JP2014186333A5 - 透過型マスクブランク、透過型マスク及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Claims (8)
- マスクブランク用基板の主表面上に、転写パターンとなる遮光性膜を有する透過型マスクブランクであって、
前記遮光性膜の表面は、１μｍ×１μｍの領域を原子間力顕微鏡で測定して得られる空間周波数１μｍ −１ 以上１０μｍ −１ 以下のパワースペクトル密度が１０ｎｍ ４ 以下であることを特徴とする透過型マスクブランク。 - 前記パワースペクトル密度が１ｎｍ ４ 以上１０ｎｍ ４ 以下であることを特徴とする請求項１記載の透過型マスクブランク。
- 前記透過型マスクブランクは、前記マスクブランク用基板上に、露光光を遮断する遮光膜が形成されたバイナリー型マスクブランクであることを特徴とする請求項１又は２記載の透過型マスクブランク。
- 前記透過型マスクブランクは、前記マスクブランク用基板上に露光光の位相差を変化させる位相シフト膜が形成された位相シフト型マスクブランクであることを特徴とする請求項１又は２記載の透過型マスクブランク。
- 前記位相シフト型マスクブランクは、前記位相シフト膜上に露光光を遮断する遮光膜が形成されたことを特徴とする請求項４記載の透過型マスクブランク。
- 前記遮光性膜上に、該遮光性膜をパターニングするためのマスクとなるレジスト膜が形成されたレジスト膜付き透過型マスクブランクであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の透過型マスクブランク。
- 請求項１〜６のいずれか１項に記載の透過型マスクブランクにおける前記遮光性膜をパターニングして、前記主表面上に遮光性膜パターンを有する透過型マスク。
- 請求項７に記載の透過型マスクを用いて、露光装置を使用したリソグラフィープロセスを行い、被転写体上に転写パターンを形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
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