JP2015092281A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015092281A5
JP2015092281A5 JP2015008587A JP2015008587A JP2015092281A5 JP 2015092281 A5 JP2015092281 A5 JP 2015092281A5 JP 2015008587 A JP2015008587 A JP 2015008587A JP 2015008587 A JP2015008587 A JP 2015008587A JP 2015092281 A5 JP2015092281 A5 JP 2015092281A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern film
layer
hard mask
light
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015008587A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015092281A (ja
JP6394410B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2015008587A priority Critical patent/JP6394410B2/ja
Priority claimed from JP2015008587A external-priority patent/JP6394410B2/ja
Publication of JP2015092281A publication Critical patent/JP2015092281A/ja
Publication of JP2015092281A5 publication Critical patent/JP2015092281A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6394410B2 publication Critical patent/JP6394410B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (15)

  1. ArFエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクを作製するために用いられるマスクブランクスであって、
    透明基板と、
    前記透明基板の上に形成され、前記露光光の位相及び透過率を制御する半透明層と、
    前記半透明層の上に形成された中間層と、
    前記中間層の上に形成された遮光層と、
    を有し、
    前記遮光層が、遷移金属を含まない屈折率nが1.0以下であり、かつ、消衰係数kが2.0以上の単一の金属材料から構成されており、
    前記遮光層の膜厚が40nm以下であり、
    前記半透明層、前記中間層、前記遮光層の3種の層を積層した積層体の前記露光光に対する光学濃度が2.8以上であることを特徴とするマスクブランクス。
  2. 前記半透明層の前記露光光に対する透過率Tと前記遮光層の膜厚dとの関係が、
    T=6%において23nm≦d≦27nmの範囲であり、
    T=20%において31nm≦d≦35nmの範囲であり、
    T=30%において33nm≦d≦37nmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載のマスクブランクス。
  3. 前記単一の金属材料が、シリコンであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のマスクブランクス。
  4. 前記半透明層が、Si1−x−y(xおよびyは、0<x<1、0<y<1、および0<x+y≦1を満足する)からなることを特徴とする請求項1乃至請求項のいずれか一項に記載のマスクブランクス。
  5. 前記中間層が、フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐性を有する材料から構成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項のいずれか一項に記載のマスクブランクス。
  6. 前記中間層がクロム(Cr)を含有するクロム系材料から構成され、かつ前記中間層の膜厚が2nm〜5nmの範囲内であることを特徴とする請求項1乃至請求項のいずれか一項に記載のマスクブランクス。
  7. 前記遮光層の上に、フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐性を有する材料から構成されるハードマスク層を有することを特徴とする請求項1乃至請求項のいずれか一項に記載のマスクブランクス。
  8. ArFエキシマレーザ露光光が適用されるハーフトーン型の位相シフトマスクであって、
    透明基板と、
    前記透明基板の上に形成され、前記露光光の位相及び透過率を制御する半透明パターン膜と、
    前記半透明パターン膜の上に形成された中間パターン膜と、
    前記中間パターン膜の上に形成された遮光パターン膜と、
    を有し、
    前記遮光パターン膜が、遷移金属を含まない屈折率nが1.0以下であり、かつ、消衰係数kが2.0以上の単一の金属材料から構成されており、
    前記遮光パターン膜の膜厚が40nm以下であり、
    前記半透明パターン膜、前記中間パターン膜、前記遮光パターン膜の3種の膜を積層した積層体の前記露光光に対する光学濃度が2.8以上であることを特徴とする位相シフトマスク。
  9. 前記半透明パターン膜の前記露光光に対する透過率Tと前記遮光パターン膜の膜厚dとの関係が、
    T=6%において23nm≦d≦27nmの範囲であり、
    T=20%において31nm≦d≦35nmの範囲であり、
    T=30%において33nm≦d≦37nmの範囲であることを特徴とする請求項に記載の位相シフトマスク。
  10. 前記単一の金属材料が、シリコンであることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の位相シフトマスク。
  11. 前記半透明層が、Si1−x−y(xおよびyは、0<x<1、0<y<1、および0<x+y≦1を満足する)からなることを特徴とする請求項乃至請求項10のいずれか一項に記載の位相シフトマスク。
  12. 前記中間パターン膜が、フッ素系ガスを用いたドライエッチングに対して耐性を有する材料から構成されていることを特徴とする請求項乃至請求項11のいずれか一項に記載の位相シフトマスク。
  13. 前記中間層がクロム(Cr)を含有するクロム系材料から構成され、かつ前記中間層の膜厚が2nm〜5nmの範囲内であることを特徴とする請求項乃至請求項12のいずれか一項に記載の位相シフトマスク。
  14. 透明基板と、前記透明基板の上に形成され、前記露光光の位相及び透過率を制御する半透明層と、前記半透明層の上に形成された中間層と、前記中間層の上に形成された遮光層と、を有し、前記遮光層が、遷移金属を含まない屈折率nが1.0以下であり、かつ、消衰係数kが2.0以上の単一の金属材料から構成されているマスクブランクスの前記遮光層の上にハードマスク層を形成した、ハードマスク層付きマスクブランクスを準備する工程と、
    前記ハードマスク層の上に、第1のレジストパターン膜を形成する工程と、
    前記第1のレジストパターン膜から露出する前記ハードマスク層をエッチングして、第1の形態のハードマスクパターン膜を形成する工程と、
    前記第1の形態のハードマスクパターン膜から露出する前記遮光層を、前記中間層をエッチング停止層に用いてエッチングして、第1の形態の遮光パターン膜を形成する工程と、
    前記第1のレジストパターン膜を除去する工程と、
    前記第1の形態のハードマスクパターン膜の所望の領域、および、前記第1の形態の遮光パターン膜から露出する前記中間層の所望の領域を覆う第2のレジストパターン膜を形成する工程と、
    前記第2のレジストパターン膜から露出する前記第1の形態のハードマスクパターン膜、および、前記第2のレジストパターン膜と前記第1の形態の遮光パターン膜から露出する前記中間層をエッチングして、第2の形態のハードマスクパターン膜、および第1の形態の中間パターン膜を形成する工程と、
    前記第2のレジストパターン膜を除去する工程と、
    前記第2の形態のハードマスクパターン膜から露出する前記第1の形態の遮光パターン膜と、前記第1の形態の中間パターン膜から露出する前記半透明層をエッチングして、第2の形態の遮光パターン膜、および半透明パターン膜を形成する工程と、
    前記第2の形態のハードマスクパターン膜、および前記第2の形態の遮光パターン膜から露出する前記第1の形態の中間パターン膜をエッチングして、前記第2の形態のハードマスクパターン膜を除去しつつ、第2の形態の中間パターン膜を形成する工程と、
    を順に備えることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
  15. 透明基板と、前記透明基板の上に形成され、前記露光光の位相及び透過率を制御する半透明層と、前記半透明層の上に形成された中間層と、前記中間層の上に形成された遮光層と、を有し、前記遮光層が、遷移金属を含まない屈折率nが1.0以下であり、かつ、消衰係数kが2.0以上の単一の金属材料から構成されているマスクブランクスの前記遮光層の上にハードマスク層を形成した、ハードマスク層付きマスクブランクスを準備する工程と、
    前記ハードマスク層の上に、第1のレジストパターン膜を形成する工程と、
    前記第1のレジストパターン膜から露出する前記ハードマスク層をエッチングして、第1の形態のハードマスクパターン膜を形成する工程と、
    前記第1の形態のハードマスクパターン膜から露出する前記遮光層を、前記中間層をエッチング停止層に用いてエッチングして、第1の形態の遮光パターン膜を形成する工程と、
    前記第1の形態の遮光パターン膜から露出する前記中間層をエッチングして、第1の形態の中間パターン膜を形成する工程と、
    前記第1のレジストパターン膜を除去する工程と、
    前記第1の形態のハードマスクパターン膜の所望の領域を覆う第2のレジストパターン膜を形成する工程と、
    前記第2のレジストパターン膜から露出する前記第1の形態のハードマスクパターン膜をエッチングして、第2の形態のハードマスクパターン膜を形成する工程と、
    前記第2のレジストパターン膜を除去する工程と、
    前記第2の形態のハードマスクパターン膜から露出する前記第1の形態の遮光パターン膜、および前記第1の形態の中間パターン膜から露出する前記半透明層をエッチングして、第2の形態の遮光パターン膜、および半透明パターン膜を形成する工程と、
    前記第2の形態のハードマスクパターン膜、および前記第2の形態の遮光パターン膜から露出する前記第1の形態の中間パターン膜をエッチングして、前記第2の形態のハードマスクパターン膜を除去しつつ、第2の形態の中間パターン膜を形成する工程と、
    を順に備えることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
JP2015008587A 2013-08-20 2015-01-20 マスクブランクス、位相シフトマスク及びその製造方法 Active JP6394410B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015008587A JP6394410B2 (ja) 2013-08-20 2015-01-20 マスクブランクス、位相シフトマスク及びその製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013170739 2013-08-20
JP2013170739 2013-08-20
JP2015008587A JP6394410B2 (ja) 2013-08-20 2015-01-20 マスクブランクス、位相シフトマスク及びその製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014079690A Division JP5686216B1 (ja) 2013-08-20 2014-04-08 マスクブランクス、位相シフトマスク及びその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015092281A JP2015092281A (ja) 2015-05-14
JP2015092281A5 true JP2015092281A5 (ja) 2017-07-20
JP6394410B2 JP6394410B2 (ja) 2018-09-26

Family

ID=52821412

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014079690A Active JP5686216B1 (ja) 2013-08-20 2014-04-08 マスクブランクス、位相シフトマスク及びその製造方法
JP2015008587A Active JP6394410B2 (ja) 2013-08-20 2015-01-20 マスクブランクス、位相シフトマスク及びその製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014079690A Active JP5686216B1 (ja) 2013-08-20 2014-04-08 マスクブランクス、位相シフトマスク及びその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9971238B2 (ja)
JP (2) JP5686216B1 (ja)
CN (1) CN106133599B (ja)
DE (1) DE112015001717B4 (ja)
TW (1) TWI575305B (ja)
WO (1) WO2015156016A1 (ja)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9341940B2 (en) * 2014-05-15 2016-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Reticle and method of fabricating the same
JP6511860B2 (ja) * 2015-02-27 2019-05-15 富士通株式会社 表示制御システム、グラフ表示方法およびグラフ表示プログラム
JP6341129B2 (ja) * 2015-03-31 2018-06-13 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスク
US9921467B2 (en) * 2015-11-30 2018-03-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Mask blank and mask and fabrication method thereof
WO2017131499A1 (ko) * 2016-01-27 2017-08-03 주식회사 엘지화학 필름 마스크, 이의 제조방법, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 패턴
JP6743679B2 (ja) * 2016-03-02 2020-08-19 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、及びフォトマスクの製造方法
CN108073032B (zh) * 2016-11-18 2021-06-08 台湾积体电路制造股份有限公司 相位移光掩模的形成方法
JP6642493B2 (ja) * 2017-03-10 2020-02-05 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク
JP6791031B2 (ja) * 2017-06-13 2020-11-25 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びその製造方法
CN110770652B (zh) * 2017-06-14 2023-03-21 Hoya株式会社 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
TWI659262B (zh) * 2017-08-07 2019-05-11 日商Hoya股份有限公司 光罩之修正方法、光罩之製造方法、光罩及顯示裝置之製造方法
US11086211B2 (en) * 2017-11-08 2021-08-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Masks and methods of forming the same
KR102504179B1 (ko) * 2017-12-21 2023-02-28 에스케이하이닉스 주식회사 쉐이딩층을 내장한 포토 마스크 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20200133377A (ko) * 2018-03-26 2020-11-27 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법
WO2020012733A1 (ja) * 2018-07-09 2020-01-16 株式会社村田製作所 人工水晶部材及びそれを用いた光学素子
JP7214593B2 (ja) 2019-08-13 2023-01-30 キオクシア株式会社 フォトマスクの製造方法
TWI707195B (zh) 2020-02-14 2020-10-11 力晶積成電子製造股份有限公司 相位轉移光罩的製造方法
CN115016224A (zh) * 2021-03-04 2022-09-06 株式会社Sk电子 多色调光掩模的制造方法以及多色调光掩模
CN113608407B (zh) * 2021-08-18 2023-12-05 业成科技(成都)有限公司 掩膜、其制备方法及曝光方法
CN114415268B (zh) * 2022-01-28 2024-07-12 宁波舜宇奥来技术有限公司 光学相位板的制作方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07199447A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Sony Corp 単層ハーフトーン方式位相シフトマスク及びその作製方法
JP3209257B2 (ja) 1995-04-21 2001-09-17 凸版印刷株式会社 位相シフトマスク及びその製造方法
JPH1126355A (ja) * 1997-07-07 1999-01-29 Toshiba Corp 露光用マスク及びその製造方法
JP2002251000A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクブランクス及び半導体装置の製造方法
US6855463B2 (en) * 2002-08-27 2005-02-15 Photronics, Inc. Photomask having an intermediate inspection film layer
KR101018567B1 (ko) * 2004-06-22 2011-03-03 호야 가부시키가이샤 그레이 톤 마스크 블랭크, 그레이 톤 마스크 및 그 제조방법과 액정 표시 장치의 제조 방법
TWI395053B (zh) * 2005-02-28 2013-05-01 Hoya Corp 灰階罩幕及灰階罩幕毛胚
CN102520577B (zh) * 2005-08-11 2014-10-29 富士通半导体股份有限公司 曝光用掩模、图案复制方法
EP1804119A1 (en) * 2005-12-27 2007-07-04 Interuniversitair Microelektronica Centrum Method for manufacturing attenuated phase- shift masks and devices obtained therefrom
JP4883278B2 (ja) 2006-03-10 2012-02-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法
JP4764214B2 (ja) * 2006-03-10 2011-08-31 凸版印刷株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法
JP4737426B2 (ja) * 2006-04-21 2011-08-03 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク
JP4853684B2 (ja) * 2009-03-31 2012-01-11 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
KR101656456B1 (ko) * 2009-10-30 2016-09-12 삼성전자주식회사 하프톤형 위상반전 블랭크 포토마스크와 하프톤형 위상반전 포토마스크 및 그의 제조방법
JP2011215197A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Hoya Corp フォトマスク及びその製造方法
JP5400698B2 (ja) 2010-04-28 2014-01-29 Hoya株式会社 多階調フォトマスク、多階調フォトマスクの製造方法、パターン転写方法及び多階調フォトマスクの使用方法
JP5682493B2 (ja) * 2010-08-04 2015-03-11 信越化学工業株式会社 バイナリーフォトマスクブランク及びバイナリーフォトマスクの製造方法
JP5464186B2 (ja) * 2011-09-07 2014-04-09 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法
JP4930736B2 (ja) * 2011-09-21 2012-05-16 信越化学工業株式会社 フォトマスクの製造方法及びフォトマスク
JP2014191176A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Dainippon Printing Co Ltd フォトマスクブランクス、フォトマスク及びその製造方法
KR102251087B1 (ko) 2013-08-21 2021-05-14 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 네거티브형 레지스트막 부착 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크, 및 그것을 사용하는 패턴 형성체의 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015092281A5 (ja)
JP2015212826A5 (ja)
EP3422099B1 (en) Photomask blank and photomask
TWI605299B (zh) 顯示裝置製造用相偏移光罩基底、顯示裝置製造用相偏移光罩及其製造方法、以及顯示裝置之製造方法
JP4507216B2 (ja) フォトマスクブランク及び位相シフトマスク
JP2018146945A5 (ja)
JP2015200883A5 (ja)
JP6876737B2 (ja) 位相反転ブランクマスク及びフォトマスク
JP2016021075A5 (ja)
JP2014137388A5 (ja)
KR20160138247A (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2015191218A5 (ja)
JP6185721B2 (ja) マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法
JP2009244793A5 (ja)
KR20160138242A (ko) 마스크 블랭크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
TWI644165B (zh) 空白遮罩、相位移轉遮罩之製造方法、相位移轉遮罩、以及半導體元件之製造方法(二)
EP2568335A3 (en) Photomask blank, photomask, and making method
TW200502676A (en) Photomask blank, photomask, and method of manufacture
JP2010206156A5 (ja) 反射型マスクブランク、反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法
US20090042110A1 (en) Reflection type photomask blank, manufacturing method thereof, reflection type photomask, and manufacturing method of semiconductor device
JP2017026701A5 (ja)
JP2014145920A5 (ja) マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法
JP6812236B2 (ja) 位相シフトマスクブランク及びこれを用いた位相シフトマスクの製造方法、並びに表示装置の製造方法
KR20150094690A (ko) 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 위상 시프트 마스크
JP2019040200A5 (ja) マスクブランク、位相シフトマスク、及び半導体デバイスの製造方法