TWI474378B - 形成電子裝置的方法 - Google Patents

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Description

形成電子裝置的方法
基於35 U.S.C. §119(e)，本申請主張於2009年6月26日申請之美國臨時申請案第61/269,600號及於2009年11月19日申請之美國臨時申請案第61/281,681號之優先權，其整體內容藉由引用倂入本文。
本發明大體關於電子裝置之製造。更具體而言，本發明係關於使用多次圖案化技術形成光微影圖案的方法。本發明尤其有用於半導體裝置之製造中形成高密度微影圖案及特徵。
於半導體製造工業中，光阻(文中有稱為阻劑之情形)材料係用以將影像轉移至置於半導體基板上之一層或多層下方層如金屬層、半導電層或介電層以及該基板本身之上。為了增加半導體裝置之積體密度並允許具有奈米(nm)範圍維度之結構的形成，業經並將繼續研發具有高解析度能力之光阻及光微影加工工具。
一種於半導體裝置中達成nm規格特徵尺寸的途徑為，在化學放大型光阻之曝光過程中使用短波長之光，如193 nm或更短波長。浸潤微影有效地增加成像裝置如具有KrF或ArF光源之掃描儀之透鏡的數值口徑。此係藉由在該成像裝置之最後表面與該半導體晶圓之上表面之間使用相對高折射率流體(亦即浸潤流體)予以實施。與使用空氣或惰性氣態介質時出現者相比，該浸潤流體允許更大量之光聚焦至該阻劑層。
理論解析度限係藉由顯示如下之雷利公式(Rayleigh equation)定義之：
其中，k1 為製程因數，λ為成像工具之波長，而NA為該成像透鏡之數值口徑。當使用水作為浸潤流體時，該最大數值口徑可增加，例如自1.2至1.35。對於k1 為0.25之印刷線及空間圖案(printing line and space pattern)之例中，193 nm浸潤掃描儀將僅能解析36 nm半節距(half-pitch)線及空間圖案。由於與其中k1 之理論限值為0.35之暗域光罩的低空間影像(aerial image)對比度，印刷接觸孔或任意2D圖案之解析度進一步受限。因此，將接觸孔之最小半節距限制為約50 nm。通常，標準浸潤微影製程不適用於需要更高解析度之裝置的製造。
於為達成更高解析度及為將現有製造工具拓展至超過理論解析度限值的努力中，業經嘗試各種兩次圖案化(double patterning)製程，諸如自對準兩次圖案化(self-aligned double patterning,SADP)、微影-蝕刻-微影-蝕刻(litho-etch-litho-etch,LELE)以及微影-微影-蝕刻(litho-litho-etch,LLE)技術。然而，作為典型地業經實施之此等技術，受困於一種或多種缺點。SADP製程典型地包括相對大數量之製程步驟，因此對生產產量產生負面影響。LELE技術中，會從晶圓於光微影模組與蝕刻加工模組間往返轉移、以及從蝕刻及阻劑移除製程本身造成產物之玷污及缺陷。LLE過程包括第一微影(L1)阻劑圖案之形成及安定化以及其後的第二微影(L2)圖案之形成。業經嘗試各種阻劑安定化技術，諸如離子植入、UV固化、熱硬化、熱固化及化學固化。授予Brzozowy 等人之美國專利申請公開案第2008/0199814 A1號揭示上塗化學固化技術，於該技術中，係使用固定劑溶液塗覆該阻劑圖案，該固定劑溶液係包含溶劑、含有至少兩種對阻劑聚合物之錨固基具反應性之官能基團的固定劑化合物，以及視需要之添加劑如催化劑、表面活性劑及聚合物。雖然LLE製程包括少於SADP及LELE之製程步驟，其難以避免：於阻劑安定化過程中的圖案變形；於L2阻劑塗覆/軟烘烤製程過程中L1阻劑層與L2阻劑層間的相互混合；以及於L2曝光/顯影製程過程中L1圖案的顯影。
於此技藝中，對於解決與該技藝之現狀相關之一個或多個前述問題的多次圖案化製程存在持續之需求。
根據本發明之第一態樣，係提供形成電子裝置的方法。該等方法係包含：(a)提供包含一層或多層待圖案化之層的半導體基板；(b)將第一層之第一光敏組成物塗覆於該一層或多層待圖案化之層上，其中，該第一光敏組成物係包含第一樹脂組分及第一光活化組分；(c)通過圖案化之光罩將該第一層曝光於活化輻射；(d)將該經曝光之第一層顯影，以形成第一阻劑圖案；(e)於硬烘烤製程中熱處理該第一阻劑圖案；(f)使用有效於使該第一阻劑圖案之表面鹼性的材料處理該經硬烘烤之第一阻劑圖案；(g)將第二層之第二光敏組成物塗覆於該一層或多層待圖案化之層上並與該第一阻劑圖案之鹼性表面接觸，其中，該第二光敏組成物係包含第二樹脂組分及光酸產生劑，且該第二光敏組成物係正作用者；(h)通過圖案化之光罩將該第二層曝光於活化輻射；以及(i)將該經曝光之第二層顯影，以形成第二阻劑圖案。
將參考第1A至1I圖揭示本發明之例示性態樣，該等圖式例示性說明根據本發明之用於形成電子裝置的例示性微影-微影-蝕刻兩次圖案化製程之流程。第1A圖說明基板100，其可包括各種層及形成於其表面上之特徵。該基板可由諸如半導體，如矽或化合物半導體(如III-V或II-VI)；玻璃；石英；陶瓷；銅等材料製成。典型地，該基板係半導體晶圓，如單晶矽或化合物半導體晶圓，且可具有一層或多層之層體及形成於其表面上之圖案化特徵。可將一層或多層待圖案化之層體102提供於該基板100之上。下方基礎基板之材料本身可視需要經圖案化，諸如當所欲者係於該基板材料中形成溝槽時。於圖案化該基礎基板材料本身之例中，應將該圖案視為待形成於該基板之層中者。
舉例而言，該等層體可包括，一層或多層導電層，如鋁、銅、鉬、鉭、鈦、鎢、此等金屬之合金、氮化物或矽化物、經摻雜之非晶矽或經摻雜之多晶矽之層；一層或多層介電層，如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或金屬氧化物；半導體層，如單晶矽；及其組合。該等待蝕刻之層可藉由各種技術形成之，該等技術係諸如：化學氣相沈積(CVD)如電漿增強CVD、低壓CVD或磊晶生長；物理氣相沈積(PVD)如濺射或蒸發；或電鍍。該一層或多層之待蝕刻層體102之特定厚度將依照該等材料及欲形成之特定裝置而變化。
依照待蝕刻之特定層體、膜厚度及待使用之光微影材料及製程，可能欲將硬罩層103及/或於其上有待塗覆光阻層之底部抗反射塗層(BARC)104置於該層體102上。硬罩層之使用可為所欲者，舉例而言，當與具有非常薄之阻劑層使用時，其中，待蝕刻之層體需要顯著之蝕刻深度，及/或其中該特定之蝕刻劑係具有極差之阻劑選擇性。若使用硬罩層，可將待形成之阻劑圖案轉移至該硬罩層，該硬罩層隨後可用作蝕刻該下方層體102的罩。適當之硬罩材料及形成方法係技藝中已知者。典型材料係包括，例如，鎢、鈦、氮化鈦、氧化鈦、氧化鋯、氧化鋁、氮氧化鋁、氧化鉿、非晶碳、氮氧化矽及氮化矽。該硬罩層103可包括單層或不同材料製成之複數層。該硬罩層可藉由諸如化學氣相沈積技術或物理氣相沈積技術形成。
若該基板及/或下方層體於光阻曝光過程中反而反射顯著量之入射輻射，故對所形成之圖案產生負面影響，則底部抗反射塗層104可能為所欲者。此等塗層可提升聚焦深度、曝光寬容度、線寬一致性及CD控制。若將阻劑曝光於深紫外光(300 nm或更短)如KrF準分子雷射光(248 nm)、ArF準分子雷射光(193 nm)、電子束及軟X射線，典型係使用抗反射塗層。該抗反射塗層104可包含單層或複數層不同層體。適當之抗反射材料及形成方法係該技藝中已知者。抗反射材料為商業上可購得，如彼等由羅門哈斯電子材料有限公司(Rohm and Haas Electronic Materials LLC,Marlborough,MA USA)於AR商標下販售者，諸如ARTM 40A及ARTM 124抗反射劑。
將第一光敏組成物塗覆於基板上，並覆於該抗反射層104(若存在)上，以形成第一光敏層106。如本文所使用者，術語“光敏材料”、“光敏組成物”及“光阻”係可互換地使用。適當之光阻材料係該技藝中已知者，且包括諸如彼等基於丙烯酸酯、酚醛樹脂及矽化學者。舉例而言，適當之阻劑係於美國申請公開案第US20090117489 A1、US20080193872 A1、US20060246373 A1、US20090117489 A1及US20090123869 A1號及美國專利第7,332,616中揭示。有用於本發明之方法之光阻材料係包括正作用材料及負作用材料兩者。適當之正作用材料係包括正作用化學放大型光阻，其進行該組成物之一種或多種組分之酸-不穩定基的光酸促進之去保護反應，以使得該阻劑塗層之經曝光區域比未曝光區域更易溶於水性顯影劑中。該光阻樹脂之典型光酸-不穩定基係包括酯基，該酯基係含有共價鏈結至該酯之羧基氧的三級非環烷基碳(如第三丁基)或三級脂環碳(如甲基金剛烷基)。亦典型者係縮醛光酸-不穩定基。
該光敏組成物係包含樹脂組分及光活化組分。該樹脂較佳係具有賦予該阻劑組成物以鹼性水性顯影性的官能基。舉例而言，典型係包含極性官能基如羥基或羧酸酯基之樹脂黏合劑。該樹脂組分用於該組成物中之量係足以使得該組成物之經曝光之層可於顯影劑溶液如鹼性水溶液中顯影。該樹脂組分將典型地包含該阻劑總固體之約70至約97重量%(wt%)。
該光敏組成物進一步包含光活化組分，該光活化組分所採用之量係足以在曝光於活化輻射時於該組成物之塗層內產生潛像。舉例而言，該光活化組分將適當地以該阻劑總固體之約1至20 wt%的量存在。該阻劑組成物中之典型光活化組分係光酸產生劑(PAG)。適當之PAG係化學放大型光阻技藝中已知者，且包括諸如：鎓鹽，如三苯基鋶鹽、硝基苄基衍生物、磺酸酯、疊氮甲烷衍生物、乙二肟衍生物、N-羥基亞胺化合物之磺酸酯衍生物及含鹵素之三化合物。可使用一種或多種此等PAG。
阻劑之典型之視需要之添加劑係添加之鹼，特別是氫氧化四丁基銨(TBAH)或乳酸四丁基銨，其可提升經顯影之阻劑浮雕影像的解析度。對於在193 nm成像之阻劑，典型的添加之鹼係受阻胺(hindered amine)如二氮雜雙環十一烯或二氮雜雙環壬烯。該添加之鹼係適當地以相對小量使用，如相對於總固體之約0.03至5 wt%。
根據本發明使用之光阻也可含有其他視需要之材料。舉例而言，其他視需要之添加劑係包括抗條紋劑(anti-striation agent)、增塑劑及加速劑。除了可以相對大濃度如約0.1至10重量%(基於阻劑之乾成份之總重計)存在之填料及染料外，此等視需要之添加劑典型將以較小濃度存在於光阻組成物中。
適當之負作用阻劑典型地將含有交聯組分。該交聯組分典型地以分離之阻劑組分存在。胺系交聯劑如三聚氰胺，如Cymel三聚氰胺樹脂係典型者。有用於本發明之負作用光阻組成物係包含當曝露於酸時將固化、交聯或硬化之材料與本發明之光活化組分的混合物。特別有用之負作用組成物係包含樹脂黏合劑如酚系樹脂，交聯劑組分及光活化組分。此等組成物及其用途係於歐洲專利案第EP0164248B1及EP0232972B1號中、及美國專利案第5,128,232號中揭示之。用作該樹脂黏合劑組分之典型酚系樹脂係包括酚醛樹脂及聚(乙烯基酚)如彼等上述討論者。典型之交聯劑係包括胺系材料，包括三聚氰胺、甘脲(glycoluril)、苯胍(benzoguanamine)系材料及脲系材料。三聚氰胺-甲醛樹脂通常係最典型者。此等交聯劑係商業上可購得者，例如Cytec Industries於商品名Cymel 300、301及303下販售之三聚氰胺樹脂；Cytec Industries於商品名Cymel 1170、1171、1172下販售之甘脲樹脂；Teknor Apex公司於商品名Beetle 60、65及80下販售之脲系樹脂；以及Cytec Industries於商品名Cymel 1123及1125下販售之苯胍樹脂。對於在次-200 nm(sub-200 nm)波長如193 nm成像，典型負作用光阻係於國際申請公開案第WO 03077029號中揭示。
通常，有用於本發明之光阻係遵循已知過程製備之。舉例而言，可藉由將該光阻之組分溶解於適當之溶劑中製備為塗覆組成物，該溶劑係例如，二醇醚如2-甲氧基乙基醚(二甘二甲醚)、乙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚；丙二醇單甲醚乙酸酯；乳酸酯如乳酸乙酯或乳酸甲酯；丙酸酯，特別是丙酸甲酯、丙酸乙酯及乙氧基丙酸乙酯；賽絡蘇酯如甲基賽絡蘇乙酸酯；芳香烴如甲苯或二甲苯；或酮如甲乙酮、環己酮及2-庚酮。該光阻之固體含量典型係於約2至25wt%(基於該光阻組成物之總重計)之間變動。此等溶劑之摻合物亦係適當者。
本發明之方法可使用多種成像波長，例如，具有次-400 nm、次-300 nm或次-200 nm曝光波長之輻射，I-線(365 nm)、248 nm及193 nm係典型之曝光波長，以及EUV及157 nm。於一例示性態樣中，該光阻係適用於在次-200 nm之波長如193 nm成像。於此等波長，儘管可使用乾法製程，但典型係使用浸潤微影。於浸潤微影中，於曝光過程中將具有界於約1至約2之間之折射率的流體(亦即，浸潤流體)維持於曝光工具與該光阻層之間。典型地，將頂塗層置於該光阻層上，以防止該浸潤流體與光阻層間之直接接觸，從而避免該光阻之成份浸析入該浸潤流體中。
可藉由旋塗、浸塗、輥塗或其他傳統塗覆技術將該光敏組成物塗覆於該基板上。其中，旋塗係典型者。對於旋塗，可基於所使用之具體塗覆設備、溶液之黏度、塗覆工具之速度以及允許旋塗之時間量來調節塗覆溶液之固體含量，以提供所欲之膜厚度。該第一光敏層106之厚度典型為約500至1500埃()。然後，可軟烘烤該第一光敏層以最小化該層中之溶劑含量，從而形成無黏度之塗層並改善該層與基板間之黏合性。該軟烘烤可於熱板上或烘箱中進行，其中熱板係典型者。該軟烘烤之溫度及時間將取決於諸如該光敏層之特定材料及厚度。典型之軟烘烤係於自約90℃至150℃之溫度進行自約30至90秒之時間。
若該第一光敏層106將使用浸潤微影工具如193 nm浸潤掃描儀曝光之，可將頂塗層(未顯示)置於該光敏層106上。此頂塗層之使用可作為界於該浸潤流體與下方光敏層間之阻擋。藉此方式，該光敏組成物之組分浸析進入該浸潤流體中可能導致的該光學透鏡之污染及該浸潤流體之有效折射率與透射性能之改變可被最小化或避免。適當之頂塗組成物為商業上可購得者，例如，OPTICOATTM 頂塗材料如OCTM 2000(羅門哈斯電子材料(Rohm and Haas Electronic Materials))及其他該技藝中已知者，例如彼等於美國專利申請公開案第2006/0246373A1號及於2008年12月31日申請之美國臨時申請案第61/204,007號中揭示者。此等組成物可藉由任何適當之方法塗覆於該光敏層上，諸如上揭有關於光敏組成物中提及者，其中以旋塗為典型者。該頂塗層厚度典型為λ/4n(或其奇數倍數)，其中λ為該曝光輻射之波長，以及n為該頂塗層之折射率。若存在頂塗層，可於塗覆該頂塗層之後而非於塗覆頂塗層之前將該第一光敏層106軟烘烤。藉此方式，可於單一熱處理步驟中移除兩層之溶劑。
接著，將該第一光敏層106通過第一光罩110曝光於活化輻射108，以創製經曝光之區域與未經曝光之區域間之不同溶解度。對於正作用材料，如例示性說明者，該光罩係具有光學透明及光學不透明之區域，該光學透明之區域係對應該光敏層之待於後續之顯影步驟中移除之區域。對於負作用材料，該光學不透明材料對應該阻劑層之待顯影除去之部份。該曝光能量典型係自約1至100毫焦耳(mJ)/平方公分(cm2 )，取決於該曝光工具及該光敏組成物之組分。本文中提及之將光敏組成物曝光於用於該組成物之活化輻射係表示，該輻射能諸如藉由造成該光活化組分之反應，如藉由自光酸產生劑化合物產生酸，而於該光敏組成物中形成潛像。該光敏組成物典型係藉由短曝光波長予以光活化，該短曝光波長特別為次-400 nm、次-300或次-200 nm之曝光波長，以I-線(365 nm)、248 nm及193 nm為典型之曝光波長，以及EUV及157 nm。
將該第一光敏層106曝光之後，於超過該層之軟化點之溫度進行該光敏層之曝光後烘烤(PEB)。舉例而言，該PEB可於熱板上或烘箱中進行。該PEB之條件將取決於例如該光敏層之特定材料及厚度。該PEB典型係於自約80℃至約150℃之溫度進行自約30至90秒之時間。
接著，將經曝光之光敏層106顯影，以形成第1B圖所示之第一阻劑圖案106’。雖然該顯影劑材料將取決於該光敏層106之特定材料，適當之顯影劑及顯影技術係該技藝中已知者。舉例而言，典型之顯影劑係包括，水性系顯影劑如氫氧化四級銨溶液，例如氫氧化四烷基銨溶液如0.26當量濃度(N)氫氧化四甲基銨。
顯影之後，將該第一阻劑圖案106’於第一硬烘烤製程中熱處理，以進一步自該阻劑中移除溶劑並形成如第1C圖所示之經硬化之阻劑圖案106"。該硬烘烤典型係使用熱板或烘箱進行，且典型係於約150℃或更高之溫度，如自約170℃至180℃，進行自約30至120秒之時間。
參考第1D圖，使用有效使該第一阻劑圖案之表面鹼性的材料處理該經硬烘烤之第一阻劑圖案。該鹼性表阻礙了於後續塗覆於該阻劑圖案上之光敏層之曝光過程中的反應。舉例而言，於正作用光敏層之例中，於緊鄰該下方經鹼處理之阻劑圖案的區域內，酸催化之去保護反應被阻止。結果，顯影之後，該光敏層之部份將保留於彼等區域內。
雖然並不限於此，特別適用於該表面處理之材料係包含鹼性材料及與該鹼性材料不同之表面活性劑。咸信該表面活性劑促進於該經鹼性材料處理之阻劑圖案上實質上均勻之第二阻劑層的形成。
該鹼性材料可為各種形式，且可為藉由將固體化合物溶解於適當之溶劑中所形成之溶液形式。用於該阻劑圖案處理之適當鹼性材料係包括，例如水性系顯影劑如氫氧化四級銨溶液，如氫氧化四烷基銨溶液如0.26 N(2.38 wt%)氫氧化四甲基銨(TMAH)。用於該組成物中之鹼性材料或用於其他物之溶劑材料應不溶解該下方光阻或最小化地溶解該下方光阻。該鹼性材料(不含任何溶劑如水、醇等)典型係以自約1至10 wt%(基於該組成物之總體計)之量存在於該組成物中。
用於該阻劑圖案處理組成物之適當表面活性劑係包括彼等展現兩性特性者，意指其能同時具有親水性及疏水性。兩性表面活性劑具有親水性頭基或基(其對於水有強親和性)，以及長疏水性尾部(其為親有機物性且排斥水)。適當之表面活性劑可為離子型(即陽離子型、陰離子型)或非離子型。表面活性劑之進一步實例係包括矽酮表面活性劑、聚環氧烷表面活性劑及氟化化學品表面活性劑。用於水溶液中之適當非離子型表面活性劑係包括，但不限於，辛基酚乙氧化物或壬基酚乙氧化物如X-114、X-100、X-45、X-15及分支鏈二級醇乙氧化物如TERGITOLTM TMN-6(陶氏化學公司(The Dow Chemical Company,Midland,Michigan USA))。再進一步之例示性表面活性劑係包括醇(一級醇或二級醇)乙氧化物、胺乙氧化物、葡萄糖苷、還原葡糖胺、聚乙二醇、聚(乙二醇-共-丙二醇)或其他於糖果製造商出版公司(Manufacturers Confectioners Publishing Co. of Glen Rock,N. J.)印行之麥氏乳化劑及洗滌劑(McCutcheon’s Emulsifiers and Detergents,北美2000年版)中揭示者。
炔系二醇(acetylenic diol)衍生物亦可係適當之非離子表面活性劑，包括此等具有下式之表面活性劑：
其中，R1 及R4 係具有3至10個碳原子之直鏈或分支鏈烷基鏈；R2 及R3 係H或適當地具有1至5個碳原子之烷基鏈；以及m、n、p及q係自0至20範圍之數字。此等表面活性劑可自空氣產品及化學品公司(Air Products and Chemicals,Inc. of Allentown,Pa.)以商品名及購得。
用於本發明之塗覆組成物之另外的適當表面活性劑係包括其他聚合物化合物如三嵌段EO-PO-EO共聚物25R2、L121、L123、L31、L81、L101及P123(BASF,Inc.)。
特別適當之表面活性劑係包括胺類，典型係一級胺類及二級胺類，亦即分別包括一個或多個一級胺基及一個或多個二級胺基之胺，及其組合。除了一級胺基及/或二級胺基外，可存在三級胺基。典型地，該胺係多官能胺。該胺可係多元胺，如二胺、三胺或四胺。適當之一級胺係包括具有下式(I)之化合物： 其中，R係選自視需要經取代之烷基，如視需要經取代之C1-C6烷基，如甲基、乙基或丙基，其中乙基係典型者。其他適當之一級胺類係包括藉由下式(II)表示之聚(烯丙基胺)： 其中，R1 係選自氫及視需要經取代之烷基如C1-C3烷基；R2 係選自視需要經取代之伸烷基如C1-C6伸烷基，典型係亞甲基或伸乙基；以及n係大於或等於3之整數。於具有式(II)之例示性一級胺中，R1 係氫，以及R2 係亞甲基。其他適當之胺類係包括彼等藉由下列通式(III)、(IV)及(V)表示者： 其中，R1 及R2 係個別獨立為氫原子或具有1至10個碳原子之烷基，以及n係1至10之整數。其他適當之胺類係包括下列： 其中，參(2-胺基乙基)胺(TAEA)係特佳者。
該表面活性劑係典型以相對小量如自0.01至5wt%，如自0.01至1wt%(基於該組成物之總固體之重量計，其中總固體為除溶劑載劑之外之全部組成物組分)存在於該組成物中。
該阻劑圖案處理組成物除了包含該鹼性材料及表面活性劑組分之外，可包含一種或多種視需要之組分。舉例而言，該組成物可包括一種或多種除了任何用於該鹼性材料及表面活性劑之溶劑之外的溶劑。如上揭者，用於該組成物中之該鹼性材料及其他物之溶劑材料應不溶解該下方光阻或最小化地溶解該下方光阻。適當之溶劑將因此取決於特定之下方阻劑材料，且可包括，例如，水及醇如正丁醇。該視需要之組分亦包括一種或多種鹼產生劑化合物，如熱鹼產生劑化合物及/或光鹼產生劑化合物。
該光阻圖案處理組成物可藉由以任意順序混合該鹼性材料及表面活性劑組分，以及任何另外之組分如溶劑及鹼產生劑化合物而予以製備。可將該等組分之一種或多種作為固體添加或呈使用適當溶劑的預混合溶液加入。
較佳地，該鹼性處理係包括使用四級銨氫氧化物及胺進行處理。該四級銨氫氧化物材料及胺可同時塗覆至該基板，例如自預混合之組成物或藉由同時但彼此分離地塗覆該等材料(於該例中，該組成物係原位形成者)。較佳地，該四級銨氫氧化物材料及胺係以該順列依次塗覆。該四級銨氫氧化物及胺材料可作為液體、氣體或蒸汽施加，且可藉由諸如旋塗、滴塗、蒸汽塗、化學氣相沈積(CVD)或其他傳統塗覆技術予以塗覆。其中，典型為以液體材料旋塗。典型地，該四級銨氫氧化物及胺材料可作為水溶液塗覆。若該四級銨氫氧化物及胺係同時塗覆，可使用諸如去離子水沖洗該經表面處理之基板。若該四級銨氫氧化物及胺係依次塗覆，該胺可作為水溶液塗覆，其亦有水沖洗之功能。該經表面處理之基板可視需要使用諸如去離子水進行沖洗，以移除過量之組成物。
表面處理之結果為，與阻劑圖案106’之原始臨界維度(critical dimension,CD)相比，該第一阻劑圖案106"之CD變得略微減小。咸信損失CD係由該第一阻劑圖案於該表面處理過程中之進一步顯影所造成。此表面處理形成經修飾之第一阻劑圖案表面112，其係鹼性且具有較該經處理前之表面更小之線寬粗糙度。
該表面處理之後，可視需要於第二硬烘烤製程中對該基板進行熱處理。如下文更詳細討論者，得自該製程之該第一阻劑圖案之維度可藉由對該第二硬烘烤之適宜條件進行選擇而精確調節並控制。此熱處理製程典型係於熱板上或於烘箱中進行，且條件將取決於諸如該阻劑圖案之特定材料及厚度，以及該圖案CD之所欲改變。該視需要之熱處理之典型條件係包括自約120℃至200℃之溫度以及自約60至120秒之時間。
如第1E圖所示，如上揭之第二光敏組成物係塗覆於該第一阻劑圖案106"及BARC層104上，以形成第二光敏層114。該第二光敏組成物可與該第一光敏組成物相同或不同，且除了特別指定者外，可使用上揭關於該第一光敏層相同方式(包括材料及條件)塗覆及加工。雖然該第一光敏組成物之基調可為正作用或負作用，該第二光敏組成物之基調係正作用。通常，對於此組成物之選擇將取決於特定之應用及所包括之幾何學。於該例示性說明之方法中，該第一光敏組成物及該第二光敏組成物兩者皆為正作用。
可隨後對該第二光敏層114進行軟烘烤。若該第二光敏層114係欲使用浸潤微影工具進行曝光，可將如上揭之頂塗層(未顯示)置於該第二光敏層114之上。若使用頂塗層，可於塗覆該頂塗層組成物之後而非塗覆該頂塗層組成物之前，對該第二光敏層114進行軟烘烤。
參考第1F圖，該第二光敏層114係通過第二光罩116選擇地曝光於活化輻射108，該第二光罩116係視需要具有對應於該第二光敏層會於顯影後保留之部份之不透明區域。該第一阻劑圖案106"之經鹼性修飾之表面區域112阻止緊鄰該表面區域之該第二阻劑層114中的光反應。結果，未反應之第二光敏組成物之層114a’係保留於該第一阻劑圖案106"之上。該經曝光之第二光敏層114係於曝光後烘烤中熱處理，並加以顯影，留下位於該第一阻劑圖案106"上之該未反應之第二光敏組成物之層114a’及阻劑線114b’，以形成位於該第一阻劑圖案106"之線間的第二阻劑圖案，如第1G圖中詳述者。所得經顯影之該第一阻劑圖案之影像當與該第一光阻層之較早顯影後所得者相比，係具有經改善(即，減小)之表面粗糙度。
將該第二光敏層顯影之後，同時使用該第一及第二阻劑圖案106"、114a’及114b’作為蝕刻罩對該BARC層104進行選擇性蝕刻，曝露該下方硬罩層103。隨後，再次同時使用該第一及第二阻劑圖案作為蝕刻罩對該硬罩層進行選擇性蝕刻，得到經圖案化之BARC層104’及經圖案化之硬罩層103’，如第1H圖所示。用於蝕刻該BARC層及硬罩層之適當之蝕刻技術及化學品係該技藝中已知者，且將取決於諸如此等層之特定材料。乾法蝕刻製程如反應性離子蝕刻係典型者。隨後，使用已知技術如氧電漿灰化將該第一及第二阻劑圖案及經圖案化之BARC層104’自該基板移除。然後，使用該硬罩圖案103’作為蝕刻罩，選擇性蝕刻該一層或多層之層體102。用於蝕刻該下方層102之適當蝕刻技術及化學品係該技藝中已知者，其中乾法蝕刻製程如反應性離子蝕刻係典型者。隨後，可使用已知技術如乾法蝕刻製程如反應性離子蝕刻將該經圖案化之硬罩層103’自該基板表面移除。所得兩次圖案化之結構係為經蝕刻特徵的圖案102’，如第1I圖中例示性說明者。於另一種例示性方法中，所欲者可為在不使用硬罩層103下，使用經修飾之第一光阻圖案106"及第二圖案114b’直接對該層102圖案化。採用使用該阻劑圖案之直接圖案化是否可行將取決於若干因素，如所包括之材料、阻劑選擇性、阻劑圖案厚度及圖案維度。
熟識該技藝之人士應清楚明瞭，上揭製程係不限制於兩次曝光單蝕刻兩次圖案化，而是可用於三次曝光單蝕刻三次圖案化，甚或更高次數之多次曝光圖案化製程(藉由將該製程中以虛線表示之始於該第一硬烘烤至該額外光敏層之顯影的一系列步驟重複一次或多次而塗覆及圖案化額外之光阻層)。
參考第2圖，業經發現，與表面處理製程之前的CD相比，對該第二阻劑層114顯影之後，該第一阻劑圖案之CD隨著該第二硬烘烤(鹼性表面處理後)之溫度的增加而降低，且隨著該第二硬烘烤之溫度的降低而增加。基於此發現，可藉由適宜選擇第二硬烘烤條件而以該第二硬烘烤製程對該第一阻劑圖案之CD生長進行準確控制。更具體而言，吾人可選擇適宜之烘烤溫度，其將導致所欲之CD的增加、降低或不變。雖然CD之改變與硬烘烤溫度間之確切關係將取決於用於該第一阻劑圖案之特定材料、表面處理化學及第二光阻組成物，第2圖係例示性說明通常關係。作為此關係之結果，可藉由重複上揭之始於第一硬烘烤至顯影之該等製程(如第1圖中虛線箭頭所指)來進一步調節對第二阻劑層顯影後獲得之該阻劑圖案的維度。可將該順序重複一次或多次以獲得所欲之該第一阻劑圖案的CD。
本發明可用於電子裝置之製造中的多種情形。舉例而言，本發明尤其可用於作為用於兩次或更高次數圖案化(或節距分割(pitch-splitting))如兩次、三次或更高次數曝光單蝕刻兩次圖案化之基礎，以及改善阻劑圖案線寬粗糙度。可依所欲可控地修整或加寬阻劑圖案。
本發明之方法係包括以有效使得該阻劑圖案之表面為鹼性之材料處理所形成之阻劑圖案。雖然不限於此，用於處理該阻劑圖案之例示性材料係揭示如下。
下列非限制性實施例係用於例示性說明本發明。
實施例 比較例1，實施例1至6： L1阻劑聚合物(聚(IAM/α-GBLMA/ODOTMA/HAMA))之合成
將10.51公克(g)之2-甲基-丙烯酸1-異丙基-金剛烷基酯(IAM)、6.82 g之2-甲基-丙烯酸2-側氧基-四氫呋喃-3-基酯(α-GBLMA)、6.36 g之2-甲基-丙烯酸3-側氧基-4,10-二氧雜-三環[5.2.1.02,6 ]癸-8-基酯(ODOTMA)及6.31 g之2-甲基-丙烯酸3-羥基-金剛烷基酯(HAMA)溶解於27 g之四氫呋喃(THF)中。藉由使用氮氣鼓泡20分鐘對該混合物進行脫氣。將11 g之THF充填入配備冷凝器、氮氣入口及機械攪拌器之500 mL燒瓶中，使該溶液達67℃之溫度。將5.23 g之2,2-偶氮二異丁酸二甲酯(17莫耳%(mol%)，基於總單體計)溶解於5 g之THF中，並將之充填入該燒瓶中。以每小時16.0毫升之速率於3小時又30分鐘內將該單體溶液饋入反應器中。接著，將該聚合反應混合物於67℃攪拌額外之30分鐘。隨後，將5 g之THF加入該反應器中，並將該聚合反應混合物冷卻至室溫。於1.0公升(L)之異丙醇中實施沈澱。過濾後，乾燥該聚合物，再溶解於50 g之THF中，於1.1 L之異丙醇中再沈澱，過濾，並於真空烘箱中於45℃乾燥48小時，得到25.4 g之如下顯示之聚(IAM/α-GBLMA/ODOTMA/HAMA)聚合物(Mw=7,934且Mw/Mn=~1.46)：
L1阻劑之配方
將3.169 g之如上揭者形成之聚合物溶解於96.38 g之70 wt%丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)及30 wt%環己酮的溶劑混合物中。將0.405 g之(金剛烷-1-基甲氧基羰基)-二氟-甲烷磺酸三苯基鋶鹽、0.041 g之1-(第三丁氧基羰基)-4-羥基哌啶及0.005 g之PF-656表面活性劑(Omnova Solutions Inc.)加入此混合物中。將所得之混合物於輥上滾動6小時，然後通過具有0.2微米孔徑之特氟隆(Teflon)過濾器過濾，從而形成正作用光阻組成物。
表面處理溶液之配方
藉由將0.01 g之(TAEA)(Sigma-Aldrich)加入99.99 g之表面活性劑溶液(OptiPatternTM Clear-I,Air Products and Chemicals,Inc.,Allentown,PA,USA)中製備表面處理溶液。所得溶液通過具有0.1微米孔徑之尼龍過濾器過濾。
晶圓之製備
將ARTM 40A抗反射劑(Rohm and Haas Electronic Materials)旋塗於300毫米(mm)矽晶圓上，以於TEL CLEAN TRACKTM LITHIUSTM i+塗覆器/顯影儀上形成第一底部抗反射塗層(BARC)。於215℃將塗覆有該第一BARC之晶圓烘烤60秒，以獲得75 nm厚度之第一BARC膜。使用ARTM 124抗反射劑(Rohm and Haas Electronic Materials)將第二BARC層塗覆於該第一BARC上。於205℃烘烤晶圓60秒，以產生23 nm之頂部BARC層。將這些晶圓用於下揭之該第一微影(L1)影像之後續圖案化。
第一微影(L1)
於該塗覆器/顯影儀上將L1阻劑配方塗覆於塗覆有雙層BARC之晶圓上，並於110℃軟烘烤60秒，以提供950埃()厚度之第一阻劑層。於該第一阻劑層之上形成頂塗層，使用數值口徑為1.35之ASML TWINSCANTM XT:1900i浸潤掃描儀以及二極照明(0.89外西格瑪(sigma)/0.76內sigma)通過如第3圖中顯示之具有線及空間圖案之二階標線板(binary reticle)進行曝光。該標線板上之臨界維度(CD)包括於90 nm節距之45 nm線(45 nm 1:1線及空間)。將該標線板定位成使得每一晶片中該經圖案化之線及空間係處於水平方向，如第3A圖例示性說明者。以自16至38 mJ/cm2 之不同曝光劑量將各種CD以90 nm節距印刷於該晶圓上。使用固定聚焦深度及曝光劑量之增量改變來成像晶片而使得當該晶圓上之刻痕向下時，每一列之曝光劑量自左向右增加。接著，於100℃對該等晶圓進行曝光後烘烤(PEB) 60秒，再使用MicropositTM MF CD-26顯影儀(Rohm and Haas Electronic Materials)顯影12秒，以使得L1圖案化。
固化及表面處理
於180℃對經L1圖案化之晶圓進行固化烘烤製程60秒，以供用於後續之第二微影製程。除了比較例1之外，經熱固化之該等晶圓係使用該表面處理溶液來處理該等晶圓(於該晶圓軌道上旋轉晶圓)，接著，於各種溫度硬烘烤，如第4圖中所示者。
第二微影(L2)
隨後於塗覆器/顯影儀上使用EPICTM 2098光阻(Rohm and Haas Electronic Materials)塗覆經L1圖案化之該等晶圓，並於110℃軟烘烤60秒，得到650之膜厚度(於裸矽晶圓上測量)。於該第二阻劑層上形成頂塗層。使用與該L1製程中相同之掃描儀設定及標線板將該頂塗層及第二阻劑層曝光並顯影，以產生第二(L2)阻劑圖案，惟不同之處在於該等晶圓係相對於該L1之定向旋轉90度，如第3B至3C圖所示者。於每一晶片中，當晶圓上之刻痕向下時所得之L2圖案係定向於垂直方向，從而與該L1製程中定向於水平方向之線及空間一起形成交叉網格，如第3D圖所示者。
計量學
對該等晶圓進行兩次圖案化之後，於CG 4000 SEM(Hitachi High Technologies America,Inc)上測量該等晶圓之CD。於每一晶片上檢測三個區域：(1)於該L2製程中整片曝光(flood exposed)之L1圖案(該晶片之左下角)；(2)於L1之後，印刷於開放空間內之L2影像(該晶片之右上角)；以及(3)L1線與L2線交叉之接觸孔區域(該晶片之右下角)。
結果係總結於第4圖中所示之表內，其係包括SEM影像及CD測量數據。該L1影像及L2影像係分別於曝光劑量為22 mJ/cm2 及23mJ/cm2 之L1曝光製程及L2曝光製程獲得。該接觸孔影像係於L1及L2之劑量分別為22 mJ/cm2 及23 mJ/cm2 獲得者。由於熱收縮，該原始L1影像係展現固化前之CD為49.0 nm，而於180℃固化60秒後之CD為47.6 nm。比較例1純粹使用熱固化，於兩次圖案化之後該L1圖案顯示顯著之收縮。測得L1之CD為41.6 nm，與兩次圖案化前之經固化之L1之CD相比收縮6 nm。儘管L1圖案於兩次圖案化製程中有收縮，仍獲得成功之兩次圖案化結果。實施例1證實了於L1及接觸孔CD上之表面處理的效果。如可見者，使用經鹼處理之L1圖案進行兩次圖案化之後，所測得之L1圖案之CD增長約為10 nm。實施例2至6證實，對L1及接觸孔CD進行阻劑圖案處理之後硬烘烤溫度的效果。對於120℃與150℃間之硬烘烤溫度，發現L1之CD隨著溫度以約0.3 nm/℃之速率而實質上線性地變化。基於此等結果，咸信可使用鹼處理及處理後硬烘烤製程對最終接觸孔CD進行精確控制及調節。
進一步使用實施例1來分析該阻劑圖案處理製程之線寬粗糙度(line width roughness,LWR)效果。於36mJ/cm2 進行L1曝光及顯影之後，分別於34.6 nm及4.5 nm(3 sigma)測量L1圖案之線寬及線寬粗糙度。於16mJ/cm2 進行L2曝光及顯影之後，再次進行測量，所得之線寬及線寬粗糙度分別為45.7 nm及2.7 nm(3 sigma)。基於此等結果，可過度曝光L1阻劑影像，以提供小於目標CD之線，然後根據本文揭示之方法進行處理，以獲得於目標CD具有經改善之LWR的L1線。
實施例7至58：
除了該表面處理溶液係藉由將表1之組分一起加入並使用具有0.1微米孔徑之尼龍過濾器進行過濾而製備之外，重複實施例1之過程。可預期產生接觸孔影像。
實施例59至101：
除了下列之外，重複實施例1之過程：(1)對於第二(L2)微影曝光，未旋轉該光罩而是側向移動半節距之距離，因此使得該等L2線係置於L1線間之中央位置；以及(2)該表面處理溶液係藉由將表1之組分一起加入並使用具有0.1微米孔徑之尼龍過濾器進行過濾而製備。將預期獲得緊密之線及空間的圖案。可預期產生密集之線及空間圖案。
1 　胺係1 wt%水溶液，且具有上文定義之結構；
2 S-1=TergitolTM TMN-6，10 wt%水溶液(The Dow Chemical Company,Midland,MI,USA)；S-2=TritonTM X-100，10 wt%水溶液(The Dow Chemical Company)；S-3=TetronicsTM 304，10 wt%水溶液(BASF Corporation,Florham Park,NJ USA)；S-4=TetronicsTM 1307(BASF Corporation,Florham Park,NJ USA)；S-5=SurfynolTM 2502(Air Products and Chemicals,Inc.,Allentown,PA,USA)。
100．．．基板
102．．．待圖案化之層體
102’．．．經蝕刻特徵的圖案
103．．．硬罩層
103’．．．硬罩圖案/經圖案化之硬罩層
104．．．底部抗反射塗層
104’．．．經圖案化之底部抗反射塗層
106．．．第一光敏層
106’．．．第一阻劑圖案
106”．．．經硬化之第一阻劑圖案
108．．．活化輻射
110．．．第一光罩
112．．．經修飾之第一阻劑圖案表面/經鹼性修飾之表面區域
114．．．第二光敏層
114a’．．．未反應之第二光敏組成物之層
114b’．．．阻劑線
116．．．第二光罩
將參考下列之圖式討論本發明，其中相似之引用數字表示相似之特徵，其中：
第1A至1I圖例示性說明根據本發明之二次曝光單蝕刻二次圖案化方法之製程流程；
第2圖係顯示於根據本發明之方法中，表面處理後烘烤之溫度對於微影圖案維度改變之影響的圖；
第3圖係例示性說明用於在半導體晶圓上形成雙層交叉線結構之光罩及曝光技術；以及
第4圖係包括實施例中揭示之兩次圖案化方法的SEM光學微照片及數據的表。
100．．．基板
102．．．待圖案化之層體
102’．．．經蝕刻特徵的圖案
103．．．硬罩層
103’．．．硬罩圖案/經圖案化之硬罩層
104．．．底部抗反射塗層
104’．．．經圖案化之底部抗反射塗層
106．．．第一光敏層
106’．．．第一阻劑圖案
106”．．．經硬化之第一阻劑圖案
108．．．活化輻射
110．．．第一光罩
112．．．經修飾之第一阻劑圖案表面/經鹼性修飾之表面區域
114．．．第二光敏層
114a’．．．未反應之第二光敏組成物之層
114b’．．．阻劑線
116．．．第二光罩

Claims (12)

  1. 一種形成電子裝置的方法，係包含：(a)提供包含一層或多層待圖案化之層的半導體基板；(b)將第一層之第一光敏組成物塗覆於該一層或多層待圖案化之層上，其中，該第一光敏組成物係包含第一樹脂組分及第一光活化組分；(c)通過圖案化之光罩將該第一層曝光於活化輻射；(d)將該經曝光之第一層顯影，以形成第一阻劑圖案；(e)於硬烘烤製程中熱處理該第一阻劑圖案；(f)使用有效於使該第一阻劑圖案之表面鹼性的材料處理該經硬烘烤之第一阻劑圖案，其中，該材料包括水性鹼顯影劑；(g)將第二層之第二光敏組成物塗覆於該一層或多層待圖案化之層上並與該第一阻劑圖案之鹼性表面接觸，其中，該第二光敏組成物係包含第二樹脂組分及光酸產生劑，且該第二光敏組成物係正作用型；(h)通過圖案化之光罩將該第二層曝光於活化輻射；以及(i)將該經曝光之第二層顯影，以形成第二阻劑圖案。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該第一阻劑圖案及第二阻劑圖案係個別包含複數條線。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中，該第二阻劑圖案之複數條線與該第一阻劑圖案之複數條線交叉。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中，該第一阻劑圖案及第二阻劑圖案定義複數個接觸孔圖案。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中，該第二阻劑圖案之相鄰線係位於其各自之該第一阻劑圖案之相鄰線之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該第一硬烘烤製程係於約150℃或更高之溫度進行。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，於該使用有效於使鹼性之材料處理之步驟之後以及於該塗覆該第二光敏組成物層之步驟之前，進一步包含熱處理該經硬烘烤之第一阻劑圖案。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，使用有效於使該第一阻劑圖案之表面鹼性的材料處理該經硬烘烤之第一阻劑圖案係包含使用鹼性材料及表面活性劑處理該第一阻劑圖案。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，使用有效於使該第一阻劑圖案之表面鹼性的材料處理該經硬烘烤之第一阻劑圖案係包含使用一級胺或二級胺處理該第一阻劑圖案。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中，使用有效於使該第一阻劑圖案之表面鹼性的材料處理該經硬烘烤之第一阻劑圖案係包含使用氫氧化四級銨溶液之後使用一級胺或二級胺來依序處理該第一阻劑圖案。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該水性鹼性 鹼顯影劑係氫氧化四級銨溶液。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中，該氫氧化四級銨溶液係氫氧化四甲基銨。
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Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2287669A1 (en) * 2009-06-26 2011-02-23 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Methods of forming electronic devices
EP2287667B1 (en) * 2009-06-26 2013-03-27 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Self-aligned spacer multiple patterning methods
EP2336824A1 (en) 2009-11-19 2011-06-22 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Methods of forming electronic devices
JP5542500B2 (ja) * 2010-03-30 2014-07-09 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法およびレジスト組成物
KR20120027989A (ko) * 2010-09-14 2012-03-22 삼성전자주식회사 반도체 소자의 패턴 형성방법
KR101865296B1 (ko) * 2011-06-15 2018-06-07 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
CN102856190B (zh) * 2011-06-30 2015-04-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 条形结构的刻蚀方法
EP2729844B1 (en) * 2011-07-08 2021-07-28 ASML Netherlands B.V. Lithographic patterning process and resists to use therein
US9064808B2 (en) 2011-07-25 2015-06-23 Synopsys, Inc. Integrated circuit devices having features with reduced edge curvature and methods for manufacturing the same
US8609550B2 (en) * 2011-09-08 2013-12-17 Synopsys, Inc. Methods for manufacturing integrated circuit devices having features with reduced edge curvature
CN103034048B (zh) * 2011-09-29 2015-04-22 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 光刻方法
CN102364389A (zh) * 2011-10-17 2012-02-29 深圳市华星光电技术有限公司 控制液晶显示装置接触孔孔壁角度的制作方法
CN102437018B (zh) * 2011-11-02 2017-11-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 用于改进蚀刻后晶圆内关键尺寸均匀性的烘烤方法及设备
US8604427B2 (en) * 2012-02-02 2013-12-10 Applied Materials Israel, Ltd. Three-dimensional mapping using scanning electron microscope images
JP6028357B2 (ja) 2012-03-22 2016-11-16 ソニー株式会社 ヘッドマウントディスプレイ及び手術システム
WO2014013396A2 (en) * 2012-07-16 2014-01-23 Basf Se Composition for manufacturing integrated circuit devices, optical devices, micromachines and mechanical precision devices
CN102751238A (zh) * 2012-07-27 2012-10-24 上海华力微电子有限公司 通孔优先铜互连制作方法
US9086631B2 (en) * 2012-08-27 2015-07-21 Tokyo Electron Limited EUV resist sensitivity reduction
CN102832168A (zh) * 2012-09-11 2012-12-19 上海华力微电子有限公司 一种沟槽优先铜互连制作方法
CN102810510A (zh) * 2012-09-11 2012-12-05 上海华力微电子有限公司 一种铜互连制作方法
CN103839783B (zh) * 2012-11-21 2017-06-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 自对准双重图形的形成方法
JP6119669B2 (ja) * 2013-06-11 2017-04-26 信越化学工業株式会社 下層膜材料及びパターン形成方法
DE102013108876B4 (de) * 2013-08-16 2022-08-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Fotolithografisches Verfahren zur Herstellung einer Struktur in einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement
CN104425225A (zh) * 2013-09-04 2015-03-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 三重图形的形成方法
JP6340304B2 (ja) * 2013-11-29 2018-06-06 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
US9793268B2 (en) 2014-01-24 2017-10-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and structure for gap filling improvement
TWI653507B (zh) * 2014-02-07 2019-03-11 比利時商愛美科公司 用於減低微影製程後線寬粗糙度之電漿方法
KR20150136387A (ko) 2014-05-27 2015-12-07 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US9715724B2 (en) 2014-07-29 2017-07-25 Applied Materials Israel Ltd. Registration of CAD data with SEM images
KR102270752B1 (ko) 2014-08-11 2021-07-01 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
TWI675258B (zh) * 2014-09-26 2019-10-21 日商東京應化工業股份有限公司 光阻圖型形成方法、光阻圖型分離劑、分離圖型改善化劑、光阻圖型分離材料及分離圖型形成用之正型光阻劑組成物
TWI632437B (zh) * 2014-11-07 2018-08-11 羅門哈斯電子材料有限公司 用於形成凸紋影像的方法
US9673059B2 (en) * 2015-02-02 2017-06-06 Tokyo Electron Limited Method for increasing pattern density in self-aligned patterning integration schemes
US9754791B2 (en) * 2015-02-07 2017-09-05 Applied Materials, Inc. Selective deposition utilizing masks and directional plasma treatment
KR102370616B1 (ko) * 2015-02-09 2022-03-04 삼성전자주식회사 미세 패턴 형성 방법
US9633847B2 (en) * 2015-04-10 2017-04-25 Tokyo Electron Limited Using sub-resolution openings to aid in image reversal, directed self-assembly, and selective deposition
JP2016213475A (ja) * 2015-05-13 2016-12-15 東京エレクトロン株式会社 シュリンク及び成長方法を使用する極端紫外線感度低下
US10061199B2 (en) * 2015-06-24 2018-08-28 Tokyo Electron Limited Methods of forming a mask for substrate patterning
US9741586B2 (en) * 2015-06-30 2017-08-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating package structures
US10162265B2 (en) * 2015-12-09 2018-12-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Pattern treatment methods
US10503070B2 (en) * 2015-12-10 2019-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photosensitive material and method of lithography
KR102515807B1 (ko) * 2016-01-11 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6741471B2 (ja) * 2016-05-17 2020-08-19 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
CN107703722B (zh) * 2016-08-08 2020-12-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 图案化光阻的形成方法
US10115594B1 (en) * 2017-09-05 2018-10-30 Nanya Technology Corporation Method of forming fine island patterns of semiconductor devices
JP2019078812A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 高精細パターンの製造方法およびそれを用いた表示素子の製造方法
JP2019078810A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 微細パターンの製造方法およびそれを用いた表示素子の製造方法
US10410878B2 (en) 2017-10-31 2019-09-10 American Air Liquide, Inc. Hydrofluorocarbons containing —NH2 functional group for 3D NAND and DRAM applications
CN107761663A (zh) * 2017-11-08 2018-03-06 江苏科技大学 一种板桩码头结构及其施工方法
US10734229B2 (en) * 2018-01-05 2020-08-04 Tokyo Electron Limited Method of advanced contact hole pattering
US11139402B2 (en) 2018-05-14 2021-10-05 Synopsys, Inc. Crystal orientation engineering to achieve consistent nanowire shapes
US11143953B2 (en) 2019-03-21 2021-10-12 International Business Machines Corporation Protection of photomasks from 193nm radiation damage using thin coatings of ALD Al2O3
US11264458B2 (en) 2019-05-20 2022-03-01 Synopsys, Inc. Crystal orientation engineering to achieve consistent nanowire shapes
US11886121B2 (en) * 2019-08-30 2024-01-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming patterned photoresist
US20230152701A1 (en) * 2020-03-30 2023-05-18 Lam Research Corporation Structure and method to achieve positive tone dry develop by a hermetic overlayer
KR20240056528A (ko) 2021-08-25 2024-04-30 제미나티오, 인코포레이티드 고밀도 접촉 형성을 위한 인-레지스트 공정
WO2023028244A1 (en) * 2021-08-25 2023-03-02 Geminatio, Inc. Generation of multiline etch substrates

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040121615A1 (en) * 2002-10-10 2004-06-24 Fumitake Kaneko Method of forming fine patterns
US20060003271A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Clark Shan C Basic supercritical solutions for quenching and developing photoresists
US20060127816A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Double photolithography methods with reduced intermixing of solvents
US20080166665A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Hynix Semiconductor Inc. Method for Forming a Fine Pattern in a Semicondutor Device
TW200845203A (en) * 2006-12-06 2008-11-16 Fujifilm Electronic Materials Device manufacturing process utilizing a double patterning process
US20090087786A1 (en) * 2007-09-20 2009-04-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process and resist composition used therein

Family Cites Families (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3474054A (en) 1966-09-13 1969-10-21 Permalac Corp The Surface coating compositions containing pyridine salts or aromatic sulfonic acids
US4251665A (en) 1978-05-22 1981-02-17 King Industries, Inc. Aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
US4200729A (en) 1978-05-22 1980-04-29 King Industries, Inc Curing amino resins with aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
JPS5844715A (ja) * 1981-09-11 1983-03-15 Fujitsu Ltd 微細パタ−ン形成方法
NO173574C (no) 1984-06-01 1993-12-29 Rohm & Haas Fremgangsmaate til fremstilling av et termisk stabilt, positivt eller negativt bilde paa en underlagsflate
CA1307695C (en) 1986-01-13 1992-09-22 Wayne Edmund Feely Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developablenegative images
EP0358358B1 (en) * 1988-08-26 1994-11-30 Nippon Oil And Fats Company, Limited Pigment dispersing agent
US5128232A (en) 1989-05-22 1992-07-07 Shiply Company Inc. Photoresist composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
US5100696A (en) * 1989-07-10 1992-03-31 Ncr Corporation Magnetic thermal transfer ribbon
US5187019A (en) 1991-09-06 1993-02-16 King Industries, Inc. Latent catalysts
JP3340493B2 (ja) * 1993-02-26 2002-11-05 沖電気工業株式会社 パターン形成方法、位相シフト法用ホトマスクの形成方法
US5656121A (en) * 1994-08-19 1997-08-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making multi-layer composites having a fluoropolymer layer
JP3444692B2 (ja) * 1995-04-14 2003-09-08 沖電気工業株式会社 パターン形成方法
JPH09191007A (ja) * 1996-01-11 1997-07-22 Sumitomo Chem Co Ltd フォトレジスト用剥離液
JPH11214510A (ja) * 1998-01-26 1999-08-06 Toshiba Corp 自己整合型パターン形成方法
JPH11251214A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Sharp Corp タンタル薄膜回路素子の製造方法
US6218085B1 (en) 1999-09-21 2001-04-17 Lucent Technologies Inc. Process for photoresist rework to avoid sodium incorporation
JP2001135565A (ja) * 1999-11-08 2001-05-18 Sony Corp 半導体装置の製造方法
TWI281101B (en) * 2000-02-28 2007-05-11 Mitsubishi Electric Corp Developing process, process for forming pattern and process for preparing semiconductor device using same
JP4329216B2 (ja) * 2000-03-31 2009-09-09 Ｊｓｒ株式会社 レジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法
JP2002006512A (ja) * 2000-06-20 2002-01-09 Mitsubishi Electric Corp 微細パターン形成方法、微細パターン形成用材料、およびこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法
US6534243B1 (en) * 2000-10-23 2003-03-18 Advanced Micro Devices, Inc. Chemical feature doubling process
KR100546098B1 (ko) * 2000-12-27 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 열산 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물을 이용하여포토레지스트 패턴 폭 감소 현상을 개선하는 방법
JP2002278053A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
US7670556B2 (en) * 2001-07-10 2010-03-02 Wisconsin Alumni Research Foundation Surface plasmon resonance imaging of micro-arrays
JP3878451B2 (ja) * 2001-10-22 2007-02-07 富士フイルムホールディングス株式会社 感光性樹脂転写材料、画像形成方法、カラーフィルターとその製造方法、フォトマスクとその製造方法
JP2003228179A (ja) * 2002-01-31 2003-08-15 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 銅配線基板向けアミン含有レジスト剥離液および剥離方法
EP1481282A4 (en) 2002-03-04 2009-10-28 Shipley Co Llc NEGATIVE PHOTORESISTS FOR IMAGING WITH SHORT WAVE LENGTH
JP4041750B2 (ja) * 2002-06-28 2008-01-30 富士フイルム株式会社 染料含有硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法
US6740473B1 (en) * 2002-11-28 2004-05-25 United Microelectronics Corp. Method for shrinking critical dimension of semiconductor devices
US6916594B2 (en) * 2002-12-30 2005-07-12 Hynix Semiconductor Inc. Overcoating composition for photoresist and method for forming photoresist pattern using the same
CN1823304B (zh) * 2003-07-17 2010-12-22 Az电子材料（日本）株式会社 用于形成精细图形的材料和使用该材料形成精细图形的方法
US7232641B2 (en) 2003-10-08 2007-06-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable compound, polymer, positive-resist composition, and patterning process using the same
JP4143023B2 (ja) * 2003-11-21 2008-09-03 株式会社東芝 パターン形成方法および半導体装置の製造方法
KR100560633B1 (ko) * 2004-08-16 2006-03-17 삼성전자주식회사 커패시터 제조 방법
EP1720072B1 (en) 2005-05-01 2019-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositons and processes for immersion lithography
DE102005037022A1 (de) * 2005-06-28 2007-01-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Diffusionsbarriere
JP2007010785A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Fujifilm Holdings Corp 永久パターン形成方法
JP4830596B2 (ja) * 2006-04-10 2011-12-07 凸版印刷株式会社 レジストパターン形成用基板、レジストパターン形成方法およびパネル
WO2007148160A2 (en) * 2006-06-20 2007-12-27 Freescale Semiconductor, Inc. Method of multi-layer lithography
KR20080023814A (ko) * 2006-09-12 2008-03-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 미세패턴 형성방법
US7568362B2 (en) * 2006-10-16 2009-08-04 Calibre International, Llc Bean bag holder to be used to hold a can or bottle
CN102253596B (zh) 2006-10-30 2014-05-14 罗门哈斯电子材料有限公司 浸渍平版印刷用组合物和浸渍平版印刷方法
JP5270840B2 (ja) * 2007-01-23 2013-08-21 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆形成剤及びそれを用いた微細パターンの形成方法
CN100490059C (zh) * 2007-03-21 2009-05-20 山东华光光电子有限公司 一种高亮度发光二极管芯片的制备方法
JP2008268855A (ja) * 2007-03-26 2008-11-06 Fujifilm Corp パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法
US8088566B2 (en) * 2007-03-26 2012-01-03 Fujifilm Corporation Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent
KR20120032024A (ko) * 2007-05-23 2012-04-04 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물
JP4840255B2 (ja) * 2007-05-29 2011-12-21 Ｊｓｒ株式会社 パターン形成方法及びそれに用いる樹脂組成物
US8642474B2 (en) * 2007-07-10 2014-02-04 Advanced Micro Devices, Inc. Spacer lithography
JP4973876B2 (ja) * 2007-08-22 2012-07-11 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びこれに用いるパターン表面コート材
JP2009053547A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd パターン形成方法及び被覆膜形成用材料
EP2056162B1 (en) 2007-11-05 2016-05-04 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Process for immersion lithography
US7659208B2 (en) * 2007-12-06 2010-02-09 Micron Technology, Inc Method for forming high density patterns
US7838198B2 (en) * 2007-12-13 2010-11-23 International Business Machines Corporation Photoresist compositions and method for multiple exposures with multiple layer resist systems
US7838200B2 (en) * 2007-12-13 2010-11-23 International Business Machines Corporation Photoresist compositions and method for multiple exposures with multiple layer resist systems
JP2009194207A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Tokyo Electron Ltd パターン形成方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP5154395B2 (ja) * 2008-02-28 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法及びレジスト塗布・現像処理システム
EP2101217B1 (en) * 2008-03-14 2011-05-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonium salt-containing polymer, resist compositon, and patterning process
US20090253080A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 Dammel Ralph R Photoresist Image-Forming Process Using Double Patterning
US20090253078A1 (en) * 2008-04-07 2009-10-08 Sokudo Co., Ltd. Double exposure lithography using low temperature oxide and uv cure process
US8618108B2 (en) * 2008-10-06 2013-12-31 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Llc Methods of making cyclic, N-amino functional triamines
KR101523951B1 (ko) * 2008-10-09 2015-06-02 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
JP5071688B2 (ja) * 2009-02-18 2012-11-14 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びレジスト変性用組成物
JP5212245B2 (ja) * 2009-04-23 2013-06-19 住友化学株式会社 レジストパターンの製造方法
KR20100117025A (ko) * 2009-04-23 2010-11-02 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 포토레지스트 패턴 형성 방법
JP5112380B2 (ja) * 2009-04-24 2013-01-09 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
TWI403520B (zh) * 2009-05-25 2013-08-01 信越化學工業股份有限公司 光阻改質用組成物及圖案形成方法
TWI418533B (zh) * 2009-05-25 2013-12-11 信越化學工業股份有限公司 光阻改質用組成物及圖案形成方法
JP5573356B2 (ja) * 2009-05-26 2014-08-20 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
EP2287669A1 (en) * 2009-06-26 2011-02-23 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Methods of forming electronic devices
EP2287667B1 (en) * 2009-06-26 2013-03-27 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Self-aligned spacer multiple patterning methods
JP2011022187A (ja) * 2009-07-13 2011-02-03 Konica Minolta Business Technologies Inc 静電荷像現像用トナー、フルカラートナーキット、画像形成方法
EP2336824A1 (en) * 2009-11-19 2011-06-22 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Methods of forming electronic devices

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040121615A1 (en) * 2002-10-10 2004-06-24 Fumitake Kaneko Method of forming fine patterns
US20060003271A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Clark Shan C Basic supercritical solutions for quenching and developing photoresists
US20060127816A1 (en) * 2004-12-10 2006-06-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Double photolithography methods with reduced intermixing of solvents
TW200845203A (en) * 2006-12-06 2008-11-16 Fujifilm Electronic Materials Device manufacturing process utilizing a double patterning process
US20080166665A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Hynix Semiconductor Inc. Method for Forming a Fine Pattern in a Semicondutor Device
US20090087786A1 (en) * 2007-09-20 2009-04-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process and resist composition used therein

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