JP2011066393A5 - - Google Patents
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エッチングされる具体的な層、膜厚および使用されるフォトリソグラフィ物質およびプロセスに応じて、層102上に、ハードマスク103および/またはフォトレジスト層がこの上にコーティングされる反射防止塗膜(bottom antireflective coating;BARC)104を配置することが望まれる場合がある。例えば、エッチングされる層がかなりのエッチング深さを必要とし、および/または具体的なエッチング剤がレジスト選択性に劣る、非常に薄いレジスト層を使用する場合には、ハードマスク層の使用が望まれる場合がある。ハードマスク層が使用される場合には、形成されるレジストパターンはハードマスク層に写されることができ、これは次いで、下にある層102をエッチングするためのマスクとして使用されうる。好適なハードマスク物質および形成方法は当該技術分野において知られている。典型的な物質には、例えば、タングステン、チタン、窒化チタン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、非晶質炭素、酸窒化ケイ素および窒化ケイ素が挙げられる。ハードマスク層103は単一層を構成するか、または異なる物質の複数の層を含むことができる。ハードマスク層は、例えば、化学または物理蒸着技術によって形成されうる。
第1の感光性組成物が基体上に、(存在する場合には)反射防止層104上に適用されて、第1の感光層106を形成する。本明細書において使用される場合、用語「感光性物質」、「感光性組成物」および「フォトレジスト」は交換可能に使用される。好適なフォトレジスト物質は当該技術分野において知られており、例えば、アクリラートベースのもの、ノボラックベースのもの、およびケイ素化学物質ベースのものが挙げられる。好適なレジストは、例えば、米国特許出願公開第20090117489A1号、第20080193872A1号、第20060246373A1号、第20090117489A1号、第20090123869A1号および米国特許第7,332,616号に記載されている。第1の感光層を形成するのに有用なフォトレジスト物質には、ポジ型物質およびネガ型物質の双方が挙げられる。好適なポジ型物質には、ポジ型化学増幅型フォトレジストが挙げられ、これは組成物の1種以上の成分の酸不安定基の光酸で促進される脱保護反応を受けて、このレジストの塗膜層の露光領域を、未露光領域よりも水性現像剤中でより可溶性にする。フォトレジスト樹脂の典型的な光酸不安定基(photoacid−labile groups)には、エステルのカルボキシル酸素に共有結合した第三級非環式アルキル炭素(例えば、t−ブチル)または第三級脂環式炭素(例えば、メチルアダマンチル)を含むエステル基が挙げられる。アセタール光酸不安定基も典型的である。
好適なネガ型レジストは典型的には架橋性成分を含みうる。架橋性成分は典型的には別のレジスト成分として存在する。メラミンのようなアミンベースの架橋剤、例えば、サイメル(Cymel)メラミン樹脂が典型的である。本発明において有用なネガ型フォトレジスト組成物は、酸への曝露により硬化し、架橋しまたは固化しうる物質と、本発明の光活性成分との混合物を含む。特に有用なネガ型組成物はフェノール系樹脂のような樹脂バインダー、架橋剤成分および光活性成分を含む。このような組成物およびその使用は欧州特許出願公開第0164248B1号および第0232972B1号、並びに米国特許第5,128,232号に開示されている。樹脂バインダー成分として使用するのに典型的なフェノール系樹脂には、上述のもののようなノボラックおよびポリ(ビニルフェノール)が挙げられる。典型的な架橋剤には、アミンベースの物質、例えば、メラミン、グリコールウリル、ベンゾグアナミン−ベースの物質および尿素ベースの物質が挙げられる。メラミン−ホルムアルデヒド樹脂は、一般的に最も典型的である。このような架橋剤は商業的に入手可能であり、例えば、サイメル(Cymel)300、301および303の商品名で、サイテックインダストリーズ(Cytec Industries)により販売されているメラミン樹脂;サイメル1170、1171、1172の商品名でサイテックインダストリーズにより販売されているグリコールウリル樹脂;ビートル(Beetle)60、65および80の商品名でテクノールアペックスカンパニー(Teknor Apex Company)によって販売されている尿素ベースの樹脂;並びに、サイメル1123および1125の商品名でサイテックインダストリーズにより販売されているベンゾグアナミン樹脂が挙げられる。サブ200nmの波長、例えば、193nmでの像形成のために、典型的なネガ型フォトレジストは国際公開第03077029号に開示されている。
本発明において有用なフォトレジストは一般的には、公知の手順に従って製造される。例えば、レジストは、フォトレジストの成分を好適な溶媒に溶解することによりコーティング組成物として製造されることができ、この好適な溶媒には、例えば、グリコールエーテル、例えば、2−メトキシエチルエーテル(ジグライム)、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート;乳酸エステル、例えば、乳酸エチルまたは乳酸メチル;プロピオン酸エステル、特にプロピオン酸メチル、プロピオン酸エチルおよびエチルエトキシプロピオナート;セロソルブエステル、例えば、メチルセロソルブアセタート;芳香族炭化水素、例えば、トルエンもしくはキシレン;またはケトン、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンおよび2−ヘプタノンが挙げられる。フォトレジストの固形分量は、典型的には、フォトレジスト組成物の全重量を基準にして約2〜25重量%で変化する。このような溶媒のブレンドも好適である。
好ましくは、アルカリ性処理には、第四級アンモニウムヒドロキシドおよびアミンでの処理が挙げられる。第四級アンモニウムヒドロキシド物質およびアミンは、例えば、あらかじめ混合された組成物から、または物質を同時ではあるが互いに別々に適用することにより(この場合、その場で組成物が形成される)、基体に同時に適用されることができる。好ましくは、第四級アンモニウムヒドロキシド物質およびアミンはその順で逐次的に適用される。第四級アンモニウムヒドロキシドおよびアミン物質は液体、気体または蒸気として適用されることができ、かつ、例えば、スピンコーティング、ディッピング、蒸気コーティング、化学蒸着(CVD)または他の従来のコーティング技術によって適用されうる。これらのなかで、液体物質のスピンコーティングが典型的である。典型的には、第四級アンモニウムヒドロキシドおよびアミン物質は水溶液として適用されうる。第四級アンモニウムヒドロキシドおよびアミンが同時に適用される場合には、表面処理された基体は、例えば、脱イオン水ですすがれることができる。第四級アンモニウムヒドロキシドおよびアミン物質が逐次的に適用される場合には、このアミンは、水すすぎとしても機能する水溶液として適用されることができる。表面処理された基体は場合によっては、例えば、脱イオン水ですすがれることができ、過剰な組成物を除去する。
第1のレジストパターン106’’の臨界寸法(critical dimension;CD)は、表面処理の結果として、レジストパターン106’の元のCDと比較してわずかに小さくなる。このCD損失は、表面処理中の第1のレジストパターンのさらなる現像に起因すると考えられる。この表面処理は、改変された第1のレジストパターン表面112を形成し、このレジストパターン表面はアルカリ性であり、かつ処理前の表面のよりも小さいライン幅ラフネスを有する。
表面処理に続いて、基体は、場合によっては、第2のハードベークプロセスにおいて熱処理されうる。より詳細に後述するように、このプロセスから生じる第1のレジストパターンの寸法は第2のハードベークの好適な条件の選択によって、精密に調節されおよび制御されうる。この熱処理プロセスは典型的にはホットプレート上でまたはオーブン内で行われ、条件は例えば、レジストパターンの具体的な物質および厚み、並びにパターンの望まれるCD変化に応じて変化しうる。任意の熱処理に典型的な条件には、約120〜200℃の温度および約60〜120秒の時間が挙げられる。
ラインアンドスペースの第1のリソグラフィ(L1)パターン形成
TEL CLEAN TRACK商標LITHIUS商標i+コーター/現像機において、300mmのシリコンウェハにAR商標40A反射防止剤(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズLLC)をスピンコートし、第1の下部反射防止塗膜(BARC)を形成した。このウェハを215℃で60秒間ベークし、75nm厚の第1のBARC膜を生じさせた。次いで、この第1のBARC上にAR商標124反射防止剤(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)を用いて、第2のBARC層がコーティングされ、205℃で60秒間ベークされ、23nmの上部BARC層を生じさせた。
上述のように形成されたL1フォトレジスト組成物が二層BARCの上にコーティングされ、110℃で60秒間ソフトベークされ、950Åの厚みのレジスト膜を生じさせた。第1のレジスト層はトップコート層(OC商標2000トップコート物質、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)でコーティングされ、16〜38mJ/cm2の様々な線量で、45nmラインアンドスペース(L/S)、90nmピッチの臨界寸法を有するバイナリレチクルを通して、開口数1.35を有するASML TWINSCAN商標XT:1900i液浸スキャナーおよびX−偏光の双極子−35Y照明(0.89アウターシグマ/0.76インナーシグマ)を用いて露光された。このウェハは、次いで、100℃で60秒間露光後ベーク(PEB)され、マイクロポジット(Microposit商標)MF CD−26現像剤(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)を用いて12秒間現像され、第1のリソグラフィ(L1)パターンにした。このスペースCDは日立CG4000SEMを用いて測定された。
TEL CLEAN TRACK商標LITHIUS商標i+コーター/現像機において、300mmのシリコンウェハにAR商標40A反射防止剤(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズLLC)をスピンコートし、第1の下部反射防止塗膜(BARC)を形成した。このウェハを215℃で60秒間ベークし、75nm厚の第1のBARC膜を生じさせた。次いで、この第1のBARC上にAR商標124反射防止剤(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)を用いて、第2のBARC層がコーティングされ、205℃で60秒間ベークされ、23nmの上部BARC層を生じさせた。
上述のように形成されたL1フォトレジスト組成物が二層BARCの上にコーティングされ、110℃で60秒間ソフトベークされ、950Åの厚みのレジスト膜を生じさせた。第1のレジスト層はトップコート層(OC商標2000トップコート物質、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)でコーティングされ、16〜38mJ/cm2の様々な線量で、45nmラインアンドスペース(L/S)、90nmピッチの臨界寸法を有するバイナリレチクルを通して、開口数1.35を有するASML TWINSCAN商標XT:1900i液浸スキャナーおよびX−偏光の双極子−35Y照明(0.89アウターシグマ/0.76インナーシグマ)を用いて露光された。このウェハは、次いで、100℃で60秒間露光後ベーク(PEB)され、マイクロポジット(Microposit商標)MF CD−26現像剤(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)を用いて12秒間現像され、第1のリソグラフィ(L1)パターンにした。このスペースCDは日立CG4000SEMを用いて測定された。
第2のリソグラフィ(L2)
裸のシリコンウェハ上に650Åの膜厚を提供するであろうスピン速度で、コーター/現像機において、EPIC商標2098ポジ型フォトレジスト(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)を、表面処理されたL1パターン上にコーティングした。このウェハは120℃で60秒間ソフトベークされ、次いで、OC商標2000トップコート物質(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)でコーティングした。第1のリソグラフィプロセスと同じスキャナセッティングであるが、12〜34mJ/cm2の様々な露光線量でマスクなしにフラッド露光を使用して、第2のリソグラフィ(L2)が行われた。次いで、ウェハは90℃で60秒間露光後ベーク(PEB)され、マイクロポジット(Microposit商標)MF CD−26現像剤(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)を用いて12秒間現像された。スペースCDが再び測定された。23mJ/cm2のL2露光線量については、ラインパターンのCD成長によって、スペースCDは49nmから42nmに低減された。
裸のシリコンウェハ上に650Åの膜厚を提供するであろうスピン速度で、コーター/現像機において、EPIC商標2098ポジ型フォトレジスト(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)を、表面処理されたL1パターン上にコーティングした。このウェハは120℃で60秒間ソフトベークされ、次いで、OC商標2000トップコート物質(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)でコーティングした。第1のリソグラフィプロセスと同じスキャナセッティングであるが、12〜34mJ/cm2の様々な露光線量でマスクなしにフラッド露光を使用して、第2のリソグラフィ(L2)が行われた。次いで、ウェハは90℃で60秒間露光後ベーク(PEB)され、マイクロポジット(Microposit商標)MF CD−26現像剤(ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ)を用いて12秒間現像された。スペースCDが再び測定された。23mJ/cm2のL2露光線量については、ラインパターンのCD成長によって、スペースCDは49nmから42nmに低減された。
Claims (8)
- (a)パターン形成される1以上の層を含む半導体基体を提供し;
(b)パターン形成される1以上の層上に、第1の感光性組成物の第1の層を適用し;
(c)第1のフォトマスクを通した活性化放射線に第1の層を露光し;
(d)露光された第1の層を現像してレジストパターンを形成し;
(e)ハードベークプロセスにおいてレジストパターンを熱処理し;
(f)ハードベークされたレジストパターンを、当該レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理し;
(g)樹脂成分と光酸発生剤とを含む第2の感光性組成物の第2の層を、処理されたレジストパターンおよびパターン形成される1以上の層の上に適用し;
(h)第2の層を活性化放射線に露光し;並びに、
(i)露光された第2の層を現像し、現像後に第2の層の一部分を残す;
ことを含み、
前記ハードベークされたレジストパターンを、当該レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理することが、当該レジストパターンをアルカリ性物質および界面活性剤で処理することを含む、電子デバイスを形成する方法。 - (a)パターン形成される1以上の層を含む半導体基体を提供し;
(b)パターン形成される1以上の層上に、第1の感光性組成物の第1の層を適用し;
(c)第1のフォトマスクを通した活性化放射線に第1の層を露光し;
(d)露光された第1の層を現像してレジストパターンを形成し;
(e)ハードベークプロセスにおいてレジストパターンを熱処理し;
(f)ハードベークされたレジストパターンを、当該レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理し;
(g)樹脂成分と光酸発生剤とを含む第2の感光性組成物の第2の層を、処理されたレジストパターンおよびパターン形成される1以上の層の上に適用し;
(h)第2の層を活性化放射線に露光し;並びに、
(i)露光された第2の層を現像し、現像後に第2の層の一部分を残す;
ことを含み、
前記ハードベークされた第1のレジストパターンを、当該レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理することが、当該レジストパターンを第一級または第二級アミンで処理することを含む、電子デバイスを形成する方法。 - ハードベークされたレジストパターンを、当該第1のレジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理することが、当該レジストパターンを第四級アンモニウムヒドロキシド溶液で、続いて第一級または第二級アミンで、逐次的に処理することを含む、請求項2に記載の方法。
- 第2の感光性組成物の層を露光する工程が、フラッド露光である、請求項1または2に記載の方法。
- 第2の感光性組成物の層を露光する工程が、パターン化されたフォトマスクを通して行われる、請求項1または2に記載の方法。
- アルカリ性にするのに有効な物質で処理する工程の後で、かつ第2の感光性組成物の層を適用する工程の前に、ハードベークされた第1のレジストパターンを熱処理することをさらに含む、請求項1または2に記載の方法。
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