JP2006268035A5 - - Google Patents

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  1. 遮光部、透光部及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクの製造方法であって、
    透明基板上に形成された遮光膜の上に、遮光部を形成するための第１のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第１のレジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングして遮光膜パターンを形成し、残存した第１のレジストパターンを剥離する工程と、
    前記遮光膜パターン上に半透光膜を形成し、その上に透光部を形成するための第２のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第２のレジストパターンをマスクとして前記半透光膜をエッチングして半透光膜パターンを形成し、残存した第２のレジストパターンを剥離する工程と、
    を有し、
    前記半透光膜を構成する材料は、前記遮光膜を構成する材料よりも、前記半透光膜をエッチングするためのエッチャントに対し、エッチングレートが大きい材料であることを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
  2. 前記遮光膜はクロム（Ｃｒ）を主成分とする材料からなり、前記半透光膜はクロム（Ｃｒ）と窒素（Ｎ）とを含む材料からなることを特徴とする請求項１に記載のグレートーンマスクの製造方法。
  3. 前記半透光膜パターンを形成する際のエッチングに対する半透光膜の遮光膜に対するエッチング選択比（半透光膜のエッチングレート／遮光膜のエッチングレート）が２以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のグレートーンマスクの製造方法。
  4. 前記半透光膜パターンを形成するためのエッチングに用いられるエッチング液と遮光膜パターンを形成するためのエッチングに用いられるエッチング液とが、同種のエッチング液で濃度が異なるものであることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のグレートーンマスクの製造方法。
  5. 請求項１乃至４の何れかに記載のグレートーンマスクの製造方法を用いて得られるグレートーンマスクであって、
    透明基板上に形成された遮光膜パターンと、その上に形成された半透光膜パターンを有し、前記遮光部は、少なくとも前記遮光膜パターンの遮光膜により形成され、前記半透光部は、前記半透光膜パターンの前記遮光膜パターンの基板露出部に形成された半透光膜により形成されていることを特徴とするグレートーンマスク。
  6. 請求項１乃至４の何れかに記載のグレートーンマスクの製造方法に用いるためのグレートーンマスクブランクであって、
    透明基板上に、遮光膜パターンと、該遮光膜パターン上に形成された半透光膜とを有し、前記半透光膜を構成する材料は、前記遮光膜を構成する材料よりも、前記半透光膜をエッチングするためのエッチャントに対し、エッチングレートが大きい材料であることを特徴とするグレートーンマスクブランク。
  7. 遮光部、透光部及び半透光部からなるパターンを有するグレートーンマスクの製造方法であって、
    透明基板上に形成された遮光膜の上に、第１のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第１のレジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングして遮光膜パターンを形成し、残存した第１のレジストパターンを剥離する工程と、
    前記遮光膜パターン上に半透光膜を形成し、その上に透光部を形成するための第２のレジストパターンを形成する工程と、
    前記第２のレジストパターンをマスクとして前記半透光膜をエッチングして半透光膜パターンを形成し、残存した第２のレジストパターンを剥離する工程と、
    を有し、
    前記半透光膜を構成する材料は、クロム（Ｃｒ）と窒素（Ｎ）を含有し、原子比でＣｒ：Ｎが50：50〜10：90であることを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
  8. 前記第１のレジストパターンは、遮光部を形成するためのものであることを特徴とする請求項７に記載のグレートーンマスクの製造方法。
  9. 前記半透光膜を構成する材料は、クロム（Ｃｒ）と窒素（Ｎ）を含む材料とし、スパッタ成膜によって成膜されたものであり、かつ、スパッタガスとしてアルゴン（Ａｒ）と窒素を使用し、そのガス体積比は、Ａｒ:Ｎ ２ ＝0：100〜40：60であることを特徴とする請求項７に記載のグレートーンマスクの製造方法。
  10. 前記半透光膜は、i線からｇ線までの露光波長領域において、透過率変化が1.5％以下であることを特徴とする請求項５に記載のグレートーンマスク。
  11. 前記半透光膜は、i線からｇ線までの露光波長領域において、透過率変化が1.5％以下であることを特徴とする請求項６に記載のグレートーンマスクブランク。
  12. 前記半透光膜は、i線からｇ線までの露光波長領域において、透過率変化が1.5％以下であることを特徴とする請求項１乃至４、７乃至９の何れかに記載のグレートーンマスクの製造方法。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI569092B (zh) * 2005-12-26 2017-02-01 Hoya Corp A mask substrate and a mask for manufacturing a flat panel display device
CN101346664B (zh) * 2005-12-26 2011-12-14 Hoya株式会社 掩模坯料及光掩模
JP4910828B2 (ja) * 2007-03-28 2012-04-04 大日本印刷株式会社 階調マスク
JP5105407B2 (ja) * 2007-03-30 2012-12-26 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクの製造方法
JP5115953B2 (ja) * 2007-03-30 2013-01-09 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
US8133641B2 (en) 2007-05-11 2012-03-13 Lg Innotek Co., Ltd. Half tone mask having multi-half permeation part and a method of manufacturing the same
JP2009086385A (ja) * 2007-09-29 2009-04-23 Hoya Corp フォトマスク及びフォトマスクの製造方法、並びにパターン転写方法
US20100294651A1 (en) * 2007-10-12 2010-11-25 Ulvac Coating Corporation Process for producing gray tone mask
JP5097528B2 (ja) * 2007-12-18 2012-12-12 Ｈｏｙａ株式会社 多階調フォトマスク
JP5160286B2 (ja) * 2008-04-15 2013-03-13 Ｈｏｙａ株式会社 多階調フォトマスク、パターン転写方法、及び薄膜トランジスタの製造方法
JP5319193B2 (ja) * 2008-07-28 2013-10-16 Ｈｏｙａ株式会社 液晶表示装置製造用多階調フォトマスク、液晶表示装置製造用多階調フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法
JP5410839B2 (ja) * 2009-05-22 2014-02-05 Ｈｏｙａ株式会社 多階調フォトマスクの製造方法、多階調フォトマスク、及びパターン転写方法
TWI428688B (zh) * 2009-07-29 2014-03-01 Hoya Corp Method for manufacturing multi - modal mask and pattern transfer method
CN102573344A (zh) * 2010-12-13 2012-07-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 壳体及其制作方法
JP5403040B2 (ja) * 2011-12-02 2014-01-29 大日本印刷株式会社 階調マスク
CN102841499A (zh) * 2012-09-19 2012-12-26 上海华力微电子有限公司 相移光掩模制作方法
CN102879996A (zh) * 2012-10-12 2013-01-16 上海华力微电子有限公司 相移光掩模制作方法
JP5538513B2 (ja) * 2012-12-12 2014-07-02 Ｈｏｙａ株式会社 多階調フォトマスク、パターン転写方法及び薄膜トランジスタの製造方法
JP2015212720A (ja) * 2014-05-01 2015-11-26 Hoya株式会社 多階調フォトマスクの製造方法、多階調フォトマスク及び表示装置の製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60128448A (ja) * 1983-12-14 1985-07-09 Fujitsu Ltd フオトマスク
JPS61198156A (ja) * 1985-02-28 1986-09-02 Asahi Glass Co Ltd 改良されたフオトマスクブランク
JPH02207252A (ja) * 1989-02-07 1990-08-16 Rohm Co Ltd パターン形成用フォトマスク
JP2548873B2 (ja) * 1992-10-08 1996-10-30 日本アイ・ビー・エム株式会社 半導体装置のウエット・エッチング方法
JP3262302B2 (ja) * 1993-04-09 2002-03-04 大日本印刷株式会社 位相シフトフォトマスク、位相シフトフォトマスク用ブランクス及びそれらの製造方法
JPH09244212A (ja) * 1996-03-12 1997-09-19 Dainippon Printing Co Ltd ハーフトーン位相シフトフォトマスク及びハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランク
KR100215850B1 (ko) * 1996-04-12 1999-08-16 구본준 하프톤 위상 반전 마스크 및_그제조방법
JPH09281689A (ja) * 1996-04-17 1997-10-31 Hoya Corp マスクパターン形成方法及びｘ線マスクの製造方法
JP2002189280A (ja) * 2000-12-19 2002-07-05 Hoya Corp グレートーンマスク及びその製造方法
JP2002189281A (ja) * 2000-12-19 2002-07-05 Hoya Corp グレートーンマスク及びその製造方法
JP2003149788A (ja) * 2001-11-16 2003-05-21 Toppan Printing Co Ltd ドライエッチング方法およびハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法
JP2004177683A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Clariant (Japan) Kk 超高耐熱ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4393290B2 (ja) * 2003-06-30 2010-01-06 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスクの製造方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法
JP4073882B2 (ja) * 2004-03-22 2008-04-09 Ｈｏｙａ株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスクブランク

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