JP5535932B2 - フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
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Description
波長200nm以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、前記フォトマスクブランクは、透光性基板と、該透光性基板上に形成された遮光膜とを備え、前記遮光膜は、遷移金属及びシリコンを含む遮光層と、該遮光層の上に接して形成され、酸素及び窒素のうち少なくとも一方を含む材料からなる表面反射防止層とを有し、前記遮光膜は、露光光に対する表面反射率が所定値以下であり、かつ、表面反射防止層の膜厚が2nmの範囲で変動した場合において、露光波長における表面反射率をその変動幅が2%以内となるように制御できる特性を有し、前記特性が得られるような屈折率n及び消衰係数kを有する表面反射防止層の材料を選定してなることを特徴とするフォトマスクブランク。
表面反射防止層は、屈折率nが1.5より大きく3.0以下、消衰係数kが0.3以上1.5以下であることを特徴とする態様1記載のフォトマスクブランク。
前記遮光膜の露光波長における表面反射率は25%以下であることを特徴とする態様1または2のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
表面反射防止層の膜厚は、20nm以下であることを特徴とする態様1から3のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
前記遮光層は、実質的にモリブデン及びシリコンからなる材料、又は実質的にモリブデン、シリコン及び窒素からなる材料で形成されることを特徴とする態様1から4のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
前記遮光層の遷移金属は、モリブデンであり、モリブデンの含有量が20原子%以上、40原子%以下であることを特徴とする態様1から5のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
前記表面反射防止層は、さらにシリコンを含有することを特徴とする態様1から6のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
前記表面反射防止層は、さらにモリブデンを含有することを特徴とする態様7記載のフォトマスクブランク。
前記遮光膜は、前記遮光層の下に接して形成され、酸素及び窒素のうち少なくとも一方とシリコンとを含む裏面反射防止層を有することを特徴とする態様1から8のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
前記遮光膜の膜厚は、60nm以下であることを特徴とする態様1から9のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
波長200nm以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、前記フォトマスクブランクは、透光性基板と、該透光性基板上に形成された遮光膜とを備え、前記遮光膜は、遷移金属及びシリコンを含む遮光層と、該遮光層の上に接して形成され、酸素及び窒素のうち少なくとも一方を含む材料からなる表面反射防止層とを有し、前記遮光膜は、露光光に対する表面反射率が25%以下であり、かつ、表面反射防止層の膜厚が2nmの範囲で変動した場合において、露光波長における表面反射率をその変動幅が3%以内となるように制御できる特性を有し、前記特性が得られるような屈折率n及び消衰係数kを有する表面反射防止層の材料を選定してなることを特徴とするフォトマスクブランク。
表面反射防止層は、屈折率nが1.4以上2.9以下、消衰係数kが0.4以上1.3以下であることを特徴とする態様11記載のフォトマスクブランク。
表面反射防止層の膜厚は、20nm以下であることを特徴とする態様11又は12のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
前記遮光層は、実質的にモリブデン、シリコン及び窒素からなる材料で形成されることを特徴とする態様11から13のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
前記遮光層の遷移金属は、モリブデンであり、モリブデンの含有量が9原子%以上、40原子%以下であることを特徴とする態様11から14のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
前記表面反射防止層は、さらにモリブデン及びシリコンを含有することを特徴とする態様11から15のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
前記遮光膜の膜厚は、60nm以下であることを特徴とする態様11から16のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
態様1から17のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法であって、所定の遮光層に対する表面反射防止層の膜厚と表面反射率との関係を、表面反射防止層の屈折率n及び消衰係数kを複数変化させて求め、上記で求めた関係から、膜厚の所定範囲の変動に対して、所定の表面反射率の変動幅以下となるように制御できる特性を有する表面反射防止層の膜厚の変動範囲とnとkとの組み合わせを選定し、使用することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。
態様1から17のいずれかに記載のフォトマスクブランクを用いて作製されるフォトマスク。
態様1から17のいずれかに記載のフォトマスクブランクを用いるフォトマスクの製造方法。
態様19に記載のフォトマスクのパターンを転写することにより、半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法。
2)遮光層の薄膜化によって、転写パターンの側壁高さも低くなることから、特に側壁高さ方向のパターン精度が向上し、CD精度(特にリニアリティ)を高めることができる。
3)特に高NA(液浸)世代で使用されるフォトマスクに関しては、シャドーイング対策として、転写パターンを薄くする(転写パターンの側壁高さを低くする)必要があるが、その要求に応えられる。
2)本発明の範囲外の組成に対して、相対的に、反射防止層の熱処理耐性に優れる。具体的には、Mo含有率が上記の範囲内である反射防止層は、加熱処理による白濁も生じず、表面反射率分布の悪化も起こらない。
(光学シミュレーションおよび表面反射防止層の選定)
透光性基板1としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英基板を用い、透光性基板1上に、遮光膜の遮光層として適用するものと同一条件のMoSi膜を形成した。
(遮光膜の形成)
上記検討の結果、選定された遮光膜の構成で実際にフォトマスクブランクを作成した。透光性基板1としてサイズ6インチ角、厚さ0.25インチの合成石英基板を用い、透光性基板1上に、遮光膜10として、MoSiON膜11(裏面反射防止層)、MoSi(遮光層)12、MoSiON膜(表面反射防止層)13、をそれぞれ形成した(図1)。
次いで、Mo:Si=21:79(原子%比)のターゲットを用い、ArとHeをスパッタリングガス圧0.3Pa(ガス流量比 Ar:He=20:120)とし、DC電源の電力を2.0kWで、モリブデン及びシリコンからなる膜(Mo:21.0原子%、Si:79原子%)(n:2.42、k:2.89)を30nmの膜厚で形成し、
次いで、Mo:Si=4:96(原子%比)のターゲットを用い、ArとO2とN2とHeをスパッタリングガス圧0.1Pa(ガス流量比 Ar:O2:N2:He=6:5:11:16)とし、DC電源の電力を3.0kWで、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜(Mo:1.6原子%、Si:38.8原子%、O:18.8原子%、N:41.1原子%)(n:2.36、k:1.20)を15nmの膜厚で形成した。 遮光膜10の合計膜厚は52nmとした。遮光膜10の光学濃度(OD)はArFエキシマレーザー露光光の波長193nmにおいて3であった。
次に、遮光膜10上に、エッチングマスク膜20を形成した(図1)。具体的には、クロムターゲットを使用し、ArとCO2とN2とHeをスパッタリングガス圧0.2Pa(ガス流量比 Ar:CO2:N2:He=21:37:11:31)とし、DC電源の電力を1.8kWで、CrOCN膜(膜中のCr含有率:33原子%)を15nmの膜厚で形成した。このときCrOCN膜を前記MoSi遮光膜のアニール処理温度よりも低い温度でアニールすることにより、MoSi遮光膜の膜応力に影響を与えずCrOCN膜の応力を極力低く(好ましくは膜応力が実質ゼロ)なるよう調整した。
フォトマスクブランクのエッチングマスク膜20の上に、電子線描画(露光)用化学増幅型ポジレジスト50(PRL009:富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製)をスピンコート法により膜厚が100nmとなるように塗布した(図1、図2(1))。
上記で得られたフォトマスクに対し、波長193nm〜800nmの光を照射したときの表面反射率(%R)、裏面反射率(%Rb)、OD(%T)について、分光光度計 U−4100(日立ハイテクノロジーズ社製)で測定したところ、図10のような結果が得られた。フォトマスクで使用するArF露光光(波長193nm)に対する特性(表面反射率 %R:20.8%、裏面反射率 %Rb:28.1%)も良好であり、さらにマスク検査装置等で使用される検査光の波長(例えば、250nm〜433nm)に対する特性も良好であることがわかった。
(表面反射防止層の選定)
この実施例2では、より厳しい条件である表面反射率を25%以下の遮光膜であり、表面反射防止層の膜厚の変動幅が5nmの範囲で変動した場合において、表面反射率の変動幅が2%以内となるような表面反射防止層とすることを目的とし、そのような特性を有するn,kである材料を選定した。
上記検討の結果、選定された遮光膜の構成で実際にフォトマスクブランクを作成した。実施例1のフォトマスクブランクと、表面反射防止層の膜厚を17nmとすること以外は同一の構成とし、同じプロセスで製造した。また、作成したフォトマスクブランクから、実施例1と同様の手順でフォトマスクを作製した。
上記で得られたフォトマスクに対し、ArF露光光(波長193nm)を照射したときの表面反射率(%R)、裏面反射率(%Rb)について、分光光度計 U−4100(日立ハイテクノロジーズ社製)で測定を行った。表面反射率 %R:20.2%、裏面反射率 %Rb:28.1%と良好な結果が得られた。
(光学シミュレーションおよび表面反射防止層の選定)
遮光層をMoSi膜からMoSiN膜にして、2層構造の遮光膜としたことを除き、実施例1と同様である。
上記検討の結果、選定された遮光膜の構成で実際にフォトマスクブランクを作成した。実施例1とは、遮光層をMoSi膜からNoSiN膜とし、裏面反射防止層を設けない2層構造の遮光膜としたことが異なる。即ち、透光性基板上に、遮光膜として、MoSiN膜(遮光層)、MoSiON膜(表面反射防止層)、をそれぞれ形成した。
上記で得られたフォトマスクに対し、ArF露光光(波長193nm)を照射したときの表面反射率(%R)、裏面反射率(%Rb)について、分光光度計 U−4100(日立ハイテクノロジーズ社製)で測定を行った。表面反射率 %R:15.7%、裏面反射率 %Rb:32.7%と良好な結果が得られた。
(表面反射防止層の選定)
この実施例4では、より厳しい条件である表面反射率を25%以下の遮光膜であり、表面反射防止層の膜厚の変動幅が5nmの範囲で変動した場合において、表面反射率の変動幅が2%以内となるような表面反射防止層とすることを目的とし、そのような特性を有するn,kである材料を選定した。
上記検討の結果、選定された遮光膜の構成で実際にフォトマスクブランクを作成した。実施例3のフォトマスクブランクと、表面反射防止層の膜厚を16nm、遮光層の膜厚を44nmとすること以外は同一の構成とし、同じプロセスで製造した。また、作成したフォトマスクブランクから、実施例1と同様の手順でフォトマスクを作製した。
上記で得られたフォトマスクに対し、ArF露光光(波長193nm)を照射したときの表面反射率(%R)、裏面反射率(%Rb)について、分光光度計 U−4100(日立ハイテクノロジーズ社製)で測定を行った。表面反射率 %R:19.3%、裏面反射率 %Rb:31.5%と良好な結果が得られた。
10 遮光膜
11 裏面反射防止層
12 遮光層
13 表面反射防止層
20 エッチングマスク膜
50 レジスト膜
100 フォトマスク
Claims (20)
- 波長200nm以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、
前記フォトマスクブランクは、透光性基板と、該透光性基板上に形成された遮光膜とを備え、
前記遮光膜は、遷移金属及びシリコンを含む遮光層と、該遮光層の上に接して形成され、酸素及び窒素のうち少なくとも一方を含む材料からなる表面反射防止層とを有し、
前記遮光膜は、露光光に対する表面反射率が25%以下であり、かつ、表面反射防止層の膜厚が2nmの範囲で変動した場合において、露光波長における表面反射率をその変動幅が2%以内となるように制御できる特性を有し、
前記特性が得られるような屈折率n及び消衰係数kを有する表面反射防止層の材料を選定してなることを特徴とするフォトマスクブランク。 - 前記表面反射防止層は、屈折率nが1.5より大きく3.0以下、消衰係数kが0.3以上1.5以下であることを特徴とする、請求項1記載のフォトマスクブランク。
- 前記表面反射防止層の膜厚は、20nm以下であることを特徴とする、請求項1又は2のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光層は、実質的にモリブデン及びシリコンからなる材料で形成されることを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光層の遷移金属は、モリブデンであり、モリブデンの含有量が20原子%以上、40原子%以下であることを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記表面反射防止層は、さらにシリコンを含有することを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記表面反射防止層は、さらにモリブデンを含有することを特徴とする、請求項6記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜は、前記遮光層の下に接して形成され、酸素及び窒素のうち少なくとも一方とシリコンとを含む裏面反射防止層を有することを特徴とする、請求項1から7のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜の膜厚は、60nm以下であることを特徴とする、請求項1から8のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 波長200nm以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、
前記フォトマスクブランクは、透光性基板と、該透光性基板上に形成された遮光膜とを備え、
前記遮光膜は、遷移金属及びシリコンを含む遮光層と、該遮光層の上に接して形成され、酸素及び窒素のうち少なくとも一方を含む材料からなる表面反射防止層とを有し、
前記遮光膜は、露光光に対する表面反射率が25%以下であり、かつ、表面反射防止層の膜厚が2nmの範囲で変動した場合において、露光波長における表面反射率をその変動幅が3%以内となるように制御できる特性を有し、
前記特性が得られるような屈折率n及び消衰係数kを有する表面反射防止層の材料を選定してなることを特徴とするフォトマスクブランク。 - 前記表面反射防止層は、屈折率nが1.4以上2.9以下、消衰係数kが0.4以上1.3以下であることを特徴とする、請求項10記載のフォトマスクブランク。
- 前記表面反射防止層の膜厚は、20nm以下であることを特徴とする、請求項10又は11のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光層は、実質的にモリブデン、シリコン及び窒素からなる材料で形成されることを特徴とする、請求項10から12のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光層の遷移金属は、モリブデンであり、モリブデンの含有量が9原子%以上、40原子%以下であることを特徴とする、請求項10から13のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記表面反射防止層は、さらにモリブデン及びシリコンを含有することを特徴とする、請求項10から14のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜の膜厚は、60nm以下であることを特徴とする、請求項10から15のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 請求項1から16のいずれかに記載のフォトマスクブランクの製造方法であって、
所定の遮光層に対する表面反射防止層の膜厚と表面反射率との関係を、表面反射防止層の屈折率n及び消衰係数kを複数変化させて求め、
上記で求めた関係から、膜厚の所定範囲の変動に対して、所定の表面反射率の変動幅以下となるように制御できる特性を有する表面反射防止層の膜厚の変動範囲とnとkとの組み合わせを選定し、使用することを特徴とするフォトマスクブランクの製造方法。 - 請求項1から16のいずれかに記載のフォトマスクブランクを用いて作製されるフォトマスク。
- 請求項1から16のいずれかに記載のフォトマスクブランクを用いるフォトマスクの製造方法。
- 請求項18に記載のフォトマスクのパターンを転写することにより、半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法。
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