JP2003195479A

JP2003195479A - ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法

Info

Publication number: JP2003195479A
Application number: JP2001400378A
Authority: JP
Inventors: Takayuki Yamada; 剛之山田; Masaru Mitsui; 勝三井; Masao Ushida; 正男牛田
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 2001-12-28
Filing date: 2001-12-28
Publication date: 2003-07-09

Abstract

(57)【要約】【課題】ハーフトーン材料膜と遮光膜との積層構造を
有するブランクを用いて製造されるハーフトーン型位相
シフトマスクにおけるハーフトーン材料膜パターンの寸
法精度を向上する。【解決手段】透明基板１の上に、ハーフトーン材料膜
３と、このハーフト−ン材料膜３上に形成された金属膜
４及び反射防止膜５からなる遮光膜とを有するハーフト
ーン型位相シフトマスクブランク１において、前記遮光
膜を当該膜厚が５０ナノメートル〜７７ナノメートルの
範囲となるように成膜した。これにより、ハーフトーン
型位相シフトマスクの製造時において、遮光膜の除去前
後における膜応力差が低減される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、マスクを通過する
露光光の位相をシフトさせることにより、転写パターン
の解像度を向上できるようにした位相シフトマスクに関
し、特にハーフトーン型の位相シフトマスクに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ＬＳＩや液晶パネルなどを製造す
るに当たって、リソグラフィ工程では露光対象に微細パ
ターンを転写する為にフォトマスクが用いられる。この
フォトマスクの一種としてハーフトーン型位相シフトマ
スクが提供されている。ハーフトーン型位相シフトマス
クは、マスクを通過する露光光の位相をシフトさせ、当
該位相シフトさせた光で以って、マスクの境界部分で回
折した光を減殺し或いは相殺することにより、転写パタ
ーンの解像度の向上を図ったものであり、特に単一のホ
ール、ドット、又はラインなどの孤立したパターンの転
写に適している。

【０００３】このハーフトーン型位相シフトマスクにも
様々なものが提供されており、例えば、特開平６−２８
２０６３号公報、特開平７−１２８８４０号公報、或い
は特許第２９８３０２０号公報に開示されているものが
ある。これ等の公報には、マスクの非転写領域や転写領
域内の適所において、位相シフト膜パターンの上に遮光
膜を設けることが開示されており、かかる技術によれ
ば、本来なら完全に遮光するのが望ましい領域を確実に
遮光できるので、転写パターンの精度を一層向上できる
と云う効果が得られた。

【０００４】ところで、この種のハーフトーン型位相シ
フトマスクは概ね次のようにして製作される。先ず透明
基板上に、ハーフトーン材料膜と遮光膜とを順次積層す
ることによりハーフトーン型位相シフトマスクブランク
を得る。次いで、遮光膜上にレジストパターンを形成
し、そのレジストパターンをマスクにして遮光膜をエッ
チング除去することにより遮光膜パターンを形成する。
次いで、これらレジストパターン及び遮光膜パターンを
マスクとして、ハーフトーン材料膜をエッチングするこ
とによりハーフトーン材料膜パターンを形成し、その後
前記レジストパターンを一旦除去する。次いで、再び遮
光膜パターン上に所定のレジストパターンを形成し、エ
ッチングを施すことにより、ハーフトーン材料膜パター
ン上の遮光膜パターンの一部を除去し、その後レジスト
パターンを除去してハーフトーン型位相シフトマスクを
得る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、この種
のハーフトーン型位相シフトマスクは、遮光膜を有する
ブランクを用いて製造されるわけであるが、遮光膜を有
しない従来の単なるブランクを用いて製造されるハーフ
トーン型位相シフトマスクに比べると、最終的に得られ
るハーフトーン材料膜パターンの寸法精度が劣ってしま
うと云う特有の課題を残していた。

【０００６】このハーフトーン材料膜パターンの精度悪
化にはさまざまな要因が考えられるが、本願発明者は、
その主たる原因が遮光膜の除去前後における膜応力差に
あると考察した。すなわち、この種のハーフトーン型位
相シフトマスクを得る過程では、ブランクの遮光膜をエ
ッチング除去する際にその膜応力が変動するので、これ
に起因して初期の精度を有するハーフトーン材料膜パタ
ーンが得られないのである。本願発明者の研究によれ
ば、上記の問題は、ハーフトーン型位相シフトマスクブ
ランクにおける遮光膜の膜応力が高い場合に、特に深刻
化することが判明した。

【０００７】本発明は、以上のような背景下で成された
ものであり、遮光膜を有するブランクを用いて製造され
るハーフトーン型位相シフトマスクにおけるハーフトー
ン材料膜パターンの寸法精度を向上させることを目的と
している。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様によ
るハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、透光性
基板上に、ハーフトーン材料膜と、このハーフト−ン材
料膜上に形成された遮光膜とを有するハーフトーン型位
相シフトマスクブランクにおいて、前記遮光膜の膜厚
が、前記ハーフトーン材料膜と積層したときの露光光に
対する遮光性が充分である膜厚であり、且つ７７ナノメ
ートル以下の範囲とされていることを特徴とする。

【０００９】ここで、前記遮光膜の膜厚を５２ナノメー
トル〜７３ナノメートルの範囲とするのが好ましい。更
に、前記遮光膜の膜厚を５４ナノメートル〜６０ナノメ
ートルの範囲とするのが好ましい。

【００１０】また、前記ハーフトーン材料膜は単層であ
ってもよいし、複数の層からなるものであってもよい。
単層のハーフトーン材料膜に使用する材料としては、金
属、シリコン、及び窒素を主たる構成要素とするもの、
例えば、窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉ
Ｎ系材料）などが耐酸性、耐光性、導電性、屈折率、透
過率、エッチング選択性などの面で優れているので好ま
しい。また、遮光膜としての窒素を含む金属膜との密着
性などの面からも、ハーフトーン材料膜としてはＭｏＳ
ｉＮ系材料が好ましい。一方、ハーフトーン材料膜を、
主として位相シフト機能を受け持つ高透過率膜と、主と
して遮光機能を受け持つ低透過率膜と、を含んで構成す
ることもできる。この場合は、高透過率膜としては、Ｓ
ｉＯ₂系被覆膜形成用塗布液を滴下し、スピンコート法
により全面に広げ、その後焼成してバインダの有機化合
物を揮発させてなるＳＯＧ（スピン・オン・グラス）膜
などが挙げられ、低透過率膜としてはＣｒ膜などが挙げ
られる。

【００１１】本発明の第１の態様によれば、遮光膜の膜
厚を露光光に対する遮光性が充分である膜厚であり、且
つ７７ナノメートル以下の範囲としたので、この遮光膜
の露光光に対する遮光機能を損なうことなく、その膜応
力を最小限に抑えることができる。従って、この遮光膜
の一部をエッチング除去する際に、当該除去前後におけ
る遮光膜の膜応力差も低減できる。これにより、ハーフ
ト−ン材料膜の一部をエッチング除去する際において
も、遮光膜の膜応力差が当該ハーフト−ン材料膜パター
ンの寸法精度に与える影響が阻止されるので、寸法精度
の良好なハーフトーン材料膜パターンを得ることができ
る。

【００１２】ここで、ハーフトーン材料膜と積層したと
きの露光光に対する遮光性が充分である遮光膜の膜厚と
は、露光光に対して３．０以上の光学濃度が得られる膜
厚であり、具体的には、第２の態様のように、遮光膜の
膜厚を５０ナノメートル以上とすることにより、この遮
光膜とハーフトーン材料膜とを合わせた場合に、少なく
とも波長２４８［ｎｍ］の露光光に対して３．０以上の
充分な光学濃度（ＯＤ）が得られる。遮光膜の膜厚を５
０ナノメートル以上とすることにより、仮に、遮光膜中
に遮光性にあまり寄与しない反射防止膜を含めたとして
も、この遮光膜とハーフトーン材料膜とを合わせた場合
に、露光光に対して３．０以上の充分な光学濃度（Ｏ
Ｄ）が得られる。なお、ここに云う露光光とは、波長が
２４８［ｎｍ］より短い露光光であり、波長１９３［ｎ
ｍ］の露光光、又は波長１５７［ｎｍ］の露光光も含
む。

【００１３】なお、遮光膜の膜厚を５０ナノメートルよ
りも薄くすると、遮光膜とハーフトーン材料膜とを合わ
せたときに露光光に対して充分な光学濃度（ＯＤ）が得
えられないので好ましくない。一方、遮光膜の膜厚を７
７ナノメートルよりも厚くすると、遮光膜の膜応力が大
きくなり、ハーフトーン材料膜のパターン精度に悪影響
を及ぼすので好ましくない。

【００１４】本発明の第３の態様によるハーフトーン型
位相シフトマスクブランクは、第１又は第２の態様によ
るハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
前記遮光膜が、炭素、酸素、及び窒素のうち少なくとも
１つの元素と、クロムとの化合物を含んで構成されてい
ることを特徴とする。

【００１５】本発明の第３の態様によれば、遮光膜が、
クロム化合物を含んで構成されているので、クロム単体
のみからなる遮光膜（Ｃｒ膜）に比べて膜応力を一層低
減できる。

【００１６】ここで、前記遮光膜における前記ハーフト
ーン材料膜と接する部分は、クロムと、少なくとも窒素
と、の化合物から構成されているのが好ましい。この場
合は、遮光膜とハーフトーン材料膜との密着性を良好に
でき、膜剥離の発生を確実に防止できる。

【００１７】本発明の第４の態様によるハーフトーン型
位相シフトマスクブランクは、第１乃至第３の態様によ
るハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
前記遮光膜はその表面が反射防止機能を有するよう構成
されてなることを特徴とする。

【００１８】ここで、前記遮光膜は、当該遮光膜上に塗
布されるレジストへの露光光、及びこのハーフトーン型
位相シフトマスクブランクを用いて製造されたハーフト
ーン型位相シフトマスク使用時の露光光の双方に対して
反射防止機能を発揮するよう構成されてなるのが好まし
い。

【００１９】本発明の第４の態様によれば、遮光膜の表
面が反射防止機能を有するので、遮光膜上に塗布される
レジストへの露光光による定在波の発生が低減され、遮
光膜のパターン精度を一層向上できる。遮光膜の表面が
反射防止機能を有するので、このハーフトーン型位相シ
フトマスクブランクを用いて製造されたハーフトーン型
位相シフトマスクを使用する際には、露光光による迷光
の発生が防止され、転写パターンの精度を向上できる。

【００２０】本発明の第５の態様によるハーフトーン型
位相シフトマスクブランクは、第１乃至第４の何れかの
態様によるハーフトーン型位相シフトマスクブランクに
おいて、前記遮光膜は、その表面側が少なくとも反射防
止機能を発揮すると共に、そのハーフトーン材料膜側が
少なくとも遮光機能を発揮するよう構成され、且つ、当
該表面側から当該ハーフトーン材料膜側に向かって段階
的及び／又は連続的にその成分が変化するよう構成され
てなることを特徴とする。

【００２１】ここで、前記遮光膜は、当該表面側から当
該ハーフトーン材料膜側に向かうにしたがって、そのエ
ッチングレートが高くなるよう構成されてなるのが好ま
しい。

【００２２】遮光膜の成分を表面側からハーフトーン材
料膜側に向かって段階的に変化させることは、遮光膜を
複数層で構成することにより実現できる。この複数層
は、例えば、複数のチャンバの各々で個別にスパッタリ
ングを行うことにより得られる。一方、遮光膜の成分を
表面側からハーフトーン材料膜側に向かって連続的に変
化させることは、遮光膜を連続膜で構成することにより
実現できる。この連続膜は、例えば、同一のチャンバ内
で単数又は複数のターゲットを備えたインラインスパッ
タリングを行うことにより得られる。パターン断面を垂
直にする点では連続膜が好ましい。

【００２３】本発明の第５の態様によれば、遮光膜の表
面側とハーフトーン材料膜側とでそれぞれに適した機能
が発揮される。また、表面側からハーフトーン材料膜側
に向かって段階的及び／又は連続的に成分を変化させる
ことにより、遮光膜をエッチングした際の当該遮光膜の
断面形状が良好となる。これにより、エッチングした遮
光膜をマスクにハーフトーン材料膜をさらにエッチング
する場合には、ハーフトーン材料膜の断面形状も良好に
できる。

【００２４】本発明の第６の態様によるハーフトーン型
位相シフトマスクブランクは、第１乃至第５の何れかの
態様によるハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、
前記遮光膜の表面側は、クロムと、酸素及び窒素の少な
くとも何れか一方と、の化合物を含んで構成されている
ことを特徴とする。

【００２５】本発明の第７の態様によるハーフト−ン型
位相シフトマスクの製造方法は、第１乃至第６の何れか
の態様によるハーフトーン型位相シフトマスクブランク
を用いるハーフト−ン型位相シフトマスクの製造方法で
あって、前記遮光膜の上にレジストパターンを形成し、
当該レジストパターンをマスクとして第１のエッチング
を施すことにより遮光膜パターンを形成する第１工程
と、次いで、少なくとも前記遮光膜パターンをマスクと
して第２のエッチングを施すことにより前記ハーフトー
ン材料膜をパターニングする第２工程と、次いで、前記
遮光膜パターンの一部又は全部を除去する第３工程とを
含むことを特徴とする。

【００２６】本発明によれば、第１乃至第６の態様によ
るハーフトーン型位相シフトマスクを用いて製造したこ
とを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクも提供
される。このハーフトーン型位相シフトマスクでは、露
光光として波長２４８［ｎｍ］の露光光、波長１９３
［ｎｍ］の露光光、又は波長１５７［ｎｍ］の露光光な
どを使用できる。

【００２７】本発明の具体的な態様によれば、透光性基
板上に、モリブデンとシリコンとを含有するハーフトー
ン材料膜と、ＣｒＮ、ＣｒＣ、及びＣｒＯＮを含有する
遮光膜と、を有するハーフトーン型位相シフトマスクブ
ランクにおいて、前記遮光膜の膜厚を５０ナノメートル
〜７７ナノメートルの範囲としたことを特徴とするハー
フトーン型位相シフトマスクブランクが提供される。

【００２８】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１〜図４は、第１〜第４実施例を説明す
る為の図であり、図１はハーフトーン型位相シフトマス
クブランクを示す断面図、図２はハーフトーン型位相シ
フトマスクの製造方法を説明する為の図、図３はハーフ
トーン型位相シフトマスクを示す図、図４は各実施例に
おいて採用した条件等をまとめた図である。

【００２９】〔第１実施例〕第１実施例によるハーフト
ーン型位相シフトマスクブランク１は、石英からなる透
明基板２上に、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）
とを主成分とする材料からなるハーフトーン材料膜３、
クロム（Ｃｒ）を主成分とする金属膜４、及びＣｒＯＮ
からなる反射防止膜５がこの順に積層されて構成されて
いる（図１参照）。このうち、金属膜４はＣｒＮ膜４１
とＣｒＣ膜４２とを順次積層した構成となっている。金
属膜４と反射防止膜５とで遮光膜を構成している。該遮
光膜は、ハーフトーン材料膜３とエッチング特性が異な
る材料で構成されている。

【００３０】このようなハーフトーン型位相シフトマス
クブランク１は次のようにして製造したものである。先
ず、石英基板の両主表面及び端面を精密研磨して縦６イ
ンチ×横６インチ×厚み０．２５インチの透明基板２を
作成した。ここで、透明基板２の素材としては、石英以
外に、蛍石、ソーダライムガラス、アルミノシリケート
ガラス、アルミノボロシリケートガラスなどを用いても
よい。次いで、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）
の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％）
を用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ₂）との混合ガ
ス雰囲気中（Ａｒ：１０％、Ｎ₂：９０％、圧力０．３
Ｐａ）で、反応性スパッタリングにより、透明基板２の
上に膜厚９２５［Å］のＭｏＳｉＮからなるハーフトー
ン材料膜３を形成した。

【００３１】次いで、クロムターゲットを用いて、アル
ゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（Ａｒ：
８０体積％、Ｎ２：２０体積％、圧力０．３［Ｐａ］）
中で反応性スパッタリングにより、膜厚１５［ｎｍ］の
ＣｒＮ膜４１を成膜した。なお、得られたＣｒＮ膜４１
における窒素の含有率は２０ａｔ％であった。

【００３２】次いで、クロムターゲットを用い、アルゴ
ン（Ａｒ）とメタン（ＣＨ₄）から成る混合ガス雰囲気
（Ａｒ：９５体積％、ＣＨ₄：５体積％、圧力０．３
［Ｐａ］）中で、反応性スパッタリングにより、膜厚２
０［ｎｍ］のＣｒＣ膜４２を成膜した。なお、得られた
ＣｒＣ膜４２中の炭素含有率は６ａｔ％であり、そのエ
ッチングレートは０．３［ｎｍ／秒］であった。また、
ＣｒＣ膜４２の結晶粒子径を透過型電子顕微鏡（ＴＥ
Ｍ）で測定したところ１〜７［ｎｍ］であった。

【００３３】次いで、クロムターゲットを用い、アルゴ
ン（Ａｒ）と一酸化窒素（ＮＯ）の混合ガス雰囲気（Ａ
ｒ：８５．５体積％、ＮＯ；１４．５体積％、圧力：
０．３［Ｐａ］）中で反応性スパッタリングにより反射
防止膜５を成膜した。このとき、反射防止膜５が、Ｋｒ
Ｆレーザ（波長２４８［ｎｍ］）及びｉ線（波長３６５
［ｎｍ］）の双方に対して反射防止機能を発揮するよう
にした。具体的には、スパッタ電力を調整することによ
り、反射防止膜５の膜厚を２０［ｎｍ］とした。しかる
後、スクラブ洗浄を行いハーフトン型位相シフトマスク
ブランク１を得た。得られたブランク１は、全ての膜に
おいて膜欠陥もなく、膜質は良好であった。

【００３４】また、ハーフトーン型位相シフトマスクブ
ランク１の光学特性を市販の装置を用いて測定したとこ
ろ、ハーフトーン材料膜３と遮光膜とを合わせた光学濃
度（ＯＤ）は、波長２４８［ｎｍ］の試験光に対して
３．０以上であった。また、別途製作した試料によっ
て、遮光膜のみの光学濃度（ＯＤ）を測定したところ、
波長２４８［ｎｍ］の試験光に対して２．１以上であっ
た。

【００３５】また、遮光膜のシート抵抗を測定したとこ
ろ２５［Ω／□］であり、良好な導電性が得られた。こ
れは、電子露光の際にＣｒＯＮ膜５とレジストとの間に
電荷の蓄積が起こりにくい事を示している。

【００３６】次に、図２を参照してハーフトーン型位相
シフトマスクの製造方法について説明する。先ず、ハー
フトーン型位相シフトマスクブランク１における反射防
止膜５の上に第１フォトレジストを塗布し、パターン露
光及び現像を行って第１レジストパターン６１を形成し
た（図２（a）参照）。ここで、ＣｒＯＮは、反射防止
機能を有するだけでなく、酸化防止機能をも有してお
り、耐久性が良好である。また、ＣｒＯＮは、フォトレ
ジストとの密着性が良好である。従って、安定した高精
度のパターニングを行える。この様に、ＣｒＯＮは、フ
ォトマスクブランクに用いて好適である。

【００３７】次いで、硝酸第２セリウムアンモニウム１
６５［ｇ］と濃度７０％の過塩素酸４２［ｍｌ］とに純
水を加えて１０００［ｍｌ］とし、摂氏１９［℃］〜摂
氏２０［℃］に保持したエッチング液によって、第１レ
ジストパターン６１をマスクとして、反射防止膜５及び
金属膜４をウエットエッチングし、反射防止膜パターン
５１と金属膜パターン４１とを形成した（図２（ｂ）参
照）。ここで、金属膜パターン４１は、ＣｒＮ膜パター
ン４１１とＣｒＣ膜パターン４２１とからなる。

【００３８】このようなパターニングを行った後におい
て、エッチング残りによるハーフトーン材料膜３上への
金属膜４中の金属（Ｃｒ）の残存や、オーバハング形状
による金属膜４および反射防止膜５の先端の欠けによる
黒欠陥もなかった。これは、金属膜４および反射防止膜
５と、ハーフトーン材料膜３とが互いに選択エッチング
可能であること、すなわち、金属膜４よおび反射防止膜
５とハーフトーン材料膜３とのエッチング特性がことな
ることによるものであり、かつ、ハーフトーン材料膜３
に接する金属膜４のエッチングレートが、ハーフトーン
材料膜よりも速いこと、具体的には、ハーフトーン材料
膜と接する金属膜４ののエッチングレートが２［ｎｍ／
ｓｅｃ］以上であることによるものである。なお、この
エッチングレートは、Ｃｒ単体の場合よりも速い。

【００３９】次いで、第１レジストパターン６１、反射
防止膜パターン５１、および金属膜パターン４１をマス
クにして、ＣＦ₄とＯ₂との混合ガスによるドライエッチ
ングによって、ハーフトーン材料膜３の露出部分を除去
して、ハーフトーン材料膜パターンを３１形成した（図
２（ｃ）参照）。

【００４０】次いで、第１レジストパターン６１を除去
し、第２フォトレジスト７をスピンコート法により塗布
してベークした（図２（ｄ））。そして、露光及び現像
を行うことにより、周辺領域のみをマスクするような第
２レジストパターン７１を形成した（図２（ｅ））。

【００４１】次いで、硝酸第２セリウムアンモニウム１
６５［ｇ］と濃度７０％の過塩素酸４２［ｍｌ］とに純
水を加えて１０００［ｍｌ］とし、摂氏１９［℃］〜摂
氏２０［℃］に保持したエッチング液によって、第２レ
ジストパターン７１をマスクにして、エッチングを行
い、反射防止膜パターン５１及び金属膜パターン４１を
一部除去した（図２（ｅ））。しかる後、第２レジスト
パターン７１を剥離してハーフト−ン型位相シフトマス
ク８を得た（図３）。

【００４２】こうして得られたハーフトーン型位相シフ
トマスク８は、そのハーフトーン材料膜パターン３１に
ダメージは認められず、しかもそのパターンの精度は初
期の通り良好であり、位相シフト量も１８０°−２°の
範囲内に収められており、信頼性の高いものであった。

【００４３】〔第２実施例〕先ず、石英基板の両主表面
及び端面を鏡面研磨して縦６インチ×横６インチ×高さ
０．２５インチの透明基板２を作成した。次いで、モリ
ブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲット
（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％）を用いて、アルゴ
ン（Ａｒ）と窒素（Ｎ₂）との混合ガス雰囲気中（Ａ
ｒ：１０％、Ｎ₂：９０％、圧力０．３Ｐａ）で、反応
性スパッタリングにより、透明基板２の上に膜厚９２５
［Å］のＭｏＳｉＮのハーフトーン材料膜３を形成し
た。

【００４４】次いで、同一のチャンバ内に複数のクロム
（Ｃｒ）ターゲットが配置されたインラインスパッタリ
ング装置を用い、ＣｒＮはアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ
₂）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：７２体積％、Ｎ２：２
８体積％、圧力０．３［Ｐａ］）で、ＣｒＣはアルゴン
（Ａｒ）とメタン（ＣＨ₄）との混合ガス雰囲気（Ａ
ｒ：９６．５体積％、ＣＨ₄：３．５体積％、圧力０．
３［Ｐａ］）で、ＣｒＯＮはアルゴン（Ａｒ）と一酸化
窒素（ＮＯ）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：８７．５体積
％、ＮＯ：１２．５体積％、圧力０．３［Ｐａ］）で、
それぞれ反応性スパッタリングを行うことにより、ハー
フトーン材料膜３上に、ＣｒＮ膜４１、ＣｒＣ膜４２、
及びＣｒＯＮ膜５からなる連続膜を成膜した。

【００４５】成膜の過程で、インラインスパッタリング
装置のスパッタパワー（スパッタ電力）を調整すること
により、金属膜４と反射防止膜５との膜厚の合計を６０
［ｎｍ］とした。詳細には、ＣｒＮ膜４１の膜厚を１５
［ｎｍ］とし、ＣｒＣ膜４２の膜厚を２５［ｎｍ］と
し、ＣｒＯＮ膜５の膜厚を２０［ｎｍ］とした。ＣｒＯ
Ｎ膜５は、その膜厚を２０［ｎｍ］としたので、ＫｒＦ
レーザ（波長２４８［ｎｍ］）及びｉ線（波長３６５
［ｎｍ］）の双方に対して反射防止機能を発揮する。

【００４６】しかる後、スクラブ洗浄を行ってハーフト
ン型位相シフトマスクブランク１を得（図１参照）、得
られたハーフトン型位相シフトマスクブランク１を用
い、第１実施例と同様の方法でハーフトン型位相シフト
マスク８を得た（図３参照）。

【００４７】なお、ハーフトーン材料膜３と遮光膜とを
合わせた光学濃度（ＯＤ）は、波長２４８［ｎｍ］の露
光光に対して３．０以上であり、遮光膜のみの光学濃度
（ＯＤ）は波長２４８［ｎｍ］の試験光に対して２．５
であった。

【００４８】また、得られたハーフトーン型位相シフト
マスクブランク１の平坦度変化量をＴＲＯＰＥＬ社製Ｆ
Ｍ２００によって測定したところ、−０．１［μｍ］で
あり、その平坦度の極めて高いことが確認された。ここ
で、平坦度変化量の符号は、−（マイナス）の場合には
引張応力的変化を示し、＋（プラス）の場合の場合には
圧縮応力的変化を示すものとする。

【００４９】また、得られたハーフトーン型位相シフト
マスク８は、そのハーフトーン材料膜パターン３１にダ
メージは認められず、しかもそのパターンの精度は初期
の通りに良好であり、位相シフト量も１８０°−２°の
範囲内に収められており、信頼性の高いものであった。

【００５０】〔第３実施例〕先ず、石英基板の両主表面
及び端面を精密研磨して縦６インチ×横６インチ×厚み
０．２５インチの透明基板２を作成した。次いで、モリ
ブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲット
（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％）を用いて、アルゴ
ン（Ａｒ）と窒素（Ｎ₂）との混合ガス雰囲気中（Ａ
ｒ：１０％、Ｎ₂：９０％、圧力０．３Ｐａ）で、反応
性スパッタリングにより、透明基板２の上に膜厚９２５
［Å］のＭｏＳｉＮのハーフトーン材料膜３を形成し
た。

【００５１】次いで、同一のチャンバ内に複数のクロム
（Ｃｒ）ターゲットが配置されたインラインスパッタリ
ング装置を用い、ＣｒＮはアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ
₂）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：８０体積％、Ｎ２：２
０体積％、圧力０．３［Ｐａ］）で、ＣｒＣはアルゴン
（Ａｒ）とメタン（ＣＨ₄）との混合ガス雰囲気（Ａ
ｒ：９５体積％、ＣＨ₄：５体積％、圧力０．３［Ｐ
ａ］）で、ＣｒＯＮはアルゴン（Ａｒ）と一酸化窒素
（ＮＯ）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：８５．５体積％、
ＮＯ：１４．５体積％、圧力０．３［Ｐａ］）で、それ
ぞれ反応性スパッタリングを行うことにより、ハーフト
ーン材料膜３上に、ＣｒＮ膜４１、ＣｒＣ膜４２、及び
ＣｒＯＮ膜５からなる連続膜を成膜した。

【００５２】成膜の過程で、インラインスパッタリング
装置のスパッタパワー（スパッタ電力）を調整すること
により、金属膜４と反射防止膜５との膜厚の合計を７０
［ｎｍ］とした。詳細には、ＣｒＮ膜４１の膜厚を１５
［ｎｍ］とし、ＣｒＣ膜４２の膜厚を３５［ｎｍ］と
し、ＣｒＯＮ膜５の膜厚を２０［ｎｍ］とした。ＣｒＯ
Ｎ膜５は、その膜厚を２０［ｎｍ］としたので、ＫｒＦ
レーザ（波長２４８［ｎｍ］）及びｉ線（波長３６５
［ｎｍ］）の双方に対して反射防止機能を発揮する。

【００５３】しかる後、スクラブ洗浄を行ってハーフト
ン型位相シフトマスクブランク１を得（図１参照）、得
られたハーフトン型位相シフトマスクブランク１を用
い、第１実施例と同様の方法でハーフトン型位相シフト
マスク８を得た（図３参照）。なお、ハーフトーン材料
膜３と遮光膜とを合わせた光学濃度（ＯＤ）は、波長２
４８［ｎｍ］の露光光に対して３．０以上であり、遮光
膜のみの光学濃度（ＯＤ）は波長２４８［ｎｍ］の試験
光に対して３．０であった。

【００５４】また、得られたハーフトーン型位相シフト
マスク８は、そのハーフトーン材料膜パターン３１にダ
メージは認められず、しかもそのパターンの精度は初期
の通りに良好であり、位相シフト量も１８０°−２°の
範囲内に収められており、信頼性の高いものであった。
〔第４実施例〕先ず、石英基板の両主表面及び端面を精
密研磨して縦６インチ×横６インチ×厚み０．２５イン
チの透明基板２を作成した。次いで、モリブデン（Ｍ
ｏ）とシリコン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ
＝２０：８０ｍｏｌ％）を用いて、アルゴン（Ａｒ）と
窒素（Ｎ₂）との混合ガス雰囲気中（Ａｒ：１０％、
Ｎ₂：９０％、圧力０．３Ｐａ）で、反応性スパッタリ
ングにより、透明基板２の上に膜厚９２５［Å］のＭｏ
ＳｉＮのハーフトーン材料膜３を形成した。

【００５５】次いで、同一のチャンバ内に複数のクロム
（Ｃｒ）ターゲットが配置されたインラインスパッタリ
ング装置を用い、ＣｒＮはアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ
₂）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：７２体積％、Ｎ２：２
８体積％、圧力０．３［Ｐａ］）で、ＣｒＣはアルゴン
（Ａｒ）とメタン（ＣＨ₄）との混合ガス雰囲気（Ａ
ｒ：９６．５体積％、ＣＨ₄：３．５体積％、圧力０．
３［Ｐａ］）で、ＣｒＯＮはアルゴン（Ａｒ）と一酸化
窒素（ＮＯ）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：８７．５体積
％、ＮＯ：１２．５体積％、圧力０．３［Ｐａ］）で、
それぞれ反応性スパッタリングを行うことにより、ハー
フトーン材料膜３上に、ＣｒＮ膜４１、ＣｒＣ膜４２、
及びＣｒＯＮ膜５からなる連続膜を成膜した。

【００５６】成膜の過程で、インラインスパッタリング
装置のスパッタパワー（スパッタ電力）を調整すること
により、金属膜４と反射防止膜５との膜厚の合計を７２
［ｎｍ］とした。詳細には、ＣｒＮ膜４１の膜厚を２０
［ｎｍ］とし、ＣｒＣ膜４２の膜厚を３７［ｎｍ］と
し、ＣｒＯＮ膜５の膜厚を１５［ｎｍ］とした。ＣｒＯ
Ｎ膜５は、その膜厚を１５［ｎｍ］としたので、ＫｒＦ
レーザ（波長２４８［ｎｍ］）に対して反射防止機能を
発揮する。

【００５７】しかる後、スクラブ洗浄を行ってハーフト
ン型位相シフトマスクブランク１を得（図１参照）、得
られたハーフトン型位相シフトマスクブランク１を用
い、第１実施例と同様の方法でハーフトン型位相シフト
マスク８を得た（図３参照）。

【００５８】なお、ハーフトーン材料膜３と遮光膜とを
合わせた光学濃度（ＯＤ）は、波長２４８［ｎｍ］の露
光光に対して３．０以上であり、遮光膜のみの光学濃度
（ＯＤ）は波長２４８［ｎｍ］の試験光に対して３．１
であった。また、得られたハーフトーン型位相シフトマ
スクブランク１の遮光膜の平坦度変化量をＴＲＯＰＥＬ
社製ＦＭ２００によって測定したところ、−０．１［μ
ｍ］であり、その平坦度の極めて高いことが確認され
た。

【００５９】また、得られたハーフトーン型位相シフト
マスク８は、そのハーフトーン材料膜パターン３１にダ
メージは認められず、しかもそのパターンの精度は良好
であり、位相シフト量も１８０°−２°の範囲内に収め
られており、信頼性の高いものであった。

【００６０】上記各実施例によって得られる主要な効果
は次の如くである。（１）ハーフトーン型位相シフトマスクにおける遮光膜
の膜厚を５５［ｎｍ］、６０［ｎｍ］、７０［ｎｍ］、
又は７２［ｎｍ］としたことにより、遮光膜とハーフト
ーン材料膜とを合わせた光学濃度を、露光光たるＫｒＦ
レーザ（波長２４８［ｎｍ］）に対して３．０以上に確
保しながら、当該遮光膜の膜応力を最小限に抑えること
ができた。これにより、遮光膜の除去前後における膜応
力差を低減できたので、ハーフトーン材料膜パターンの
座標位置精度を良好にできた。

【００６１】（２）ハーフトーン型位相シフトマスクに
おける遮光膜の膜厚を５５［ｎｍ］、６０［ｎｍ］、７
０［ｎｍ］、又は７２［ｎｍ］としたことにより、その
エッチング時間を短縮できると共に、エッチング後の断
面形状を良好にできた。なお、遮光膜をパターニングす
る際のエッチングはウエットエッチングに限定されず、
ドライエッチングを行うこともできる。

【００６２】（３）遮光膜中に、遮光性にあまり寄与し
ないＣｒＯＮ膜５を含めたが、遮光膜全体の膜厚を５５
［ｎｍ］、６０［ｎｍ］、７０［ｎｍ］、又は７２［ｎ
ｍ］としたことにより、ハーフトーン型位相シフトマス
ク全体としての遮光性能が損なわれることは無かった。

【００６３】以下、本発明との比較の為に比較例１〜３
について説明する。各比較例において設定した条件など
は図６に示されている。〔比較例１〕石英基板の両主表面及び端面を精密研磨し
て縦６インチ×横６インチ×厚み０．２５インチの透明
基板を作成した。次いで、モリブデン（Ｍｏ）とシリコ
ン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０
ｍｏｌ％）を用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ₂）
との混合ガス雰囲気中（Ａｒ：１０％、Ｎ₂：９０％、
圧力０．３Ｐａ）で、反応性スパッタリングにより、透
明基板の上に膜厚９２５［Å］のＭｏＳｉＮのハーフト
ーン材料膜を形成した。

【００６４】次いで、同一のチャンバ内に複数のクロム
（Ｃｒ）ターゲットが配置されたインラインスパッタリ
ング装置を用い、ＣｒＮはアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ
₂）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：７２体積％、Ｎ２：２
８体積％、圧力０．３［Ｐａ］）で、ＣｒＣはアルゴン
（Ａｒ）とメタン（ＣＨ₄）との混合ガス雰囲気（Ａ
ｒ：９６．５体積％、ＣＨ₄：３．５体積％、圧力０．
３［Ｐａ］）で、ＣｒＯＮはアルゴン（Ａｒ）と一酸化
窒素（ＮＯ）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：８５．５体積
％、ＮＯ：１４．５体積％、圧力０．３［Ｐａ］）で、
それぞれ反応性スパッタリングを行うことにより、ハー
フトーン材料膜上に、ＣｒＮ膜、ＣｒＣ膜、及びＣｒＯ
Ｎ膜からなる連続膜を成膜した。

【００６５】成膜の過程で、インラインスパッタリング
装置のスパッタパワー（スパッタ電力）を調整すること
により、金属膜と反射防止膜との膜厚の合計を４５［ｎ
ｍ］とした。詳細には、ＣｒＮ膜の膜厚を１５［ｎｍ］
とし、ＣｒＣ膜の膜厚を１５［ｎｍ］とし、ＣｒＯＮ膜
の膜厚を１５［ｎｍ］とした。

【００６６】しかる後、スクラブ洗浄を行ってハーフト
ン型位相シフトマスクブランクを得、得られたハーフト
ン型位相シフトマスクブランクを用い、第１実施例と同
様の方法でハーフトン型位相シフトマスクを得た。

【００６７】ハーフトーン材料膜と遮光膜とを合わせた
光学濃度（ＯＤ）は、波長２４８［ｎｍ］の露光光に対
して２．７であり、遮光膜のみの光学濃度（ＯＤ）は波
長２４８［ｎｍ］の試験光に対して１．５であった。す
なわち、得られたハーフトーン型位相シフトマスクは、
遮光膜とハーフトーン材料膜とを合わせても、波長２４
８［ｎｍ］のＫｒＦ光（露光光）に対して充分な光学濃
度を発揮せず、転写パターンの精度が悪化した。〔比較例２〕石英基板の両主表面及び端面を精密研磨し
て縦６インチ×横６インチ×厚み０．２５インチの透明
基板を作成した。次いで、モリブデン（Ｍｏ）とシリコ
ン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０
ｍｏｌ％）を用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ₂）
との混合ガス雰囲気中（Ａｒ：１０％、Ｎ₂：９０％、
圧力０．３Ｐａ）で、反応性スパッタリングにより、透
明基板の上に膜厚９２５［Å］のＭｏＳｉＮのハーフト
ーン材料膜を形成した。

【００６８】次いで、同一のチャンバ内に複数のクロム
（Ｃｒ）ターゲットが配置されたインラインスパッタリ
ング装置を用い、ＣｒＮはアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ
₂）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：８０体積％、Ｎ２：２
０体積％、圧力０．３［Ｐａ］）で、ＣｒＣはアルゴン
（Ａｒ）とメタン（ＣＨ₄）との混合ガス雰囲気（Ａ
ｒ：９５体積％、ＣＨ₄：５体積％、圧力０．３［Ｐ
ａ］）で、ＣｒＯＮはアルゴン（Ａｒ）と一酸化窒素
（ＮＯ）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：８７体積％、Ｎ
Ｏ：１３体積％、圧力０．３［Ｐａ］）で、それぞれ反
応性スパッタリングを行うことにより、ハーフトーン材
料膜上に、ＣｒＮ膜、ＣｒＣ膜、及びＣｒＯＮ膜からな
る連続膜を成膜した。

【００６９】成膜の過程で、インラインスパッタリング
装置のスパッタパワー（スパッタ電力）を調整すること
により、金属膜と反射防止膜との膜厚の合計を８０［ｎ
ｍ］とした。詳細には、ＣｒＮ膜の膜厚を１５［ｎｍ］
とし、ＣｒＣ膜の膜厚を４５［ｎｍ］とし、ＣｒＯＮ膜
の膜厚を２０［ｎｍ］とした。

【００７０】しかる後、スクラブ洗浄を行ってハーフト
ン型位相シフトマスクブランクを得、得られたハーフト
ン型位相シフトマスクブランクを用い、第１実施例と同
様の方法でハーフトン型位相シフトマスクを得た。

【００７１】ハーフトーン材料膜と遮光膜とを合わせた
光学濃度（ＯＤ）は、波長２４８［ｎｍ］の露光光に対
して４．０以上であり、遮光膜のみの光学濃度（ＯＤ）
は波長２４８［ｎｍ］の試験光に対して３．５以上であ
ったが、遮光膜の除去前後における膜応力差に起因して
ハーフトーン材料膜パターンの精度が悪化すると共に、
平坦度も悪化した。〔比較例３〕石英基板の両主表面及び端面を精密研磨し
て縦６インチ×横６インチ×厚み０．２５インチの透明
基板を作成した。次いで、モリブデン（Ｍｏ）とシリコ
ン（Ｓｉ）の混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０
ｍｏｌ％）を用いて、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ₂）
との混合ガス雰囲気中（Ａｒ：１０％、Ｎ₂：９０％、
圧力０．３Ｐａ）で、反応性スパッタリングにより、透
明基板の上に膜厚９２５［Å］のＭｏＳｉＮのハーフト
ーン材料膜を形成した。

【００７２】次いで、同一のチャンバ内に複数のクロム
（Ｃｒ）ターゲットが配置されたインラインスパッタリ
ング装置を用い、ＣｒＮはアルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ
₂）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：８０体積％、Ｎ２：２
０体積％、圧力０．３［Ｐａ］）で、ＣｒＣはアルゴン
（Ａｒ）とメタン（ＣＨ₄）との混合ガス雰囲気（Ａ
ｒ：９５体積％、ＣＨ₄：５体積％、圧力０．３［Ｐ
ａ］）で、ＣｒＯＮはアルゴン（Ａｒ）と一酸化窒素
（ＮＯ）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：８７体積％、Ｎ
Ｏ：１３体積％、圧力０．３［Ｐａ］）で、それぞれ反
応性スパッタリングを行うことにより、ハーフトーン材
料膜上に、ＣｒＮ膜、ＣｒＣ膜、及びＣｒＯＮ膜からな
る連続膜を成膜した。

【００７３】成膜の過程で、インラインスパッタリング
装置のスパッタパワー（スパッタ電力）を調整すること
により、金属膜と反射防止膜との膜厚の合計を１０５
［ｎｍ］とした。詳細には、ＣｒＮ膜の膜厚を２０［ｎ
ｍ］とし、ＣｒＣ膜の膜厚を６０［ｎｍ］とし、ＣｒＯ
Ｎ膜の膜厚を２５［ｎｍ］とした。

【００７４】しかる後、スクラブ洗浄を行ってハーフト
ン型位相シフトマスクブランクを得、得られたハーフト
ン型位相シフトマスクブランクを用い、第１実施例と同
様の方法でハーフトン型位相シフトマスクを得た。

【００７５】ハーフトーン材料膜と遮光膜とを合わせた
光学濃度（ＯＤ）は、波長２４８［ｎｍ］の露光光に対
して４．０以上であり、遮光膜のみの光学濃度（ＯＤ）
も波長２４８［ｎｍ］の試験光に対して４．０以上であ
ったが、遮光膜の除去前後における膜応力差に起因し
て、比較例２の場合よりも更にハーフトーン材料膜パタ
ーンの精度悪化が深刻化した。更に、得られたハーフト
ーン型位相シフトマスクの平坦度変化量を測定したとこ
ろ、−０．２［μｍ］であり、その平坦度の悪いことが
判明した。

【００７６】なお、上記した実施例１〜４で採用した各
構成や条件などは一例であり、本発明の趣旨を逸脱しな
い範囲で適宜に設計変更が可能である。例えば、ハーフ
トン型位相シフトマスクを図５（ａ）に示すように構成
してもよい。この図５（ａ）に示すハーフトン型位相シ
フトマスクは、転写領域においても、ハーフトーン材料
膜パターン上における端部を除く部分に金属膜及び反射
防止膜を残した構成となっている。このような構成を採
ることにより、本来は遮光されるのが望ましい部分を完
全に遮光できる。また、ハーフトン型位相シフトマスク
は、図５（ｂ）に示すように、ハーフトーン材料膜上に
形成した金属膜及び反射防止膜を全て除去した構成とす
ることもできる。

【００７７】また、ハーフトーン材料膜としては、単層
の場合、金属、シリコン、酸素及び／又は窒素を主たる
構成要素とすることができ、窒化されたモリブデン及び
シリコン（ＭｏＳｉＮ系材料）の他にも、例えば、酸化
されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＯ系材料）、
酸化及び窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉ
ＯＮ系材料）、酸化されたタンタル及びシリコン（Ｔａ
ＳｉＯ系材料）、窒化されたタンタル及びシリコン（Ｔ
ａＳｉＮ系材料）、酸化及び窒化されたタンタル及びシ
リコン（ＴａＳｉＯＮ系材料）、酸化されたタングステ
ン及びシリコン（ＷＳｉＯ系材料）、窒化されたタング
ステン及びシリコン（ＷＳｉＮ系材料）、酸化及び窒化
されたタングステン及びシリコン（ＷＳｉＯＮ系材
料）、酸化されたチタン及びシリコン（ＴｉＳｉＯ系材
料）、窒化されたチタン及びシリコン（ＴｉＳｉＮ系材
料）、酸化及び窒化されたチタン及びシリコン（ＴｉＳ
ｉＯＮ系材料）、酸化されたクロム及びシリコン（Ｃｒ
ＳｉＯ系材料）、窒化されたクロム及びシリコン（Ｃｒ
ＳｉＮ系材料）、酸化及び窒化されたクロム及びシリコ
ン（ＣｒＳｉＯＮ系材料）、フッ化されたクロム及びシ
リコン（ＣｒＳｉＦ系材料）などが挙げられる。さら
に、これらの物質は、ハーフトーン材料膜としての機能
を損なわない範囲で、これらの化合物、又はこれらの物
質との化合物として、炭素、水素、フッ素、或いはヘリ
ウムその他の従来一般的に表記されている物質を適量含
んでもよい。

【００７８】また、本発明では、例えば、モリブデンシ
リサイドの酸化物、モリブデンシリサイドの窒化物、モ
リブデンシリサイドの酸化窒化物、タンタルシリサイド
の酸化物、タンタルシリサイドの窒化物、タンタルシリ
サイドの酸化窒化物、タングステンシリサイドの酸化
物、タングステンシリサイドの窒化物、タングステンシ
リサイドの酸化窒化物、チタンシリサイドの酸化物、チ
タンシリサイドの窒化物、チタンシリサイドの酸化窒化
物、或いはこれらの物質の１種以上と窒化ケイ素及び／
又は金属窒化物との混合物などの物質の、ハーフトーン
材料膜を構成する材料として使用できる。

【００７９】

【発明の効果】本発明によれば、遮光膜を有するブラン
クを用いて製造されるハーフトーン型位相シフトマスク
における、ハーフトーン材料膜パターンの寸法精度の向
上が図られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例によるハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクの断面を示す模式図である。

【図２】実施例によるハーフトーン型位相シフトマスク
の製造方法を説明する為の図である。

【図３】実施例によるハーフトーン型位相シフトマスク
の断面を示す模式図である。

【図４】各実施例において採用した条件などをまとめた
図である。

【図５】実施例による別のハーフトーン型位相シフトマ
スクを示す模式図である。

【図６】本発明との対比の各比較例において採用した条
件などをまとめた図である。

【符号の説明】

１ハーフトーン型位相シフトマスクブランク２透明基板３ハーフトーン材料膜４金属膜５反射防止膜８ハーフトーン型位相シフトマスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者牛田正男東京都新宿区中落合２丁目７番５号ホーヤ株式会社内Ｆターム(参考） 2H095 BB02 BB03 BB35 BB36 BB37 BC05 BC09 BC13 BC24

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透光性基板上に、ハーフトーン材料膜と、
このハーフト−ン材料膜上に形成された遮光膜とを有す
るハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記遮光膜の膜厚が、前記ハーフトーン材料膜と積層し
たときの露光光に対する遮光性が充分である膜厚であ
り、且つ７７ナノメートル以下の範囲とされていること
を特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブラン
ク。
【請求項２】前記遮光膜の膜厚が、５０ナノメートル以
上であることを特徴とする請求項１記載のハーフトーン
型位相シフトマスクブランク。
【請求項３】前記遮光膜が、炭素、酸素、及び窒素のう
ち少なくとも１つの元素と、クロムとの化合物を含んで
構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の
ハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項４】前記遮光膜は、その表面が反射防止機能を
発揮するよう構成されてなることを特徴とする請求項１
乃至３の何れか記載のハーフトーン型位相シフトマスク
ブランク。
【請求項５】前記遮光膜は、その表面側が少なくとも反
射防止機能を発揮すると共に、そのハーフトーン材料膜
側が少なくとも遮光機能を発揮するよう構成され、且つ、当該表面側から当該ハーフトーン材料膜側に向か
って段階的及び／又は連続的にその成分が変化するよう
構成されてなることを特徴とする請求項１乃至４の何れ
か記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項６】前記遮光膜の表面側は、クロムと、酸素及
び窒素の少なくとも何れか一方と、の化合物を含んで構
成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れか
記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項７】請求項１乃至６の何れか記載のハーフトー
ン型位相シフトマスクブランクを用いるハーフト−ン型
位相シフトマスクの製造方法であって、前記遮光膜の上にレジストパターンを形成し、当該レジ
ストパターンをマスクとして第１のエッチングを施すこ
とにより遮光膜パターンを形成する第１工程と、次いで、少なくとも前記遮光膜パターンをマスクとして
第２のエッチングを施すことにより前記ハーフトーン材
料膜をパターニングする第２工程と、次いで、前記遮光膜パターンの一部又は全部を除去する
第３工程とを含むことを特徴とするハーフトーン型位相
シフトマスクの製造方法。