JP4898679B2 - グレートーンマスク用ブランクスを用いたグレートーンマスクの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、液晶カラーディスプレイ装置に用いられるグレートーンマスク用ブランクスを用いたグレートーンマスクの製造方法に関するものである。
近年、薄膜トランジスタ液晶表示装置(TFT−LCD)の製造において、コストダウンを図る技術の開発が進められている。カラーフィルター製造工程においては、高コストなフォトリソ工程を用いず、低コストであるインクジェット方式による作成が試みられ、TFT基板製造工程においては、グレートーンマスクを用いてTFTチャネル部の形成工程やイオン注入工程などに用いられるマスク数を削減し、フォトリソ工程を少なくすることが提案されている(特許文献1参照)。
グレートーンマスクと呼ばれるフォトマスクは、通常のフォトマスクと異なり、グレートーンマスク1枚から二種類以上の露光量が得られ、1枚のグレートーンマスクで従来のフォトマスクの2枚以上の工程を行うことができ、マスク数、すなわち、フォトリソ工程を少なくできる。
グレートーンマスクの構造は遮光部と開口部と半透光部から成り、遮光部と開口部は通常のフォトマスクと同じ機能を有し、半透光部は開口部に対して中間の露光量を得るようにされている。グレートーンマスクから得られる露光量を二種類とした場合、開口部からの露光量100%と半透光部からの中間の露光量となる。半透光部からの露光量は半透光部の透過率で決まり、TFT基板製造工程に求められる条件に応じて20〜50%の範囲で選択される。なお、当然遮光部からの露光量は0%である。
また、グレートーンマスクは半透光部の構造から二種類に分類され、一つは、添付図面の図8に示すようなスリットマスクと呼ばれるタイプであり、もう一つは図9〜図12に示すようなハーフトーンマスクタイプと呼ばれるタイプがある。これらの図においてAは遮光部、Bは半透光部、Cは開口部である。
図8に示すスリットマスクタイプのグレートーンマスクは露光機の解像限界の微細パターンを半透光部Bとして用いることにより中間の露光量を得ている(特許文献1、特許文献4及び特許文献5参照)。現在のLCD用大型マスクの露光機の解像限界が3〜4μmであるので、半透光部の微細パターンは1〜2μmのサイズとなるが、微細パターンの欠陥検出及び欠陥修正は、現在のLCD用大型マスクの技術では難しい。
ハーフトーンマスクタイプのグレートーンマスクは、製造法方法及びマスク構造において、さらに四種類に分類される。図9に示すマスク構造では半透光部Bは遮光膜をハーフエッチングすることにより形成される。透明性のある酸化Cr膜(CrOx膜)等のCr化合物を遮光膜とし、この遮光膜のウエット又はドライエッチングによるハーフエッチングで中間の膜厚の半透光部を得る技術が提案されている(特許文献2参照)。酸化Cr膜(CrOx膜)等のCr化合物は金属Cr膜よりも遮光性が得られる膜厚が厚いため、中間の膜厚を得るためのハーフエッチングは金属Cr膜よりも容易であると述べている。このマスク構造における半透光膜の組成は酸化Cr膜(CrOx膜)となる。しかし、この方法でも、大型マスク全面でのハーフエッチングによる膜厚制御及び半透光部の面内の均一性を保証するのは困難である。
図10に示すマスク構造は、半透光膜D、ストッパー膜E及び遮光膜Fの三層膜構造とし、ストッパー膜Eを用いてエッチストップさせることによりハーフエッチングによる膜厚制御を可能とし、半透光部Bを得ている(特許文献3参照)。特許文献3によればストッパー膜はSiO等の透過率に影響を与えないものとし、半透光膜と遮光膜は同一材料でも異種材料でもよいと記載されている。ストッパー膜をSiOとし、半透光膜と遮光膜をCr膜とした場合、開口部Cを得るためのエッチングは1)Crエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムを含む溶液)、2)フッ酸エッチング液及び3)Crエッチング液を用いた三工程となる。また半透光部Bを得るためのエッチングはCrエッチング液を用いた一工程(ストッパー膜の除去を行う場合は二工程)となる。また、半透光膜の組成として酸化Cr膜(CrOx膜)及び、(金属)Cr膜等が提案されている。しかし、この方法では、エッチングの工程数が多くコストがかかる問題がある。
図11には、半透光膜G及び遮光膜Hを同じ又は異なる組成の二層膜構造とし、通常のCr膜フォトマスクパターンをフォトリソ工程で形成した後、マスク開口部の一部に酸化Cr膜(CrOx膜)、(金属)Cr膜、酸化MoSi膜(MoSiOx膜)、(金属)Si膜、窒化Si膜(SixNy膜)、(金属)W膜、(金属)Al膜等の半透光膜を再度成膜し、半透光部Bを形成したマスク構造が示されている。このようなプロセスは特許文献1、特許文献6及び特許文献9に提案されている。
図12に示すマスク構造は、図11に示すマスク構造と逆の構造になり、半透光膜I及び遮光膜Jを異なる組成の二層膜構造とし、各層のドライエッチング性の差を利用し、ハーフエッチングで中間の膜厚の半透光部Bを得ている。かかるプロセス技術は特許文献7及び特許文献8に提案されている。二層膜構造において、半透光膜を酸化MoSi膜(MoSiOx膜)、遮光膜をCr膜とした場合、Cr膜は塩素系ガスを用いたドライエッチング、あるいは、Crエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムを含む溶液)を用いたウエットエッチングを行い、次に、酸化MoSi膜(MoSiOx膜)をフッ素系ガスを用いたドライエッチングでそれぞれ選択的にエッチングを行い中間の膜厚を得る技術が提案されている。しかし、この方法では、プロセスが複雑で、且つ、開口部パターンの断面形状において、二層膜の断面形状を合わせ込むのは困難であり、図13及び図14に示すように開口部Cにおける半透光膜I及び遮光膜Jの端面がずれてしまう。
図8に示すようなスリットマスクタイプのグレートーンマスクの加工プロセスは通常のフォトマスクのフォトリソ工程と同じである。また図9、図10、図11及び図12に示すようなハーフトーンマスクタイプのグレートーンマスクにおいてこれらのようなハーフエッチングを用いるグレートーンマスクの加工プロセスは特許文献2及び特許文献9に記載されているように、二回のフォトリソ工程で行うのが一般的であるが、工程数の少ない加工プロセスも提案されている(特許文献3、特許文献6、特許文献7、特許文献8、特許文献10及び特許文献11参照)。
ところで、Cr膜及び酸化Cr膜(CrOx膜)はその優れた加工性、及び、加工プロセスに対する各種耐性(耐薬品性等)が非常に優れていることから、フォトマスク、ブラックマトリクス、配線材等様々な用途に利用されているが、近年、環境性の懸念からCr代替え材料の開発が行われている(特許文献12及び特許文献13参照)。NiMoを主成分とする薄膜(特許文献12、特許文献13及び特許文献14参照)、NiMoA1、NiMoTiを主成分とする薄膜(特許文献15参照)は、Cr膜及び酸化Cr膜(CrOx膜)と同等以上の加工性、及び加工プロセスに対する各種耐性(耐薬品性等)を有しており、ブラックマトリクス材料として有用であると提案されている。これらの材料を用いてフォトマスクを作成することも可能である。
特開平8−250446公報 特開平7−49410公報 特開2002−189281公報(分割出願;特開2005−10814公報) 日本国特許第3586647号(特開平2002−196474公報) 日本国特許第3590373号(特開平2002−244272公報) 特開2005−257712公報 特開2005−24730公報 特開2005−37933公報 特開2006−18001公報 特開2002−189280公報 特開2005−91855公報 特開平9−243801公報 WO97/31290 特開平10−301499公報 特開平11−119676公報 上述のように、グレートーンマスクは、種々の構造、及び製法が提案されているが、そのいずれも高コストなプロセスが用いられており、また、半透光部の面内均一性の保証が難しく、パターン形状、パターン断面形状に問題を抱えているため実施が困難である。
本発明は、上記問題点を鑑み、液晶カラーディスプレイ製造のコストダウン化技術に必要であり、優れた加工性かつ良好なパターン形状を有し、低コストなプロセスで製造できるグレートーンマスク用ブランクスを用いたグレートーンマスクの製造方法を提供することを目的としている。
発明の特徴によれば、遮光部と、開口部と、半透光部とから成るパターンを有するグレートーンマスク用ブランクスであって、透明基板の表面上に直接若しくは間接に付着させて形成した遮光膜及び半透光膜を有し、遮光膜がNiとMoを含み、半透光膜がCrを含むグレートーンマスク用ブランクスを用いてグレートーンマスクを製造する方法が提供され、この方法は、
遮光膜及び半透光膜を、第一のエッチング液を用いてエッチングし、さらに、半透光膜をエッチングせず遮光膜のみを選択的にエッチングする第二のエッチング液でハーフエッチングし、
前記第一のエッチング液としてCrエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムを含む溶液)、FeNO溶液又は希硝酸(HNO)溶液を用い、
前記第二のエッチング液としてITOエッチング液(HC1+FeC1)又はFeC1溶液を用いること
を特徴としている。
また別の実施形態によれば、遮光部と、開口部と、半透光部とから成るパターンを有するグレートーンマスク用ブランクスであって、透明基板の表面上に直接若しくは間接に付着させて形成した遮光膜及び半透光膜を有し、遮光膜がNi、Mo、Alを含み、半透光膜がNi、Mo、Tiを含むグレートーンマスク用ブランクスを用いてグレートーンマスクを製造する方法が提供され、この方法は、
遮光膜及び半透光膜を、第一のエッチング液を用いてエッチングし、さらに、半透光膜をエッチングせず遮光膜のみを選択的にエッチングする第二のエッチング液でハーフエッチングし、
前記第一のエッチング液としてCrエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムを含む溶液)、FeNO溶液又は希硝酸(HNO)溶液を用い、
前記第二のエッチング液としてAlエッチング液(燐酸+硝酸+酢酸)又はAgエッチング液(燐酸+硝酸+酢酸)を用いること
を特徴としている。
このように構成したことによって、遮光膜のみを選択的にウエットエッチングできるエッチング液でハーフエッチングを行い半透光部を形成できるので、大型マスク全面でのハーフエッチングによる半透光部の膜厚制御は容易となり、また、半透光膜と遮光膜を二回に分けて成膜すれば、半透光膜成膜後に半透光膜の透過率の検査ができるので、半透光部の透過率の面内均一性を保証することは容易となる。
また、遮光膜と半透光膜の組成は異なっているものの、遮光膜と半透光膜の両方を同じエッチング速度を有するエッチング液で、一回の工程でエッチングを行い開口部を形成するので、開口部パターンの断面形状は垂直になり良好である。さらに、グレートーンマスクの製造工程としては他の構造又は製法のグレートーンマスクよりも工程数は少なく低コストで製造できる。
本発明によるグレートーンマスク用ブランクスは液晶カラーディスプレイ製造のコストダウン化に寄与でき、加工性の優れたものを提供できる。
また、本発明によるグレートーンマスクの製造方法によれば、液晶カラーディスプレイ製造のコストダウン化技術に必要なグレートーンマスクにおいて、優れた加工性かつ良好なパターン形状を有し、低コストなプロセスでグレートーンマスクを提供できるようになる。
以下、添付図面の図1〜図7を参照して本発明の実施形態について説明する。
図1には、本発明によるグレートーンマスク用ブランクス及びそれを用いたグレートーンマスクの製造方法の一実施形態を示す。図1の(a)にはグレートーンマスク用ブランクスの構成を示し、図示グレートーンマスク用ブランクスは透明ガラス基板1の表面上に直接若しくは間接に付着させて形成した半透光膜2及び遮光膜(反射防止膜を含む)3を有し、遮光膜3上にポジ型レジストを塗布し、プリベークを行うことによりレジスト膜4が形成されている。遮光膜3及び半透光膜2はそれぞれ金属成分の組成が異なっている。
遮光膜3は露光光に対する遮光性(光学濃度ODにおいて、3.0〜5.0)を、ある膜厚で有する材料であるが、遮光膜単独で完全に遮光する必要はなく、遮光膜(さらに反射防止膜を含め)と半透光膜を合わせてその遮光性を達成してもよい。
半透光膜2は開口部に対して中間の露光量を得るためのものであり、半透光膜2から得られる露光量は半透光膜2の透過率で決まり、TFT−LCD製造工程に求められる条件に応じて20〜50%の範囲で選択される。また、この半透光膜2の透過率は、図3、図4、図5、及び図6に示すように膜厚で制御可能である。すなわち図3に示すように半透光膜2の組成がCr膜の場合では、5〜10nmの膜厚範囲において、図4のCrOx膜の場合では、10〜40nmの膜厚範囲において、図5のNiMo22Ti15膜の場合では、5〜20nmの膜厚範囲において、また、図6のNiMo22Ti15Ox膜の場合では、25〜65nmの膜厚範囲において、それぞれ所望の透過率が得られる。
Cr膜、NiMo22Ti15膜等の金属膜よりもCrOx膜、NiMo22Ti15Ox膜等の酸化膜又は酸窒化膜の方が透明性が高く、遮光性の得られる膜厚が大きくなるので、透過率に対する膜厚制御範囲が広く実用的である。また、半透光膜2が酸化膜又は酸窒化膜である場合には、成膜条件(反応ガス量)でも透過率の制御は可能であるが、膜組成は安定な酸化度の範囲で用いるのが好ましく、成膜条件で透過率の制御を行う場合は微調整程度での適用とし、主には膜厚で透過率の制御を行う方が好ましい。
遮光膜3及び半透光膜2の組成は以下の理由で選択した。表1には各種NiMoTi膜、NiMoTiOx膜、NiMoAl膜、NiMoAlOx膜、NiMo膜、Cr膜、CrOx膜、(参考データとして純Ni膜、純Mo膜、純Ti膜(、NiCr膜))についてそれぞれCrエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸を含む溶液)、ITOエッチング液(HC1+FeC1)、(FeC1溶液)、A1エッチング液(燐酸+硝酸+酢酸)、FeNO溶液(、希硝酸(NHO)溶液)に対する(室温でエッチングを行った場合の)エッチングレートを示す。
Figure 0004898679
Crエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸を含む溶液)を用いた場合は、Cr膜(NO.16)、CrOx膜(NO.17)はいずれも可溶であり、NiMoTi膜、NiMoTiOx膜、NiMOAl膜、NiMoA1Ox膜、NiMo膜はある組成範囲内で、具体的には、NiMo21Ti17(NO.2)、NiMo22Ti15(NO.3)、NiMo22Ti15Ox(NO.4)、NiMo22Ti12(NO.5)、NiMo23Ti10(NO.7)、NiMo23Ti9(NO.8)、NiMo15Al20(NO.9)、NiMo15Al20Ox(NO.10)、NiMo25(NO.11)、において可溶、且つ、Cr膜、CrOx膜と差のないエッチングレート(1.0〜3.0nm)を示している。
上記組成範囲のNiMoTi膜、NiMoTiOx膜、NiMoAl膜、NiMoAlOx膜、NiMo膜は、ITOエッチング液、FeNO溶液に可溶であるが、Cr膜、CrOx膜はこれらのエッチング液には溶解しない。
本発明はこれらのエッチング性を利用してグレートーンマスクの加工(半透光部の作成)を行う。すなわち、遮光膜3と半透光膜2は、同じエッチング速度を有する第一のエッチング液を用いてウエットエッチングし、さらに、半透光膜2をエッチングせず遮光膜3のみを選択的にエッチングする第二のエッチング液でハーフエッチングする。
上記のエッチング性を示すようなグレートーンマスクブランクスの膜構成では、遮光膜3と半透光膜2は、同じエッチング速度を有する第一のエッチング液を用いてウエットエッチング可能であること、半透光膜2をエッチングせず遮光膜3のみを選択的にエッチングする第二のエッチング液を用いてハーフエッチング可能であることの、二つの条件を満たすことが必要である。
膜構成の例を表2に示す。
Figure 0004898679
表2に示すように、遮光膜がNlMo22Ti15膜で半透光膜がCr膜(NO.18)、遮光膜がNiMo22Ti15膜で半透光膜がCrOx膜(NO.19)、遮光膜がNiMo15Al20膜で半透光膜がCrOx膜(NO.21)、遮光膜がNiMo25膜で半透光膜がCrOx膜(NO.22)である場合には、遮光膜と半透光膜の両方をエッチングする第一のエッチング液はCrエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸を含む溶液)となり、また、半透光膜をエッチングせず遮光膜のみを選択的にエッチング(ハーフエッチング)する第二のエッチング液はITOエッチング液(HCl+FeCl)、の他に、FeNO溶液を用いることも可能である。
遮光膜がTi含有量の少ないNiMo23Ti10(NO.7)及びNiMo23Ti9(NO.8)、NiMo15Al20(NO.9)、及びNiMo25(NO.11)である場合(半透光膜が例えばCrOx膜を用いて)のみ第二のエッチング液はAlエッチング液(燐酸+硝酸+酢酸)を用いることも可能である。
さらにCr元素を含まないグレートーンマスクブランクスである膜構成として、遮光膜がNiMo22Ti15膜で半透光膜がNiMo15Al20膜(NO.23)、遮光膜がNiMo22Ti150x膜で半透光膜がNiMo15Al20膜(NO.24)も可能であり、遮光膜のNiMo22Ti15膜、及び、NiMo22Ti150x膜はAlエッチング液にはほぼ溶解しない(エッチングレートが小さい)ので、この場合は、第一のエッチング液はCrエッチング液又はFeNO溶液となり、第二のエッチング液はAlエッチング液となる。
実験に基づいて例示した上記組み合わせ以外にも膜構成は可能であり、例えば、NiMoAlOx膜、NiMoOx膜を半透光膜とし、NiMoA1膜、NiMo膜を遮光膜とすることも上記結果から容易に推測できる。
また、表2において、比較例の純Mo膜(NO.14)もCrエッチング液に対して、1.0〜3.0nmのエッチングレート範囲にあり、しかもITOエッチング液及びFeNO溶液に可溶であり、遮光膜として用いることも可能であるが、純Mo(及び純Ni)膜はマスク加工プロセスに対する各種耐性(耐薬品性や耐水性等)に乏しいことが知られている。そのため、これらの単層膜を用いるよりもNiMoTi膜、NiMoAl膜、NiMo膜、より好ましくは、耐薬品性や耐水性に最も優れたNiMoTi膜を遮光膜に用いた方がよい。
さらに、表2において、比較例に示すように、純Ni膜、純Mo膜、純Ti膜のエッチング特性は、Ni膜がCrエッチング液に不溶であり、ITOエッチング液(特にFeC1に対して)に高い可溶性を示すのに対して、純Mo膜のITOエッチング液のエッチングレートは純Ni膜と比較して小さいが、Crエッチング液を始めとして、各種酸性エッチング液にも可溶性を示し、エチングレートが大きいといった違いを示す。NiとMoを組み合わせることにより、各種エッチング液に対するエッチングレートを調整するだけでなく、耐薬品性を向上させることが可能である。純Ti膜はいずれのエッチング液にも不溶であり、耐薬品性に優れている。NiMo膜の耐薬品性や耐水性をさらに向上させるためには、Ti又はAl等を添加する必要がある。
上記のような膜構成のブランクスから得られたマスクの開口部のパターン断面形状は、遮光膜と半透光膜の両方を同じエッチング速度を有する第一のエッチング液を用いて、一回の工程でエッチングを行い開口部を得るので、組成が異なる二層膜でも開口部パターンの断面形状すなわち半透光膜2と遮光膜3との断面形状は表2及び図2に示すように垂直になり良好であった。
また、組成が異なる二層膜でも二層別々にエッチングする必要がないので、工程数を少なくでき、マスクの製造コストを低減できる。
さらに、半透光膜をエッチングせず遮光膜のみを選択的にエッチングする第二のエッチング液を用いてハーフエッチングを行うことにより、大型マスク全面でのハーフエッチングによる半透光部の膜厚制御は容易であり、また、ブランクスの成膜時に半透光膜の透過率の調整ができるので、半透光部の透過率の面内均一性を容易に保証することができる。
遮光膜上に反射防止膜(遮光膜と同一の金属成分の酸化膜又は酸窒化膜)を用いる場合には、開口部を得るための第一のエッチング液、及び半透光部を得るための第二のエッチング液の両方において、遮光膜とのエッチングレートに差のない組成範囲(酸化度)でなければならない。反射防止膜がNiMo22Ti150x膜(NO.4)である場合には、遮光膜のNiMo22Ti15膜(NO.3)に対してCrエッチング液、及びITOエッチング液、FeNO溶液のエッチングレートに大きな差はなく使用可能である。また反射防止膜がNiMo15Al20Ox膜(NO.10)である場合には、遮光膜のNiMo15Al20膜(NO.9)に対してCrエッチング液、及びAlエッチング液、FeNO溶液のエッチングレートに大きな差はなく使用可能である。
反射防止膜を含むグレートーンマスクの膜構成の例として、遮光膜がNiMo22Ti15膜であり、反射防止膜がNiMo22Ti150x膜であり、半透光膜がCrOx膜(NO.20)であるグレートーンマスクを作成した。このグレートーンマスクは図7に示すように低反射特性を示し、フォトマスクとして実用的に使用できる特性(反射率が436nmにおいて5.0〜15.0%、600nmにおいて15.0〜25.0%)を示している。三層膜でも開口部パターンの断面形状は図2及び表2に示すように垂直になり良好であった。
本発明に使用されるCrエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸又は硝酸等とを含む溶液)、ITOエッチング液(HCl+FeC1系)、Alエッチング液(燐酸+硝酸+酢酸)は調整された市販のものを用いることができる。Alエッチング液は配合比率の異なるAgエッチング液(燐酸+硝酸+酢酸)を用いることも可能である。ITOエッチング液の代わりに、表1に示すように、市販のFeC1溶液を単独で使用することもできる。FeNO溶液は市販のFeNOを純水中に溶解し、例えば5〜50wt%の濃度で使用でき、代わりに、表1に示すように、希硝酸(HNO)溶液(例えば5〜35wt%)を使用することもできる。
次に、再び図1を参照してこのマスクブランクスを用いたグレートーンマスクの製造工程について説明する。
図1の(b)はレジスト露光及び現像工程を示し、(a)に示すグレートーンマスク用ブランクスを露光、現像し、レジストパターン5を形成する。
次に、図1の(c)に示すエッチング工程では、このレジストパターンをマスクとして、遮光膜3と
半透光膜2の両方をエッチングできるCrエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムを含む
溶液)を用いてエッチングを行い、開口部6を形成する。
次に、図1の(d)の工程ではアルカリでレジスト膜4が除去される。
次に、図1の(e)に示す段階において、再度ポジ型レジストを塗布し、レジスト膜7を形成する。
こうして形成したレジスト膜7を図1の(f)に示す工程において露光、現像し、レジストパターン8を形成する。
図1の(g)はハーフエッチング工程を示し、このレジストパターン8をマスクとして、遮光膜3のみを選択的にエッチングできるITOエッチング液(HCl+FeC1)を用いてハーフエッチングを行い半透光部9を形成する。
最後に、図1の(h)の工程において、アルカリでレジスト膜7が除去され、グレートーンマスクが得られる。図1の(h)において、10は遮光部である。
なお本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。遮光膜(反射防止膜を含む)、及び半透光膜は本発明の製造方法を満たすようなエッチング特性を示すものであれば、本実施形態以外のNi合金組成に関しても使用可能である。例えば、表1に参考データとして示したNiCr22(ニクロム)も遮光膜又は半透光膜として本発明のグレートーンマスクの製法に適用可能なことも容易に推測できる。また、本発明の実施形態では、半透光膜の透過率を20〜50%としているが、透過率は液晶カラーディスプレイ製造の露光プロセスにより決められるものであり、これら透過率は20〜50%に限定されない。

実施例 1
透明基板上にNiMo18原子%とTi27原子%、NiMo21原子%とTi17原子%、NiMo22原子%とTi15原子%、NiMo22原子%とTi12原子%、NiMo18原子%とTi12原子%、NiMo23原子%とTi10原子%、NiMo23原子%とTi9原子%、NiMo15原子%とAl20原子%、NiMo25原子%、NiMo7原子%からそれぞれ成る焼結体ターゲット、及び純Crターゲットを使用して所定の雰囲気ガスの真空チャンバ内で直流スパッタリング法により遮光膜及び半透光膜を成膜した。
透明基板は、5.0mm厚さの石英板、又は4.8mm厚さの青板ガラスを用い、成膜中は真空チャンバ内に設けられた石英ヒーターにより透明基板が120〜200℃になるように加熱した。真空チャンバ内には、雰囲気ガスとして金属NiMoTi膜、金属NiMoAl膜、金属NiMo膜、金属Cr膜の作成はArガスのみを用い、また、NiMoTiOx膜、NiMoAlOx膜、CrOx膜の作成はArガスとNO又はCOガスを用い反応性スパッタリング法で成膜を行った。膜厚は投入電力により制御した。
形成された各種遮光膜、及び半透光膜、半透光膜のエッチングレートを調べた結果は表1の通りであった。エッチング液としては市販のCrエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸を含む溶液)、ITOエッチング液(HCl+FeCl)(、及び40%FeCl溶液(酸化鉄(III)(42°Be’)))、及びAlエッチング液(燐酸+硝酸+酢酸)を用いた。FeNO溶液は市販のFeNO3を純水中に溶解し、15wt%の濃度のものを用いた。(さらに希硝酸(HNO)溶液は35wt%に稀釈したものを用いた。)これらのエッチング液を用いて、室温でエッチングを行い、エッチングタイム、及び膜厚を測定しエッチングレートを算出した。また、形成された半透光膜のうちCr膜(NO.16)、CrOx膜(NO.17)、NiMo22Ti15(NO.3)、及びNiMo22T115Ox(NO.4)に関して膜厚と透過率との相関を調べた結果を図3、図4、図5及び図6に示す。
その結果、Crエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸を含む溶液)を用いた場合は、Cr膜(NO.16)、CrOx膜(NO、17)はいずれも可溶であり、NiMoTi膜、NiMoTiOx膜、NlMoAl膜、NiMoAlOx膜、NiMo膜については、NiMo21Ti17(NO.2)、NiMo22Ti15(NO.3)、NiMo22Ti150x(NO.4)、NiMo22Ti12(NO.5)、NiMo23Ti10(NO・7)、NiMo23Ti9(NO・8)、NiMo15Al20(NO.9)、NiMo15Al20Ox(NO.10)、NiMo25(NO.11)、において可溶であり、且つ、Cr膜、CrOx膜と差のないエッチングレート(1.0〜3.0nm)を示した。
上記組成のNiMoTi膜、NiMoTiOx膜、NiMoAl膜、NiMoAlOx膜、NiMo膜(NO.2、3、4、5、7、8、9、10、11)はITOエッチング液(HCl+FeCl)、FeNO溶液に可溶であったが、Cr膜(NO.16)、CrOx膜(NO.17)はこれらのエッチング液には溶解しなかった。また、遮光膜がTi含有量の少ない、または、含まれないNiMo23Ti10(NO.7)、及び、NiMo23Ti9(NO.8)、NiMo15A120(NO.9)、及びNiMo25(NO.11)はA1エッチング液(燐酸+硝酸+酢酸)に可溶であった。
膜厚と透過率との相関を調べた結果、半透光膜の組成がCr膜(NO.16)である場合(図3)には、5〜10nmの膜厚範囲で、CrOx膜(NO.17)の場合(図4)には、10〜40nmの膜厚範囲で、NiMo22Ti15膜(NO.3)の場合(図5)には、5〜20nmの膜厚範囲で、またNiMo22Ti15Ox膜(NO.4)の場合(図9)には、25〜65nmの膜厚範囲で、透過率20〜50%が得られた。Cr膜(NO.16)、NiMo22Ti15膜(NO.3)の金属膜よりもCrOx膜(NO.17)、NiMo22Ti15Ox膜(NO.4)の酸化膜の方が透過率に対する膜厚制御範囲が広かった。
比較例 1
透明基板上に純Ni、純Mo、純Ti、(及びNiCr22原子%(ニクロム))ターゲットを使用して、実施例1と同様な条件で成膜を行った。
形成された各種薄膜のエッチングレートを調べた結果は表1の通りであった。その結果、純Mo膜(NO.14)もCrエッチング液に対して、Cr膜、CrOx膜と差のない1.0〜3.0nmのエッチングレート範囲にあり、且つ、ITOエッチング液、及びFeNO溶液、Alエッチング液に可溶であった。Ni膜はCrエッチング液に不溶であり、ITOエッチング液に高い可溶性を示すのに対して、純Mo膜のITOエッチング液のエッチングレートは純Ni膜と比較して小さいが、Crエッチング液を始めとして、各種酸性エッチング液にも可溶性を示し、エチングレートが大きかった。純Ti膜はいずれのエッチング液にも不溶であった。

実施例 2
実施例1で得られた結果を基に、実際にグレートーンマスクの作成を行った。膜構成のとして、表2に示すように、遮光膜がNiMo22Ti15膜であり、半透光膜がCr膜(NO.18)であるグレートーンマスクブランクスの膜構成、遮光膜がNiMo22Ti15膜であり、半透光膜がCrOx膜(NO.19)であるグレートーンマスクブランクスの膜構成、遮光膜がNiMo15Al20膜であり、半透光膜がCrOx膜(NO.21)であるグレートーンマスクブランクスの膜構成、遮光膜がNiMo25膜であり、半透光膜がCrOx膜(NO.22)であるグレートーンマスクブランクスの膜構成、さらにCr元素を含まないグレートーンマスクブランクスの膜構成として、遮光膜がNiMo22Ti15膜であり、半透光膜がNiMo15Al20膜(NO.23)であるもの、遮光膜がNiMo22Ti15Ox膜であり、半透光膜がNiMo15Al20膜(NO.24)であるものを実施例1と同じ成膜条件で二層膜を作成した。半透光膜を成膜後、透過率の測定を行い、膜付き基板を洗浄後、遮光膜の成膜を行った。二層膜の成膜後、光学濃度ODの測定を行い、その結果を表2に示した。
次に、グレートーンマスクヘのエッチング加工を行うために、得られたそれぞれのグレートーンマスクブランクス上にレジストパターン(10μmのライン&スペース)を形成し、グレートーンマスクブランクスNO.18、NO.19、NO.21、NO.22については、第一のエッチング液としてCrエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸を含む溶液)を用いた。第一のエッチング液を用いたエッチングにより開口部を形成した。さらに、レジスト除去後、再度レジストパターンを形成し、第二のエッチング液としてITOエッチング液(HCl+FeC1)を用いた。第二のエッチング液を用いたエッチングにより半透光部を形成した。NO.23、NO.24のグレートーンマスクブランクスについては、第一のエッチング液はCrエッチング液を用い、第二のエッチング液はAlエッチング液を用いた。
第一のエッチング液を用いたパターン形成後、開口部の断面形状を、断面SEM写真で評価した。第二のエッチング液を用いたパターン形成後、半透光部の透過率を測定した。その結果を表2に示す。
その結果、半透光膜を成膜後、透過率はNO.18、NO、19、NO.21、NO.22、NO.23、NO.24のいずれも、グレートーンマスクとして使用できる20〜50%の範囲にあった。グレートーンマスクブランクス(二層膜)の成膜後、光学濃度はNO.18、NO.19、NO.21、NO.22、NO.23、NO.24のいずれも、フォトマスクとして使用できる3.0〜5.0の範囲にあった。またグレートーンマスクヘのエッチング加工後、開口部の断面形状は、表2及び図2に示すように、NO.18、NO.19、NO.21、NO.22、NO、23、NO.24のいずれも垂直で良好であった。グレートーンマスクヘのエッチング加工後、半透光部の透過率は、NO.18、NO.19、NO.21、NO.22、NO.23、NO.24のいずれも、半透光膜成膜後と第二のエッチング液を用いたパターン形成後それぞれ一致し、半透光部の透過率の変化なくグレートーンマスクの加工が可能であった。

実施例 3
実施例2のグレートーンマスクブランクスNO.19の遮光膜上に反射防止膜を形成し、グレートーンマスクブランクスNO.20を作成した。成膜条件、グレートーンマスクヘのエッチング加工は実施例2と同様な条件で行った。反射防止膜は、ArガスとCOガスを用い、反応性スパッタリング法で成膜し、遮光膜上と反射防止膜の成膜は同一の成膜機で一回の成膜で行った。得られたグレートーンマスクブランクスの膜面側の反射率を測定した結果を表2に示す。その他、半透光膜を成膜後の透過率の測定、二層膜の成膜後の光学濃度ODの測定、第一のエッチング液を用いたパターン形成後の開口部の断面形状、第二のエッチング液を用いたパターン形成後の半透光部の透過率を測定は実施例2と同様な条件で行った。その結果を表2に示す。
その結果、グレートーンマスクNO.20の膜面側反射率はフォトマスクとして使用できる低反射特性(反射率が436nmにおいて5.0〜15.0%、600nmにおいて15.0〜25.0%)を示した。グレートーンマスクヘのエッチング加工後、開口部の断面形状は、三層膜であっても、垂直で良好であった。半透光膜を成膜後の透過率、二層膜の成膜後の光学濃度OD、第二のエッチング液を用いたパターン形成後の半透光部の透過率は反射防止膜のないグレートーンマスクブランクスNO.19と同様に良好な結果であり、グレートーンマスクとして実用的に使用できることが分かった。
本発明は、液晶カラーディスプレイ製造のコストダウン化技術に必要であり、優れた加工性かつ良好なパターン形状を有し、低コストなプロセスで製造できるグレートーンマスク用ブランクス及びそれを用いたグレートーンマスクの製造方法を提供する。
本発明によるグレートーンマスク用ブランクス及びそれをグレートーンマスクの製造工程を示す概略断面図である。 本発明の方法に従って製造したグレートーンマスクの開口部における層断面形状を示す部分拡大断面図である。 半透光膜がCr膜である場合の半透光部の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。 半透光膜がCrOx膜である場合の半透光部の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。 半透光膜がNiMo22Ti15膜である場合の半透光部の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。 半透光膜がNiMo22Ti15Ox膜である場合の半透光部の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。 本発明に従って製作したグレートーンマスクNO.20の膜面側反射率を示すグラフである。 (a)は従来のスリットマスクタイプのグレートーンマスクの平面図、(b)はその断面図である。 (a)は従来のハーフトーンタイプのグレートーンマスクの一例を示す平面図、(b)はその断面図である。 (a)は従来のハーフトーンタイプのグレートーンマスクの別の例を示す平面図、(b)はその断面図である。 (a)は従来のハーフトーンタイプのグレートーンマスクのさらに別の例を示す平面図、(b)はその断面図である。 (a)は従来のハーフトーンタイプのグレートーンマスクのさらに別の例を示す平面図、(b)はその断面図である。 従来技術によるグレートーンマスクの開口部における層断面形状の一例を示す部分拡大断面図である。 従来技術によるグレートーンマスクの開口部における層断面形状の別の例を示す部分拡大断面図である。
符号の説明
1:透明ガラス基板
2:半透光膜
3:遮光膜
4:レジスト膜
5:レジストパターン
6:開口部
7:レジスト膜
8:レジストパターン
9:半透光部
10:遮光部

Claims (2)

  1. 遮光部と、開口部と、半透光部とから成るパターンを有するグレートーンマスク用ブランクスであって、透明基板の表面上に直接若しくは間接に付着させて形成した遮光膜及び半透光膜を有し、遮光膜がNiとMoを含み、半透光膜がCrを含むグレートーンマスク用ブランクスを用いてグレートーンマスクを製造する方法であって、
    遮光膜及び半透光膜を、第一のエッチング液を用いてエッチングし、さらに、半透光膜をエッチングせず遮光膜のみを選択的にエッチングする第二のエッチング液でハーフエッチングし、
    前記第一のエッチング液としてCrエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムを含む溶液)、FeNO 溶液又は希硝酸(HNO )溶液を用い、
    前記第二のエッチング液としてITOエッチング液(HC1+FeC1 )又はFeC1 溶液を用いること
    を特徴とするグレートーンマスクの製造方法
  2. 遮光部と、開口部と、半透光部とから成るパターンを有するグレートーンマスク用ブランクスであって、透明基板の表面上に直接若しくは間接に付着させて形成した遮光膜及び半透光膜を有し、遮光膜がNi、Mo、Alを含み、半透光膜がNi、Mo、Tiを含むグレートーンマスク用ブランクスを用いてグレートーンマスクを製造する方法であって、
    遮光膜及び半透光膜を、第一のエッチング液を用いてエッチングし、さらに、半透光膜をエッチングせず遮光膜のみを選択的にエッチングする第二のエッチング液でハーフエッチングし、
    前記第一のエッチング液としてCrエッチング液(硝酸第二セリウムアンモニウムを含む溶液)、FeNO 溶液又は希硝酸(HNO )溶液を用い、
    前記第二のエッチング液としてAlエッチング液(燐酸+硝酸+酢酸)又はAgエッチング液(燐酸+硝酸+酢酸)を用いること
    を特徴とするグレートーンマスクの製造方法
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008203373A (ja) * 2007-02-16 2008-09-04 Clean Surface Gijutsu:Kk ハーフトーンブランクス及びハーフトーンブランクスの製造方法
JP5115953B2 (ja) * 2007-03-30 2013-01-09 Hoya株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP5254581B2 (ja) * 2007-08-22 2013-08-07 Hoya株式会社 フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
JP5217345B2 (ja) * 2007-10-05 2013-06-19 大日本印刷株式会社 フォトマスクおよびフォトマスクブランクス
JP5808944B2 (ja) 2011-05-11 2015-11-10 ピクストロニクス,インコーポレイテッド 表示装置及び表示装置の製造方法
CN102736323B (zh) * 2012-06-25 2014-12-17 深圳市华星光电技术有限公司 框胶固化之光罩及液晶显示面板的制作方法
US9097918B2 (en) 2012-06-25 2015-08-04 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Mask for curing frame sealant and liquid crystal display panel manufacturing method
CN103451665B (zh) * 2013-08-30 2016-02-17 东莞市平波电子有限公司 一种触摸屏引线的加工工艺
CN107086219B (zh) * 2017-04-20 2019-11-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft基板的制作方法、tft基板及光罩

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5189846A (ja) * 1975-02-05 1976-08-06 Aruminiumupataannokeiseiho
JPS52136526A (en) * 1976-05-10 1977-11-15 Akai Electric Method of forming twoocolor stripe filter
JPS5779174A (en) * 1980-11-06 1982-05-18 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Etching solution for chromium film and chromium oxide film
JPH03259409A (ja) * 1990-03-07 1991-11-19 Nec Corp 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH07168343A (ja) * 1993-10-08 1995-07-04 Dainippon Printing Co Ltd 位相シフトマスクおよびその製造方法
JPH1115135A (ja) * 1997-06-27 1999-01-22 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
JPH11119676A (ja) * 1997-10-08 1999-04-30 Ulvac Seimaku Kk ブランクス及びブラックマトリクス
JP2001027798A (ja) * 1999-07-14 2001-01-30 Ulvac Seimaku Kk 位相シフタ膜およびその製造方法
JP2002189281A (ja) * 2000-12-19 2002-07-05 Hoya Corp グレートーンマスク及びその製造方法
JP2003322956A (ja) * 2002-03-01 2003-11-14 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法
JP2005024730A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Hoya Corp グレートーンマスクの製造方法
JP2005084366A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Toppan Printing Co Ltd 液晶表示素子製造用の露光マスク用ブランク及びその製造法並びに露光マスク

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5189846A (ja) * 1975-02-05 1976-08-06 Aruminiumupataannokeiseiho
JPS52136526A (en) * 1976-05-10 1977-11-15 Akai Electric Method of forming twoocolor stripe filter
JPS5779174A (en) * 1980-11-06 1982-05-18 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Etching solution for chromium film and chromium oxide film
JPH03259409A (ja) * 1990-03-07 1991-11-19 Nec Corp 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH07168343A (ja) * 1993-10-08 1995-07-04 Dainippon Printing Co Ltd 位相シフトマスクおよびその製造方法
JPH1115135A (ja) * 1997-06-27 1999-01-22 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
JPH11119676A (ja) * 1997-10-08 1999-04-30 Ulvac Seimaku Kk ブランクス及びブラックマトリクス
JP2001027798A (ja) * 1999-07-14 2001-01-30 Ulvac Seimaku Kk 位相シフタ膜およびその製造方法
JP2002189281A (ja) * 2000-12-19 2002-07-05 Hoya Corp グレートーンマスク及びその製造方法
JP2003322956A (ja) * 2002-03-01 2003-11-14 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造方法
JP2005024730A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Hoya Corp グレートーンマスクの製造方法
JP2005084366A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Toppan Printing Co Ltd 液晶表示素子製造用の露光マスク用ブランク及びその製造法並びに露光マスク

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