JP3250973B2 - ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク - Google Patents
ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクInfo
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Description
露光光間に位相差を与えることにより、転写パターンの
解像度を向上できるようにした位相シフトマスク及びそ
の素材としての位相シフトマスクブランクに関し、特
に、いわゆるハーフトーン型位相シフトマスク及びハー
フトーン型位相シフトマスクブランクに関する。
細パターンのマスクであるフォトマスクの一つとして、
ハーフトーン型位相シフトマスクが用いられている。
マスクを通過する露光光間に位相差を与えることによ
り、転写パターンの解像度を向上できるようにしたもの
である。
つに、特に単一のホール、ドット、又は、ライン等の孤
立したパターン転写に適したものとして、特開平6ー3
32152号公報に記載のハーフトーン型位相シフトマ
スクが知られている。
マスクは、透明基板上に形成するマスクパターンを、実
質的に露光に寄与する強度の光を通過させる光透過部
と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光
半透過部とで構成し、かつ、この光半透過部を通過する
光の位相をシフトさせて、この光半透過部を通過した光
の位相が前記光透過部を通過した光の位相に対して実質
的に反転する関係となるようにすることにより 、前記
光透過部と半光透過部との境界部近傍を通過した光が互
いに打ち消し合うよう にして、前記境界部のコントラ
ストを良好に保持できるようにしたものである。
クは、光半透過部が、露光光を実質的に遮断する遮光機
能と光の位相をシフトさせる位相シフト機能との二つの
機能を兼ねることになるので、遮光膜パターンと位相シ
フト膜パターンとを別々に形成する必要がなく、構成が
単純で製造も容易であるという特徴を有している。
てのハーフトーン型位相マスクブランクの一従来例とし
て、図6及び図7に示すものが知られている。
クブランクは、透明基板1上に、たとえば、モリブデン
・シリコン(MoSi)系ハーフトーン材料膜2が形成
されたものであり、また、図7(a)に示すハーフトー
ン型位相マスクブランクは、透明基板1上にモリブデン
・シリコン系ハーフトーン材料膜2が形成され、このハ
ーフトーン材料膜2上に、電子線露光時に前記透明基板
1が帯電して、電子線の進行経路が不安定になることを
防止するためのモリブデン金属膜3が形成されたもので
ある。
クブランクからハーフトーン型位相マスクを製造する場
合、図6(b)及び図7(b)に示すように、それぞれ
ハーフトーン材料膜2上にレジスト膜4を形成し、この
レジスト膜4に対して電子線露光及び現像を行なって、
図6(c)及び図7(c)に示すように、所望のレジス
トパターン5を形成し、このレジストパターン5をマス
クとしてモリブデン金属膜3及び/又はハーフトーン材
料膜2をエッチングするとき、レジストパターン5自体
もそのエッジ部分からエッチングされてしまうため、ハ
ーフトーン材料膜2の寸法制御が正確に行なわれず、そ
の結果、ハーフトーン材料膜2を高精度にエッチングす
ることができないという問題があった。
マスクができあがるまでの各処理工程では、酸やアルカ
リ等の各種薬品を使用することがあるが、これらの薬品
の作用により、ハーフトーン材料膜2が特性変化を起こ
して、希望するハーフトーン特性が得られなくといった
問題も生じていた。
に、図8(a)に示すように、ハーフトーン材料膜2に
対して撰択エッチング可能な金属膜6を、前記ハーフト
ーン材料膜2上に形成したハーフトーン型位相シフトマ
スクブランクが、特開平8ー101493号公報におい
て提案されている。
ンクは、透明基板1上に、MoSiOxNy(x・y:
整数)ハーフトーン材料膜2を形成し、このハーフトー
ン材料膜2上にCr金属膜6を積層した構成となってい
る。
属膜6とMoSiOxNyハーフトーン材料膜2とをそ
れぞれ独立してエッチング処理できるので、ハーフトー
ン材料膜2に対して種々の好ましい処理を施すことがで
き、前記ハーフトーン材料膜2を高精度にパターニング
することができることが可能となった。
(a)に示すハーフトーン型位相シフトブランクにおい
ては、ハーフトーン型位相シフトマスクを製造する際
に、前記金属膜6上にレジスト膜7を形成し、図8
(b)に示すように、前記レジスト膜7に対して電子線
露光を行なった後に現像を行なって、図8(c)に示す
ように所望のレジストパターン8を形成し、このレジス
トパターン8をマスクとして前記金属膜6、又は、金属
膜6及びハーフトーン材料膜2をエッチングするとき、
ハーフトーン材料膜2上に金属膜6中の金属が残り、そ
の微細な金属をマスクとして前記ハーフトーン材料膜2
がパターニングされてしまうので、パターンの欠陥が発
生するといった問題がある。
膜2上に撰択エッチング可能なCr金属膜を形成して、
このCr金属膜6をウェットエッチングでパターニング
したときに、Cr金属膜6のエッチングレートが遅いた
めに、MoSiOxNyハーフトーン材料膜2に全く影
響がないとはいえず、光学特性に少なからず影響を与え
ている。
膜6との密着強度が十分でなく、膜剥離が発生してしま
うといった問題もある。
なされたもので、高精度のパターニングが可能で、か
つ、耐酸性及び信頼性の高いハーフトーン型位相シフト
マスク及びハーフトーン型位相シフトマスクブランクを
提供することを解決すべき課題とする。
ための手段として、請求項1の発明は、透明基板と、こ
の透明基板上に形成されたハーフトーン材料膜と、この
ハーフトーン材料膜上に形成された金属膜を有するハー
フトーン位相シフトマスクブランクにおいて、前記金属
膜を表面側から透明基板側に向かって段階的に及び/又
は連続的にエッチングレートの異なる材料で構成するこ
とによって、エッチングレートが表面側から透明基板側
に向かうにしたがって段階的に及び/又は連続的に速く
なるように設定したことを特徴とするハーフトーン型位
相シフトマスクブランクである。
フトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記金
属膜の表面側を高導電性の材料で構成したことを特徴と
するハーフトーン型位相シフトマスクブランクである。
のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
前記金属膜の透明基板側を少なくとも窒素を含有する材
料で構成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクである。
のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、
前記金属膜の表面側を少なくとも炭素を含有する材料で
構成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマ
スクブランクである。
ずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブラン
クにおいて、前記金属膜をエッチングレートの異なる複
数の金属膜で構成したことを特徴とするハーフトーン型
位相シフトマスクブランクである。
フトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記金
属膜の透明基板側の窒素含有量を5〜60at%にした
ことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクである。
フトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記金
属膜の透明基板側の窒素の含有量を10〜40at%に
したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク
ブランクである。
ずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブラン
クにおいて、前記金属膜上に反射防止膜を形成したこと
を特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク
である。
ずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブラン
クにおいて、前記ハーフトーン材料膜が、モリブデン及
びシリコンを主たる構成要素とし、前記金属膜がクロム
を主たる構成要素とすることを特徴とするハーフトーン
型位相シフトマスクブランクである。
いずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクの少なくとも前記ハーフトーン材料膜をパターニン
グしてなることを特徴とするハーフトーン型位相シフト
マスクである。
料膜上に形成した金属膜を、この金属膜表面側から透明
基板側に向かうにしたがって、段階的又は連続的にエッ
チングレートの速い膜にすることによって、過剰なオー
バーエッチングによるハーフトーン材料膜のダメージを
防止し、かつ、このハーフトーン材料膜上における金属
膜の金属残りを防止することができる。
相シフト量の制御が行なえ、パターン欠陥のないハーフ
トーン型位相シフトマスクを生成し得るハーフトーン型
位相シフトマスクブランクが得られる。
接する金属膜のエッチングレートは、2nm/sec以
上であることが好ましい。
あると、エッチングレートが遅いので、金属膜の材料に
よっては、金属膜中の金属がハーフトーン材料膜上に残
ってしまうことを完全に除去する場合に、オーバーエッ
チングによるハーフトーン材料膜への影響が発生し好ま
しくない。
シリコン、酸素及び/又は窒素を主たる構成要素とする
ことができ、たとえば、酸化されたモリブデン及びシリ
コン(以下、MoSiO系材料と称す)、窒化されたモ
リブデン及びシリコン(以下、MoSiN系材料と称
す)、酸化及び窒化されたモリブデン及びシリコン(以
下、MoSiON系材料と称す)、酸化されたタンタル
及びシリコン(以下、TaSiO系材料と称す)、窒化
されたタンタル及びシリコン(以下、TaSiO系材料
と称す)、酸化及び窒化されたタンタル及びシリコン
(以下、TaSiON系材料と称す)、酸化されたタン
グステン及びシリコン(以下、WSiO系材料と称
す)、窒化されたタングステン及びシリコン(以下、W
SiN系材料と称す)、酸化及び窒化された酸化された
タングステン及びシリコン(以下、WSiON系材料と
称す)、酸化されたチタン及びシリコン(以下、TiS
iO系材料と称す)、窒化されたチタン及びシリコン
(以下、TiSiN系材料と称す)、酸化及び窒化され
たチタン及びシリコン(以下、TiSiON系材料と称
す)、酸化されたクロム及びシリコン(以下、CrSi
O系材料と称す)、窒化されたクロム及びシリコン(以
下、CrSiN系材料と称す)、酸化及び窒化されたク
ロム及びシリコン(以下、CrSiON系材料と称
す)、フッ化されたクロム及びシリコン(以下、CrS
iF系材料と称す)、等が挙げられる。なお、これらの
物質は、ハーフトーン材料膜としての機能を損なわない
範囲で、これらの化合物あるいはこれらの物質との混合
物として、炭素、水素、フッ素、あるいはヘリウムなど
を微量又は適量含んでもよい。
シリサイドの酸化物、モリブデンシリサイドの窒化物、
モリブデンシリサイドの酸化窒化物、タンタルシリサイ
ドの酸化物、タンタルシリサイドの窒化物、タンタルシ
リサイドの酸化窒化物、タングステンシリサイドの酸化
物、タングステンシリサイドの窒化物、タングステンシ
リサイドの酸化窒化物、チタンシリサイドの酸化物、チ
タンシリサイドの窒化物、チタンシリサイドの酸化窒化
物、あるいは、これらの物質の1種以上と窒化ケイ素及
び/又は金属窒化物との混合物などの物質も、ハーフト
ーン材料膜を構成する材料として使用可能である。
(MoSiO)、窒化されたモリブデンシリサイド(M
oSiN)、酸化及び窒化されたモリブデンシリサイド
(MoSiON)、酸化されたタンタルシリサイド(T
aSiO)、窒化されたタンタルシリサイド(TaSi
O)、酸化及び窒化されたタンタルシリサイド(TaS
iON)、酸化されたタングステンシリサイド(WSi
O)、窒化されたタングステンシリサイド(WSi
N)、酸化及び窒化された酸化されたタングステンシリ
サイド(WSiON)、酸化されたチタンシリサイド
(TiSiO)、窒化されたチタンシリサイド(TiS
iN)、酸化及び窒化されたチタンシリサイド(TiS
iON)、等の従来一般的に表記されている物質もハー
フトーン材料膜を構成する材料として使用可能である。
属、シリコン及び、窒素を主たる構成要素とする、例え
ば、窒化されたモリブデン及びシリコン(MoSiN
系)などが耐酸性、耐光性、導電性、屈折率、透過率、
エッチング選択性などの面から優れているので好まし
い。また、後述するハーフトーン材料膜上に形成される
窒素を含む金属膜との密着性や、その他の相性の面から
考えても、ハーフトーン材料膜としては、MoSiN系
等が好ましい。
(Cr)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、
タンタル(Ta)、チタン(Ti)等の金属又はこれら
の金属主成分とする合金、あるいは、前記金属の酸化
物、窒化物、炭化物等が使用される。但し、前述のハー
フトーン材料膜のエツチング特性と異なるものが好まし
い。
透明基板側へ向かうにしたがって、エッチングレートが
速い膜にするために、たとえば、前記材料を組み合わせ
て積層したり、単層、または、複数層において、前記材
料の酸化度、窒化度、炭化度を段階的又は連続的に変化
させる。
ーン材料膜がモリブデン及びシリコンを主成分とする材
料の場合、CrN/CrC、CrN/Cr、CrN/C
rF、CrN/CrO等の組み合わせが挙げられる。
変化させた膜と、前記金属とを積層させた構成にするこ
とも可能である。
膜上に形成される金属膜の最上層又は最表面を導電性の
良い膜とすることによって、レジスト膜を電子露光して
パターニングする際に、金属膜とレジスト膜との間で電
荷の蓄積がなく、したがって、電子線の進行経路が安定
し高精度のパターニングが可能となる。
として、シート抵抗があるが、前記金属膜の最上層、又
は、最表面のシート抵抗値として、1MΩ/□以下であ
ることが好ましく、さらに好ましくは0.5MΩ/□以
下が望ましい。
ば、ハーフトーン材料膜上に形成される金属膜は、透明
基板側から窒素を含む第1金属膜、炭素を含む第2金属
膜によって構成される。
金属膜の結晶粒が密になるのでハーフトーン材料膜との
密着強度が大きくなると共に、かつ、金属膜の反りが防
止される。
炭素を含む金属膜よりエッチングレートが速いことか
ら、前述した構成とすることにより、金属膜をその表面
側から透明基板に向かって段階的にエッチングレートが
速くなるように変化した構成とすることができる。
を与えることがなくかつ金属残りを除去してパターン欠
陥のないハーフトーン型位相シフトマスクブランクが得
られる。
ブデン及びシリコンを主成分とする材料の場合、第1金
属膜/第2金属膜が、CrN/CrC等が挙げられる。
CrNを積層したもの、第2金属膜として、炭化度の異
なるCrCを積層したものであってもよい。
材料膜にMoSi系材料を使用する場合には、金属膜の
材料にはクロム系を用いることが好ましい。
は、5〜60at%が好適であり、その含有量が5at
%未満であると、第1金属膜の結晶粒が密にならず、透
明基板との密着強度が弱く、また、第1金属膜に応力
(反り)が発生しやすくなり、膜はがれが発生する。
ハーフトーン材料膜へのダメージが無視できなくなり、
透過率や位相シフト量といった光学特性が変化するので
好ましくない。
と、エッチングレートが速くなり、第2金属膜とのエッ
チングレートの差が大きくなってしまい、パターン形成
がオーバーハング形状となって、垂直なパターンが得れ
ないので好ましくない。
最上層の金属膜の先端が欠けやすくなり、この欠けた金
属膜が望まない箇所に付着して黒欠陥が発生することか
ら好ましくなく、パターン形状や生産性を考慮すると、
この窒素含有量の好ましい範囲は10〜40at%で、
より好ましい範囲は15〜30at%である。
最上層として反射防止膜を形成したことにより、描画の
際、金属膜表面の多重反射を防止することによって、精
度の高い転写をすることができる。
を含む金属膜、酸素及び窒素を含む金属膜、あるいは、
フッ素を含む金属膜等があり、具体的にはCrON、C
rO、CrF等が挙げられる。好ましくは、前記金属膜
を構成する金属を主成分とすることが望まれる。これは
パターニングする際に、同じ種類のエッチング剤が使用
可能となるからである。
の請求項1〜請求項9に係わるハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクの少なくともハーフトーン材料膜をパ
ターニングしてハーフトーン型位相シフトマスクを得る
ものであるから、パターン欠陥がなく、高精度にパター
ニングされたハーフトーン型位相シフトマスクが得られ
る。
クは、透明基板上にパターニングされたハーフトーン材
料膜が形成されている構造の他に、遮光性を有する前述
したような金属膜材料や、Cr等の金属をハーフトーン
材料膜の上の適所に設けて、ハーフトーン型位相シフト
マスクの遮光領域の遮光性を高めることも可能である。
さらに詳細に説明する。
フトーン型位相シフトマスクブランク、図2はハーフト
ーン型位相シフトマスクのそれぞれの構成を示す模擬的
断面図、また、図3及び図4はハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクの製造方法を説明するための模擬的断
面図である。
トマスクブランクは、石英からなる透明基板10上に、
MoSiN系材料からなるハーフトーン材料膜11、C
rNの第1金属膜12、および、CrCの第2金属膜1
3を順次積層した構成となっている。
を精密研磨して、6インチ×6インチ、厚さ0.25イ
ンチの透明基板10を作成し、モリブデン(Mo)とシ
リコン(Si)の混合ターゲット(Mo:Si=20:
80mol%)を用いて、アルゴン(Ar)と窒素(N
2 )との混合ガス雰囲気中(Ar:10%、N2:90
%、圧力:1.5× 10-3Torr)で、反応性スパッタ
リングにより、前記透明基板10上に、図3(a) に
示すように、膜厚925オングストロームのMoSiN
のハーフトーン材料膜11を形成した。
に、蛍石、各種ガラス(たとえば、ソーダライムガラ
ス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケー
トガラス等)などが用いられる。
膜12の組成、光学特性を測定したところ、以下の結果
が得られた。
%、N:47at% 屈折率=2.34 波長248nmにおける光透過率=5% 位相シフト量=180° つぎに前記ハーフトーン材料膜11上に、クロム(C
r)ターゲットを用い、アルゴン(Ar)と窒素
(N2 )との混合ガス雰囲気中(Ar:80%、N2 :
20%、圧力:1.5×10-3torr)で、反応性スパッ
タリングにより、図3(b)に示すように、膜厚150
オングストロームのCrNの第1金属膜12を形成し
た。
有量は20at%であり、また、この第1金属膜12の
エッチングレートを測定したところ2.2nm/sec
であった。
ターゲットを用い、アルゴン(Ar)とメタン(C
H4 )との混合ガス雰囲気(Ar:88%、CH4 :1
2%、圧力:1.5×10-3torr)中で、反応型スパッ
タリングにより、図3(c)に示すように、膜厚600
オングストロームのCrCの第2金属膜13を形成し、
超音波洗浄を行なって、ハーフトーン型位相シフトマス
クブランクを得た。
を測定したところ6at%で有り、また、エッチングレ
ートは0.3nm/secであり、また、その光学特性
は、波長450nmでの光学濃度は3.0であった。
験を行なったところハーフトーン材料膜11と、第1金
属膜12、第2金属膜13との間でのはがれは発生せ
ず、良好な膜強度が得られた。
に示すようにレジスト膜14を形成し、パターン露光及
び現像によって、図4(a)に示すようにレジストパタ
ーン15を形成した。
安定した高精度のパターニングが実施されたが、これ
は、得られた第2金属膜13のシート抵抗値を測定した
ところ、0.5MΩ/□以下であり、この結果、良好な
導電性が得られ、前述した電子露光の際、第2金属膜1
3と、レジスト膜14との間に電荷の蓄積がないことに
起因しているものと考えられる。
酸第2セリウムアンモニウム165gと濃度70%の過
酸素塩42mlとに純水を加えて1000mlとしたエ
ッチング液を温度19℃〜20℃に保持し、このエッチ
ング液によってウェットエッチングを施して、第2金属
膜13及び第1金属膜12を、図4(b)に示すように
パターニングした。
いて、ハーフトーン材料膜11上への第1金属膜12や
第2金属膜13中の金属(Cr)の残存がなく、また、
ハーフトーン材料膜11にダメージは見られなかった。
13とハーフトーン材料膜11とが互いに撰択エッチン
グ可能であり、かつ、ハーフトーン材料膜11に接する
第1金属膜12のエッチングレートが速いことによるも
のと想定される。
と第2金属膜13のエッチング後の幅寸法X2とX1と
の差、すなわち、アンダーカット量が0.02μmとき
わめて小さく、先端がかけるほどのオーバーハング形状
になくことなく垂直なパターンが得られた。これは、第
1金属膜12と第2金属膜13とのエッチングレートの
差が、1.9nm/secと小さいことに起因するもの
と考えられる。
・13のパターンをマスクとして、CF4 とO2 との混
合ガスによるドライエッチングによって、図4(c)に
示すように、前記ハーフトーン材料膜11の露出部分を
除去してハーフトーン材料膜パターン11を形成した。
ーン15を剥離し、さらに、硝酸第2セリウムアンモニ
ウム165gと濃度70%の過酸素塩42mlとに純水
を加えて1000mlとしたエッチング液を温度19°
〜20°に保持し、このエッチング液によってウェット
エッチングを施して、第2金属膜13及び第1金属膜1
2を除去して、図4(d)に示すように所望パターンの
ハーフトーン材料膜パターン11を備えたハーフトーン
型位相シフトマスクを得た。
フトーン材料膜11上に、膜厚300オングストローム
のCrからなる第1金属膜と、膜厚150オングストロ
ームのCrNからなる第2金属膜を形成した他は、実施
例1と同様にしてハーフトーン型位相シフトマスクブラ
ンクおよびハーフトーン型位相シフトマスクを作成した
(比較例1)。
-3torrのArガス雰囲気中でスパッタリングし、ま
た、第2金属膜は、1.5×10-3torrのArとN
2 との混合ガス雰囲気中(Ar:80%、N2 :20
%)で、反応性スパッタリングにより作成した。
トーン材料膜の表面にダメージが発生し、そのために所
望の位相差が得られないという不具合を生じた。
グレートが、それぞれ1.5nm/sec、2.2nm
/secであり、パターニングする際における、ハーフ
トーン材料膜と接するCrからなる第1金属膜のエッチ
ングレートが、この第1金属膜上に形成されるCrNか
らなる第2金属膜のエッチングレートよりも遅いことに
起因するものと想定される。
マスクブランクについて引っかき試験を行なったとこ
ろ、100枚の試験片中8枚が、第1金属膜と第2金属
膜との間で剥離が発生し、密着強度が不十分であった。
2を形成する際に、ArとN2 との混合ガスに含まれる
N2 の量を調整して、第1金属膜12の窒素の含有量を
5at%(実施例2)、10at%(実施例3)、30
at%(実施例4)、40at%(実施例5)、50a
t%(実施例6)、60at%(実施例7)とし、その
他の条件は前記実施例と同様にして、位相シフト量が1
80°となるようにした各実施例を作成し、また、窒素
の含有量を3at%とした比較例2と、65at%とし
た比較例2とを作成し、これらの各実施例及び比較例に
おける第1金属膜12のエッチングレート(nm/se
c)、第1金属膜12と第2金属膜13のエッチングレ
ートの差(nm/sec)、アンダーカット量(μ
m)、位相シフト量(°)を測定し、その結果を表1に
示す。
の含有量が5〜10at%のとき、アンダーカット量が
0.1μm以下となるので、オーバーハング形状による
金属膜先端の欠けによる黒欠陥の発生が抑制され、ま
た、ほぼ垂直のパターンが形成されて、高精度のパター
ニングが行なわれる。
属膜12のエッチングレートが十分速いので、ハーフト
ーン材料膜11にダメージが生じることが少なく、位相
シフト量も180°ー2°の範囲内に収束させられてお
り、信頼性の高いハーフトーン型位相シフトマスクが得
られる。
量が、前記範囲外である前記比較例2及び比較例3の何
れにおいても、オーバーハング形状となり黒欠陥が発生
しやすくなるとともに、垂直なパターニングがなされ
ず、高精度のパターニングができない。
ーフトーン型位相シフトマスクブランク上に、膜厚25
0オングストロームのCrONからなる酸化防止膜を形
成した他は実施例1と同様としたハーフトーン型位相シ
フトマスクブランクおよびハーフトーン型位相シフトマ
スクを作成した。尚、得られたハーフトーン型位相シフ
トマスクブランクの光学特性、波長365nmでの表面
反射率は20%以下と良い結果が得られた。
-3torrの、アルゴン(Ar)と亜酸化窒素(N
2O)との混合ガス雰囲気中(Ar:80%、N2O:2
0%)で、反応性スパッタリングにより作成した。
ブランクは、実施例1において得られる作用効果に加え
て、表面反射率が低いといった優れた特性を備えてい
る。
や寸法等は一例であって、設計要求とに基づき種々変更
可能である。
フトーン材料膜11上に形成した金属膜12・13を全
て除去したハーフトーン型位相シフトマスクを示した
が、これに限らず、ハーフトーン材料膜上の適所に第1
金属膜や第2金属膜、また、反射防止膜等のパターンを
設けてハーフトーン型位相シフトマスクの遮光性を向上
させることも可能である。
との混合ガス雰囲気中で成膜したが、こ れに限らず、
N2 +O2 ,NO等とArとしても良い。
高精度のパターニングが可能で、かつ、耐酸性ならびに
信頼性の高いハーフトーン型位相シフトマスクブランク
およびハーフトーン型位相シフトマスクを得ることがで
きる。
シフトマスクブランクの構成を示す模擬的断面図であ
る。
シフトマスクの構成を示す模擬的断面図である。
シフトマスクブランクの製造方法を説明するための模擬
的断面図である。
シフトマスクブランクの製造方法を説明するための模擬
的断面図である。
シフトマスクの製造方法を説明するための模擬的断面図
である。
方法の一例を示す模擬的断面図である。
方法の他の例を示す模擬的断面図である。
方法のさらに他の例を示す模擬的断面図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 透明基板と、この透明基板上に形成され
たハーフトーン材料膜と、このハーフトーン材料膜上に
形成された金属膜を有するハーフトーン位相シフトマス
クブランクにおいて、 前記金属膜を表面側から透明基板側に向かって段階的に
及び/又は連続的にエッチングレートの異なる材料で構
成することによって、エッチングレートが表面側から透
明基板側に向かうにしたがって段階的に及び/又は連続
的に速くなるように設定したことを特徴とするハーフト
ーン型位相シフトマスクブランク。 - 【請求項2】 請求項1に記載のハーフトーン型位相シ
フトマスクブランクにおいて、 前記金属膜の表面側を高導電性の材料で構成したことを
特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載のハーフトーン型
位相シフトマスクブランクにおいて、 前記金属膜の透明基板側を少なくとも窒素を含有する材
料で構成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフ
トマスクブランク。 - 【請求項4】 請求項1又は2に記載のハーフトーン型
位相シフトマスクブランクにおいて、 前記金属膜の表面側を少なくとも炭素を含有する材料で
構成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマ
スクブランク。 - 【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかに記載のハ
ーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、 前記金属膜をエッチングレートの異なる複数の金属膜で
構成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマ
スクブランク。 - 【請求項6】 請求項3に記載のハーフトーン型位相シ
フトマスクブランクにおいて、 前記金属膜の透明基板側の窒素含有量を5〜60at%
にしたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマス
クブランク。 - 【請求項7】 請求項3に記載のハーフトーン型位相シ
フトマスクブランクにおいて、 前記金属膜の透明基板側の窒素の含有量を10〜40a
t%にしたことを特徴とするハーフトーン型位相シフト
マスクブランク。 - 【請求項8】 請求項1ないし7のいずれかに記載のハ
ーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、 前記金属膜上に反射防止膜を形成したことを特徴とする
ハーフトーン型位相シフトマスクブランク。 - 【請求項9】 請求項1ないし8のいずれかに記載のハ
ーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、 前記ハーフトーン材料膜が、モリブデン及びシリコンを
主たる構成要素とし、前記金属膜がクロムを主たる構成
要素とすることを特徴とするハーフトーン型位相シフト
マスクブランク。 - 【請求項10】 請求項1ないし9のいずれかに記載の
ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの少なくとも
前記ハーフトーン材料膜をパターニングしてなることを
特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
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