JP5900773B2 - マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 Download PDFInfo
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Description
(構成1)
ArFエキシマレーザー露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から、下層及び上層の少なくとも二層構造からなり、
前記下層は、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とし、
前記上層は、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とし、
対象部分にフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射して行うエッチングにおける前記上層のエッチングレートに対する前記下層のエッチングレートの比が1.0以上5.0以下であることを特徴とするマスクブランク。
前記下層は、酸素を実質的に含有しておらず、前記上層は、その表層を除いた部分では酸素を実質的に含有していないことを特徴とする構成1に記載のマスクブランク。
前記上層中の窒素含有量と前記下層中の窒素含有量との差が30原子%未満であることを特徴とする構成1または構成2に記載のマスクブランク。
前記下層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と、前記上層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率との差が4%以下であることを特徴とする構成1から構成3のうちいずれか1項に記載のマスクブランク。
前記下層の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と窒素含有量は、下記式(1)の条件を満たす範囲であることを特徴とする構成1から構成4のうちいずれか1項に記載のマスクブランク。
式(1)
遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率をCMo、窒素含有量をCNとしたとき、
CN≧−0.00526CMo 2−0.640CMo+26.624
前記下層の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と窒素含有量は、下記式(2)の条件も同時に満たす範囲であることを特徴とする構成5に記載のマスクブランク。
式(2)
遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率をCMo、窒素含有量をCNとしたとき、
CN≦−3.63×10−7CMo 5+7.60×10−5CMo 4
−4.67×10−3CMo 3+5.06×10−2CMo 2
+2.082CMo+1.075
前記上層中の遷移金属の含有量が10原子%以下であることを特徴とする構成1から構成6のうちいずれか1項に記載のマスクブランク。
前記下層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率が15%以下であることを特徴とする構成1から構成7のうちいずれか1項に記載のマスクブランク。
前記遮光膜の上面には、エッチングマスク膜が設けられ、該エッチングマスク膜は、クロムに、窒素、酸素のうち少なくともいずれかの成分を含み、該エッチングマスク膜中のクロムの含有量が50原子%以上であることを特徴とする構成1から構成8のうちいずれか1項に記載のマスクブランク。
構成1から構成9のうちいずれか1項に記載のマスクブランクを用いて作製されることを特徴とする転写用マスク。
ArFエキシマレーザー露光光が適用され、透光性基板上に転写パターンが形成された遮光膜を有してなる転写用マスクであって、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から、下層及び上層の少なくとも二層構造からなり、
前記下層は、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とし、
前記上層は、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とし、
対象部分にフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射して行うエッチングにおける前記上層のエッチングレートに対する前記下層のエッチングレートの比が1.0以上5.0以下であることを特徴とする転写用マスク。
前記下層は、酸素を実質的に含有しておらず、前記上層は、その表層を除いた部分では酸素を実質的に含有していないことを特徴とする構成11に記載の転写用マスク。
構成1から構成9のうちいずれか1項に記載のマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法であって、
設計上の転写パターンと前記遮光膜に形成された転写パターンとを比較し、遮光膜が残存している欠陥部分に対してフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射してエッチングを行う欠陥修正工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
構成11または構成12に記載の転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。
構成13に記載の転写用マスクの製造方法で製造された転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。
本発明は、ArF露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、前記遮光膜は、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とする下層と、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とする上層の少なくとも二層構造からなり、対象部分にフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射して行うエッチングにおける前記上層のエッチングレートに対する前記下層のエッチングレートの比が1.0以上5.0以下であることを特徴とするマスクブランクである。
特に、酸素を含有することによるEB欠陥修正におけるエッチングレートの低下は、窒素を含有する場合に比べて著しい。しかし、従来、遮光膜の上層には酸素を含有させた材料が用いられる場合が多い。遮光膜の上層は、通常、縮小光学系のレンズから反射された一部の露光光が遮光膜の表面に当たった時の反射(表面反射率)を低減させる役割を担うのが一般的である。遮光膜の表面反射率を低減させるのに、上層を形成する材料に酸素を含有させる場合が多い。酸素を含有させるとその材料の露光光に対する透過率を容易に上げることができるためである。
(実施例)
合成石英ガラスからなる透光性基板1上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、スパッタターゲットにモリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混合ターゲット(原子%比 Mo:Si=13:87)を用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、MoSiN膜(下層(遮光層))を膜厚47nmで成膜し、引き続いて、Mo/Siターゲット(原子%比 Mo:Si=13:87)を用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、MoSiN膜(上層(表面反射防止層))を膜厚13nmで成膜することにより、下層(膜組成比 Mo:9.9原子%,Si:66.1原子%,N:24.0原子%)と上層(膜組成比 Mo:7.5原子%,Si:50.5原子%,N:42.0原子%)との積層からなるArFエキシマレーザー(波長193nm)用遮光膜2(総膜厚60nm)を形成した。なお、遮光膜2の各層の元素分析は、ラザフォード後方散乱分析法を用いた。
次に、遮光膜2の上面に、エッチングマスク膜3を形成した。具体的には、枚葉式スパッタ装置で、クロム(Cr)ターゲットを用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、CrN膜(膜組成比 Cr:75.3原子%,N:24.7原子%)を膜厚5nmで成膜した。さらに、エッチングマスク膜3(CrN膜)を前記遮光膜2のアニール処理よりも低い温度でアニールすることにより、遮光膜2の膜応力に影響を与えずにエッチングマスク膜3の応力を極力低く(好ましくは膜応力が実質ゼロに)なるように調整した。以上の手順により、バイナリ型マスクブランク10を得た。
まず、上記マスクブランク10上に、電子線描画用化学増幅型ポジレジスト膜4(富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製 PRL009)を形成した(図2(a)参照)。
次に上記レジスト膜4に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン描画(DRAMハーフピッチ(hp)45nmのライン&スペースパターンを含む回路パターン)を行った後(同図(b)参照)、所定の現像液で現像してレジストパターン4aを形成した(同図(c)参照)。なお、このとき、EB欠陥修正の検証を行うために、パターン描画時にプログラム欠陥部分(黒欠陥となる部分)をあらかじめ入れておいた。
次に、残存している上記レジストパターン4aをアッシング処理等により除去した後、上記エッチングマスク膜パターン3aをマスクとして、遮光膜2のドライエッチングを行って遮光膜パターン2aを形成した(同図(e)参照)。ドライエッチングガスとして、SF6とHeの混合ガスを用いた。最後に、酸素と塩素の混合ガス(O2:Cl2=1:4)を用いてエッチングマスク膜パターン3aを除去した(同図(f)参照)。
以上のようにしてバイナリ型の転写用マスク20を得た(同図(f)参照)。
また、得られたバイナリ型転写用マスク20に対して、分光光度計SolidSpec−3700DUV(島津製作所社製)で光学特性の測定を行った。その結果、遮光膜2のArF露光光に対する光学濃度は3.0以上であり、バイナリ型転写用マスクとしては十分な遮光性能であった。また、ArF露光光に対する遮光膜2の表面反射率が18.6%、裏面反射率が30.0%であり、いずれもパターン転写に影響のない反射率であった。
石英ガラスからなる透光性基板1上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、スパッタターゲットにモリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混合ターゲット(原子%比 Mo:Si=11:89)を用い、アルゴンと窒素との混合ガス雰囲気で、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、MoSiN膜(下層(遮光層))を膜厚40nmで成膜し、引き続いて、Mo/Siターゲット(原子%比 Mo:Si=4:96)を用い、アルゴンと酸素と窒素との混合ガス雰囲気で、MoSiON膜(上層(表面反射防止層))を膜厚10nmで成膜することにより、MoSiN膜(膜組成比 Mo:9.9原子%,Si:82.3原子%,N:7.8原子%)とMoSiON膜(膜組成比 Mo:2.6原子%,Si:57.1原子%,O:15.9原子%,N:24.4原子%)との積層からなるArFエキシマレーザー(波長193nm)用遮光膜(総膜厚50nm)を形成した。この遮光膜2の光学濃度(OD)は、ArFエキシマレーザーの露光光の波長に対して、3.0であった。
2 遮光膜
3 エッチングマスク膜
4 レジスト膜
10 マスクブランク
20 転写用マスク
Claims (15)
- ArFエキシマレーザー露光光が適用される転写用マスクを作成するために用いられ、透光性基板上に、転写パターンを形成するための遮光膜を有するマスクブランクであって、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から、下層及び上層の少なくとも二層構造からなり、
前記遮光膜は、光学濃度が2.8以上であり、
前記下層は、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とし、
前記下層は、酸素を実質的に含有しておらず、
前記上層は、遷移金属、ケイ素、及び窒素を含む材料を主成分とし、
前記上層は、その表層を除いた部分では酸素を実質的に含有しておらず、
対象部分に非励起状態のフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射して行うエッチングにおける前記上層のエッチングレートに対する前記下層のエッチングレートの比が1.0以上5.0以下であり、
前記遮光膜の上面には、複数層の積層構造を有するエッチングマスク膜が設けられ、
前記エッチングマスク膜は、遮光膜側の層におけるクロム含有量が50原子%未満であり、かつ遮光膜側とは反対側の層のクロム含有量が50原子%以上であり、
前記エッチングマスク膜は、膜厚が20nm以下であることを特徴とするマスクブランク。 - 前記上層の表層は、厚さが3nm以下であることを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク。
- 前記上層は、膜厚が20nm以下であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のマスクブランク。
- 前記上層中の窒素含有量と前記下層中の窒素含有量との差が30原子%未満であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のマスクブランク。
- 前記下層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と、前記上層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率との差が4%以下であることを特徴とする請求項1から請求項4のうちいずれか1項に記載のマスクブランク。
- 前記下層の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と窒素含有量は、下記式(1)の条件を満たす範囲であることを特徴とする請求項1から請求項5のうちいずれか1項に記載のマスクブランク。
式(1)
遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率をCMo、窒素含有量をCNとしたとき、
CN≧−0.00526CMo 2−0.640CMo+26.624 - 前記下層の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と窒素含有量は、下記式(2)の条件を満たす範囲であることを特徴とする請求項1から請求項6のうちいずれか1項に記載のマスクブランク。
式(2)
遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率をCMo、窒素含有量をCNとしたとき、
CN≦−3.63×10−7CMo 5+7.60×10−5CMo 4
−4.67×10−3CMo 3+5.06×10−2CMo 2
+2.082CMo+1.075 - 前記下層の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率と窒素含有量は、下記式(3)の条件を満たす範囲であることを特徴とする請求項1から請求項7のうちいずれか1項に記載のマスクブランク。
式(3)
遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率をC Mo 、窒素含有量をC N としたとき、
C N >2.593C Mo −24.074 - 前記上層中の遷移金属の含有量が10原子%以下であることを特徴とする請求項1から請求項8のうちいずれか1項に記載のマスクブランク。
- 前記下層中の遷移金属の含有量を遷移金属およびケイ素の合計含有量で除した比率が15%以下であることを特徴とする請求項1から請求項9のうちいずれか1項に記載のマスクブランク。
- 請求項1から請求項10のうちいずれか1項に記載のマスクブランクを用いて作製されることを特徴とする転写用マスク。
- 請求項1から請求項10のうちいずれか1項に記載のマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法であって、
転写パターンを有するレジスト膜をマスクとする酸素と塩素の混合ガスによるドライエッチングを行い、前記エッチングマスク膜に転写パターンを形成する工程と、
前記転写パターンを有するエッチングマスク膜をマスクとするドライエッチングを行い、前記遮光膜に転写パターンを形成する工程と、
酸素と塩素の混合ガスによるドライエッチングを行い、前記転写パターンを有するエッチングマスク膜を除去する工程とを有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。 - 請求項1から請求項10のうちいずれか1項に記載のマスクブランクを用いた転写用マスクの製造方法であって、
設計上の転写パターンと前記遮光膜に形成された転写パターンとを比較し、遮光膜が残存している欠陥部分に対して非励起状態のフッ素を含有する物質を供給し、かつ荷電粒子を照射してエッチングを行う欠陥修正工程を有することを特徴とする転写用マスクの製造方法。 - 請求項11に記載の転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。
- 請求項13に記載の転写用マスクの製造方法で製造された転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。
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