JP5698926B2 - 電子デバイスを形成する方法 - Google Patents

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Description

本出願は３５Ｕ．Ｓ．Ｃ．１１９（ｅ）に基づいて、米国仮出願第６１／２６９，６００号（２００９年６月２６日出願）および第６１／２８１，６８１号（２００９年１１月１９日出願）の優先権の利益を主張し、これら出願の全内容は参照により本明細書に組み込まれる。
本発明は概して、電子デバイスの製造に関する。より具体的には、本発明はフォトリソグラフィパターンを形成する方法に関する。本発明は、高密度リソグラフィパターンおよびフィーチャーを形成するための半導体デバイスの製造における特定の用途を見いだす。
半導体製造産業においては、半導体基体上に配置された１以上の下層、例えば、金属層、半導体層、または誘電体層、並びに基体それ自体に像を転写するために、フォトレジスト物質が使用されている。半導体デバイスの集積密度を高め、ナノメートル範囲の寸法を有する構造の形成を可能にするために、高解像能を有するフォトレジストおよびフォトリソグラフィ処理ツールが開発されており、かつ開発され続けている。
半導体デバイスにおいてナノメートルスケールのフィーチャーサイズを達成するための１つの手法は、化学増幅型フォトレジストの露光中での短波長、例えば、１９３ｎｍ以下の光の使用である。液浸リソグラフィは、像形成装置、例えば、ＫｒＦまたはＡｒＦ光源を有するスキャナーのレンズの開口数を効果的に増大させる。これは、像形成装置の最終面と半導体ウェハの上面との間に、比較的高い屈折率の流体（すなわち、液浸流体）を使用することにより達成される。液浸流体は、空気または不活性ガス媒体を用いて起こるであろうよりも、より多量の光がレジスト層に焦点を合わせられることを可能にする。
レイリー方程式（Ｒａｙｌｅｉｇｈ ｅｑｕａｔｉｏｎ）によって定義される理論的な解像限界は以下に示される：
Figure 0005698926
 式中、ｋ１はプロセス因子であり、λは像形成ツールの波長であり、ＮＡは像形成レンズの開口数である。液浸流体として水を使用する場合には、最大開口数は、例えば、１．２から１．３５に増大されうる。ラインアンドスペースパターンを印刷する場合の０．２５のｋ１については、１９３ｎｍの液浸スキャナは３６ｎｍハーフピッチラインアンドスペースパターンを解像することができるのみであろう。コンタクトホールまたは任意の２Ｄパターンを印刷するための解像度は、ダークフィールドマスクを用いた低空中像コントラストのせいで、さらに限定され、ｋ１についての理論的限界は０．３５である。よって、コンタクトホールの最も小さいハーフピッチは約５０ｎｍに限定される。標準の液浸リソグラフィプロセスは、より高解像度を必要とするデバイスの製造に一般的に適していない。
より高解像度を達成し、かつ既存の製造ツールの能力を理論的な解像度限界を超えて拡大させるための努力において、様々なダブルパターニングプロセス、例えば、自己整合ダブルパターニング（ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄ ｄｏｕｂｌｅ ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ；ＳＡＤＰ）、リソ−エッチ−リソ−エッチ（ｌｉｔｈｏ−ｅｔｃｈ−ｌｉｔｈｏ−ｅｔｃｈ；ＬＥＬＥ）およびリソ−リソ−エッチ（ｌｉｔｈｏ−ｌｉｔｈｏ−ｅｔｃｈ；ＬＬＥ）技術が提案されてきた。しかし、典型的に実施されるこのような技術は１以上の不利益に悩まされる。ＳＡＤＰプロセスは、典型的には、比較的多数のプロセス工程を伴い、それにより、生産スループットに悪影響を及ぼす。ＬＥＬＥ技術からは、フォトリソグラフィ処理モジュールとエッチング処理モジュールとの間で往復してウェハを輸送することから、並びにエッチングおよびレジスト除去プロセス自体から、生成物の汚染および欠陥が発生する場合がある。ＬＬＥ手順は第１のリソグラフィ（Ｌ１）レジストパターンの形成および安定化と、それに続く第２のリソグラフィ（Ｌ２）パターンの形成を伴う。イオン注入、ＵＶ硬化、熱硬質化、熱硬化および化学硬化などの様々なレジスト安定化技術が提案されてきた。Ｂｒｚｏｚｏｗｙらへの米国特許出願公開第２００８／０１９９８１４Ａ１号（特許文献１）は、溶媒、レジストポリマー中のアンカー基と反応性である少なくとも２つの官能基を有する定着剤化合物、並びに任意の添加剤、例えば、触媒、界面活性剤およびポリマーを含む定着剤溶液でレジストパターンがコーティングされる、上塗り化学硬化技術を開示する。ＬＬＥプロセスはＳＡＤＰおよびＬＥＬＥよりも少ないプロセス工程を含むが、レジスト安定化中のパターン変形；Ｌ２レジストコーティング／ソフトベークプロセス中でのＬ１レジスト層とＬ２レジスト層との間の相互混合；およびＬ２露光／現像プロセス中のＬ１パターンの現像：を回避するのが困難な場合がある。
米国特許出願公開第２００８／０１９９８１４Ａ１号明細書
最新技術に関連する上記課題の１以上に取り組む、フォトリソグラフィパターニング方法についての、当該技術分野における継続した必要性が存在している。
本発明の第１の形態に従って、電子デバイスを形成する方法が提供される。この方法は、（ａ）パターン形成される１以上の層を含む半導体基体を提供し；（ｂ）第１の樹脂成分と第１の光活性成分とを含む第１の感光性組成物の第１の層を、前記パターン形成される１以上の層上に適用し；（ｃ）前記第１の層を、パターン化されたフォトマスクを通した活性化放射線に露光し；（ｄ）露光された第１の層を現像して第１のレジストパターンを形成し；（ｅ）ハードベークプロセスにおいて前記第１のレジストパターンを熱処理し；（ｆ）前記第１のレジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で、前記ハードベークされた第１のレジストパターンを処理し；（ｇ）第２の樹脂成分と光酸発生剤とを含み、ネガ型である第２の感光性組成物の第２の層を、前記パターン形成される１以上の層上に、かつ前記第１のレジストパターンのアルカリ性表面と接触するように適用し；（ｈ）前記第２の層を活性化放射線に露光し；並びに（ｉ）露光された第２の層を現像して、前記第１のレジストパターンの近傍の第２の層の領域が除去されて、前記第１のレジストパターンと第２のレジストパターンとの間に開口を画定する、第２のレジストパターンを形成する；ことを含む。
本発明のさらなる形態に従って、コーティングされた基体が提供される。このコーティングされた基体は、（ａ）パターン形成される１以上の層を含む半導体基体；（ｂ）前記パターン形成される１以上の層上のレジストパターンであって、アルカリ性表面を有するレジストパターン；並びに、（ｃ）第２の樹脂成分と光酸発生剤とを含み、ネガ型である感光性組成物であって、前記パターン形成される１以上の層上にあり、かつ前記レジストパターンのアルカリ性表面と接触している感光性組成物の層；を含む。
図１のＡ〜Ｈは本発明に従ったパターン形成方法についてのプロセスフローを示す。
本発明は、添付の図面を参照して説明される。
本発明のパターン形成方法は、例えば、電子デバイス製造における溝または他の素子フィーチャーの形成に有用な縮小方法に適用されうる。図１Ａは、その表面上に形成された様々な層およびフィーチャーを含むことができる基体１００を示す。基体は、半導体、例えばケイ素、または化合物半導体（例えば、ＩＩＩ−ＶまたはＩＩ−ＶＩ）、ガラス、石英、セラミック、銅などの物質からなることができる。典型的には、基体は半導体ウェハ、例えば、単結晶シリコン、または化合物半導体ウェハであり、基体はその表面上に形成された１以上の層およびパターン形成されたフィーチャーを有することができる。パターン形成される１以上の層１０２が基体１００上に提供されうる。場合によっては、例えば、基体物質に溝を形成することが望まれる場合には、下にあるベース基体物質自体がパターン形成されてよい。ベース基体物質自体をパターン形成する場合には、このパターンは基体の層に形成されると見なされる。
この層には、例えば、１以上の導電層、例えば、アルミニウム、銅、モリブデン、タンタル、チタン、タングステン、このような金属の合金、窒化物もしくはケイ化物、ドープされた非晶質ケイ素、またはドープされたポリシリコン、１以上の誘電層、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、もしくは金属酸化物の層、半導体層、例えば、単結晶シリコン、並びにこれらの組み合わせが挙げられ得る。エッチングされる層は様々な技術、例えば、化学蒸着（ＣＶＤ）、例えば、プラズマ援用ＣＶＤ、低圧ＣＶＤもしくはエピタキシャル成長；物理蒸着（ＰＶＤ）、例えばスパッタリングもしくは蒸発；または電気めっきによって形成されうる。エッチングされる１以上の層１０２の具体的な厚みは、物質および形成される具体的なデバイスに応じて変化しうる。
エッチングされる具体的な層、膜厚および使用されるフォトリソグラフィ物質およびプロセスに応じて、層１０２上に、フォトレジスト層がこの上にコーティングされる反射防止塗膜（ｂｏｔｔｏｍ ａｎｔｉｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｃｏａｔｉｎｇ；ＢＡＲＣ）１０４および／またはハードマスク層１０３を配置することが望まれる場合がある。例えば、エッチングされる層がかなりのエッチング深さを必要とし、および／または具体的なエッチング剤がレジスト選択性に劣り、非常に薄いレジスト層を使用する場合には、ハードマスク層の使用が望まれる場合がある。ハードマスク層が使用される場合には、形成されるレジストパターンはハードマスク層に写されることができ、これは次いで、下にある層１０２をエッチングするためのマスクとして使用されうる。好適なハードマスク物質および形成方法は当該技術分野において知られている。典型的な物質には、例えば、タングステン、チタン、窒化チタン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、非晶質炭素、酸窒化ケイ素および窒化ケイ素が挙げられる。ハードマスク層１０３は単一層を構成するか、または異なる物質の複数の層を含むことができる。ハードマスク層は、例えば、化学または物理蒸着技術によって形成されうる。
反射防止塗膜がなければ基体および／または下にある層が、フォトレジスト露光中に有意な量の入射放射線を反射し、その結果、形成されたパターンの品質が悪影響を受けるであろう場合には、反射防止塗膜１０４が望まれる場合がある。このような塗膜は焦点深度、露光寛容度、ライン幅均一性およびＣＤ制御を向上させうる。レジストが深紫外光（３００ｎｍ以下）、例えば、ＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）、電子ビームおよび軟ｘ−線に露光される場合には、反射防止塗膜が典型的に使用される。反射防止塗膜１０４は単一層を構成するか、または複数の異なる層を含むことができる。好適な反射防止物質および形成方法は当該技術分野において知られている。反射防止物質は市販されており、例えば、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズエルエルシー（米国、マサチューセッツ州、マルボロ）により、ＡＲ商標４０ＡおよびＡＲ商標１２４反射防止剤などのＡＲ商標の下で販売されているものがある。
第１の感光性組成物が基体上に、（存在する場合には）反射防止層１０４上に適用されて、第１の感光層１０６を形成する。第１の感光性組成物は樹脂成分および光活性成分を含む。本明細書において使用される場合、用語「感光性物質」、「感光性組成物」および「フォトレジスト」は交換可能に使用される。好適なフォトレジスト物質は当該技術分野において知られており、例えば、アクリラートベースのもの、ノボラックベースのもの、およびケイ素化学物質ベースのものが挙げられる。好適なレジストは、例えば、米国特許出願公開第２００９０１１７４８９Ａ１号、第２００８０１９３８７２Ａ１号、第２００６０２４６３７３Ａ１号、第２００９０１１７４８９Ａ１号、第２００９０１２３８６９Ａ１号および米国特許第７，３３２，６１６号に記載されている。本発明の方法において、第１のレジストパターンを形成するのに有用なフォトレジスト物質には、ポジ型物質およびネガ型物質の双方が挙げられる。
好適なポジ型物質には、ポジ型化学増幅型フォトレジストが挙げられ、これは組成物の１種以上の成分の酸不安定基の、光酸で促進される脱保護反応を受けて、このレジストの塗膜層の露光領域を、未露光領域よりも水性現像剤中でより可溶性にする。フォトレジスト樹脂の典型的な光酸不安定基（ｐｈｏｔｏａｃｉｄ−ｌａｂｉｌｅ ｇｒｏｕｐｓ）には、エステルのカルボキシル酸素に共有結合した第三級非環式アルキル炭素（例えば、ｔ−ブチル）または第三級脂環式炭素（例えば、メチルアダマンチル）を含むエステル基が挙げられる。アセタール光酸不安定基も典型的である。
好適なネガ型レジストは典型的には架橋性成分を含みうる。架橋性成分は典型的には別のレジスト成分として存在する。メラミンのようなアミンベースの架橋剤、例えば、サイメル（Ｃｙｍｅｌ）メラミン樹脂が典型的である。本発明において有用なネガ型フォトレジスト組成物は、酸への曝露により硬化し、架橋しまたは固化しうる物質と、本発明の光活性成分との混合物を含む。特に有用なネガ型組成物はフェノール系樹脂のような樹脂バインダー、架橋剤成分および光活性成分を含む。このような組成物およびその使用は欧州特許第０１６４２４８Ｂ１号および第０２３２９７２Ｂ１号、並びに米国特許第５，１２８，２３２号に開示されている。樹脂バインダー成分として使用するのに典型的なフェノール系樹脂には、上述のもののようなノボラックおよびポリ（ビニルフェノール）が挙げられる。典型的な架橋剤には、アミンベースの物質、例えば、メラミン、グリコールウリル、ベンゾグアナミン−ベースの物質および尿素ベースの物質が挙げられる。メラミン−ホルムアルデヒド樹脂は、一般的に最も典型的である。このような架橋剤は商業的に入手可能であり、例えば、サイメル（Ｃｙｍｅｌ）３００、３０１および３０３の商品名で、サイテックインダストリーズ（Ｃｙｔｅｃ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ）により販売されているメラミン樹脂；サイメル１１７０、１１７１、１１７２の商品名でサイテックインダストリーズにより販売されているグリコールウリル樹脂；ビートル（Ｂｅｅｔｌｅ）６０、６５および８０の商品名でテクノールアペックスカンパニー（Ｔｅｋｎｏｒ Ａｐｅｘ Ｃｏｍｐａｎｙ）によって販売されている尿素ベースの樹脂；並びに、サイメル１１２３および１１２５の商品名でサイテックインダストリーズにより販売されているベンゾグアナミン樹脂が挙げられる。サブ２００ｎｍの波長、例えば、１９３ｎｍでの像形成のために、典型的なネガ型フォトレジストは国際公開第０３０７７０２９号に開示されている。
第１の感光性組成物の樹脂は好ましくは、レジスト組成物に水性アルカリ現像可能性を付与する官能基を有する。例えば、典型的なものは、ヒドロキシルまたはカルボキシラートのような極性官能基を含む樹脂バインダーである。樹脂成分は、ポジ型物質の場合にはその組成物の露光された領域を、またはネガ型物質の場合にはその組成物の露光されていない領域を、現像剤溶液、例えば、アルカリ水溶液中で現像可能にするのに充分な量で、組成物中で使用される。樹脂成分は典型的には、レジストの全固形分の約７０〜約９７重量％を構成することができる。
感光性組成物は、活性化放射線への露光の際に組成物の塗膜層に潜像を生じさせるのに充分な量で使用される光活性成分をさらに含む。例えば、光活性成分はレジストの全固形分の約１〜２０重量％の量で好適に存在することができる。レジスト組成物中の典型的な光活性成分は１種以上の光酸発生剤である。好適なＰＡＧは化学増幅フォトレジストの技術分野において知られており、例えば、オニウム塩、例えば、トリフェニルスルホニウム塩、ニトロベンジル誘導体、スルホン酸エステル、ジアゾメタン誘導体、グリオキシム誘導体、Ｎ−ヒドロキシイミド化合物のスルホン酸エステル誘導体、およびハロゲン含有トリアジン化合物が挙げられる。
レジストの典型的な任意の添加剤は追加塩基、特にテトラブチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＢＡＨ）またはテトラブチルアンモニウムラクタートであり、これは現像されたレジストレリーフ像の解像度を向上させることができる。１９３ｎｍで像形成されるレジストについては、典型的な追加塩基はヒンダードアミン、例えば、ジアザビシクロウンデセンまたはジアザビシクロノネンである。追加塩基は比較的少量で、例えば、全固形分に対して約０．０３〜５重量％で好適に使用される。
本発明に従って使用されるフォトレジストは他の任意の物質を含むこともできる。例えば、他の任意の添加剤には、ストリエーション防止剤（ａｎｔｉ−ｓｔｒｉａｔｉｏｎ ａｇｅｎｔｓ）、可塑剤、速度向上剤などが挙げられる。この様な任意の添加剤は、典型的には、比較的高濃度、例えば、レジストの乾燥成分の合計重量を基準にして約０．１〜１０重量％の量で存在することができる充填剤および染料を除いて、フォトレジスト組成物中に低濃度で存在する。
本発明において有用なフォトレジストは一般的には、公知の手順に従って製造される。例えば、レジストは、フォトレジストの成分を好適な溶媒に溶解することによりコーティング組成物として製造されることができ、この好適な溶媒には、例えば、グリコールエーテル、例えば、２−メトキシエチルエーテル（ジグライム）、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート；乳酸エステル、例えば、乳酸エチルまたは乳酸メチル；プロピオン酸エステル、特にプロピオン酸メチル、プロピオン酸エチルおよびエチルエトキシプロピオナート；セロソルブエステル、例えば、メチルセロソルブアセタート；芳香族炭化水素、例えば、トルエンもしくはキシレン；またはケトン、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンおよび２−ヘプタノンが挙げられる。フォトレジストの固形分量は、典型的には、フォトレジスト組成物の全重量を基準にして約２〜２５重量％で変化する。このような溶媒のブレンドも好適である。
本発明の方法は様々な像形成波長、例えば、サブ（ｓｕｂ）４００ｎｍ、サブ３００ｎｍまたはサブ２００ｎｍの露光波長の波長を有する放射線と共に使用されることができ、ＥＵＶおよび１５７ｎｍ、並びに、Ｉ線（３６５ｎｍ）、２４８ｎｍおよび１９３ｎｍが典型的な露光波長である。典型的な形態においては、フォトレジストはサブ２００の波長、例えば１９３ｎｍを用いて像形成されるのに好適である。このような波長において、ドライ処理が使用されうるが、液浸リソグラフィの使用が典型的である。液浸リソグラフィにおいては、約１〜約２の屈折率を有する流体（すなわち、液浸流体）は、露光中に、露光ツールとフォトレジスト層との間に維持される。トップコート層が典型的にはフォトレジスト層上に配置され、液浸流体とフォトレジスト層との直接の接触を妨げ、フォトレジストの成分の液浸流体への漏出を回避する。
感光性組成物は、スピンコーティング、ディッピング、ローラーコーティング、または他の従来のコーティング技術によって基体に適用されうる。もちろん、スピンコーティングが典型的である。スピンコーティングについては、コーティング溶液の固形分量は、所望の膜厚を提供するために、使用される具体的なコーティング装置、溶液の粘度、コーティングツールの速度および回転の時間量に基づいて調節されうる。第１の感光層１０６の典型的な厚みは約５００〜１５００Åである。第１の感光層は、次いで、ソフトベークされることができ、層内の溶媒含量を最小限にすることができ、それにより、粘着性のない塗膜を形成し、この層の基体に対する接着性を向上させることができる。ソフトベークはホットプレート上でまたはオーブン内で行われることができ、ホットプレートが典型的である。ソフトベーク温度および時間は、例えば、感光層の具体的な物質および厚みに応じて変動しうる。典型的なソフトベークは約９０〜１５０℃の温度で、約３０〜９０秒の時間で行われる。
第１の感光層１０６が液浸リソグラフィツール、例えば、１９３ｎｍの液浸スキャナーを用いて露光されるものである場合には、トップコート層（示されない）が感光層１０６上に配置されうる。このようなトップコート層の使用は、液浸流体と下にある感光層との間のバリアとして機能しうる。この方法において、場合によっては、結果的に、光学レンズの汚染、並びに液浸流体の有効屈折率および透過性の変化をもたらす、感光性組成物の成分の液浸流体への漏出は最小化されまたは回避されうる。好適なトップコート組成物は市販されており、例えば、ＯＰＴＩＣＯＡＴ商標トップコート物質、例えば、ＯＣ商標２０００（ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ）および当該技術分野で知られた他のもの、例えば、米国特許出願公開第２００６／０２４６３７３Ａ１号および米国仮出願第６１／２０４，００７号（出願日、２００８年１２月３１日）に記載されているものがある。このような組成物は、感光性組成物について上述したような任意の好適な方法によって、感光層上に適用されることができ、スピンコーティングが典型的である。トップコート層の厚みは典型的にはλ／４ｎ（またはその奇数倍）であり、ここでλは露光放射線の波長であり、ｎはトップコート層の屈折率である。トップコート層が存在する場合には、トップコート適用の前よりもむしろ、トップコート層組成物が適用された後に、感光層１０６はソフトベークされうる。この方法において、双方の層からの溶媒は単一の熱処理工程において除去されうる。
第１の感光層１０６は次いで、第１のフォトマスク１１０を通した活性化放射線１０８に露光されて、露光領域と未露光領域との間に溶解度の差を作り出す。ポジ型物質については、示されるように、フォトマスクは光学的に透明な領域および光学的に不透明な領域を有し、光学的に透明な領域は、その後の現像工程において除去される感光層の領域に対応する。ネガ型物質については、光学的に不透明な領域は、現像して除去されるレジスト層の部分に対応する。露光エネルギーは典型的には約１〜１００ｍＪ／ｃｍ２であり、露光ツールおよび感光性組成物の成分に応じて変動する。本明細書において、組成物を活性化する放射線に感光性組成物を露光することについての言及は、光活性成分の反応を生じさせることにより、例えば、光酸発生剤化合物から光酸を生じさせることによるなどして、放射線が感光性組成物中に潜像を形成することができることを示す。感光性組成物は典型的には短い露光波長、特にサブ４００ｎｍ、サブ３００ｎｍ、またはサブ２００ｎｍの露光波長によって典型的に光活性化され、ＥＵＶおよび１５７ｎｍ、並びに、Ｉ線（３６５ｎｍ）、２４８ｎｍおよび１９３ｎｍが典型的な露光波長である。
第１の感光層１０６の露光に続いて、典型的に、この層の軟化点より高い温度で、感光層の露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。ＰＥＢは、例えば、ホットプレート上でまたはオーブン内でおこなわれうる。ＰＥＢの条件は、例えば、感光層の具体的な物質および厚みに応じて変化しうる。ＰＥＢは典型的には、約８０〜１５０℃の温度で、約３０〜９０秒の時間で行われる。
露光された感光層１０６は、次いで、現像されて、図１Ｂに示されるように、第１のレジストパターン１０６’を形成する。現像剤物質は感光層１０６の具体的な物質に依存しうるが、好適な現像剤および現像技術は当該技術分野において知られている。典型的な現像剤には、例えば、水性塩基現像剤、例えば、第四級アンモニウムヒドロキシド溶液、例えば、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド溶液、例えば、０．２６Ｎのテトラメチルアンモニウムヒドロキシドが挙げられる。
現像に続いて、第１のレジストパターン１０６’は第１のハードベークプロセスにおいて熱処理されて、パターンを乾燥させ、図１Ｃに示されるように硬化したレジストパターン１０６’’を形成する。この熱処理は、後に適用される表面処理化学物質のレジストパターンへの吸着を容易にすると考えられる。このハードベークは典型的にはホットプレートまたはオーブンを用いて行われ、典型的には、約１５０℃以上、例えば、約１７０〜１８０℃の温度で、約３０〜１２０秒の時間で行われる。
図１Ｄを参照すると、ハードベークされたレジストパターン１０６’’は、レジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で処理される。このアルカリ性の表面は、後にレジストパターン上に適用される感光層の露光中の反応を妨げる。例えば、ネガ型感光層の場合には、下にあるアルカリ性に処理されたレジストパターンのごく近傍の領域において、酸触媒脱保護反応が妨げられる。上塗り層が酸触媒ネガ型感光層の場合には、アルカリ性に処理されたレジストパターンのごく近傍における層で重合が抑制される。
これらに限定されないが、表面処理のために特に好適な物質はアルカリ性物質およびこのアルカリ性物質とは異なる界面活性剤を含む。界面活性剤は、アルカリ性物質で処理されたレジストパターン上に、第２のレジストの実質的に均一な塗膜層を形成するのを促進することが考えられる。
アルカリ性物質は様々な形態をとることができ、固体化合物を好適な溶媒に溶解して形成される溶液の形態であることができる。レジストパターン処理に好適なアルカリ性物質には、例えば、水性塩基現像剤、例えば、第四級アンモニウムヒドロキシド溶液、例えば、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド溶液、例えば、０．２６規定（Ｎ）（２．３８重量％）のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）が挙げられる。アルカリ性物質のために、および他には組成物中に使用される溶媒物質は、下にあるフォトレジストを溶解するべきではなく、またはその溶解を最小限にするべきである。アルカリ性物質（何ら溶媒、例えば、水、アルコールなどが存在しない）は典型的には組成物中に、全組成物を基準にして約１〜１０重量％の量で存在する。
レジストパターン処理組成物に好適な界面活性剤には、両親媒性を示す界面活性剤が挙げられ、両親媒性とは、界面活性剤が同時に親水性および疎水性であり得ることを意味する。両親媒性界面活性剤は、水に強い親和性を有する親水性ヘッド基と、有機物親和性で水をはじく長鎖疎水性テイルを有する。好適な界面活性剤はイオン性（すなわち、アニオン性、カチオン性）または非イオン性であることができる。界面活性剤のさらなる例としては、シリコーン界面活性剤、ポリ（アルキレンオキシド）界面活性剤およびフルオロケミカル界面活性剤が挙げられる。水溶液に使用するのに好適な非イオン性界面活性剤には、これらに限定されないが、オクチルおよびノニルフェノールエトキシラート、例えば、トライトン（ＴＲＩＴＯＮ登録商標）Ｘ−１１４、Ｘ−１００、Ｘ−４５、Ｘ−１５、並びに分岐第二級アルコールエトキシラート、例えば、テルジトル（ＴＥＲＧＩＴＯＬ商標）ＴＭＮ−６（ザダウケミカルカンパニー、米国、ミシガン州、ミッドランド）が挙げられる。さらに典型的な界面活性剤には、アルコール（第一級および第二級）エトキシラート、アミンエトキシラート、グルコシド、グルカミン、ポリエチレングリコール、ポリ（エチレングリコール−コ−プロピレングリコール）、またはニュージャージー州、グレンロックのマニュファクチャーズコンフェクショナーズパブリシングカンパニー（Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｅｒｓ Ｃｏｎｆｅｃｔｉｏｎｅｒｓ Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏ．）によって出版されたマカッチャンの乳化剤および洗浄剤（ＭｃＣｕｔｃｈｅｏｎ’ｓ Ｅｍｕｌｓｉｆｉｅｒｓ ａｎｄ Ｄｅｔｅｒｇｅｎｔｓ）２０００年北米版に開示される他の界面活性剤が挙げられる。
アセチレンジオール誘導体である非イオン性界面活性剤も好適であることができ、例えば、下記式の界面活性剤が挙げられる：
Figure 0005698926
 式中、Ｒ１およびＲ４は、３〜１０の炭素原子を有する直鎖または分岐アルキル鎖であり；Ｒ２およびＲ３は、Ｈまたは１〜５の炭素原子を好適に有するアルキル鎖であり；ｍ、ｎ、ｐ、およびｑは０〜２０の範囲の数である。このような界面活性剤はアレンタウン、ペンシルバニア州のエアプロダクツアンドケミカルズインコポレーテッド（Ａｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．）から商品名サーフィノール（ＳＵＲＦＹＮＯＬ登録商標）およびダイノール（ＤＹＮＯＬ登録商標）で市販されている。
本発明のコーティング組成物において使用するのに好適なさらなる界面活性剤には、他のポリマー系化合物、例えば、トリブロックＥＯ−ＰＯ−ＥＯコポリマーである、プルロニック（ＰＬＵＲＯＮＩＣ登録商標）２５Ｒ２、Ｌ１２１、Ｌ１２３、Ｌ３１、Ｌ８１、Ｌ１０１およびＰ１２３（ＢＡＳＦ、Ｉｎｃ．）が挙げられる。
特に好適な界面活性剤には、アミン、典型的には第一級および第二級アミン、すなわち、それぞれ、１以上の第一級アミン基および１以上の第二級アミン基を含むアミン、並びにこれらの組み合わせが挙げられる。第一級および／または第二級アミン基に加えて、第三級アミン基が存在することができる。典型的には、アミンは多官能性アミンである。アミンはポリアミン、例えば、ジアミン、トリアミンまたはテトラアミンであることができる。好適な第一級アミンには、下記式（Ｉ）の化合物が挙げられる：
Figure 0005698926
 式中、Ｒは場合によって置換されたアルキル、例えば、場合によって置換されたＣ１−Ｃ６アルキル、例えば、メチル、エチルまたはプロピルから選択され、エチルが典型的である。
他の好適な第一級アミンには、下記式（ＩＩ）で表されるポリ（アリルアミン）が挙げられる：
Figure 0005698926
 式中、Ｒ１は水素および場合によって置換されたアルキル、例えば、Ｃ１〜Ｃ３アルキルから選択され；Ｒ２は場合によって置換されたアルキレン、例えばＣ１−Ｃ６アルキレン、典型的にはメチレンまたはエチレンから選択され；ｎは３以上の整数である。式（Ｎ−ＩＩ）の典型的な第一級アミンにおいては、Ｒ１は水素であり、Ｒ２はメチレンである。
他の好適なアミンには、下記一般式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）および（Ｖ）で表されるものが挙げられる：
Figure 0005698926
 式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、水素原子または１〜１０の炭素原子を有するアルキル基であり、ｎは１〜１０の整数である。
他の好適なアミンには次のものが挙げられる：
Figure 0005698926
 これらのなかで、トリス（２−アミノエチル）アミン（ＴＡＥＡ）が特に好ましい。
界面活性剤は典型的には、組成物中に比較的少量で、例えば、組成物中の全固形分（全固形分は溶媒キャリアを除いた全組成物成分である）の重量を基準にして０．０１〜５重量％、例えば、０．０１〜１重量％で存在する。
レジストパターン処理組成物は、アルカリ性物質および界面活性剤成分に加えて、１種以上の任意成分を含むことができる。例えば、この組成物は、アルカリ性物質および界面活性剤のために使用されるあらゆる溶媒に加えて、１種以上の溶媒を含むことができる。上述のように、アルカリ性物質および組成物中のほかのもののために使用される溶媒物質は、下にあるフォトレジストを溶解すべきではないし、またはその溶解を最小限にすべきである。よって、好適な溶媒は下にある具体的なレジスト物質に応じて変化することができ、例えば、水およびｎ−ブタノールのようなアルコールが挙げられ得る。任意成分には、１種以上の塩基発生剤化合物、例えば、熱塩基発生剤化合物および／または光塩基発生剤化合物も挙げられる。
フォトレジストパターン処理組成物は、アルカリ性物質および界面活性剤成分、並びに、追加の成分、例えば、溶媒および塩基発生剤化合物を任意の順序で混合することにより製造されうる。成分の１種以上は、固体として、または好適な溶媒を用いてあらかじめ混合された溶液として添加されうる。
好ましくは、アルカリ性処理には、第四級アンモニウムヒドロキシドおよびアミンでの処理が挙げられる。第四級アンモニウムヒドロキシド物質およびアミンは、例えば、あらかじめ混合された組成物から、または物質を同時ではあるが互いに別々に適用することにより（この場合、その場で組成物が形成される）、基体に同時に適用されることができる。好ましくは、第四級アンモニウムヒドロキシド物質およびアミンはその順で逐次的に適用される。第四級アンモニウムヒドロキシドおよびアミン物質は液体、気体または蒸気として適用されることができ、かつ、例えば、スピンコーティング、ディッピング、蒸気コーティング、化学蒸着（ＣＶＤ）または他の従来のコーティング技術によって適用されうる。もちろん、液体物質のスピンコーティングが典型的である。典型的には、第四級アンモニウムヒドロキシドおよびアミン物質は水溶液として適用されうる。第四級アンモニウムヒドロキシドおよびアミンが同時に適用される場合には、表面処理された基体は、例えば、脱イオン水ですすがれることができる。第四級アンモニウムヒドロキシドおよびアミン物質が逐次的に適用される場合には、このアミンは、水すすぎとしても機能する水溶液として適用されることができる。表面処理された基体は場合によっては、例えば、脱イオン水ですすがれることができ、過剰な組成物を除去する。
第１のレジストパターン１０６’’の臨界寸法（ｃｒｉｔｉｃａｌ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ；ＣＤ）は、表面処理の結果として、レジストパターン１０６’の元のＣＤと比較してわずかに小さくなる。このＣＤ損失は、表面処理中の第１のレジストパターンのさらなる現像に起因すると考えられる。この表面処理は、改変された第１のレジストパターン表面１１２を形成し、このレジストパターン表面はアルカリ性であり、かつ処理前表面のよりも小さいライン幅ラフネスを有する。
図１Ｅに示されるように、第２の感光性組成物１１４の層が、第１のレジストパターン１０６’’の厚みより薄い厚みに、もしくはその厚みと同じ厚みで、基体上にコーティングされる。第１の感光性組成物はポジ型またはネガ型物質であることができるが、第２の感光性組成物はネガ型である。他に示される場合を除いて、第２の感光性組成物は、ネガ型の第１の感光層について上述した物質および条件などと同じように適用され、処理されることができる。図示されるプロセスフローにおいては、第１の感光性組成物はポジ型であるが、第２の感光性組成物はネガ型である。第１のレジスト層１０６がポジ型である場合には、その組成は、第２の感光層のよりも高い特有の露光後ベーク温度を有するレジスト層を提供するように選択されるべきである。この方法において、第１のレジストの露光領域を除去することなしに、第２の感光層の露光領域が選択的に除去されうる。
第２の感光層１１４は次いで、ソフトベークされうる。第２の感光層１１４が液浸リソグラフィツールで露光されるものである場合には、上述のようなトップコート層（示されない）が第２の感光層１１４上に配置されうる。トップコート層が使用される場合には、トップコート層組成物の適用前よりもむしろトップコート層組成物が適用された後で、第２の感光層１１４がソフトベークされうる。
図１Ｅを参照すると、第２の感光層１１４は活性化放射線１０８に、典型的にはフラッド（ｆｌｏｏｄ）露光によって（すなわち、パターン化されたフォトマスクを使用せずに）露光される。露光された第２の感光層は、露光後ベークにおいて熱処理され、現像される。第１のレジストパターン１０６’’のアルカリ性に改変された表面領域１１２は、その表面領域の近傍における第２のレジスト層１１４の光反応を妨げる。この露光および熱処理は、アルカリ性に処理された第１のレジストパターン１０６’’のごく近傍を除く全領域において、第２の感光層の重合を引き起こす。この方法において、現像は、第１のレジストパターン１０６’’のごく近傍の物質のみを除去し、図１Ｆに示されるような、第１のレジストパターン１０６’’と第２のレジストパターン１１４’との間の狭い空間１１８を残す。
第１のレジストパターン１０６’’および第２のレジストパターン１１４’をエッチングマスクとして使用して、ＢＡＲＣ層１０４が選択的にエッチングされて、下にあるハードマスク層１０３を露出させる。このハードマスク層は、次いで、第１および第２のレジストパターンを再びエッチングマスクとして使用して、選択的にエッチングされて、結果として、図１Ｇに示されるように、パターン形成されたＢＡＲＣ１０４’およびハードマスク層１０３’を生じさせる。ＢＡＲＣ層およびハードマスク層をエッチングするのに好適なエッチング技術および化学物質は、当該技術分野において知られており、かつ、例えば、これらの層の具体的な物質に応じて変化する。反応性イオンエッチングのようなドライエッチングプロセスが典型的である。第１および第２のレジストパターン１０６’’、１１４’およびパターン形成されたＢＡＲＣ層１０４’は、次いで、公知の技術、例えば、酸素プラズマアッシングを用いて、基体から除去される。
ハードマスクパターン１０３’をエッチングマスクとして使用して、１以上の層１０２が選択的にエッチングされる。下にある層１０２をエッチングするのに好適なエッチング技術および化学物質は当該技術分野において知られており、反応性イオンエッチングのようなドライエッチングプロセスが典型的である。パターン形成されたハードマスク層１０３’は、次いで、公知の技術、例えば、反応性イオンエッチングのようなドライエッチングプロセスを用いて、基体表面から除去されうる。得られるパターン形成された構造は図１Ｈに示されるような溝をはじめとする、エッチングされたフィーチャー１２０のパターンである。別の典型的な方法においては、ハードマスク層１０３を使用することなく、第１および第２のレジストパターン１０６’’、１１４’を用いて直接に、層１０２をパターン形成することが望まれる場合がある。このような直接パターニングが使用されうるかどうかは、関連する物質、レジスト選択性、レジストパターン厚みおよびパターン寸法などの要因に依存しうる。
次の非限定的な実施例は本発明の例示である。
実施例１
Ｌ１レジストポリマー（ポリ（ＩＡＭ／α−ＧＢＬＭＡ／ＯＤＯＴＭＡ／ＨＡＭＡ））合成
１０．５１ｇの２−メチル−アクリル酸１−イソプロピル−アダマンタニルエステル（ＩＡＭ）、６．８２ｇの２−メチル−アクリル酸２−オキソ−テトラヒドロ−フラン−３−イルエステル（α−ＧＢＬＭＡ）、６．３６ｇの２−メチル−アクリル酸３−オキソ−４，１０−ジオキサ−トリシクロ［５．２．１．０２，６］デセ−８−イルエステル（ＯＤＯＴＭＡ）および６．３１ｇの２−メチル−アクリル酸３−ヒドロキシ−アダマンタニルエステル（ＨＡＭＡ）を２７ｇのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解した。この混合物を窒素で２０分間バブリングすることにより脱ガスした。凝縮器、窒素入口、および機械式攪拌機を備えた５００ｍｌのフラスコに１１ｇのＴＨＦを入れ、溶液を６７℃の温度にした。５．２３ｇのジメチル−２，２−アゾジイソブチラート（全モノマーを基準にして１７ｍｏｌ％）を５ｇのＴＨＦに溶解し、フラスコに入れた。モノマー溶液を反応器に、１時間あたり１６．０ミリリットル（ｍＬ／時）の割合で３時間３０分間供給した。重合混合物をさらに３０分間６７℃で攪拌した。次いで、反応器に５ｇのＴＨＦを添加し、重合混合物を室温まで冷却した。１．０Ｌのイソプロピルアルコール中で沈殿を行った。ろ過後、ポリマーを乾燥させ、５０ｇのＴＨＦに再溶解させ、１．１Ｌのイソプロピルアルコール中で再沈殿させ、ろ過し、真空オーブン中４５℃で４８時間乾燥させて、２５．４ｇの以下に示されるポリ（ＩＡＭ／α−ＧＢＬＭＡ／ＯＤＯＴＭＡ／ＨＡＭＡ）ポリマー（Ｍｗ＝７，９３４およびＭｗ／Ｍｎ＝〜１．４６）を得た：
Figure 0005698926
Ｌ１ポジ型フォトレジスト組成物
３．１６９ｇの上記ポリマーを、７０重量％のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）と３０重量％のシクロヘキサノンとの溶媒混合物９６．３８ｇに溶解する。この混合物に、０．４０５ｇのトリフェニルスルホニウム（アダマンタン−１−イルメトキシカルボニル）−ジフルオロ−メタンスルホナート、０．０４１ｇの１−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−４−ヒドロキシピペリジンおよび０．００５ｇのポリフォックス（ＰＯＬＹＦＯＸ登録商標）ＰＦ−６５６界面活性剤（オムノバソリューションズインコーポレーテッド；Ｏｍｎｏｖａ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｉｎｃ．）を添加する。得られた混合物をローラー上で６時間延ばして、次いで、０．２ミクロン孔サイズのテフロン登録商標フィルターを通してろ過し、ポジ型フォトレジスト組成物を形成する。
Ｌ２ネガ型フォトレジスト組成物
２．７８８ｇのポリ（４−ヒドロキシスチレン）（ＶＰ３５００、日本国、ニッソーより）が９６．５００ｇのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）に溶解される。この混合物に、０．３５０ｇのパウダーリンク（Ｐｏｗｄｅｒｌｉｎｋ）−１１７４（サイテックインダストリーズ、ニュージャージー州、ウッドランドパーク）、０．３５０ｇのトリフェニルスルホニウム（アダマンタン−１イル メトキシカルボニル）−ジフルオロ−メタンスルホナート、０．００７ｇの１−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）−４−ヒドロキシピペリジンおよび０．００５ｇのポリフォックス（ＰＯＬＹＦＯＸ登録商標）ＰＦ−６５６界面活性剤（オムノバソリューションズインコーポレーテッド）を添加する。得られた混合物をローラー上で６時間延ばして、次いで、０．２ミクロン孔サイズのテフロン登録商標フィルターを通してろ過し、それにより、ネガ型フォトレジスト組成物を形成する。
表面処理用液配合
表面処理溶液は、トリス（２−アミノエチル）アミン（ＴＡＥＡ）（シグマアルドリッチ）の１重量％脱イオン水中溶液５ｇ、１０重量％の界面活性剤溶液（テルジトル（ＴＥＲＧＩＴＯＬ）ＴＭＮ−６、ザダウケミカルカンパニー、米国、ミシガン州、ミッドランド）１ｇおよび脱イオン水１９４ｇを混合することにより調製される。この溶液は０．１ミクロン孔サイズのナイロンフィルターを通してろ過される。
第１のリソグラフィ（Ｌ１）ラインアンドスペースのパターン形成
ＴＥＬ ＣＬＥＡＮ ＴＲＡＣＫ商標ＬＩＴＨＩＵＳ商標ｉ＋コーター／デベロッパにおいて、３００ｍｍのシリコンウェハにＡＲ商標４０Ａ反射防止剤（ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ）をスピンコートし、第１の反射防止塗膜（ＢＡＲＣ）を形成する。このウェハを２１５℃で６０秒間ベークし、７５ｎｍ厚の第１のＢＡＲＣ膜を生じさせる。次いで、この第１のＢＡＲＣ上にＡＲ商標１２４反射防止剤（ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ）を用いて、第２のＢＡＲＣ層がコーティングされ、２０５℃で６０秒間ベークされ、２３ｎｍの上部ＢＡＲＣ層を生じさせる。
Ｌ１フォトレジスト組成物が二層ＢＡＲＣの上にコーティングされ、１１０℃で６０秒間ソフトベークされ、９５０Åのレジスト膜厚を生じさせる。Ｌ１レジスト層はトップコート層（ＯＣ商標２０００トップコート物質、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ）でコーティングされ、１５〜７５ｍＪ／ｃｍ２の様々な線量で、様々な臨界寸法を有するレチクルを通して、開口数１．３５を有するＡＳＭＬ ＴＷＩＮＳＣＡＮ商標ＸＴ：１９００ｉ液浸スキャナーおよびＸ−偏光のダイポール（ｄｉｐｏｌｅ）−３５Ｙ照明（０．９６アウターシグマ／０．７６インナーシグマ）を用いて露光される。このウェハは、次いで、１００℃で６０秒間露光後ベーク（ＰＥＢ）され、マイクロポジット（Ｍｉｃｒｏｐｏｓｉｔ商標）ＭＦ ＣＤ−２６現像剤（ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ）を用いて１２秒間現像され、第１のリソグラフィ（Ｌ１）パターンを像形成する。
硬化および表面処理
ウェハは１８０℃で６０秒間ハードベークされる。ウェハは次いで、まず、ＴＥＬ ＧＰノズルを用いて、２．３８重量％のＴＭＡＨ水溶液で１２秒間すすがれ、次いで、上記表面処理用液配合物ですすがれるという逐次的なプロセスで表面処理化学物質に曝露される。
第２のリソグラフィ（Ｌ２）プロセス
裸のシリコンウェハ上に６５０Åの膜厚を提供するであろうスピン速度で、コーター／デベロッパにおいて、Ｌ２ネガ型レジスト配合物を、表面処理されたＬ１パターンにコーティングする。このウェハは１２０℃で６０秒間ソフトベークされ、次いで、トップコート層（ＯＣ商標２０００トップコート物質、ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ）でコーティングされる。第１のリソグラフィプロセスと同じスキャナセッティングであるが、８〜３８ｍＪ／ｃｍ２の様々な露光線量でマスクなしにフラッド露光を使用して、第２のリソグラフィ（Ｌ２）が行われる。次いで、ウェハは１１０℃で６０秒間露光後ベークされ、マイクロポジット（Ｍｉｃｒｏｐｏｓｉｔ商標）ＭＦ ＣＤ−２６現像剤（ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズ）を用いて１２秒間現像される。Ｌ１レジストパターンの近傍のＬ２レジスト層の部分は現像によって除去され、Ｌ１レジストパターンとＬ２レジストパターンとの間に画定される微小空間を残すであろうことが予想される。
実施例２−４３
表面処理溶液が、表１の成分を一緒にし、０．１ミクロン孔サイズのナイロンフィルタを通してろ過することにより調製されることを除いて、実施例１の手順が繰り返される。Ｌ１レジストパターンの近傍のＬ２レジスト層の部分は現像によって除去され、Ｌ１レジストパターンとＬ２レジストパターンとの間に画定される微小空間を残すであろうことが予想される。
Figure 0005698926
１アミンは水中の１重量％溶液であり、上記定義の構造を有する；
２Ｓ−１＝テルジトル（Ｔｅｒｇｉｔｏｌ商標）ＴＭＮ−６、水中１０重量％（ザダウケミカルカンパニー、米国、ミシガン州、ミッドランド）；
Ｓ−２＝トライトン（Ｔｒｉｔｏｎ商標）Ｘ−１００、水中１０重量％（ザダウケミカルカンパニー）；
Ｓ−３＝テトロニクス（Ｔｅｔｒｏｎｉｃｓ商標）３０４、水中１０重量％（ＢＡＳＦコーポレーション、米国、ニュージャージー州、フロハムパーク）；
Ｓ−４＝テトロニクス１３０７（ＢＡＳＦコーポレーション、米国、ニュージャージー州、フロハムパーク）；
Ｓ−５＝サーフィノール（Ｓｕｒｆｙｎｏｌ商標）２５０２（エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレーデッド、米国、ペンシルベニア州、アレンタウン）。
１００ 基体
１０２ 層
１０２’ エッチングされたフィーチャーのパターン
１０３ ハードマスク
１０３’ パターン形成されたハードマスク
１０４ 反射防止塗膜（ＢＡＲＣ）
１０４’パターン形成された反射防止塗膜（ＢＡＲＣ）
１０６ 第１の感光層
１０６’第１のレジストパターン
１０６’’ ハードベークされた第１のレジストパターン
１０８ 活性化放射線
１１０ 第１のフォトマスク
１１２ 改変された第１のレジストパターン表面
１１４ 第２の感光性組成物
１１４’ 第２のレジストパターン
１１８ 空間
１２０ エッチングされたフィーチャー

Claims (10)

  1. （ａ）パターン形成される１以上の層を含む半導体基体を提供し；
    （ｂ）第１の樹脂成分と第１の光活性成分とを含む第１の感光性組成物の第１の層を、前記パターン形成される１以上の層上に適用し；
    （ｃ）前記第１の層を、パターン化されたフォトマスクを通した活性化放射線に露光し；
    （ｄ）露光された第１の層を現像して第１のレジストパターンを形成し；
    （ｅ）ハードベークプロセスにおいて前記第１のレジストパターンを熱処理し；
    （ｆ）前記第１のレジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で、前記ハードベークされた第１のレジストパターンを処理し；
    （ｇ）第２の樹脂成分と光酸発生剤とを含み、ネガ型である第２の感光性組成物の第２の層を、前記パターン形成される１以上の層上に、前記第１のレジストパターンの厚みと同じ厚みでまたは前記第１のレジストパターンの厚みより薄い厚みで、かつ前記第１のレジストパターンのアルカリ性表面と接触するように適用し；
    （ｈ）前記第２の層を活性化放射線に露光し；並びに
    （ｉ）露光された第２の層を現像して、前記第１のレジストパターンの近傍の第２の層の領域が除去されて、前記第１のレジストパターンと第２のレジストパターンとの間に開口を画定する、第２のレジストパターンを形成する；
    ことを含む、電子デバイスを形成する方法。
  2. 前記第１のレジストパターンおよび第２のレジストパターンが、溝を形成するための開口を画定する、請求項１に記載の方法。
  3. 前記第１のレジストパターンおよび第２のレジストパターンをマスクとして使用して、前記第１のレジストパターンおよび第２のレジストパターンの下にある１以上の層をエッチングすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  4. 前記第１のレジストパターンを熱処理することが、約１５０℃以上の温度で行われる、請求項１に記載の方法。
  5. 前記第１のレジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で前記ハードベークされた第１のレジストパターンを処理することが、アルカリ性物質および界面活性剤で前記第一のレジストパターンを処理することを含む、請求項１に記載の方法。
  6. 前記第１のレジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で前記ハードベークされた第１のレジストパターンを処理することが、第一級または第二級アミンで前記第１のレジストパターンを処理することを含む、請求項１に記載の方法。
  7. 前記第１のレジストパターンの表面をアルカリ性にするのに有効な物質で前記ハードベークされた第１のレジストパターンを処理することが、前記第１のレジストパターンを第四級アンモニウムヒドロキシド溶液で、その後に第一級または第二級アミンで、逐次的に処理することを含む、請求項６に記載の方法。
  8. アミンが下記式（Ｉ）：
    Figure 0005698926
     （式中、Ｒは場合によって置換されたＣ１−Ｃ６アルキル基から選択される）
    の化合物である、請求項６に記載の方法。
  9. アミンが下記式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）および（Ｖ）：
    Figure 0005698926
     （式中、Ｒ１およびＲ２はそれぞれ独立して、水素原子またはＣ１−Ｃ１０アルキル基であり；ｎは１〜１０の整数である）
    の化合物から選択される、請求項１に記載の方法。
  10. （ａ）パターン形成される１以上の層を含む半導体基体；
    （ｂ）前記パターン形成される１以上の層上のレジストパターンであって、アルカリ性表面を有するレジストパターン；並びに、
    （ｃ）第２の樹脂成分と光酸発生剤とを含み、ネガ型である感光性組成物であって、前記レジストパターンの厚みと同じ厚みでまたは前記レジストパターンの厚みより薄い厚みで、前記パターン形成される１以上の層上にあり、かつ前記レジストパターンのアルカリ性表面と接触している感光性組成物の層；
    を含む、コーティングされた基体。
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Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5698922B2 (ja) * 2009-06-26 2015-04-08 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 電子デバイスを形成する方法
CN101963755B (zh) * 2009-06-26 2012-12-19 罗门哈斯电子材料有限公司 自对准间隔物多重图形化方法
EP2336824A1 (en) 2009-11-19 2011-06-22 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Methods of forming electronic devices
JP5542500B2 (ja) 2010-03-30 2014-07-09 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法およびレジスト組成物
KR20120027989A (ko) * 2010-09-14 2012-03-22 삼성전자주식회사 반도체 소자의 패턴 형성방법
KR101865296B1 (ko) * 2011-06-15 2018-06-07 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조 방법
CN102856190B (zh) * 2011-06-30 2015-04-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 条形结构的刻蚀方法
WO2013007442A1 (en) * 2011-07-08 2013-01-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic patterning process and resists to use therein
US9064808B2 (en) 2011-07-25 2015-06-23 Synopsys, Inc. Integrated circuit devices having features with reduced edge curvature and methods for manufacturing the same
US8609550B2 (en) * 2011-09-08 2013-12-17 Synopsys, Inc. Methods for manufacturing integrated circuit devices having features with reduced edge curvature
CN103034048B (zh) * 2011-09-29 2015-04-22 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 光刻方法
CN102364389A (zh) * 2011-10-17 2012-02-29 深圳市华星光电技术有限公司 控制液晶显示装置接触孔孔壁角度的制作方法
CN102437018B (zh) * 2011-11-02 2017-11-24 上海华虹宏力半导体制造有限公司 用于改进蚀刻后晶圆内关键尺寸均匀性的烘烤方法及设备
US8604427B2 (en) * 2012-02-02 2013-12-10 Applied Materials Israel, Ltd. Three-dimensional mapping using scanning electron microscope images
JP6028357B2 (ja) 2012-03-22 2016-11-16 ソニー株式会社 ヘッドマウントディスプレイ及び手術システム
EP2875406A4 (en) * 2012-07-16 2016-11-09 Basf Se COMPOSITION FOR MANUFACTURING INTEGRATED CIRCUIT ARRANGEMENTS, OPTICAL DEVICES, MICROMETERS AND MECHANICAL PRECISION DEVICES
CN102751238A (zh) * 2012-07-27 2012-10-24 上海华力微电子有限公司 通孔优先铜互连制作方法
US9086631B2 (en) 2012-08-27 2015-07-21 Tokyo Electron Limited EUV resist sensitivity reduction
CN102832168A (zh) * 2012-09-11 2012-12-19 上海华力微电子有限公司 一种沟槽优先铜互连制作方法
CN102810510A (zh) * 2012-09-11 2012-12-05 上海华力微电子有限公司 一种铜互连制作方法
CN103839783B (zh) * 2012-11-21 2017-06-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 自对准双重图形的形成方法
JP6119669B2 (ja) * 2013-06-11 2017-04-26 信越化学工業株式会社 下層膜材料及びパターン形成方法
DE102013108876B4 (de) * 2013-08-16 2022-08-18 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Fotolithografisches Verfahren zur Herstellung einer Struktur in einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement
CN104425225A (zh) * 2013-09-04 2015-03-18 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 三重图形的形成方法
JP6340304B2 (ja) * 2013-11-29 2018-06-06 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
US9793268B2 (en) 2014-01-24 2017-10-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and structure for gap filling improvement
TWI653507B (zh) * 2014-02-07 2019-03-11 比利時商愛美科公司 用於減低微影製程後線寬粗糙度之電漿方法
KR20150136387A (ko) 2014-05-27 2015-12-07 삼성전자주식회사 반도체 소자의 제조 방법
US9715724B2 (en) 2014-07-29 2017-07-25 Applied Materials Israel Ltd. Registration of CAD data with SEM images
KR102270752B1 (ko) 2014-08-11 2021-07-01 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
TWI675258B (zh) * 2014-09-26 2019-10-21 日商東京應化工業股份有限公司 光阻圖型形成方法、光阻圖型分離劑、分離圖型改善化劑、光阻圖型分離材料及分離圖型形成用之正型光阻劑組成物
TWI632437B (zh) * 2014-11-07 2018-08-11 羅門哈斯電子材料有限公司 用於形成凸紋影像的方法
US9673059B2 (en) * 2015-02-02 2017-06-06 Tokyo Electron Limited Method for increasing pattern density in self-aligned patterning integration schemes
US9754791B2 (en) * 2015-02-07 2017-09-05 Applied Materials, Inc. Selective deposition utilizing masks and directional plasma treatment
KR102370616B1 (ko) 2015-02-09 2022-03-04 삼성전자주식회사 미세 패턴 형성 방법
US9633847B2 (en) * 2015-04-10 2017-04-25 Tokyo Electron Limited Using sub-resolution openings to aid in image reversal, directed self-assembly, and selective deposition
US10935889B2 (en) * 2015-05-13 2021-03-02 Tokyo Electron Limited Extreme ultra-violet sensitivity reduction using shrink and growth method
US10061199B2 (en) * 2015-06-24 2018-08-28 Tokyo Electron Limited Methods of forming a mask for substrate patterning
US9741586B2 (en) 2015-06-30 2017-08-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of fabricating package structures
US10162265B2 (en) * 2015-12-09 2018-12-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Pattern treatment methods
US10503070B2 (en) * 2015-12-10 2019-12-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photosensitive material and method of lithography
KR102515807B1 (ko) * 2016-01-11 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6741471B2 (ja) * 2016-05-17 2020-08-19 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
CN107703722B (zh) * 2016-08-08 2020-12-15 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 图案化光阻的形成方法
US10115594B1 (en) * 2017-09-05 2018-10-30 Nanya Technology Corporation Method of forming fine island patterns of semiconductor devices
JP2019078812A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 高精細パターンの製造方法およびそれを用いた表示素子の製造方法
JP2019078810A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 微細パターンの製造方法およびそれを用いた表示素子の製造方法
US10410878B2 (en) 2017-10-31 2019-09-10 American Air Liquide, Inc. Hydrofluorocarbons containing —NH2 functional group for 3D NAND and DRAM applications
CN107761663A (zh) * 2017-11-08 2018-03-06 江苏科技大学 一种板桩码头结构及其施工方法
US10734229B2 (en) * 2018-01-05 2020-08-04 Tokyo Electron Limited Method of advanced contact hole pattering
US11139402B2 (en) 2018-05-14 2021-10-05 Synopsys, Inc. Crystal orientation engineering to achieve consistent nanowire shapes
US11143953B2 (en) 2019-03-21 2021-10-12 International Business Machines Corporation Protection of photomasks from 193nm radiation damage using thin coatings of ALD Al2O3
US11264458B2 (en) 2019-05-20 2022-03-01 Synopsys, Inc. Crystal orientation engineering to achieve consistent nanowire shapes
US11886121B2 (en) 2019-08-30 2024-01-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming patterned photoresist

Family Cites Families (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3474054A (en) 1966-09-13 1969-10-21 Permalac Corp The Surface coating compositions containing pyridine salts or aromatic sulfonic acids
US4251665A (en) 1978-05-22 1981-02-17 King Industries, Inc. Aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
US4200729A (en) 1978-05-22 1980-04-29 King Industries, Inc Curing amino resins with aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
JPS5844715A (ja) * 1981-09-11 1983-03-15 Fujitsu Ltd 微細パタ−ン形成方法
NO173574C (no) 1984-06-01 1993-12-29 Rohm & Haas Fremgangsmaate til fremstilling av et termisk stabilt, positivt eller negativt bilde paa en underlagsflate
CA1307695C (en) 1986-01-13 1992-09-22 Wayne Edmund Feely Photosensitive compounds and thermally stable and aqueous developablenegative images
ES2067547T3 (es) * 1988-08-26 1995-04-01 Nippon Oils & Fats Co Ltd Agente dispersante de pigmento.
US5128232A (en) 1989-05-22 1992-07-07 Shiply Company Inc. Photoresist composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
US5100696A (en) * 1989-07-10 1992-03-31 Ncr Corporation Magnetic thermal transfer ribbon
US5187019A (en) 1991-09-06 1993-02-16 King Industries, Inc. Latent catalysts
JP3340493B2 (ja) * 1993-02-26 2002-11-05 沖電気工業株式会社 パターン形成方法、位相シフト法用ホトマスクの形成方法
US5656121A (en) * 1994-08-19 1997-08-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of making multi-layer composites having a fluoropolymer layer
JP3444692B2 (ja) * 1995-04-14 2003-09-08 沖電気工業株式会社 パターン形成方法
JPH09191007A (ja) * 1996-01-11 1997-07-22 Sumitomo Chem Co Ltd フォトレジスト用剥離液
JPH11214510A (ja) * 1998-01-26 1999-08-06 Toshiba Corp 自己整合型パターン形成方法
JPH11251214A (ja) * 1998-02-27 1999-09-17 Sharp Corp タンタル薄膜回路素子の製造方法
US6218085B1 (en) 1999-09-21 2001-04-17 Lucent Technologies Inc. Process for photoresist rework to avoid sodium incorporation
JP2001135565A (ja) * 1999-11-08 2001-05-18 Sony Corp 半導体装置の製造方法
TWI281101B (en) * 2000-02-28 2007-05-11 Mitsubishi Electric Corp Developing process, process for forming pattern and process for preparing semiconductor device using same
JP4329216B2 (ja) * 2000-03-31 2009-09-09 Ｊｓｒ株式会社 レジストパターン縮小化材料及びそれを使用する微細レジストパターンの形成方法
JP2002006512A (ja) * 2000-06-20 2002-01-09 Mitsubishi Electric Corp 微細パターン形成方法、微細パターン形成用材料、およびこの微細パターン形成方法を用いた半導体装置の製造方法
US6534243B1 (en) * 2000-10-23 2003-03-18 Advanced Micro Devices, Inc. Chemical feature doubling process
KR100546098B1 (ko) * 2000-12-27 2006-01-24 주식회사 하이닉스반도체 열산 발생제를 포함하는 포토레지스트 조성물을 이용하여포토레지스트 패턴 폭 감소 현상을 개선하는 방법
JP2002278053A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
WO2003006948A2 (en) * 2001-07-10 2003-01-23 Wisconsin Alumni Research Foundation Surface plasmon resonance imaging of micro-arrays
JP3878451B2 (ja) * 2001-10-22 2007-02-07 富士フイルムホールディングス株式会社 感光性樹脂転写材料、画像形成方法、カラーフィルターとその製造方法、フォトマスクとその製造方法
JP2003228179A (ja) * 2002-01-31 2003-08-15 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 銅配線基板向けアミン含有レジスト剥離液および剥離方法
KR100994818B1 (ko) 2002-03-04 2010-11-16 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 단파장 이미지화용 네거티브 포토레지스트
JP4041750B2 (ja) * 2002-06-28 2008-01-30 富士フイルム株式会社 染料含有硬化性組成物、カラーフィルタ及びその製造方法
JP3675434B2 (ja) * 2002-10-10 2005-07-27 東京応化工業株式会社 微細パターンの形成方法
US6740473B1 (en) * 2002-11-28 2004-05-25 United Microelectronics Corp. Method for shrinking critical dimension of semiconductor devices
US6916594B2 (en) * 2002-12-30 2005-07-12 Hynix Semiconductor Inc. Overcoating composition for photoresist and method for forming photoresist pattern using the same
KR101076623B1 (ko) * 2003-07-17 2011-10-27 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 미세 패턴 형성 재료 및 이를 사용한 미세 패턴 형성방법
US7232641B2 (en) 2003-10-08 2007-06-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymerizable compound, polymer, positive-resist composition, and patterning process using the same
JP4143023B2 (ja) * 2003-11-21 2008-09-03 株式会社東芝 パターン形成方法および半導体装置の製造方法
US20060003271A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Clark Shan C Basic supercritical solutions for quenching and developing photoresists
KR100560633B1 (ko) * 2004-08-16 2006-03-17 삼성전자주식회사 커패시터 제조 방법
KR100575001B1 (ko) * 2004-12-10 2006-04-28 삼성전자주식회사 상호 결합 없는 이중 포토 리소그라피 방법
EP1720072B1 (en) 2005-05-01 2019-06-05 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Compositons and processes for immersion lithography
DE102005037022A1 (de) * 2005-06-28 2007-01-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender optoelektronischer Halbleiterchip mit einer Diffusionsbarriere
JP2007010785A (ja) * 2005-06-28 2007-01-18 Fujifilm Holdings Corp 永久パターン形成方法
JP4830596B2 (ja) * 2006-04-10 2011-12-07 凸版印刷株式会社 レジストパターン形成用基板、レジストパターン形成方法およびパネル
WO2007148160A2 (en) * 2006-06-20 2007-12-27 Freescale Semiconductor, Inc. Method of multi-layer lithography
KR20080023814A (ko) * 2006-09-12 2008-03-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 미세패턴 형성방법
US7568362B2 (en) * 2006-10-16 2009-08-04 Calibre International, Llc Bean bag holder to be used to hold a can or bottle
JP2008191644A (ja) 2006-10-30 2008-08-21 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 液浸リソグラフィーのための組成物および方法
JP2010511915A (ja) * 2006-12-06 2010-04-15 フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド 二重パターン形成プロセスを利用した装置製造プロセス
KR100876783B1 (ko) * 2007-01-05 2009-01-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
JP5270840B2 (ja) * 2007-01-23 2013-08-21 東京応化工業株式会社 パターン微細化用被覆形成剤及びそれを用いた微細パターンの形成方法
CN100490059C (zh) * 2007-03-21 2009-05-20 山东华光光电子有限公司 一种高亮度发光二极管芯片的制备方法
US8088566B2 (en) * 2007-03-26 2012-01-03 Fujifilm Corporation Surface-treating agent for pattern formation and pattern-forming method using the surface-treating agent
JP2008268855A (ja) * 2007-03-26 2008-11-06 Fujifilm Corp パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法
KR101597366B1 (ko) * 2007-05-23 2016-02-24 제이에스알 가부시끼가이샤 패턴 형성 방법 및 그 방법에 사용하는 수지 조성물
JP4840255B2 (ja) * 2007-05-29 2011-12-21 Ｊｓｒ株式会社 パターン形成方法及びそれに用いる樹脂組成物
US8642474B2 (en) * 2007-07-10 2014-02-04 Advanced Micro Devices, Inc. Spacer lithography
JP4973876B2 (ja) * 2007-08-22 2012-07-11 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びこれに用いるパターン表面コート材
JP2009053547A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd パターン形成方法及び被覆膜形成用材料
JP5013119B2 (ja) * 2007-09-20 2012-08-29 信越化学工業株式会社 パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料
JP2009199058A (ja) 2007-11-05 2009-09-03 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 液浸リソグラフィーのための組成物および方法
US7659208B2 (en) * 2007-12-06 2010-02-09 Micron Technology, Inc Method for forming high density patterns
US7838198B2 (en) * 2007-12-13 2010-11-23 International Business Machines Corporation Photoresist compositions and method for multiple exposures with multiple layer resist systems
US7838200B2 (en) * 2007-12-13 2010-11-23 International Business Machines Corporation Photoresist compositions and method for multiple exposures with multiple layer resist systems
JP2009194207A (ja) * 2008-02-15 2009-08-27 Tokyo Electron Ltd パターン形成方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP5154395B2 (ja) * 2008-02-28 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法及びレジスト塗布・現像処理システム
EP2101217B1 (en) * 2008-03-14 2011-05-11 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Sulfonium salt-containing polymer, resist compositon, and patterning process
US20090253080A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 Dammel Ralph R Photoresist Image-Forming Process Using Double Patterning
US20090253078A1 (en) * 2008-04-07 2009-10-08 Sokudo Co., Ltd. Double exposure lithography using low temperature oxide and uv cure process
BRPI0914016A2 (pt) * 2008-10-06 2015-07-28 Union Carbide Chem Plastic Método para preparar uma triamina cíclica
KR101523951B1 (ko) * 2008-10-09 2015-06-02 삼성전자주식회사 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
JP5071688B2 (ja) * 2009-02-18 2012-11-14 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びレジスト変性用組成物
JP5212245B2 (ja) * 2009-04-23 2013-06-19 住友化学株式会社 レジストパターンの製造方法
KR20100117025A (ko) * 2009-04-23 2010-11-02 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 포토레지스트 패턴 형성 방법
JP5112380B2 (ja) * 2009-04-24 2013-01-09 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
TWI403520B (zh) * 2009-05-25 2013-08-01 Shinetsu Chemical Co 光阻改質用組成物及圖案形成方法
TWI418533B (zh) * 2009-05-25 2013-12-11 Shinetsu Chemical Co 光阻改質用組成物及圖案形成方法
JP5573356B2 (ja) * 2009-05-26 2014-08-20 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP5698922B2 (ja) 2009-06-26 2015-04-08 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． 電子デバイスを形成する方法
CN101963755B (zh) * 2009-06-26 2012-12-19 罗门哈斯电子材料有限公司 自对准间隔物多重图形化方法
JP2011022187A (ja) * 2009-07-13 2011-02-03 Konica Minolta Business Technologies Inc 静電荷像現像用トナー、フルカラートナーキット、画像形成方法
EP2336824A1 (en) * 2009-11-19 2011-06-22 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Methods of forming electronic devices

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