JP5097528B2 - 多階調フォトマスク - Google Patents
多階調フォトマスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP5097528B2 JP5097528B2 JP2007326423A JP2007326423A JP5097528B2 JP 5097528 B2 JP5097528 B2 JP 5097528B2 JP 2007326423 A JP2007326423 A JP 2007326423A JP 2007326423 A JP2007326423 A JP 2007326423A JP 5097528 B2 JP5097528 B2 JP 5097528B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- line
- semi
- light
- transmittance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 124
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 92
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229960001716 benzalkonium Drugs 0.000 claims description 2
- CYDRXTMLKJDRQH-UHFFFAOYSA-N benzododecinium Chemical compound CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 CYDRXTMLKJDRQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P ceric ammonium nitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+4].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XMPZTFVPEKAKFH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N (2s)-2-aminopentanedioic acid;hydrochloride Chemical class Cl.OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O azanium;hydrofluoride Chemical compound [NH4+].F LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
今までは、半透光領域を構成する半透過膜の透過率は、パターン形状によらず、その膜と露光光によって決定する膜固有の透過率で規定していた。このように規定された透過率に基づいて半透過膜の膜材や厚さを設定する場合において、半透光領域の面積が露光機の解像度に対して十分に大きく、露光光の波長が一定であるときには特に問題は生じない。しかしながら、半透光領域の面積や幅が微小になった場合には、半透光領域に隣接する遮光部や透光部の影響により、実際の露光時には半透過膜固有の透過率とは異なる値となることがある。
(実施例)
ガラス基板上に線源g線に対する透過率50%の半透過膜であるMoSi膜及び遮光膜であるクロム膜をこの順に積層してなるフォトマスクブランクを用意し、このフォトマスクブランク上に、遮光領域及び半透光領域に対応する領域のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとし、硝酸第二セリウムアンモニウムを主成分とするエッチング液をエッチャンントとして用いて、露出したクロム膜をウェットエッチングした。次いで、クロム膜をマスクとし、弗化水素酸と酸化剤エッチング液をエッチャンントとして用いて、露出しているMoSi膜をウェットエッチングして透光領域を形成した。なお、該エッチング液は、弗化水素酸、珪弗化水素酸、弗化水素アンモニウムから選ばれる少なくとも一つの弗素化合物と、過酸化水素、硝酸、硫酸から選ばれる少なくとも一つの酸化剤とを含むいずれを用いても構わない。次いで、少なくとも遮光領域を含む領域にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとし、硝酸第二セリウムアンモニウムを主成分とするエッチング液をエッチャントとして用いて、露出したクロム膜をウェットエッチングした。
2 照明光学系
3 フォトマスク
4 対物レンズ系
4a シミュレータレンズ
4b 結像レンズ
5 撮像手段
6 波長選択フィルタ
7 開口絞り
8 視野絞り
11 演算手段
12 表示手段
13 筐体
14 制御手段
15 移動操作手段
31 透明基板
32 半透過膜
33 遮光膜
Claims (8)
- 透明基板上に設けられた、露光光を遮光する遮光膜と、前記露光光を一部透過させる半透過膜とにより、透光領域、遮光領域、及び半透光領域を持つ転写パターンを備えた多階調フォトマスクであって、
前記半透過膜は、i線〜g線の波長域において波長依存性を持つ透過率を有しており、かつ、前記半透光領域は、0.075〜0.085の範囲内の開口数、0.5〜1.0のコヒレンシ、及びi線〜g線の波長域をもつ露光光学系により露光したとき、該i線〜g線の波長域において、前記波長依存性が実質的に生じない透過率を示す寸法であって、かつ1.0〜5.0μmの寸法を持つ領域を含むことを特徴とする多階調フォトマスク。 - 前記半透過膜の透過率は、露光光源i線からg線の波長域において20%〜80%であることを特徴とする請求項1記載の多階調フォトマスク。
- 前記波長依存性は、波長が長くなるにしたがって透過率が上昇する依存性であり、露光光源i線からg線の波長域において1%以上の透過率差のある特性線で示されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の多階調フォトマスク。
- 前記半透過膜は、酸化クロム膜、窒化クロム膜、又は金属シリサイド膜であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の多階調フォトマスク。
- 前記多階調フォトマスクは、薄膜トランジスタ製造用であり、前記波長依存性が実質的に生じない透過率を示す寸法を持つ領域が、該トランジスタのチャネル領域に対応するものであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の多階調フォトマスク。
- 前記チャネル領域の幅が1.0μm〜5.0μmであることを特徴とする請求項5記載の多階調フォトマスク。
- 請求項1から請求項6のいずれかに記載の多階調フォトマスクを用い、0.075〜0.085の範囲内の開口数、0.5〜1.0のコヒレンシ、及びi線〜g線の波長域をもつ露光光学系をもつ露光機による露光光を照射することによって、該転写パターンを被加工層に転写することを特徴とするパターン転写方法。
- 請求項7記載のパターン転写方法により薄膜トランジスタのパターニングを行うことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007326423A JP5097528B2 (ja) | 2007-12-18 | 2007-12-18 | 多階調フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007326423A JP5097528B2 (ja) | 2007-12-18 | 2007-12-18 | 多階調フォトマスク |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009150937A JP2009150937A (ja) | 2009-07-09 |
JP2009150937A5 JP2009150937A5 (ja) | 2011-01-20 |
JP5097528B2 true JP5097528B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=40920161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007326423A Active JP5097528B2 (ja) | 2007-12-18 | 2007-12-18 | 多階調フォトマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5097528B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08262687A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-11 | Fujitsu Ltd | 位相シフトマスクとそれを用いたパターン露光方法 |
JP4919220B2 (ja) * | 2005-02-28 | 2012-04-18 | Hoya株式会社 | グレートーンマスク |
TWI569092B (zh) * | 2005-12-26 | 2017-02-01 | Hoya Corp | A mask substrate and a mask for manufacturing a flat panel display device |
JP2007248802A (ja) * | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Hoya Corp | パターン形成方法及びグレートーンマスクの製造方法 |
JP4766518B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2011-09-07 | Hoya株式会社 | マスクブランク及びフォトマスク |
-
2007
- 2007-12-18 JP JP2007326423A patent/JP5097528B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009150937A (ja) | 2009-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5160286B2 (ja) | 多階調フォトマスク、パターン転写方法、及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
JP5555789B2 (ja) | フォトマスク及びその製造方法、並びにパターン転写方法 | |
TWI745873B (zh) | 光罩、光罩之製造方法、及顯示裝置之製造方法 | |
US11022874B2 (en) | Chromeless phase shift mask structure and process | |
US8563227B2 (en) | Method and system for exposure of a phase shift mask | |
KR20030038327A (ko) | 패턴의 형성 방법 및 장치의 제조 방법 | |
JP5108551B2 (ja) | 多階調フォトマスク及びそれを用いたパターン転写方法 | |
JP5538513B2 (ja) | 多階調フォトマスク、パターン転写方法及び薄膜トランジスタの製造方法 | |
KR101176262B1 (ko) | 다계조 포토마스크 및 패턴 전사 방법 | |
KR101171432B1 (ko) | 다계조 포토마스크, 다계조 포토마스크의 제조 방법, 패턴 전사 방법, 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
WO2010150355A1 (ja) | 多階調フォトマスク | |
JP5097528B2 (ja) | 多階調フォトマスク | |
TWI422964B (zh) | 多階調光罩 | |
KR101071452B1 (ko) | 다계조 포토마스크 및 그것을 이용한 패턴 전사 방법 | |
KR101194151B1 (ko) | 다계조 포토마스크, 패턴 전사 방법 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 | |
KR101061274B1 (ko) | 다계조 포토마스크 및 그것을 이용한 패턴 전사 방법 | |
KR101045135B1 (ko) | 다계조 포토마스크, 그 제조 방법 및 패턴 전사 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101126 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120904 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120924 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5097528 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |