JP2014150124A5 - - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Description
なお、この実施の形態１のマスクブランク用基板の製造方法で説明した方法により製造したマスクブランク用基板Ｍは、バイナリーマスクブランク、位相シフトマスクブランク、ナノインプリント用マスクブランクの製造に使用することができる。バイナリーマスクブランクは、ＭｏＳｉ系、Ｔａ系、Ｃｒ系のいずれであってもよい。位相シフトマスクブランクは、ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、レベンソン型位相シフトマスクブランク、クロムレス型位相シフトマスクブランクのいずれであってもよい。
Ｄ．反射型マスクの製造
次に、このようにして作製された反射型マスクブランク上に、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジストをスピンコート法により塗布し、加熱及び冷却工程を経て、膜厚が１５０ｎｍのレジスト膜を形成した。
その後、形成されたレジスト膜に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン描画を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターンを形成した。
その後、このレジストパターンをマスクにして、吸収体膜のドライエッチングを行って、保護膜上に吸収体膜パターンを形成した。ドライエッチングガスとしては、Ｃｌ２ガスを用いた。
その後、レジストパターンを除去し、洗浄を行なった。
次に、このようにして作製された反射型マスクブランク上に、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジストをスピンコート法により塗布し、加熱及び冷却工程を経て、膜厚が１５０ｎｍのレジスト膜を形成した。
その後、形成されたレジスト膜に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン描画を行った後、所定の現像液で現像してレジストパターンを形成した。
その後、このレジストパターンをマスクにして、吸収体膜のドライエッチングを行って、保護膜上に吸収体膜パターンを形成した。ドライエッチングガスとしては、Ｃｌ２ガスを用いた。
その後、レジストパターンを除去し、洗浄を行なった。
Ｄ．反射型マスクの製造
次に、このようにして作製された反射型マスクブランク上に、実施例２と同様に、吸収体膜パターンを形成して、ＥＵＶ露光用の反射型マスクを作製した。
次に、このようにして作製された反射型マスクブランク上に、実施例２と同様に、吸収体膜パターンを形成して、ＥＵＶ露光用の反射型マスクを作製した。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013017130A JP6147514B2 (ja) | 2013-01-31 | 2013-01-31 | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法 |
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| JP2013017130A JP6147514B2 (ja) | 2013-01-31 | 2013-01-31 | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014150124A JP2014150124A (ja) | 2014-08-21 |
| JP2014150124A5 true JP2014150124A5 (ja) | 2016-02-12 |
| JP6147514B2 JP6147514B2 (ja) | 2017-06-14 |
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ID=51572890
Family Applications (1)
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| JP2013017130A Active JP6147514B2 (ja) | 2013-01-31 | 2013-01-31 | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6147514B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6202888B2 (ja) * | 2013-06-05 | 2017-09-27 | キヤノン株式会社 | 光学素子の製造方法 |
| DE102014217907B4 (de) * | 2014-09-08 | 2018-12-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Maske für den extrem ultra-violetten Wellenlängenbereich und Maske |
| KR102519334B1 (ko) * | 2014-12-19 | 2023-04-07 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크 및 이들의 제조 방법, 전사용 마스크의 제조 방법 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JP6499440B2 (ja) | 2014-12-24 | 2019-04-10 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
| JP6372007B2 (ja) * | 2015-02-03 | 2018-08-15 | Ａｇｃ株式会社 | マスクブランク用ガラス基板 |
| JP6565471B2 (ja) * | 2015-08-19 | 2019-08-28 | Ａｇｃ株式会社 | マスクブランクス用ガラス基板 |
| JP6618843B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2019-12-11 | Hoya株式会社 | フォトマスク用基板のリサイクル方法、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4508779B2 (ja) * | 2004-08-23 | 2010-07-21 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び露光用マスクの製造方法 |
| JP5327046B2 (ja) * | 2007-04-17 | 2013-10-30 | 旭硝子株式会社 | Ｅｕｖマスクブランク |
| JP5402391B2 (ja) * | 2009-01-27 | 2014-01-29 | 信越化学工業株式会社 | 半導体用合成石英ガラス基板の加工方法 |
| JP5552648B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-07-16 | 国立大学法人大阪大学 | 研磨方法及び研磨装置 |
| CN101880907B (zh) * | 2010-07-07 | 2012-04-25 | 厦门大学 | 纳米精度的电化学整平和抛光加工方法及其装置 |
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2013
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