用ビー
ムが直接照射され、照射された領域にエグレ部が形成さ
れる。つまり、前記エグレ部はエッチング用ビームで直
接形成されるので、エッチング用ビームのビーム径がマ
スクパターンとして忠実にエグレ部に転写され、前記忠
実に転写されたマスクパターンに基づきマスク基板の一
表面上に主積層膜が形成される。従って、主積層膜には
マスクパターンが転写され、主積層膜に転写されるマス
クパターンの加工精度は向上できる。
【0041】第2に、前記エグレ部はエッチング用ビー
ムで直接形成されるので、エグレ部の形成にフォトリソ
グラフィ技術で形成されるエッチングマスクを形成する
工程がなくなる。従って、エッチングマスクを形成する
工程に相当する分、ステンシルマスクの製造工程数が減
少できる。
【0042】第3に、エッチングマスクを形成する工程
に相当する分、ステンシルマスクの製造時間が短縮でき
る。
【0043】請求項5に係る発明は、前記請求項1又は
請求項2に記載されるステンシルマスクの製造方法にお
いて、前記副積層膜を形成する工程は、前記マスク基板
の一表面上の全面にレジスト膜を形成する工程と、前記
レジスト膜に所望のマスクパターンを露光する工程と、
前記露光されたレジスト膜を現像する工程と、前記現像
されたレジスト膜にリンス処理を行う工程と、を含むこ
とを特徴とする。
【0044】請求項5に係る発明においては、第1に、
前記副積層膜がマスクパターンを有するレジスト膜で形
成される。レジスト膜の塗布、ベーク、露光、現像を順
次行えばレジスト膜自体がエッチングマスクとして使用
できる。つまり、レジスト膜自体がエグレ部を形成する
エッチングマスクとして使用できる。しかも、レジスト
膜はマスク基板の一表面にエグレ部を形成する機能があ
ればよいので、レジスト膜の膜厚が薄くできる。従っ
て、レジスト膜に形成されたマスクパターンで直接マス
ク基板の一表面にマスクパターンが転写できるので、マ
スク基板に形成されたマスクパターンの加工精度が向上
できる。
【0045】第2に、前記副積層膜がレジスト膜で形成
されるので、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技
術を使用し副積層膜にマスクパターンを形成する場合に
比べて、ステンシルマスクの製造工程数が減少できる。
【0046】請求項6に係る発明は、前記請求項2又は
請求項3に記載されるステンシルマスクの製造方法にお
いて、前記副積層膜を形成する工程は、前記マスク基板
の一表面上に前記マスクパターンに対して反転されたマ
スクパターンを有するレジスト膜を形成する工程と、積
層膜の堆積方向に異方性を有する堆積法が使用され、前
記レジスト膜の表面上及び反転マスクパターンの開口内
において前記マスク基板の一表面上に選択的に副積層膜
を堆積する工程と、前記レジスト膜を選択的に除去する
とともに前記レジスト膜の表面上に形成された副積層膜
を除去する工程と、を含むことを特徴とする。
【0047】請求項6に係る発明においては、第1に、
前記副積層膜のマスクパターンがリフトオフ法で形成さ
れる。このリフトオフ法において、前述の通り副積層膜
の膜厚が薄くできるので、反転マスクパターンを有する
レジスト膜の膜厚が薄くできる。従って、前記レジスト
膜に形成される反転マスクパターンの加工精度が向上で
き、最終的には主積層膜に形成されるマスクパターンの
加工精度が向上できる。
【0048】第2に、前記反転マスクパターンを有する
レジスト膜の膜厚が薄くできるので、前記レジスト膜に
反転マスクパターンを形成する露光時間が短縮できる。
【0049】請求項7に係る発明は、前記請求項2又は
請求項3に記載されるステンシルマスクの製造方法にお
いて、前記副積層膜を形成する工程は、前記マスク基板
の一表面上の全面に副積層膜を形成する工程と、前記副
積層膜の表面上の全面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に所望のマスクパターンを露光する工程
と、前記露光されたレジスト膜を現像し、エッチングマ
スクを形成する工程と、前記エッチングマスクを使用し
て前記副積層膜をエッチングし、前記副積層膜に所望の
マスクパターンを形成する工程と、を含むことを特徴と
する。
【0050】請求項7に係る発明においては、第1に、
前記副積層膜のマスクパターンがフォトリソグラフィ技
術及びエッチング技術で形成される。このフォトリソグ
ラフィ技術及びエッチング技術において、前述の通り副
積層膜の膜厚が薄くできるので、マスクパターンを有す
るレジスト膜の膜厚が薄くできる。従って、前記レジス
ト膜に形成されるマスクパターンの加工精度が向上で
き、最終的には主積層膜に形成されるマスクパターンの
加工精度が向上できる。
【0051】第2に、前記マスクパターンを有するレジ
スト膜の膜厚が薄くできるので、前記レジスト膜にマス
クパターンを形成する露光時間が短縮できる。
【0052】請求項8に係る発明は、前記請求項1乃至
請求項4のいずれかに記載されるステンシルマスクの製
造方法において、前記エグレ部を形成する工程には等方
性エッチングが使用されることを特徴とする。
【0053】請求項8に係る発明においては、第1に、
前記エグレ部の形成に等方性エッチングが使用され、副
積層膜に形成されたマスクパターンを基準としてマスク
基板の一表面から深さ方向及び横方向に等方的にエッチ
ングが進行する。横方向にエッチングが進行する分、エ
グレ部内の容積が増加され、エグレ部内に余分な主積層
膜が一時的に充分に堆積され収納できる。従って、エグ
レ部内に余分な主積層膜が堆積され収納される分、マス
ク基板の一表面上又は副積層膜の表面上に主積層膜が厚
い膜厚で形成できる。
【0054】第2に、等方性エッチングでエグレ部内の
容積が増加できるので、エグレ部を形成するエッチング
量が減少できる。エッチング量が減少されると、副積層
膜の膜厚がさらに薄くできるので、副積層膜に形成され
るマスクパターンの加工精度が向上できる。
【0055】第3に、等方性エッチングによりエグレ部
を形成することにより、加工ビーム通過窓形成時のバッ
クエッチング量を低減し、バックエッチングプロセスの
時間短縮効果が得られる。
【0056】第4に、等方性エッチングによるエグレ部
の形成によって、エグレ部内の基板側壁が補助膜の下に
入り込むため、後に堆積される主膜が側壁に付着しにく
くなる。その結果、主膜堆積時にはエグレ底部に堆積す
る余剰主膜と補助膜上の主膜が各々隔絶され、十分な膜
厚を得ることができる。
【0057】請求項9に係る発明は、前記請求項1乃至
請求項4のいずれかに記載されるステンシルマスクの製
造方法において、前記エグレ部を形成する工程には異方
性エッチングが使用されることを特徴とする。
【0058】請求項9に係る発明においては、第1に、
前記エグレ部の形成に異方性エッチングが使用され、副
積層膜に形成されたマスクパターンを基準としてマスク
基板の一表面から深さ方向に指向性をもってエッチング
が進行する。つまり、横方向にはエッチングがほとんど
進行しない(サイドエッチングがほとんどない)。従っ
て、副積層膜のマスクパターンの端面からマスクパター
ンの内側に向かってマスク基板に形成されたエグレ部の
側壁が後退しないので、副積層膜のマスクパターン端部
のオーバーハング形状の発生が防止できる。つまり、副
積層膜のマスクパターン端部の直下に位置するマスク基
板の一表面により副積層膜のマスクパターン端部の機械
的強度が補強されるので、副積層膜のマスクパターン端
部において形状の変化が防止できる。結果的に、副積層
膜に形成されるマスクパターンの加工精度が向上できる
ので、最終的に主積層膜に形成されるマスクパターンの
加工精度が向上できる。
【0059】第2に、異方性エッチングでエグレ部が形
成され、エグレ部を形成したとしても副積層膜に形成さ
れるマスクパターン特に端部の形状の変化が防止でき
る。従って、副積層膜の膜厚がさらに薄くできるととも
に、副積層膜に形成されるマスクパターンの微細化が実
現できる。
【0060】請求項10に係る発明は、前記請求項2又
は請求項3に記載されるステンシルマスクの製造方法に
おいて、前記副積層膜は前記主積層膜の膜厚に比べて薄
い膜厚で形成されることを特徴とする。
【0061】請求項10に係る発明においては、副積層
膜に形成されるマスクパターンの加工精度が向上でき、
さらに副積層膜にマスクパターンを形成する露光時間が
短縮できる。
【0062】請求項11に係る発明は、前記請求項1乃
至請求項4のいずれかに記載されるステンシルマスクの
製造方法において、前記副積層膜を形成する工程から又
は前記マスク基板にエグレ部を形成する工程から加工ビ
ーム通過窓を形成する工程前までの間に、前記マスク基
板の裏面に少なくとも前記主積層膜の内部応力を相殺す
る背面補強膜を形成する工程を備えたことを特徴とす
る。
【0063】請求項11に係る発明においては、第1
に、前記背面補強膜でマスク基板の反りが減少できるの
で、最終的に形成される主積層膜の表面が平坦化され
る。この平坦化された主積層膜にはマスクパターン(加
工パターン)が形成されるので、主積層膜に形成される
マスクパターンの加工精度が向上できる。
【0064】第2に、前記背面補強膜はマスク基板自体
の機械的強度も補強できるので、ステンシルマスクの寿
命が長くできる。
【0065】請求項12に係る発明は、前記請求項1又
は請求項2に記載されるステンシルマスクの製造方法に
おいて、前記副積層膜を除去する工程の後、前記主積層
膜を形成する工程の前に、前記マスク基板の一表面上に
前記マスク基板と主積層膜との間の接着力に比べてマス
ク基板との間の接着力及び主積層膜との間の接着力がい
ずれも大きい中間体膜を形成する工程を備えたことを特
徴とする。
【0066】請求項12に係る発明においては、前記中
間体膜はマスク基板と主積層膜との間の接着力を高め、
主積層膜の弛みが減少できる。従って、主積層膜の表面
の平坦化が促進され、主積層膜に形成されるマスクパタ
ーンの加工精度が向上できる。
【0067】請求項13に係る発明は、前記請求項3に
記載されるステンシルマスクの製造方法において、前記
副積層膜を形成する工程の前に、前記マスク基板の一表
面上に前記マスク基板と副積層膜との間の接着力に比べ
てマスク基板との間の接着力及び副積層膜との間の接着
力がいずれも大きい中間体膜を形成する工程を備えたこ
とを特徴とする。
【0068】請求項13に係る発明においては、前記請
求項12に係る発明で得られる作用効果と同様の作用効
果が得られる。
【0069】請求項14に係る発明は、前記請求項3に
記載されるステンシルマスクの製造方法において、前記
副積層膜を形成する工程は、前記マスク基板の一表面上
に前記マスク基板と主積層膜との間の接着力に比べてマ
スク基板との間の接着力及び主積層膜との間の接着力が
いずれも大きい中間体膜を形成する工程であることを特
徴とする。
【0070】請求項14に係る発明においては、前記請
求項12に係る発明で得られる作用効果と同様の作用効
果が得られる。さらに、副積層膜が中間体膜として使用
されるので、中間体膜を形成する工程に相当する分、ス
テンシルマスクの製造工程数が減少できる。
【0071】請求項15に係る発明は、前記請求項1乃
至請求項4のいずれかに記載されるステンシルマスクの
製造方法において、前記主積層膜を形成する工程から又
は前記マスク基板にエグレ部を形成する工程から加工ビ
ーム通過窓を形成する工程までの間に、前記マスク基板
の裏面に中間体膜を形成する工程と背面補強膜を形成す
る工程とを順次備え、前記中間体膜は前記マスク基板と
背面補強膜との間の接着力に比べてマスク基板との間の
接着力及び背面補強膜との間の接着力がいずれも大きく
設定され、前記背面補強膜は少なくとも前記主積層膜の
内部応力を相殺することを特徴とする。
【0072】請求項16に係る発明は、前記請求項1乃
至請求項4のいずれかに記載されるステンシルマスクの
製造方法において、前記マスク基板にはドライエッチン
グ又はウエットエッチングが行える材料が使用されるこ
とを特徴とする。
【0073】請求項17に係る発明は、前記請求項1乃
至請求項4のいずれかに記載されるステンシルマスクの
製造方法において、前記マスク基板は珪素、酸化珪素、
インジウム・スズ酸化物、ガリウム・ヒ素、インジウム
・リン、アルミニウム、アルミニウム化合物、銅、酸化
マグネシウム、ニッケル、ニッケル合金、鉄、クロムの
いずれかの材料で形成されることを特徴とする。
【0074】請求項18に係る発明は、前記請求項1乃
至請求項3のいずれかに記載されるステンシルマスクの
製造方法において、前記副積層膜には前記マスク基板と
比較して同一エッチング条件下でエッチングレートの小
さい材料が使用されることを特徴とする。
【0075】請求項19に係る発明は、前記請求項1乃
至請求項3のいずれかに記載されるステンシルマスクの
製造方法において、前記副積層膜は金、白金、ニッケ
ル、クロム、アルミニウム、アルミニウム化合物、アル
ミニウム合金、銅、炭素、ホウ素窒化物、ホウ素窒素炭
化物、ガリウム・ヒ素、インジウム・リン、レジストの
いずれかの材料で形成されることを特徴とする。
【0076】請求項20に係る発明は、前記請求項1乃
至請求項4のいずれかに記載されるステンシルマスクの
製造方法において、前記主積層膜は金、タングステン、
タンタル、タンタル酸化物、タングステン窒化物、タン
タル窒化物、タングステン炭化物、タンタル炭化物、タ
ングステンホウ化物、タンタルホウ化物のいずれかの材
料で形成されることを特徴とする。
【0077】
【実施例】実施例1 本実施例は、前述の光励起プロセスに使用されるステン
シルマスクの製造方法について説明する、本発明の第1
実施例である。
【0078】図1(g)は本発明の実施例1に係るステ
ンシルマスクの断面図である。図1(g)に示すよう
に、ステンシルマスクはマスク基板1、中間体膜2、ビ
ーム吸収膜3、加工パターン4、背面補強膜5及び加工
ビーム通過窓6で形成される。
【0079】前記ステンシルマスクのマスク基板1には
マスク基板1の裏面から一表面に向かって貫通し加工パ
ターン4に連通する加工ビーム通過窓6が形成される。
本実施例において加工ビーム通過窓6はマスク基板1の
ほぼ中央部分に形成される。マスク基板1の一表面とは
被加工体(例えば、半導体デバイスが形成される半導体
ウエーハ)の表面に密着される側で被加工体の表面に対
向する面である。この加工ビーム通過窓6の領域内にお
いて前記ビーム吸収膜3に加工パターン4が形成され
る。一方、前記マスク基板1の裏面には加工ビーム通過
窓6の領域が開口された背面補強膜5が形成される。
【0080】ここで、マスク基板1、中間体膜2、ビー
ム吸収膜3、背面補強膜5には以下に示す材料がステン
シルマスクの用途に応じて選択できる。なお、光励起プ
ロセス以外のステンシルマスクについても、これらの材
料の中から用途に応じて選択ができる。
【0081】前記マスク基板1にはウエットエッチング
加工又はドライエッチング加工が行える材料が使用さ
れ、本実施例においてマスク基板1には珪素(Si)基
板が使用される。Si基板は半導体製造技術で使用され
る材料として高い信頼性を有しており、Si基板の加工
技術はほぼ確立されている。
【0082】また、ドライエッチング、特に反応性イオ
ンエッチング(Reactive Ion Etching)やケミカル
エッチングが行える、マスク基板1の材料としては酸化
珪素(SiO2 )、インジウム・スズ酸化物(IT
O)、ガリウム・ヒ素(GaAs)、インジウム・リン
(InP)、アルミニウム(Al)、アルミニウム化合
物(Al2 3 )、銅(Cu)のいずれかが使用でき
る。さらに、ウエットエッチング(スパッタエッチング
を含む)が行えるマスク基板1の材料としては酸化マグ
ネシウム(MgO)、チタン・ストロンチウム酸化物
(SrTiO3 )、ニッケル(Ni)、ニッケル合金
(例えば、SUS314、SUS304)、鉄(F
e)、クロム(Cr)のいずれかの材料が使用できる。
【0083】前記マスク基板1の一表面上には副積層膜
である中間体膜2、主積層膜であるビーム吸収膜3が順
次積層され、マスク基板1の一表面上には2層構造で膜
が形成される。
【0084】副積層膜である中間体膜2は基本的にはマ
スク基板1とビーム吸収膜3との間の接着力を高める機
能を備える。つまり、マスク基板1とビーム吸収膜3と
の間の接着力に比べて、マスク基板1との間の接着力、
ビーム吸収膜3との間の接着力がいずれも高くなる材料
で中間体膜2が形成される。
【0085】さらに、中間体膜2はステンシルマスクの
製造において各種のマスクとして使用される。特に、中
間体膜2はマスク基板1の一表面にエグレ部(1h)を
形成するエッチングマスク、及びビーム吸収膜3にマス
クパターン(加工パターン4)を転写する転写マスクと
して使用される。従って、中間体膜2にはマスク基板1
との間にエッチング選択比が充分に確保できる材料が使
用される。
【0086】本実施例において中間体膜2にはクロム
(Cr)が使用される。また、同様の機能を備える中間
体膜2(副積層膜)の材料としては金(Au)、白金
(Pt)、Ni、モリブテン(Mo)、チタン(T
i)、インジウム(In)、インジウム酸化物(InO
2 )、Al、Al2 3 、アルミニウム合金(Al−C
u)、Cu、炭素(C)、ホウ素窒化物(BN)、ホウ
素窒素炭化物(BNC)、GaAs、InP、Si化合
物(SiO2 、Si3 4 、SiC)のいずれかが中間
体膜2に使用できる。
【0087】前記ビーム吸収膜3には加工ビームの吸収
機能又は反射機能が備えられ、さらにこのビーム吸収膜
3には膜自体の張力を補強し膜の剥離や弛みが発生しな
いセルフサポーティブ機能が備えられる。セルフサポー
ティブ機能を有するビーム吸収膜3においては、ビーム
吸収膜3の他に別途セルフサポーティブ膜を形成する必
要がないので、マスク基板1の一表面上に形成される膜
数が減少できる。従って、ステンシルマスクの構造が簡
素化できる。
【0088】本実施例においてビーム吸収膜3にはAu
(金属)が使用される。また、同様の機能を備えるビー
ム吸収膜3の材料としては上記Au以外の金属、合金、
炭化物、窒化物、酸化物、ホウ化物、半導体、有機物の
いずれかが使用できる。
【0089】具体的にAu以外の金属としてはPt、タ
ングステン(W)、タンタル(Ta)、レニウム(R
e)、ニオブ(Nb)、Mo、銀(Ag)、In、錫
(Sn)、Ti、Cu、Ni、Cr、Al、Feのいず
れかが使用できる。合金材料としてはタングステン・レ
ニウム合金(W−Re)、アルミニウム・銅合金(Al
−Cu)、アルミニウム・珪素・銅合金(Al−Si−
Cu)、チタン・タングステン(Ti−W)、白金・パ
ラジウム合金(Pt−Pd)、Ni合金(SUS)のい
ずれかが使用される。炭化物としては金炭化物(Au
C)、タンタル炭化物(TaC)、タングステン炭化物
(W2 C、WC)、チタン炭化物(TiC)のいずれか
が使用できる。
【0090】窒化物としてはタンタル窒化物(TaN、
Ta3 5 )、タングステン窒化物(WN)、チタン窒
化物(TiN)のいずれかが使用できる。酸化物として
はタンタル酸化物(Ta2 5 )、タングステン酸化物
(WO3)、レニウム酸化物(ReO2 )、チタン酸化
物(TiO2 )、モリブテン酸化物(MoO2 )、Al
2 3 、ニッケル酸化物(NiO)、鉄酸化物(Fe
O、Fe2 3 、Fe3 4 )、クロム酸化物(Cr
O、Cr2 3 、CrO3 )のいずれかが使用できる。
ホウ化物としてはタンタルホウ化物(TaB4 )が使用
できる。半導体としてはSi、SiC、Si3 4 、S
iN、SiO2 、ゲルマニウム(Ge)、C、タングス
テンホウ化物(BN)、タングステンホウ化炭化物(B
NC)、GaAs、InPのいずれかが使用できる。有
機物としてはポリイミド系樹脂が使用できる。
【0091】前記マスク基板1の裏面に形成された背面
補強膜5は基本的にはビーム吸収膜3の応力を相殺する
機能を備え、マスク基板1の反りが防止できる。マスク
基板1の反りが防止されるとビーム吸収膜3の表面の平
坦化が促進され、ビーム吸収膜3に形成される加工パタ
ーン4の加工精度が向上できる。従って、限定はされな
いが、特に製造を簡略化する目的などから背面補強膜5
には前記ビーム吸収膜3と同様の材料が使用され、かつ
前記ビーム吸収膜3と同等の膜厚において背面補強膜5
が形成される。
【0092】さらに、背面補強膜5は加工ビーム通過窓
6を形成する際のエッチングマスクとして使用される。
【0093】次に、前述のステンシルマスクの製造方法
を説明する。図1(a)乃至図1(g)はステンシルマ
スクを各製造工程毎に示す断面図である。本実施例にお
いて、ステンシルマスクの製造には、副積層膜であるマ
スクパターンを有する中間体膜2の形成工程、エグレ部
1hの形成工程、主積層膜である加工パターン4を有す
るビーム吸収膜3の形成工程、及び加工ビーム通過窓6
の形成工程を備える。特に、中間体膜2のマスクパター
ンの形成にはリフトオフ法が使用される。
【0094】まず第1工程においては、図1(a)に示
すようにマスク基板1の一表面上の全面にレジスト膜1
0が形成される。本実施例においてマスク基板1には4
00−600μmの基板厚さを有する単結晶Si基板が
使用される。本実施例において集束イオンビーム(FI
B:Forcused Ion Beam)又は電子線(EB:Elect
ron Beam)が露光に使用されるので、レジスト膜10に
は電子線レジストが使用される。電子線レジストとして
は例えば SHIPLEY 社製、「MICROPOSIT E-BEAM RESIST
SAL601-ER7 (商品名)」が使用される。電子線レジス
トは回転塗布法において塗布され、塗布された電子線レ
ジストにはベーク処理が施される。後の工程において形
成される副積層膜である中間体膜2にはマスク基板1と
の間に充分なエッチング選択比が確保されるので、レジ
スト膜10の膜厚が薄くできる。ここで、中間体膜2と
マスク基板1との間に充分なエッチング選択比が確保で
きるとは、同一エッチング条件下においてマスク基板1
と比較した場合にエッチングレートが小さい材料で中間
体膜2が形成されることを意味する。本実施例において
は中間体膜2の膜厚に比べて若干厚い例えば12−15
nmの膜厚でレジスト膜10が形成される。
【0095】第2工程においては、図1(b)に示すよ
うにレジスト膜10がパターンニングされ、最終的には
加工パターン4になる基準のマスクパターンに対して反
転されたマスクパターンがレジスト膜10に形成され
る。レジスト膜10の反転マスクパターンは前述の通り
FIB又はEBで露光(描画)され、露光されたレジス
ト膜10には現像処理が施される。現像処理の後にはリ
ンス処理が行われる。レジスト膜10の膜厚(図1
(b)中、符号t)が薄く形成されるので、露光におい
てドーズ量の減少、露光エネルギの減少、加工ビーム形
状の輪郭ぼけの減少、及び焦点深度の向上が実現でき
る。従って、レジスト膜10の反転マスクパターンの幅
(図1(b)中、符号p)が微細に形成できる。例えば
反転マスクパターンの幅は0. 1−0. 5μmにおいて
形成できる。現像処理で使用される現像液には例えば S
HIPLEY 社製、「MICROPOSIT developer MF622 (商品
名)」が使用される。
【0096】なお、前記レジスト膜10には、電子線レ
ジストの他に、いわゆるフォトレジスト膜、X線レジス
ト膜、無機レジスト膜のいずれかが使用できる。また、
本実施例においてレジスト膜10には単層膜が使用され
るが、レジスト膜10には多層膜が使用できる。
【0097】第3工程においては、図1(c)に示すよ
うに前記レジスト膜10の上部表面上及びレジスト膜1
0の周囲においてマスク基板1の一表面上に選択的に中
間体膜2が形成される。本実施例において中間体膜2は
副積層膜として形成される。本実施例において中間体膜
2にはCrが使用され、Crは蒸着法で堆積される。C
rの蒸着レートは例えば0. 2nm/s程度に設定され
る。また、Crの形成にはスパッタ法が使用できる。C
rとマスク基板1のSiとの間には充分なエッチング選
択比が確保できるので、中間体膜2の膜厚は薄い膜厚で
形成される。中間体膜2の膜厚は例えば10nmで形成
される。
【0098】第4工程においては、図1(d)に示すよ
うに前記レジスト膜10を選択的に除去するとともにレ
ジスト膜10の表面上に形成された余分な中間体膜2が
除去される。この結果、中間体膜2にはレジスト膜10
のマスクパターンが転写され、中間体膜2にマスクパタ
ーン4Aが形成される。すなわち、中間体膜2及びこの
中間体膜2に形成されるマスクパターン4Aはリフトオ
フ法において形成される。前記レジスト膜10は硫酸
(H2 SO4 )と過酸化水素水(H2 2 )との混合液
で除去され、レジスト膜10の除去においては超音波洗
浄法が併用され90秒程度の処理が行われる。
【0099】ビーム吸収膜3が中間体膜2を形成する工
程と別工程で形成され、しかもビーム吸収膜3を形成す
る際に余分なビーム吸収膜3がマスク基板1に形成する
エグレ部1hに堆積され収納されるので、中間体膜2の
膜厚はリフトオフ法で薄くできる。この結果、反転マス
クパターンを有するレジスト膜10の膜厚が薄くでき、
レジスト膜10に形成される反転マスクパターンの加工
精度自体が向上できる。つまり、レジスト膜10の反転
マスクパターンは中間体膜2のマスクパターン4Aとし
て高い加工精度において転写できる。さらに、レジスト
膜10の膜厚が薄くできるので、前記レジスト膜10に
反転マスクパターンを形成する露光時間が短縮できる。
【0100】第5工程においては、図1(e)に示すよ
うに前記中間体膜2がエッチングマスクとして使用さ
れ、マスクパターン4Aに基づいてマスク基板1の一表
面にエグレ部1hが形成される。エグレ部1hはビーム
吸収膜3を形成した際に余分なビーム吸収膜3が堆積さ
れ収納される程度の内部容積で形成され、少なくともビ
ーム吸収膜3の膜厚に比べてエグレ部1hは深く形成さ
れる。
【0101】本実施例において前記エグレ部1hの形成
には等方性エッチングが使用される。等方性エッチング
にはドライエッチング及びウエットエッチングが含ま
れ、前記エグレ部1hはドライエッチングのうちプラズ
マエッチングで形成される。プラズマエッチングは、周
波数:13. 56MHz、高周波出力:100W、エッ
チングガス:CF4 、ガス圧力:0. 4torr、基板温
度:室温、エッチング時間:5分の条件下において行わ
れる。このようなエッチング条件で形成されるエグレ部
1hにおいてはマスク基板1の一表面から深さ方向にエ
ッチングが進行するとともに横方向にエッチングが進行
し、エグレ部1hは半円球形状で形成される。エグレ部
1hの深さは例えば1. 0μmに設定される。
【0102】前記エグレ部1hの形成に等方性エッチン
グが使用される場合には、横方向にエッチングが進行す
る分、エグレ部1hの内部の容積が増加され、エグレ部
1h内に余分なビーム吸収膜3が一時的に充分に堆積さ
れ収納できる。従って、エグレ部1hの内部に余分なビ
ーム吸収膜3が堆積され収納される分、マスク基板1の
一表面上又は中間体膜2の表面上にビーム吸収膜3が厚
い膜厚で形成できる。さらに、等方性エッチングでエグ
レ部1hの内部の容積が増加できるので、エグレ部1h
を形成するエッチング量が減少できる。エッチング量が
減少されると、中間体膜2の膜厚がさらに薄くできるの
で、中間体膜2に形成されるマスクパターン4Aの加工
精度が向上できる。
【0103】また、等方性エッチングによりエグレ部を
形成することにより、加工ビーム通過窓形成時のバック
エッチング量を低減し、バックエッチングプロセスの時
間短縮効果が得られる。
【0104】さらに、等方性エッチングによるエグレ部
の形成によって、エグレ部内の基板側壁が補助膜の下に
入り込むため、後に堆積される主膜が側壁に付着しにく
くなる。その結果、主膜堆積時にはエグレ底部に堆積す
る余剰主膜と補助膜上の主膜が各々隔絶され、十分な膜
厚を得ることができる。
【0105】第6工程においては、図1(f)に示すよ
うに中間体膜2の表面上にビーム吸収膜3が形成される
とともに余分なビーム吸収膜3が中間体膜2に形成され
たマスクパターン4Aを通過しエグレ部1の内部に堆積
され収納される。ビーム吸収膜3には中間体膜2のマス
クパターン4Aが転写され、このビーム吸収膜3に転写
されたマスクパターンは被加工体を実際に加工するため
の加工パターン4として使用される。すなわち、ビーム
吸収膜3の膜厚の増加する方向の成分が選択的に大きく
なるように制御される。従って、ビーム吸収膜3の加工
パターン4には中間体膜2に形成されたマスクパターン
4Aが忠実に転写される。しかも、加工パターン4はマ
スクパターン4Aに対してセルフアライメントで形成さ
れる。
【0106】本実施例においてビーム吸収膜3にはAu
が使用される。ビーム吸収膜3には加工ビームの吸収機
能又は反射機能が最低限必要でさらにセルフサポーティ
ブ機能が付加されるので、Auは450−600nm程
度の厚い膜厚で形成される。Auは蒸着法で形成され、
蒸着レートは例えば1. 2nm/sに設定される。蒸着
レートが小さい方が加工パターン4の加工精度が向上で
きる。ビーム吸収膜3は基本的には厚い膜厚例えば1μ
m程度で形成できる。ただし、中間体膜2の表面上に形
成されたビーム吸収膜3とエグレ部1hの内部に堆積さ
れ収納された余分なビーム吸収膜3との間に強固に結合
が生じないことが条件になる。つまり、中間体膜2の側
壁及びエグレ部1hの内部側壁にはビーム吸収膜3が堆
積されずに、中間体膜2の上部表面上にビーム吸収膜3
が堆積され及びエグレ部1hの内部底面に余分なビーム
吸収膜3が堆積され、後工程において余分なビーム吸収
膜3が除去できることが条件になる。また、中間体膜2
の側壁及びエグレ部1hの内部側壁にはビーム吸収膜3
が堆積されてもよいが、これらに比べて厚い膜厚におい
て中間体膜2の上部表面上にビーム吸収膜3が堆積され
及びエグレ部1hの内部底面に余分なビーム吸収膜3が
堆積され、後工程において余分なビーム吸収膜3が選択
的に除去できることが条件になる。
【0107】第7工程においては、前記マスク基板1の
裏面上に背面補強膜5が形成される(図1(g)参
照)。この背面補強膜5は加工ビーム通過窓6が形成さ
れる領域において開口を備える。背面補強膜5はビーム
吸収膜3の応力を相殺することを目的として形成される
ので、背面補強膜5はビーム吸収膜3と同一の材料で形
成され、かつ同等の膜厚で形成される。
【0108】背面補強膜5に形成される開口は通常のフ
ォトリソグラフィ技術で形成されるエッチングマスクを
使用したエッチングで形成される。また、背面補強膜5
及び開口をリフトオフ法で形成してもよい。
【0109】なお、背面補強膜5はビーム吸収膜3と別
の材料で形成してもよく、背面補強膜5、ビーム吸収膜
3の各々の膜厚が異なっていてもよい。また、ビーム吸
収膜3の応力が小さく、またマスク基板1の反りが小さ
い場合には背面補強膜5は形成しなくてもよい。また、
本実施例において背面補強膜5はビーム吸収膜3を形成
した後に形成されるが、予め副積層膜である中間体膜2
を形成する工程前、若しくは中間体膜2を形成する工程
とビーム吸収膜3を形成する工程との間のいずれかにお
いて背面補強膜5が形成されてもよい。
【0110】第8工程においては、加工ビーム通過窓6
の形成領域を除き、ビーム吸収膜3の表面上、背面補強
膜5の表面上等にプロテクトワックスが塗布される。プ
ロテクトワックスには例えば耐アルカリ性のタール系材
料で形成されるプロテクトワックスが使用される。
【0111】第9工程においては、前記図1(g)に示
すようにバックエッチング法が使用され、マスク基板1
の裏面から一表面側に向かってマスク基板1がエッチン
グされ、マスク基板1を貫通し加工パターン4に連通す
る加工ビーム通過窓6が形成される。加工ビーム通過窓
6を形成するエッチングは少なくともエグレ部1hに達
する程度行われるので、加工ビーム通過窓6の形成とと
もにエグレ部1h及びエグレ部1hの内部に堆積され収
納された余分なビーム吸収膜3が除去される。つまり、
エグレ部1h及び余分なビーム吸収膜3を除去する工程
は加工ビーム通過窓6を形成する工程で兼用できるの
で、この工程が兼用される分、ステンシルマスクの製造
工程数が減少できる。加工ビーム通過窓6の形成には9
0−100℃の水酸化カリウム水溶液を使用するウエッ
トエッチングが使用される。
【0112】なお、前記プロテクトワックスは加工ビー
ム通過窓6が形成された後に除去される。プロテクトワ
ックスの除去には例えばトルエン又はキシレンが溶剤と
して使用される。また、ステンシルマスクの用途上、プ
ロテクトワックスが必要な場合には除去せずにプロテク
トワックスを残しておく。
【0113】以上説明したように、本実施例に係るステ
ンシルマスクにおいては以下の作用効果が得られる。
【0114】第1に、マスク基板1の一表面上に形成さ
れた中間体膜2のマスクパターン4Aに基づきマスク基
板1の一表面にエグレ部1hが形成され、かつ中間体膜
2の表面上に形成されるビーム吸収膜3にマスクパター
ン(加工パターン4)が転写される。中間体膜2には少
なくともエグレ部1hの形成に必要なエッチングマスク
としての機能、及びビーム吸収膜3にマスクパターンを
転写する機能があればよいので、中間体膜2の膜厚が薄
くでき、中間体膜2のマスクパターン4Aの加工精度が
向上できる。ビーム吸収膜3は加工ビームの吸収機能又
は反射機能を有し、さらにビーム吸収膜3にはセルフサ
ポーティブ機能を備えるために、ビーム吸収膜3の膜厚
は厚く形成される。前記加工精度が向上された中間体膜
2のマスクパターン4Aに基づき忠実にかつセルフアラ
イメントでビーム吸収膜3にマスクパターンが転写さ
れ、しかも中間体膜2のマスクパターン4Aから直接ビ
ーム吸収膜3にマスクパターンが転写されるので、中間
体膜2のマスクパターン4Aの加工精度は向上される。
一方、エグレ部1hにおいてはビーム吸収膜3を形成し
た際にビーム吸収膜3として使用されない余分なビーム
吸収膜3が一時的に堆積され収納される。前記エグレ部
1hは加工ビーム通過窓6の形成工程において除去さ
れ、このエグレ部1hの除去に伴いエグレ部1h内部に
堆積され収納された余分なビーム吸収膜3が除去され
る。
【0115】第2に、前記中間体膜2は少なくともマス
ク基板1の一表面にエグレ部1hを形成するエッチング
マスク及びビーム吸収膜3にマスクパターンを転写する
基準マスクとして使用される。従って、中間体膜2には
例えばビーム吸収膜3としての機能が必ずしも必要ない
ので、中間体膜2にはマスク基板1との間に充分なエッ
チング選択比が確保できる材料が使用できる。また、中
間体膜2とマスク基板1との間に充分なエッチング選択
比が確保できるエッチングガスやエッチング液が使用で
きる。中間体膜2とマスク基板1との間に充分なエッチ
ング選択比が確保されると中間体膜2の膜厚が薄くでき
るので、結果的に中間体膜2に形成されるマスクパター
ン4Aの加工精度が向上できる。
【0116】第3に、前記ビーム吸収膜3に形成される
最終的なマスクパターン(加工パターン4)においては
中間体膜2に形成されるマスクパターン4Aが基準にな
り、この中間体膜2に形成されるマスクパターン4Aに
対してセルフアライメントで最終的なマスクパターンが
形成される。中間体膜2の膜厚は薄くできるので、中間
体膜2に形成される基準のマスクパターン4Aは短時間
で形成でき、マスクパターン4Aの形成において詳細に
はレジスト膜10の露光において露光時間が短縮でき
る。
【0117】第4に、前記中間体膜2はエグレ部1h及
びビーム吸収膜3のマスクパターン(加工パターン4)
を形成した後にビーム吸収膜3とは別の機能を有する膜
として使用される。つまり、中間体膜2はそのままステ
ンシルマスクを構成する膜として使用され、中間体膜2
を除去する必要がないので、ステンシルマスクの製造工
程数が減少できる。
【0118】実施例2 本実施例2は、ステンシルマスクにおいて副積層膜にフ
ォトリソグラフィ技術及びエッチング技術でマスクパタ
ーンを形成する、本発明の第2実施例である。
【0119】図2(a)乃至図2(d)は本発明の実施
例2に係るステンシルマスクの製造方法を説明する各工
程毎に示す断面図である。
【0120】まず第1工程においては、図2(a)に示
すように、マスク基板1の一表面上に副積層膜として中
間体膜2が形成される。本実施例において中間体膜2に
はAlが使用される。Alはスパッタ法又は蒸着法で形
成され、Alは例えば10nm程度の薄い膜厚で形成さ
れる。
【0121】第2工程においては、図2(b)に示すよ
うに前記中間体膜2の表面上の全面にレジスト膜11が
形成される。レジスト膜11はフォトリソグラフィ技術
の回転塗布及びベーク処理において形成される。前記実
施例1と同様にレジスト膜11には電子線レジストが使
用される。
【0122】第3工程においては、図2(c)に示すよ
うに前記レジスト膜11に露光処理及び現像処理が行わ
れ、加工パターン4の基準となるマスクパターンが形成
される。前記実施例1と同様に露光処理にはFIB又は
EBが使用され、現像処理には同様の現像液が使用され
る。前記中間体膜2の膜厚が薄く形成されるので、レジ
スト膜11の膜厚は薄く形成され、レジスト膜11に形
成されるマスクパターンは加工精度が向上できる。
【0123】第4工程においては、図2(d)に示すよ
うに前記レジスト膜11がエッチングマスクとして使用
され、レジスト膜11のマスクパターンが中間体膜2に
転写される(中間体膜2がパターンニングされる)。つ
まり、中間体膜2には加工パターン4を形成する基準と
なるマスクパターン4Aが形成される。マスクパターン
4Aの形成にはRIEが使用され、エッチングガスには
例えば塩素系エッチングガス(BCl3 +Cl2 )が使
用される。この中間体膜2に形成されるマスクパターン
4Aは加工精度が向上できる。
【0124】第5工程においては、前記レジスト膜11
が除去され、この後に前記実施例1の図1(e)に示す
工程及びそれ以後の工程が行われる。すなわち、前記中
間体膜2のマスクパターン4Aに基づきマスク基板1の
一表面にエグレ部1hが形成され、前記マスクパターン
4Aに基づきビーム吸収膜3が形成される。ビーム吸収
膜3には例えばAuが使用される。そして、マスク基板
1の裏面に背面補強膜5が形成され、この後に加工ビー
ム通過窓6が形成される。
【0125】以上説明したように、本実施例に係るステ
ンシルマスクにおいては以下の作用効果が得られる。
【0126】第1に、前記副積層膜である中間体膜2の
マスクパターン4Aがフォトリソグラフィ技術及びエッ
チング技術で形成される。このフォトリソグラフィ技術
及びエッチング技術において、前述の通り中間体膜2の
膜厚が薄くできるので、マスクパターンを有するレジス
ト膜11の膜厚が薄くできる。従って、前記レジスト膜
11に形成されるマスクパターンの加工精度が向上で
き、最終的には主積層膜であるビーム吸収膜3に形成さ
れるマスクパターン(加工パターン4)の加工精度が向
上できる。
【0127】第2に、前記マスクパターンを有するレジ
スト膜11の膜厚が薄くできるので、前記レジスト膜1
1にマスクパターンを形成する露光時間が短縮できる。
【0128】実施例3 本実施例3は、ステンシルマスクにおいて副積層膜と主
積層膜とが同一材料で形成される、本発明の第3実施例
である。
【0129】図3(a)乃至図3(d)は本発明の実施
例3に係るステンシルマスクの製造方法を説明する各工
程毎に示す断面図である。
【0130】まず第1工程においては、図3(a)に示
すようにマスク基板1の一表面上に副積層膜であるマス
クパターン4Aを有する下層ビーム吸収膜3Aが形成さ
れる。下層ビーム吸収膜3Aに形成されるマスクパター
ン4Aは前述の実施例1において説明したリフトオフ法
で、又は実施例2において説明したフォトリソグラフィ
技術及びエッチング技術で形成される。
【0131】本実施例において下層ビーム吸収膜3Aは
主積層膜として形成されるビーム吸収膜3と同一材料で
形成される。つまり、下層ビーム吸収膜3Aにはエグレ
部1hを形成するエッチングマスク及びビーム吸収膜3
にマスクパターン(加工パターン4)を形成する基準マ
スクとしてのマスクパターン4Aが形成され、下層ビー
ム吸収膜3Aはビーム吸収膜3の一部として使用され
る。下層ビーム吸収膜3Aには例えばAuが使用され
る。
【0132】第2工程においては、図3(b)に示すよ
うにマスク基板1の一表面にエグレ部1hが形成され
る。前述の通りエグレ部1hは下層ビーム吸収膜3Aの
マスクパターン4Aに基づき形成される。
【0133】第3工程においては、図3(c)に示すよ
うに下層ビーム吸収膜3Aの表面上にビーム吸収膜3が
選択的に形成され、エグレ部1hにはマスクパターン4
Aを通して余分なビーム吸収膜3が堆積され収納され
る。ビーム吸収膜3には下層ビーム吸収膜3Aのマスク
パターン4Aが転写され、加工パターン4が形成され
る。ビーム吸収膜3には下層ビーム吸収膜3Aと同一材
料であるAuが使用され、Auは蒸着法において形成さ
れる。
【0134】第4工程においては、図3(d)に示すよ
うにマスク基板1の裏面から一表面側に向かってバック
エッチング処理が行われ、加工ビーム通過窓6が形成さ
れるとともに、エグレ部1h及び余分なビーム吸収膜3
が除去される。
【0135】本実施例においては例えばマスク基板1の
厚さが充分に確保され、マスク基板1の反りがビーム吸
収膜3の表面の平坦性を損なわないので、マスク基板1
の裏面には背面補強膜5が形成されない。
【0136】なお、本実施例においては下層ビーム吸収
膜3Aがビーム吸収膜3の一部として使用されるので、
本発明においては前記ビーム吸収膜3の一部として使用
される下層ビーム吸収膜3Aとマスク基板1の一表面と
の間に本来の接着力を高める中間体膜を形成することが
できる。
【0137】以上説明したように、本実施例に係るステ
ンシルマスクにおいては、前記実施例1又は実施例2と
同様の作用効果が得られる。
【0138】実施例4 本実施例4は、ステンシルマスクにおいて副積層膜と主
積層膜とが同一材料で形成され、かつマスク基板に形成
されるエグレ部が異方性エッチングで形成される、本発
明の第4実施例である。
【0139】図4(a)乃至図4(b)は本発明の実施
例4に係るステンシルマスクの製造方法を説明する各工
程毎に示す断面図である。
【0140】まず第1工程においては、前述の実施例3
の図3(a)に示す工程と同様にマスク基板1の一表面
上にマスクパターン4Aを有する下層ビーム吸収膜3A
が形成される。下層ビーム吸収膜3Aに形成されるマス
クパターン4Aはリフトオフ法で、又はフォトリソグラ
フィ技術及びエッチング技術で形成される。さらに、本
実施例において下層ビーム吸収膜3Aはビーム吸収膜3
と同一材料で形成され、例えばAuが使用される。
【0141】第2工程においては、図4(a)に示すよ
うにマスク基板1の一表面にエグレ部1hが形成され
る。前述の通りエグレ部1hは下層ビーム吸収膜3Aの
マスクパターン4Aに基づき形成される。本実施例にお
いては下層ビーム吸収膜3Aのマスクパターン4Aに基
づき異方性エッチング、例えばRIE法でエグレ部1h
が形成される。エグレ部1hの内部の容積はエグレ部1
hの深さで制御され、最低限、ビーム吸収膜3の膜厚と
同程度の寸法にエグレ部1hの深さが設定される。例え
ばエグレ部1hの深さは1μmに設定される。
【0142】第3工程においては、図4(b)に示すよ
うに下層ビーム吸収膜3Aの表面上にビーム吸収膜3が
選択的に形成され、エグレ部1hにはマスクパターン4
Aを通して余分なビーム吸収膜3が堆積され収納され
る。ビーム吸収膜3には下層ビーム吸収膜3Aのマスク
パターン4Aが転写され、加工パターン4が形成され
る。ビーム吸収膜3には下層ビーム吸収膜3Aと同一材
料であるAuが使用され、Auは蒸着法において形成さ
れる。
【0143】第4工程においては、前述の実施例3の図
3(d)に示す工程と同様にマスク基板1の裏面から一
表面側に向かってバックエッチング処理が行われ、加工
ビーム通過窓6が形成されるとともに、エグレ部1h及
び余分なビーム吸収膜3が除去される。
【0144】以上説明したように、本実施例に係るステ
ンシルマスクにおいては、特に以下の作用効果が得られ
る。
【0145】第1に、前記エグレ部1hの形成に異方性
エッチングが使用され、下層ビーム吸収膜3Aに形成さ
れたマスクパターン4Aを基準としてマスク基板1の一
表面から深さ方向に指向性をもってエッチングが進行す
る。つまり、横方向にはエッチングがほとんど進行しな
い(サイドエッチングがほとんどない)。従って、下層
ビーム吸収膜3Aのマスクパターン4Aの端面からマス
クパターン4Aの内側に向かってマスク基板1に形成さ
れたエグレ部1hの側壁が後退しないので、下層ビーム
吸収膜3Aのマスクパターン4A端部(図4(b)にお
いて符号2Eで示す領域)にオーバーハング形状の発生
がない。つまり、下層ビーム吸収膜3Aのマスクパター
ン4A端部の直下に位置するマスク基板1の一表面によ
り下層ビーム吸収膜3Aのマスクパターン4A端部の機
械的強度が補強されるので、下層ビーム吸収膜3Aのマ
スクパターン4A端部において形状の変化が防止でき
る。結果的に、下層ビーム吸収膜3Aに形成されるマス
クパターン4Aの加工精度が向上できるので、最終的に
主積層膜であるビーム吸収膜3に形成されるマスクパタ
ーン(加工パターン4)の加工精度が向上できる。
【0146】第2に、異方性エッチングでエグレ部1h
が形成され、エグレ部1hを形成したとしても下層ビー
ム吸収膜3Aに形成されるマスクパターン4A特に端部
の形状の変化が防止できる。従って、中間体膜2の膜厚
がさらに薄くできるとともに、下層ビーム吸収膜3Aに
形成されるマスクパターンの微細化が実現できる。
【0147】実施例5 本実施例5は、ステンシルマスクにおいて単に副積層膜
がマスク基板にエグレ部を形成するエッチングマスクと
して形成される、本発明の第5実施例である。
【0148】図5(a)乃至図5(e)は本発明の実施
例5に係るステンシルマスクの製造方法を説明する各工
程毎に示す断面図である。
【0149】まず第1工程においては、前述の実施例3
の図3(a)に示す工程と同様にマスク基板1の一表面
上に副積層膜としてマスクパターン4Aを有するエッチ
ングマスク12が形成される。エッチングマスク12に
形成されるマスクパターン4Aはリフトオフ法で、フォ
トリソグラフィ技術で、又はフォトリソグラフィ技術及
びエッチング技術で形成される。本実施例においてエッ
チングマスク12は単にマスク基板1にエグレ部1hを
形成する目的で形成され、前述の中間体膜2、下層ビー
ム吸収膜3A等と同一材料、又はレジスト膜で形成す
る。
【0150】第2工程においては、図5(a)乃至図5
(c)に示すようにマスク基板1の一表面にエグレ部1
hが順次形成される。前述の通りエグレ部1hはエッチ
ングマスク12のマスクパターン4Aに基づき形成され
る。本実施例においてはエグレ部1hの形成に等方性エ
ッチングが使用される。図5(a)から図5(c)に示
すようにエグレ部1hが完成するにつれてエッチングマ
スク12の膜厚が減少し、エグレ部1hが完成した時点
においてエッチングマスク12が消失する。
【0151】第3工程においては、図5(d)に示すよ
うにエッチングマスク12が消失したマスク基板1の一
表面上にビーム吸収膜3が選択的に形成され、エグレ部
1hには余分なビーム吸収膜3が堆積され収納される。
エッチングマスク12のマスクパターン4Aはエグレ部
1hに転写され、エグレ部1hに転写されたマスクパタ
ーンはビーム吸収膜3に加工パターン4として転写され
る。ビーム吸収膜3には例えばAuが使用され、Auは
蒸着法において形成される。
【0152】第4工程においては、図5(e)に示すよ
うにマスク基板1の裏面から一表面側に向かってバック
エッチング処理が行われ、加工ビーム通過窓6が形成さ
れるとともに、エグレ部1h及び余分なビーム吸収膜3
が除去される。
【0153】以上説明したように、本実施例に係るステ
ンシルマスクにおいては、特に以下の作用効果が得られ
る。
【0154】第1に、副積層膜であるエッチングマスク
12のマスクパターン4Aに基づいてエグレ部1hが形
成されると同時に前記エッチングマスク12が除去され
る。つまり、エッチングマスク12は少なくともエグレ
部1hが形成されるまで存在すればよいのでエッチング
マスク12の膜厚が薄くでき、エッチングマスク12に
形成されるマスクパターン4Aにおいてはより一層加工
精度が向上できる。
【0155】第2に、前記エグレ部1hの形成とエッチ
ングマスク12の除去とが同一工程において実現できる
ので、エッチングマスク12の除去を別工程で行う場合
に比べてステンシルマスクの製造工程数が減少できる。
【0156】実施例6 本実施例6は、ステンシルマスクにおいて単に副積層膜
がマスク基板にエグレ部を形成するエッチングマスクと
して形成され、しかも副積層膜にはレジスト膜が使用さ
れる、本発明の第6実施例である。
【0157】図6(a)乃至図6(e)は本発明の実施
例6に係るステンシルマスクの製造方法を説明する各工
程毎に示す断面図である。
【0158】まず第1工程においては、図6(a)に示
すようにマスク基板1の一表面上に副積層膜としてレジ
スト膜13を形成する。レジスト膜13には例えば前述
の実施例1で説明した電子線レジストが使用される。
【0159】第2工程においては、図6(b)に示すよ
うに前記レジスト膜13に露光処理及び現像処理が行わ
れ、マスクパターン4Aを有するエッチングマスク13
Eが形成される。エッチングマスク13Eつまり例えば
電子線レジストとマスク基板1との間にはエッチング選
択比が充分に確保できるので、エッチングマスク13E
の膜厚が薄くでき、マスクパターン4Aの加工精度が向
上できる。
【0160】第3工程においては、図6(c)に示すよ
うにマスク基板1の一表面にエグレ部1hが形成され
る。前述の通りエグレ部1hはエッチングマスク13E
のマスクパターン4Aに基づき形成される。本実施例に
おいてはエグレ部1hの形成に異方性エッチングが使用
される。
【0161】第4工程においては、図6(d)に示すよ
うに前記エッチングマスク13Eが除去される。
【0162】第5工程においては、図6(e)に示すよ
うにエッチングマスク13Eが消失したマスク基板1の
一表面上にビーム吸収膜3が選択的に形成され、エグレ
部1hには余分なビーム吸収膜3が堆積され収納され
る。前記エッチングマスク13Eのマスクパターン4A
はエグレ部1hに転写され、エグレ部1hに転写された
マスクパターンはビーム吸収膜3に加工パターン4とし
て転写される。ビーム吸収膜3には例えばAuが使用さ
れ、Auは蒸着法において形成される。
【0163】第6工程においては、前述の実施例5の図
5(e)に示す工程と同様にマスク基板1の裏面から一
表面側に向かってバックエッチング処理が行われ、加工
ビーム通過窓6が形成されるとともに、エグレ部1h及
び余分なビーム吸収膜3が除去される。
【0164】以上説明したように、本実施例に係るステ
ンシルマスクにおいては、前記実施例1に係るステンシ
ルマスクで得られる効果の他に特に以下の作用効果が得
られる。
【0165】第1に、副積層膜がマスクパターン4Aを
有するエッチングマスク13Eで形成され、このエッチ
ングマスク13Eがレジスト膜13で形成される。レジ
スト膜13の塗布、ベーク、露光、現像を順次行えばレ
ジスト膜13自体がエッチングマスク13Eとして使用
できる。しかも、エッチングマスク13Eはマスク基板
1の一表面にエグレ部1hを形成する機能があればよい
ので、エッチングマスク13Eの膜厚が薄くできる。従
って、エッチングマスク13Eに形成されたマスクパタ
ーン4Aで直接マスク基板1の一表面にマスクパターン
が転写できるので、マスク基板1に形成されたマスクパ
ターンの加工精度が向上できる。
【0166】第2に、前記副積層膜がレジスト膜13で
形成されるので、フォトリソグラフィ技術及びエッチン
グ技術を使用し副積層膜にマスクパターンを形成する場
合に比べて、ステンシルマスクの製造工程数が減少でき
る。
【0167】なお、本発明においては、エッチング用ビ
ームを使用するプロセスによりマスク基板1の一表面が
直接加工され、図6(a)乃至図6(c)に示すエッチ
ングマスク13Eを使用せずに前記図6(d)に示すエ
グレ部1hがマスク基板1に形成できる。すなわち、マ
スク基板1の一表面上にステンシルマスクが配設され、
このステンシルマスクを使用してマスク基板の一表面が
選択的にエッチング用ビームで除去される。具体的なプ
ロセスには光励起エッチング又はイオンミリングが使用
される。光励起エッチングにおいてエッチング用ビーム
には光、電子、イオン、ラジカル等の反応を促進する加
工ビームが使用される。イオンミリングにおいてエッチ
ング用ビームには例えばFIBが使用される。
【0168】このように、ステンシルマスクの製造方法
においてマスク基板1の一表面上の所望の領域にエッチ
ング用ビームが直接照射され、照射された領域にエグレ
部1hが形成される。つまり、前記エグレ部1hはエッ
チング用ビームで直接形成されるので、エッチング用ビ
ームのビーム径がマスクパターン4Aとして忠実にエグ
レ部1hに転写され、前記忠実に転写されたマスクパタ
ーン4Aに基づきマスク基板1の一表面上に主積層膜で
あるビーム吸収膜3が形成される。従って、ビーム吸収
膜3にはマスクパターン(加工パターン4)が転写さ
れ、ビーム吸収膜3に転写されるマスクパターンの加工
精度は向上できる。
【0169】さらに、前記エグレ部1hはエッチング用
ビームで直接形成されるので、エグレ部1hの形成にフ
ォトリソグラフィ技術で形成されるエッチングマスク1
3Eを形成する工程がなくなる(図6(a)乃至図6
(c)に相当する工程がなくなる)。従って、エッチン
グマスク13Eを形成する工程に相当する分、ステンシ
ルマスクの製造工程数が減少できる。さらに、エッチン
グマスク13Eを形成する工程に相当する分、ステンシ
ルマスクの製造時間が短縮できる。
【0170】実施例7 本実施例7は、ステンシルマスクの変形例を説明する、
本発明の第7実施例である。
【0171】図7、図8、図9は各々本発明の実施例7
に係るステンシルマスクの断面図である。
【0172】図7に示すステンシルマスクは前述の実施
例1、実施例2で各々説明したステンシルマスクの変形
例であり、マスク基板1の裏面に背面補強膜5が形成さ
れる。
【0173】図8に示すステンシルマスクは前述の実施
例3、実施例4で各々説明したステンシルマスクの変形
例であり、マスク基板1の裏面と背面補強膜5との間に
中間体膜7が形成される。中間体膜7は前述の中間体膜
2と同様の機能を備える。
【0174】図9に示すステンシルマスクは前述の図8
に示すステンシルマスクの変形例であり、加工ビーム通
過窓6の領域を除き、マスク基板1の表面、ビーム吸収
膜3の表面、背面補強膜5の表面にはプロテクトワック
ス8が形成される。
【0175】
【発明の効果】本発明においては、ビーム吸収膜に必要
な充分な膜厚が容易に確保でき、しかもビーム吸収膜に
形成される加工パターンの加工精度が向上できる、ステ
ンシルマスクの製造方法が提供できる。
【0176】さらに、本発明においは、製造工程数が減
少できる、ステンシルマスクの製造方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)−(g)は本発明の実施例1に係るステ
ンシルマスクの製造方法を説明する各工程毎に示す断面
図である。
【図2】(a)−(d)は本発明の実施例2に係るステ
ンシルマスクの製造方法を説明する各工程毎に示す断面
図である。
【図3】(a)−(d)は本発明の実施例3に係るステ
ンシルマスクの製造方法を説明する各工程毎に示す断面
図である。
【図4】(a)及び(b)は本発明の実施例4に係るス
テンシルマスクの製造方法を説明する各工程毎に示す断
面図である。
【図5】(a)−(e)は本発明の実施例5に係るステ
ンシルマスクの製造方法を説明する各工程毎に示す断面
図である。
【図6】(a)−(e)は本発明の実施例6に係るステ
ンシルマスクの製造方法を説明する各工程毎に示す断面
図である。
【図7】本発明の実施例7に係るステンシルマスクの断
面図である。
【図8】前記ステンシルマスクの変形例を示す断面図で
ある。
【図9】前記ステンシルマスクの変形例を示す断面図で
ある。
【図10】(a)−(d)は従来のステンシルマスクの
製造方法を説明する各工程毎に示す断面図である。
【符号の説明】
1 マスク基板 1h エグレ部 2、7 中間体膜 3 ビーム吸収膜 3A 下層ビーム吸収膜 4 加工パターン 4A マスクパターン 5 背面補強膜 6 加工ビーム通過窓 12、13E エッチングマスク

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記工程(1)乃至工程(5)を備えた
    ことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。 (1)マスク基板の一表面上に所望のマスクパターンを
    有する副積層膜を形成する工程。 (2)前記副積層膜のマスクパターンに基づいて前記マ
    スク基板の一表面からマスク基板の裏面に向かって前記
    マスク基板の一部を除去し、前記マスク基板の一表面側
    にエグレ部を形成する工程。 (3)前記マスク基板に対して選択的に前記副積層膜を
    除去する工程。 (4)前記副積層膜が除去されたマスク基板の一表面上
    及び前記エグレ部内に少なくとも加工ビームの吸収機能
    又は反射機能を有する主積層膜を堆積する工程。 (5)前記マスクパターンが形成された領域において少
    なくとも前記マスク基板の裏面から一表面側のエグレ部
    に達するまで前記マスク基板をエッチングで除去すると
    ともに前記エグレ部内に堆積された主積層膜を除去し、
    マスク基板を貫通する加工ビーム通過窓を形成する工
    程。
  2. 【請求項2】 下記工程(1)乃至工程(4)を備えた
    ことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。 (1)マスク基板の一表面上に所望のマスクパターンを
    有する副積層膜を形成する工程。 (2)前記副積層膜のマスクパターンに基づいて前記マ
    スク基板の一表面からマスク基板の裏面に向かって前記
    マスク基板の一部を除去し、前記マスク基板の一表面側
    にエグレ部を形成するとともに、前記副積層膜を除去す
    る工程。 (3)前記副積層膜が除去されたマスク基板の一表面上
    及び前記エグレ部内に少なくとも加工ビームの吸収機能
    又は反射機能を有する主積層膜を堆積する工程。 (4)前記マスクパターンが形成された領域において少
    なくとも前記マスク基板の裏面から一表面側のエグレ部
    に達するまで前記マスク基板をエッチングで除去すると
    ともに前記エグレ部内に堆積された主積層膜を除去し、
    マスク基板を貫通する加工ビーム通過窓を形成する工
    程。
  3. 【請求項3】 下記工程(1)乃至工程(4)を備えた
    ことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。 (1)マスク基板の一表面上に所望のマスクパターンを
    有する副積層膜を形成する工程。 (2)前記副積層膜のマスクパターンに基づいて前記マ
    スク基板の一表面からマスク基板の裏面に向かって前記
    マスク基板の一部を除去し、前記マスク基板の一表面側
    にエグレ部を形成する工程。 (3)前記副積層膜の表面上及び前記エグレ部内に少な
    くとも加工ビームの吸収機能又は反射機能を有する主積
    層膜を堆積する工程。 (4)前記マスクパターンが形成された領域において少
    なくとも前記マスク基板の裏面から一表面側のエグレ部
    に達するまで前記マスク基板をエッチングで除去すると
    ともに前記エグレ部内に堆積された主積層膜を除去し、
    マスク基板を貫通する加工ビーム通過窓を形成する工
    程。
  4. 【請求項4】 下記工程(1)乃至工程(3)を備えた
    ことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。 (1)マスク基板の一表面上の所望の領域に直接エッチ
    ング用ビームが照射され、前記マスク基板の一表面から
    マスク基板の裏面に向かって前記マスク基板の一部を除
    去し、前記マスク基板の一表面側に所望のマスクパター
    ンを有するエグレ部を形成する工程。 (2)前記マスク基板の一表面上及び前記エグレ部内に
    少なくとも加工ビームの吸収機能又は反射機能を有する
    主積層膜を堆積する工程。 (3)前記マスクパターンが形成された領域において少
    なくとも前記マスク基板の裏面から一表面側のエグレ部
    に達するまで前記マスク基板をエッチングで除去すると
    ともに前記エグレ部内に堆積された主積層膜を除去し、
    マスク基板を貫通する加工ビーム通過窓を形成する工
    程。
  5. 【請求項5】 前記請求項1又は請求項2に記載される
    ステンシルマスクの製造方法において、 前記副積層膜を形成する工程は、 前記マスク基板の一表面上の全面にレジスト膜を形成す
    る工程と、 前記レジスト膜に所望のマスクパターンを露光する工程
    と、 前記露光されたレジスト膜を現像する工程と、 前記現像されたレジスト膜にリンス処理を行う工程と、 を含むことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。
  6. 【請求項6】 前記請求項2又は請求項3に記載される
    ステンシルマスクの製造方法において、 前記副積層膜を形成する工程は、 前記マスク基板の一表面上に前記マスクパターンに対し
    て反転されたマスクパターンを有するレジスト膜を形成
    する工程と、 積層膜の堆積方向に異方性を有する堆積法が使用され、
    前記レジスト膜の表面上及び反転マスクパターンの開口
    内において前記マスク基板の一表面上に選択的に副積層
    膜を堆積する工程と、 前記レジスト膜を除去するとともに前記レジスト膜の表
    面上に形成された副積層膜を除去する工程と、 を含むことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。
  7. 【請求項7】 前記請求項2又は請求項3に記載される
    ステンシルマスクの製造方法において、 前記副積層膜を形成する工程は、 前記マスク基板の一表面上の全面に副積層膜を形成する
    工程と、 前記副積層膜の表面上の全面にレジスト膜を形成する工
    程と、 前記レジスト膜に所望のマスクパターンを露光する工程
    と、 前記露光されたレジスト膜を現像し、エッチングマスク
    を形成する工程と、 前記エッチングマスクを使用して前記副積層膜をエッチ
    ングし、前記副積層膜に所望のマスクパターンを形成す
    る工程と、 を含むことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。
  8. 【請求項8】 前記請求項1乃至請求項4のいずれかに
    記載されるステンシルマスクの製造方法において、 前記エグレ部を形成する工程には等方性エッチングが使
    用されることを特徴とするステンシルマスクの製造方
    法。
  9. 【請求項9】 前記請求項1乃至請求項4のいずれかに
    記載されるステンシルマスクの製造方法において、 前記エグレ部を形成する工程には異方性エッチングが使
    用されることを特徴とするステンシルマスクの製造方
    法。
  10. 【請求項10】 前記請求項2又は請求項3に記載され
    るステンシルマスクの製造方法において、 前記副積層膜は前記主積層膜の膜厚に比べて薄い膜厚で
    形成されることを特徴とするステンシルマスクの製造方
    法。
  11. 【請求項11】 前記請求項1乃至請求項4のいずれか
    に記載されるステンシルマスクの製造方法において、 前記副積層膜を形成する工程から又は前記マスク基板に
    エグレ部を形成する工程から加工ビーム通過窓を形成す
    る工程前までの間に、前記マスク基板の裏面に少なくと
    も前記主積層膜の内部応力を相殺する背面補強膜を形成
    する工程を備えたことを特徴とするステンシルマスクの
    製造方法。
  12. 【請求項12】 前記請求項1又は請求項2に記載され
    るステンシルマスクの製造方法において、 前記副積層膜を除去する工程の後、前記主積層膜を形成
    する工程の前に、前記マスク基板の一表面上に前記マス
    ク基板と主積層膜との間の接着力に比べてマスク基板と
    の間の接着力及び主積層膜との間の接着力がいずれも大
    きい中間体膜を形成する工程を備えたことを特徴とする
    ステンシルマスクの製造方法。
  13. 【請求項13】 前記請求項3に記載されるステンシル
    マスクの製造方法において、 前記副積層膜を形成する工程の前に、前記マスク基板の
    一表面上に前記マスク基板と副積層膜との間の接着力に
    比べてマスク基板との間の接着力及び副積層膜との間の
    接着力がいずれも大きい中間体膜を形成する工程を備え
    たことを特徴とするステンシルマスクの製造方法。
  14. 【請求項14】 前記請求項3に記載されるステンシル
    マスクの製造方法において、 前記副積層膜を形成する工程は、前記マスク基板の一表
    面上に前記マスク基板と主積層膜との間の接着力に比べ
    てマスク基板との間の接着力及び主積層膜との間の接着
    力がいずれも大きい中間体膜を形成する工程であること
    を特徴とするステンシルマスクの製造方法。
  15. 【請求項15】 前記請求項1乃至請求項4のいずれか
    に記載されるステンシルマスクの製造方法において、 前記主積層膜を形成する工程から又は前記マスク基板に
    エグレ部を形成する工程から加工ビーム通過窓を形成す
    る工程までの間に、前記マスク基板の裏面に中間体膜を
    形成する工程と背面補強膜を形成する工程とを順次備
    え、 前記中間体膜は前記マスク基板と背面補強膜との間の接
    着力に比べてマスク基板との間の接着力及び背面補強膜
    との間の接着力がいずれも大きく設定され、 前記背面補強膜は少なくとも前記主積層膜の内部応力を
    相殺することを特徴とするステンシルマスクの製造方
    法。
  16. 【請求項16】 前記請求項1乃至請求項4のいずれか
    に記載されるステンシルマスクの製造方法において、 前記マスク基板にはドライエッチング又はウエットエッ
    チングが行える材料が使用されることを特徴とするステ
    ンシルマスクの製造方法。
  17. 【請求項17】 前記請求項1乃至請求項4のいずれか
    に記載されるステンシルマスクの製造方法において、 前記マスク基板は珪素、酸化珪素、インジウム・スズ酸
    化物、ガリウム・ヒ素、インジウム・リン、アルミニウ
    ム、アルミニウム化合物、銅、酸化マグネシウム、ニッ
    ケル、ニッケル合金、鉄、クロムのいずれかの材料で形
    成されることを特徴とするステンシルマスクの製造方
    法。
  18. 【請求項18】 前記請求項1乃至請求項3のいずれか
    に記載されるステンシルマスクの製造方法において、 前記副積層膜には前記マスク基板と比較して同一エッチ
    ング条件下でエッチングレートの小さい材料が使用され
    ることを特徴とするステンシルマスクの製造方法。
  19. 【請求項19】 前記請求項1乃至請求項3のいずれか
    に記載されるステンシルマスクの製造方法において、 前記副積層膜は金、白金、ニッケル、クロム、アルミニ
    ウム、アルミニウム化合物、アルミニウム合金、銅、炭
    素、ホウ素窒化物、ホウ素窒素炭化物、ガリウム・ヒ
    素、インジウム・リン、レジストのいずれかの材料で形
    成されることを特徴とするステンシルマスクの製造方
    法。
  20. 【請求項20】 前記請求項1乃至請求項3のいずれか
    に記載されるステンシルマスクの製造方法において、 前記主積層膜は金、タングステン、タンタル、タンタル
    酸化物、タングステン窒化物、タンタル窒化物、タング
    ステン炭化物、タンタル炭化物、タングステンホウ化
    物、タンタルホウ化物のいずれかの材料で形成されるこ
    とを特徴とするステンシルマスクの製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7339758B2 (en) 2003-12-26 2008-03-04 Seiko Epson Corporation Etching method, a substrate with a plurality of concave portions, a microlens substrate, a transmission screen and a rear projection
JP2009054918A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Toppan Printing Co Ltd ステンシルマスク製造方法
KR101467043B1 (ko) * 2012-09-27 2014-12-01 현대제철 주식회사 소재 에칭 스탠실 및 그 제조 방법
JP2019084697A (ja) * 2017-11-02 2019-06-06 ミタニマイクロニクス株式会社 スクリーンマスク、スクリーンマスクの製造方法、スクリーン印刷装置、印刷物の製造方法、及び露光装置

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100447990B1 (ko) 1998-12-18 2004-11-08 주식회사 하이닉스반도체 스텐실마스크
KR100447993B1 (ko) 1998-12-28 2004-10-14 주식회사 하이닉스반도체 셀 투사 마스크_
US6269533B2 (en) * 1999-02-23 2001-08-07 Advanced Research Corporation Method of making a patterned magnetic recording head
US20030093894A1 (en) * 1999-02-23 2003-05-22 Dugas Matthew P. Double layer patterning and technique for making a magnetic recording head
US6496328B1 (en) 1999-12-30 2002-12-17 Advanced Research Corporation Low inductance, ferrite sub-gap substrate structure for surface film magnetic recording heads
US6400574B1 (en) * 2000-05-11 2002-06-04 Micron Technology, Inc. Molded ball grid array
US6916683B2 (en) * 2000-05-11 2005-07-12 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating a molded ball grid array
JP2002203806A (ja) * 2000-10-31 2002-07-19 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法、ステンシルマスク及びその製造方法
US6749968B2 (en) 2001-08-09 2004-06-15 Freescale Semiconductor, Inc. Method for fabricating a thin-membrane stencil mask and method for making a semiconductor device using the same
US6838372B2 (en) 2002-09-25 2005-01-04 Cookson Electronics, Inc. Via interconnect forming process and electronic component product thereof
US6884476B2 (en) * 2002-10-28 2005-04-26 General Electric Company Ceramic masking material and application method for protecting turbine airfoil component surfaces during vapor phase aluminiding
JP4220229B2 (ja) * 2002-12-16 2009-02-04 大日本印刷株式会社 荷電粒子線露光用マスクブランクスおよび荷電粒子線露光用マスクの製造方法
US8252487B2 (en) * 2003-12-17 2012-08-28 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and mask for use therein
US8144424B2 (en) 2003-12-19 2012-03-27 Dugas Matthew P Timing-based servo verify head and magnetic media made therewith
JP2007536683A (ja) 2004-05-04 2007-12-13 アドバンスト・リサーチ・コーポレーション 任意形状のギャップ・パターンのための集積型薄膜サブギャップ/サブ磁極構造、磁気記録ヘッド、及びその製造方法
US7524431B2 (en) * 2004-12-09 2009-04-28 President And Fellows Of Harvard College Lift-off patterning processing employing energetically-stimulated local removal of solid-condensed-gas layers
US7435353B2 (en) * 2004-12-09 2008-10-14 President And Fellows Of Harvard College Patterning by energetically-stimulated local removal of solid-condensed-gas layers and solid state chemical reactions produced with such layers
JP4509050B2 (ja) * 2006-03-10 2010-07-21 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP4883278B2 (ja) * 2006-03-10 2012-02-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
US8615663B2 (en) * 2006-04-17 2013-12-24 Broadcom Corporation System and method for secure remote biometric authentication
JP4737426B2 (ja) 2006-04-21 2011-08-03 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
WO2009121073A1 (en) 2008-03-28 2009-10-01 Advanced Research Corporation Thin film planar arbitrary gap pattern magnetic head
WO2011014836A2 (en) 2009-07-31 2011-02-03 Advanced Research Corporation Erase drive systems and methods of erasure for tape data cartridge

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5401932A (en) * 1992-02-07 1995-03-28 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of producing a stencil mask

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7339758B2 (en) 2003-12-26 2008-03-04 Seiko Epson Corporation Etching method, a substrate with a plurality of concave portions, a microlens substrate, a transmission screen and a rear projection
JP2009054918A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Toppan Printing Co Ltd ステンシルマスク製造方法
KR101467043B1 (ko) * 2012-09-27 2014-12-01 현대제철 주식회사 소재 에칭 스탠실 및 그 제조 방법
JP2019084697A (ja) * 2017-11-02 2019-06-06 ミタニマイクロニクス株式会社 スクリーンマスク、スクリーンマスクの製造方法、スクリーン印刷装置、印刷物の製造方法、及び露光装置

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US5523185A (en) 1996-06-04

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