JP2016189002A5 - - Google Patents
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Claims (18)
- 透光性基板上に位相シフト膜を備えたマスクブランクであって、
前記位相シフト膜は、ＡｒＦエキシマレーザーの露光光を２％以上の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜を透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ空気中を通過した露光光との間で１５０度以上１８０度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、
前記位相シフト膜は、透光性基板側からケイ素層と位相シフト層がこの順に積層した構造を含み、
前記位相シフト層は、その表層部分を除きケイ素および窒素からなる材料またはケイ素および窒素からなる材料に酸素を除く非金属元素および半金属元素から選ばれる１以上の元素を含有する材料で形成され、
前記位相シフト層は、前記ケイ素層よりも厚さが厚く、
前記ケイ素層の厚さは、３ｎｍ以上１２ｎｍ未満であることを特徴とするマスクブランク。 - 前記ケイ素層の膜密度は、２．１ｇ/ｃｍ ３ 以上２．５ｇ/ｃｍ ３ 以下であることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク。
- 前記位相シフト層の膜密度は、２．５ｇ/ｃｍ ３ よりも大きく３．０ｇ/ｃｍ ３ 以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランク。
- 前記位相シフト層の厚さは、前記ケイ素層の厚さの５倍以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記位相シフト層の膜厚は、８０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記位相シフト層は、窒素含有量が５０原子％よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記位相シフト膜の前記基板とは反対側の表面に、クロムを含有する材料からなる遮光膜を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記遮光膜の前記位相シフト膜とは反対側の表面に、ケイ素を含有する材料からなるハードマスク膜を有することを特徴とする請求項７に記載のマスクブランク。
- 請求項１乃至８のいずれかに記載のマスクブランクにおける前記位相シフト膜をパターニングする工程を含むことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
- 透光性基板上に位相シフト膜パターンを備えた位相シフトマスクであって、
前記位相シフト膜パターンは、ＡｒＦエキシマレーザーの露光光を２％以上の透過率で透過させる機能と、前記位相シフト膜パターンを透過した前記露光光に対して前記位相シフト膜パターンの厚さと同じ距離だけ空気中を通過した露光光との間で１５０度以上１８０度以下の位相差を生じさせる機能とを有し、
前記位相シフト膜パターンは、透光性基板側からケイ素層と位相シフト層がこの順に積層した構造を含み、
前記位相シフト層は、その表層部分を除きケイ素および窒素からなる材料またはケイ素および窒素からなる材料に酸素を除く非金属元素および半金属元素から選ばれる１以上の元素を含有する材料で形成され、
前記位相シフト層は、前記ケイ素層よりも厚さが厚く、
前記ケイ素層の厚さは、３ｎｍ以上１２ｎｍ未満であることを特徴とする位相シフトマスク。 - 前記ケイ素層の膜密度は、２．１ｇ/ｃｍ ３ 以上２．５ｇ/ｃｍ ３ 以下であることを特徴とする請求項１０に記載の位相シフトマスク。
- 前記位相シフト層の膜密度は、２．５ｇ/ｃｍ ３ よりも大きく３．０ｇ/ｃｍ ３ 以下であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の位相シフトマスク。
- 前記位相シフト層の厚さは、前記ケイ素層の厚さの５倍以上であることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記位相シフト層の膜厚は、８０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記位相シフト層は、窒素含有量が５０原子％よりも大きいことを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 前記位相シフト膜パターンの前記基板とは反対側の表面に、クロムを含有する材料からなる遮光膜パターンを有することを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれかに記載の位相シフトマスク。
- 請求項９に記載の位相シフトマスクの製造方法により製造された位相シフトマスクを用い、リソグラフィー法により前記位相シフトマスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項１０乃至１６のいずれかに記載の位相シフトマスクを用い、リソグラフィー法により前記位相シフトマスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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