JP2009265620A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 露光光に対して透明な基板上に、珪素を含む位相シフト膜と、前記位相シフト膜のエッチングに対して耐性を有し、かつ金属を含有する材料で構成された遮光膜と、前記遮光膜のエッチングに対して耐性を有する無機材料で構成されたエッチングマスク膜と、が順に形成された位相シフトマスクブランクであって、
   前記位相シフト膜の膜厚をｔ_１、前記位相シフト膜を、前記エッチングマスク膜及び前記遮光膜をマスクとしてエッチャントによりドライエッチングされるエッチング速度をｖ_１、前記エッチングマスク膜の膜厚をｔ_２、前記エッチングマスク膜が、前記エッチャントによりドライエッチングされるエッチング速度をｖ_２としたときに、
   （ｔ_１／ｖ_１）≦（ｔ_２／ｖ_２）
   であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
2. 前記エッチングマスク膜のエッチング速度ｖ_２が、前記位相シフト膜のエッチング速度ｖ_１に対し、０．０７ｖ_１〜０．５ｖ_１であることを特徴とする請求項１記載の位相シフトマスクブランク。
3. 前記遮光膜は、クロムを含む材料であり、前記エッチングマスク膜は、珪素を含む珪素含有膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の位相シフトマスクブランク。
4. 前記エッチングマスク膜は、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下の膜厚を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
5. 前記位相シフト膜は、１００ｎｍ以下の膜厚を有することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
6. 前記エッチングマスク膜は、珪素もしくは珪素に酸素、窒素および炭素から選ばれる少なくとも１以上の元素を含有する材料、または金属シリサイドもしくは金属シリサイドに酸素、窒素および炭素から選ばれる少なくとも１以上の元素を含有する材料からなることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
7. 前記位相シフト膜は、珪素もしくは珪素に酸素、窒素および炭素から選ばれる少なくとも１以上の元素を含有する材料、または金属シリサイドもしくは金属シリサイドに酸素、窒素および炭素から選ばれる少なくとも１以上の元素を含有する材料からなることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
8. 前記エッチングマスク膜は、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＮおよびＳｉＯＮから選ばれる材料からなり、前記位相シフト膜は、ＭｏＳｉＮおよびＭｏＳｉＯＮから選ばれる材料からなることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
9. 請求項１から８のいずれかに記載の位相シフトマスクブランクにおいて、前記エッチングマスク膜上にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクにして第１エッチャントにより前記エッチングマスク膜をドライエッチングしてエッチングマスク膜パターンを形成する工程と、
   前記エッチングマスク膜パターン、又は前記レジストパターン及び前記エッチングマスク膜パターンをマスクにして、前記遮光膜を第２エッチャントによりドライエッチングして遮光膜パターンを形成する工程と、
   前記エッチングマスク膜パターン及び前記遮光膜パターンをマスクにして、第３エッチャントにより前記位相シフト膜をドライエッチングして位相シフト膜パターンを形成する工程と、を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
10. 前記位相シフト膜パターンを形成した後においてエッチングマスク膜を残存させ、前記エッチングマスク膜を除去する工程を有することを特徴とする請求項９記載の位相シフトマスクの製造方法。
11. 前記第１エッチャント及び前記第３エッチャントは、フッ素系ガスを含むエッチャントであって、前記第２エッチャントは、塩素系ガスを含むエッチャントであることを特徴とする請求項９または１０記載の位相シフトマスクの製造方法。