JP2020030291A5 - - Google Patents
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ステップＳ１２では、図２（ｂ）に示すように、下地膜１０２上にフォトレジスト膜１０３を形成する。第１の実施形態では、フォトレジスト膜１０３としてポジ型のフォトレジスト膜を用いる。フォトレジスト膜１０３は、例えばＫｒＦレジスト、ＡｒＦレジスト、極端紫外線（Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ）レジスト等の化学増幅型のフォトレジストにより形成されている。フォトレジスト膜１０３は、例えば、ベース樹脂及び光酸発生剤（Photo Acid Generator：ＰＡＧ）を含み、ベース樹脂は、図４（ａ）に示すように、極性の低い保護基を有する。保護基は、例えばラクトン基若しくはアダマンチル基又はこれらの両方である。フォトレジスト膜１０３中に下地膜１０２との反応により変質層が生成してもよいが、フォトレジスト膜１０３は変質層上に下地膜１０２と反応していない部分を含むように形成する。例えば、フォトレジスト膜１０３はスピンコーティング法により形成することができ、その厚さは５０ｎｍ〜１００ｎｍとする。フォトレジスト膜１０３の厚さが５０ｎｍ未満であると、厚さ方向での変質層の割合が過剰になるおそれがある。また、フォトレジスト膜１０３の厚さが１００ｎｍ超であると、倒れが生じやすくなるおそれがある。フォトレジスト膜１０３は感光性有機膜の一例である。
ステップＳ３１では、図８（ｂ）に示すように、下地膜１０２上にフォトレジスト膜１０３を形成する。フォトレジスト膜１０３中に下地膜１０２との反応により変質層が生成してもよいが、フォトレジスト膜１０３は変質層上に下地膜１０２と反応していない部分を含むように形成する。例えば、フォトレジスト膜１０３はスピンコーティング法により形成することができ、その厚さは５０ｎｍ〜１００ｎｍとする。第３の実施形態では、第１の実施形態とは異なり、下地膜１０２に含有されている処理剤は、下地膜１０２に留めておく。なお、処理剤の一部が不可避的にフォトレジスト膜１０３に浸潤してもよい。
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