JP2009244793A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009244793A5 JP2009244793A5 JP2008094139A JP2008094139A JP2009244793A5 JP 2009244793 A5 JP2009244793 A5 JP 2009244793A5 JP 2008094139 A JP2008094139 A JP 2008094139A JP 2008094139 A JP2008094139 A JP 2008094139A JP 2009244793 A5 JP2009244793 A5 JP 2009244793A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- mask
- film
- pattern
- light shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (15)
- 透光性基板に、透過する露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト部を設けた位相シフトマスクを作製するためのフォトマスクブランクであって、
前記位相シフト部は、位相シフト部を設けていない部分の前記透光性基板を透過する露光光に対し、所定の位相差を生じさせる掘込深さで前記透光性基板の表面から掘り込んだ掘込部であり、
前記透光性基板を掘り込む側の表面には、塩素系ガスで実質的にドライエッチングされ、
フッ素系ガスで実質的にドライエッチングされない材料で形成され、前記掘込部をドライエッチングで形成するときに少なくとも前記掘込深さに到達するまでエッチングマスクとして機能するエッチングマスク膜と、
該エッチングマスク膜の表面にタンタルを主成分とした材料で形成され、前記透光性基板の前記掘込部を形成するドライエッチング時に除去可能な膜厚の遮光膜と
を有することを特徴とするフォトマスクブランク。 - 透光性基板に、透過する露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト部を設けた位相シフトマスクを作製するためのフォトマスクブランクであって、
前記位相シフト部は、透過する露光光に対して所定量の位相変化を与える位相シフト膜であり、
該位相シフト膜の表面には、塩素系ガスで実質的にドライエッチングされ、フッ素系ガスで実質的にドライエッチングされない材料で形成され、少なくともドライエッチングによって前記位相シフト膜に転写パターンが形成されるまでエッチングマスクとして機能するエッチングマスク膜と、
該エッチングマスク膜の表面にタンタルを主成分とした材料で形成され、前記位相シフト膜に転写パターンを形成するドライエッチング時に除去可能な膜厚の遮光膜と
を有することを特徴とするフォトマスクブランク。 - 前記遮光膜は、
窒化タンタルを主成分とする遮光層と、
該遮光層の上面に積層する酸化タンタルを主成分とする反射防止層とからなる
ことを特徴とする請求項1または2に記載のフォトマスクブランク。 - 前記遮光膜は、膜厚が、15nmから50nmである
ことを特徴とする請求項1から3いずれか1項に記載のフォトマスクブランク。 - 前記エッチングマスク膜は、
クロム、窒化クロム、酸化クロム、窒化酸化クロム、酸化炭化窒化クロムのいずれかを主成分とする材料で形成されている
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。 - 前記エッチングマスク膜は、
クロム、ハフニウム、ジルコニウムから選ばれる金属、前記金属を含有する合金、または、前記金属もしくは前記合金を含有する材料で形成されている
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。 - 前記エッチングマスク膜は、膜厚が、5nmから40nmである
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。 - 前記位相シフト膜は、
モリブデンシリサイド、モリブデンシリサイドの窒化物、モリブデンシリサイドの酸化物、モリブデンシリサイドの窒化酸化物のいずれかを主成分とする材料で形成されていることを特徴とする請求項2から7のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。 - 前記位相シフト膜は、
シリコン酸化物またはシリコン酸化窒化物を主成分とする材料で形成される位相調整層と、
タンタルまたはタンタル−ハフニウム合金を主成分とする透過率調整層と
からなることを特徴とする請求項2から7のいずれか1項に記載のフォトマスクブランク。 - 請求項1から9の何れかに記載のフォトマスクブランクを用いて作製される
フォトマスク。 - 位相シフトマスクの製造方法であって、
前記位相シフトマスクは、透光性基板と、位相シフトパターンと、遮光膜パターンとからなり、
前記透光性基板上に、クロムを含有する材料からなるエッチングマスク膜と、タンタルを含有する材料からなる遮光膜が順に積層したマスクブランクを準備する工程と、
前記位相シフトパターンを有するレジスト膜をマスクにして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行い、前記遮光膜に前記位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンが形成された前記遮光膜をマスクにして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行い、前記エッチングマスク膜に前記位相シフトパターンを形成する工程と、
前記遮光パターンを有するレジスト膜を前記遮光膜上に形成する工程と、
フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行うことによって、前記位相シフトパターンを有する前記エッチングマスク膜をマスクにして、前記透光性基板に、位相シフト部を設けていない部分の前記透光性基板を透過する露光光に対し、所定の位相差を生じさせる掘込深さの掘込部を含む位相シフトパターンを形成するとともに、前記遮光パターンを有するレジスト膜をマスクにして、前記遮光膜に前記遮光パターンを形成する工程と、
前記遮光パターンを有するレジスト膜をマスクにして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行い、前記エッチングマスク膜に前記遮光パターンを形成する工程と、
からなることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 位相シフトマスクの製造方法であって、
前記位相シフトマスクは、透光性基板と、位相シフトパターンと、遮光膜パターンとからなり、
前記透光性基板上に、クロムを含有する材料からなるエッチングマスク膜と、窒化タンタルを主成分とする材料からなる遮光層および酸化タンタルを主成分とする材料からなる反射防止層からなる遮光膜が順に積層したマスクブランクを準備する工程と、
前記位相シフトパターンを有するレジスト膜をマスクにして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行い、前記反射防止層に前記位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンを有する反射防止層をマスクにして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行い、前記遮光層に前記位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンが形成された前記遮光膜をマスクにして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行い、前記エッチングマスク膜に前記位相シフトパターンを形成する工程と、
前記遮光パターンを有するレジスト膜を前記遮光膜上に形成する工程と、
フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行うことによって、前記位相シフトパターンを有する前記エッチングマスク膜をマスクにして、前記透光性基板に、位相シフト部を設けていない部分の前記透光性基板を透過する露光光に対し、所定の位相差を生じさせる掘込深さの掘込部を含む位相シフトパターンを形成するとともに、前記遮光パターンを有するレジスト膜をマスクにして、前記遮光膜に前記遮光パターンを形成する工程と、
前記遮光パターンを有するレジスト膜をマスクにして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行い、前記エッチングマスク膜に前記遮光パターンを形成する工程と、
からなることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 位相シフトマスクの製造方法であって、
前記位相シフトマスクは、透光性基板と、位相シフトパターンと、遮光膜パターンとからなり、
前記透光性基板上に、ケイ素を含有する材料からなる位相シフト膜と、クロムを含有する材料からなるエッチングマスク膜と、タンタルを含有する材料からなる遮光膜が順に積層したマスクブランクを準備する工程と、
前記位相シフトパターンを有するレジスト膜をマスクにして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行い、前記遮光膜に前記位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンが形成された前記遮光膜をマスクにして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行い、前記エッチングマスク膜に前記位相シフトパターンを形成する工程と、
前記遮光パターンを有するレジスト膜を前記遮光膜上に形成する工程と、
フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行うことによって、前記位相シフトパターンを有する前記エッチングマスク膜をマスクにして、前記位相シフト膜に、前記位相シフトパターンを形成するとともに、前記遮光パターンを有するレジスト膜をマスクにして、前記遮光膜に前記遮光パターンを形成する工程と、
前記遮光パターンを有するレジスト膜をマスクにして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行い、前記エッチングマスク膜に前記遮光パターンを形成する工程と、
からなることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 位相シフトマスクの製造方法であって、
前記位相シフトマスクは、透光性基板と、位相シフトパターンと、遮光膜パターンとからなり、
前記透光性基板上に、ケイ素を含有する材料からなる位相シフト膜と、クロムを含有する材料からなるエッチングマスク膜と、窒化タンタルを主成分とする材料からなる遮光層および酸化タンタルを主成分とする材料からなる反射防止層からなる遮光膜が順に積層したマスクブランクを準備する工程と、
前記位相シフトパターンを有するレジスト膜をマスクにして、フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行い、前記反射防止層に前記位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンを有する反射防止層をマスクにして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行い、前記遮光層に前記位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンが形成された前記遮光膜をマスクにして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行い、前記エッチングマスク膜に前記位相シフトパターンを形成する工程と、
前記遮光パターンを有するレジスト膜を前記遮光膜上に形成する工程と、
フッ素系ガスを用いたドライエッチングを行うことによって、前記位相シフトパターンを有する前記エッチングマスク膜をマスクにして、前記位相シフト膜に前記位相シフトパターンを形成するとともに、前記遮光パターンを有するレジスト膜をマスクにして、前記遮光膜に前記遮光パターンを形成する工程と、
前記遮光パターンを有するレジスト膜をマスクにして、塩素系ガスを用いたドライエッチングを行い、前記エッチングマスク膜に前記遮光パターンを形成する工程と、
からなることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 前記エッチングマスク膜は、
クロム、窒化クロム、酸化クロム、窒化酸化クロム、酸化炭化窒化クロムのいずれかを主成分とする材料で形成されていることを特徴とする請求項11から14のいずれか1項に記載の位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008094139A JP5345333B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
DE102009014610A DE102009014610A1 (de) | 2008-03-31 | 2009-03-24 | Fotomaskenrohling, Fotomaske und Verfahren zu ihrer Herstellung |
TW098110303A TWI457694B (zh) | 2008-03-31 | 2009-03-27 | 光罩基底、光罩及其製造方法 |
US12/414,198 US7989122B2 (en) | 2008-03-31 | 2009-03-30 | Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing the same |
KR1020090026982A KR101536195B1 (ko) | 2008-03-31 | 2009-03-30 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 그 제조 방법 |
US13/163,564 US8293435B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-06-17 | Photomask blank, photomask, and methods of manufacturing the same |
KR1020150038958A KR101586344B1 (ko) | 2008-03-31 | 2015-03-20 | 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008094139A JP5345333B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013168651A Division JP5701946B2 (ja) | 2013-08-14 | 2013-08-14 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009244793A JP2009244793A (ja) | 2009-10-22 |
JP2009244793A5 true JP2009244793A5 (ja) | 2011-04-21 |
JP5345333B2 JP5345333B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=41011430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008094139A Active JP5345333B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-03-31 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7989122B2 (ja) |
JP (1) | JP5345333B2 (ja) |
KR (2) | KR101536195B1 (ja) |
DE (1) | DE102009014610A1 (ja) |
TW (1) | TWI457694B (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010113475A1 (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-07 | Hoya株式会社 | マスクブランクおよび転写用マスク |
JP2010276960A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Toshiba Corp | 位相シフトマスク又はそのマスクデータの作成方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP5725015B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2015-05-27 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ光学部材用基材の製造方法 |
US8435704B2 (en) * | 2010-03-30 | 2013-05-07 | Hoya Corporation | Mask blank, transfer mask, and methods of manufacturing the same |
JP5599213B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-10-01 | Hoya株式会社 | モールドの製造方法 |
JP5123349B2 (ja) * | 2010-04-19 | 2013-01-23 | Hoya株式会社 | 多階調マスクの製造方法 |
KR101197250B1 (ko) * | 2010-04-23 | 2012-11-05 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크, 포토 마스크 및 그의 제조 방법 |
US8513133B2 (en) * | 2011-03-31 | 2013-08-20 | Jsr Corporation | Composition for forming resist underlayer film and method for forming pattern |
JP5820555B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-11-24 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
JP6058318B2 (ja) * | 2011-09-14 | 2017-01-11 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
JP5939662B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2016-06-22 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法 |
JP6084391B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2017-02-22 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
JP5690023B2 (ja) * | 2012-07-13 | 2015-03-25 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 |
JP6389375B2 (ja) * | 2013-05-23 | 2018-09-12 | Hoya株式会社 | マスクブランクおよび転写用マスク並びにそれらの製造方法 |
JP6165871B2 (ja) * | 2013-09-10 | 2017-07-19 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよび転写用マスクの製造方法 |
JP6264238B2 (ja) * | 2013-11-06 | 2018-01-24 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法 |
JP2016009744A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | 凸版印刷株式会社 | 反射型マスクおよび反射型マスクブランク |
EP3125041B1 (en) * | 2015-07-27 | 2020-08-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing a photomask |
JP6564734B2 (ja) * | 2015-07-27 | 2019-08-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
US10816891B2 (en) * | 2016-12-14 | 2020-10-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photomask and fabrication method therefor |
KR102553992B1 (ko) * | 2017-03-31 | 2023-07-10 | 가부시키가이샤 토판 포토마스크 | 위상 시프트 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 위상 시프트 마스크의 제조 방법 |
US10553428B2 (en) | 2017-08-22 | 2020-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reflection mode photomask and fabrication method therefore |
US11086211B2 (en) * | 2017-11-08 | 2021-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Masks and methods of forming the same |
JP7219010B2 (ja) * | 2018-03-30 | 2023-02-07 | 株式会社トッパンフォトマスク | 位相シフトマスクブランク |
JP2020013100A (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-23 | エスアンドエス テック カンパニー リミテッド | ブランクマスク、フォトマスク及びその製造方法 |
JP7420586B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2024-01-23 | Hoya株式会社 | フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および表示装置の製造方法 |
WO2022069019A1 (en) * | 2020-09-29 | 2022-04-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method to produce a structured transmissive optical element |
WO2023120026A1 (ja) * | 2021-12-23 | 2023-06-29 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NO149679C (no) * | 1982-02-22 | 1984-05-30 | Nordal Per Erik | Anordning ved infraroed straalingskilde |
US4667112A (en) * | 1983-04-01 | 1987-05-19 | Mcdonnell Douglas Corporation | Radiation dispersing cavities |
DE3437397A1 (de) * | 1984-10-12 | 1986-04-17 | Drägerwerk AG, 2400 Lübeck | Infrarot-strahler |
US4859858A (en) * | 1986-12-04 | 1989-08-22 | Cascadia Technology Corporation | Gas analyzers |
US5128514A (en) * | 1987-07-31 | 1992-07-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Black radiator for use as an emitter in calibratable gas sensors |
DE3739537A1 (de) * | 1987-11-21 | 1989-06-01 | Linnig Karl Heinz | Elektromagnetisch betaetigbare reibscheibenkupplung |
US4876413A (en) * | 1988-07-05 | 1989-10-24 | General Electric Company | Efficient thermal joints for connecting current leads to a cryocooler |
NO170366C (no) * | 1989-05-26 | 1997-02-10 | Kanstad Teknologi As | Pulserende infraröd strålingskilde |
US5060508A (en) * | 1990-04-02 | 1991-10-29 | Gaztech Corporation | Gas sample chamber |
US5074490A (en) * | 1989-12-15 | 1991-12-24 | Texas Instruments Incorporated | Carrier tracking system |
GB2248141A (en) * | 1990-09-18 | 1992-03-25 | Servomex | Infra-red source |
US5444249A (en) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Telaire Systems, Inc. | NDIR gas sensor |
US5584557A (en) * | 1994-04-06 | 1996-12-17 | Janos Technology Inc. | High efficiency compact illumination system |
GB9420954D0 (en) * | 1994-10-18 | 1994-12-07 | Univ Keele | An infrared radiation emitting device |
WO1997002475A1 (en) * | 1995-07-05 | 1997-01-23 | Lockheed Martin Energy Systems, Inc. | Monolithic spectrometer and method for fabricating same |
WO1997006417A1 (en) * | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Johnson Edward A | Infrared radiation filament and method of manufacture |
US6297511B1 (en) * | 1999-04-01 | 2001-10-02 | Raytheon Company | High frequency infrared emitter |
JP4686006B2 (ja) * | 2000-04-27 | 2011-05-18 | 大日本印刷株式会社 | ハーフトーン位相シフトフォトマスクとハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクス、及びハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法 |
DE10307545A1 (de) | 2002-02-22 | 2003-11-06 | Hoya Corp | Zuschnitt für halbtonartige Phasenverschiebungsmaske und zugehörige Phasenverschiebungsmaske |
JP2004004791A (ja) * | 2002-04-25 | 2004-01-08 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
JP2003322947A (ja) * | 2002-04-26 | 2003-11-14 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
JP2005208660A (ja) * | 2004-01-22 | 2005-08-04 | Schott Ag | 超高透過率の位相シフト型のマスクブランク |
JP4619043B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2011-01-26 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法 |
JP4764214B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2011-08-31 | 凸版印刷株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
JP4881633B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2012-02-22 | 凸版印刷株式会社 | クロムレス位相シフトマスク用フォトマスクブランク、クロムレス位相シフトマスク、及びクロムレス位相シフトマスクの製造方法 |
JP4509050B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2010-07-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
JP4279865B2 (ja) | 2006-10-06 | 2009-06-17 | トヨタ自動車株式会社 | ハイブリッド車両の制御装置、制御方法、その制御方法をコンピュータに実行させるプログラムおよびそのプログラムを記録した記録媒体 |
TWI479155B (zh) * | 2013-03-29 | 2015-04-01 | Kwang Yang Motor Co | Locomotive wheel speed induction device |
-
2008
- 2008-03-31 JP JP2008094139A patent/JP5345333B2/ja active Active
-
2009
- 2009-03-24 DE DE102009014610A patent/DE102009014610A1/de not_active Ceased
- 2009-03-27 TW TW098110303A patent/TWI457694B/zh active
- 2009-03-30 KR KR1020090026982A patent/KR101536195B1/ko active IP Right Grant
- 2009-03-30 US US12/414,198 patent/US7989122B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-17 US US13/163,564 patent/US8293435B2/en active Active
-
2015
- 2015-03-20 KR KR1020150038958A patent/KR101586344B1/ko active IP Right Grant
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009244793A5 (ja) | ||
JP2009244752A5 (ja) | ||
JP5345333B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 | |
KR101680865B1 (ko) | 포토마스크의 제조방법 | |
KR102140572B1 (ko) | 포토 마스크 블랭크, 포토 마스크의 제조 방법 및 마스크 패턴 형성 방법 | |
TWI481949B (zh) | 光罩基底、光罩及此等之製造方法 | |
TW201921097A (zh) | 空白光罩及光罩 | |
TWI673564B (zh) | 光罩基底、轉印用光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 | |
JP5615488B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
KR20160138247A (ko) | 마스크 블랭크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2015212826A5 (ja) | ||
JP6612326B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
KR102260135B1 (ko) | 포토마스크 블랭크 | |
WO2015146422A1 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法 | |
JP5606028B2 (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法 | |
JP5317310B2 (ja) | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 | |
KR20180037172A (ko) | 바이너리 포토마스크 블랭크, 그의 제조 방법 및 바이너리 포토마스크의 제조 방법 | |
CN107817648A (zh) | 光掩模的制造方法、光掩模以及显示装置的制造方法 | |
TW201015207A (en) | Gray-tone mask substrate, gray-tone mask, and formation method of product fabrication mark or product information mark | |
JP4831368B2 (ja) | グレートーンマスクブランク及びグレートーンマスク | |
JP2007271661A (ja) | マスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク | |
JP5701946B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
JP5829302B2 (ja) | フォトマスクブランクの製造方法およびフォトマスクの製造方法 | |
WO2016140044A1 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法 | |
JP6428120B2 (ja) | フォトマスクブランク、それを用いたフォトマスクの製造方法とフォトマスク、それを用いて作製したマイクロレンズ |