JP2009080421A5 - - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (9)
- 透光性基板上にパターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクにおいて、
該マスクブランクは、ドライエッチング処理により前記薄膜及び前記基板をエッチング加工するインプリント用モールドの作製方法に対応するドライエッチング処理用のマスクブランクであって、
前記薄膜は、少なくとも上層と下層の積層膜よりなり、前記上層は、クロム（Ｃｒ）と酸素を含む材料で形成され、前記下層は、タンタル（Ｔａ）またはその化合物を含み、且つ、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成されていることを特徴とするマスクブランク。 - 前記薄膜の下層は、Ｔａ単体、またはＴａにＢ，Ｇｅ，Ｎｂ，Ｓｉ，ＣおよびＮから選ばれる少なくとも一種の元素を含有させたＴａ化合物からなることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク。
- 前記薄膜の下層の表面に酸化層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランク。
- 前記薄膜の上層は、酸素を実質的に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング処理が可能な材料で形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載のマスクブランク。
- 前記薄膜の上層と下層との間に下層を形成する材料を含有する酸化膜を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載のマスクブランク。
- 前記透光性基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載のマスクブランク。
- 前記薄膜の上層の膜厚が、３ｎｍ〜１２ｎｍであり、前記下層の膜厚が、５ｎｍ〜４０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載のマスクブランク。
- 前記薄膜上に形成するレジスト膜の膜厚が、９０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一に記載のマスクブランク。
- 請求項１乃至８のいずれかに記載のマスクブランクにおける前記薄膜の上層を、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工し、続いて前記薄膜の下層及び前記基板を、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007251243A JP2009080421A (ja) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | マスクブランク、及びインプリント用モールドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007251243A JP2009080421A (ja) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | マスクブランク、及びインプリント用モールドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009080421A JP2009080421A (ja) | 2009-04-16 |
| JP2009080421A5 true JP2009080421A5 (ja) | 2010-11-18 |
Family
ID=40655188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007251243A Pending JP2009080421A (ja) | 2007-09-27 | 2007-09-27 | マスクブランク、及びインプリント用モールドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009080421A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5377053B2 (ja) * | 2009-04-17 | 2013-12-25 | 株式会社東芝 | テンプレート及びその製造方法、並びにパターン形成方法 |
| JP5534311B2 (ja) * | 2010-01-22 | 2014-06-25 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク用基板とその製造方法、インプリントモールド用マスクブランクとその製造方法、及びインプリントモールドとその製造方法 |
| JP5549245B2 (ja) * | 2010-02-01 | 2014-07-16 | 住友電気工業株式会社 | ナノインプリント法による回折格子の形成方法 |
| JP5599213B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2014-10-01 | Ｈｏｙａ株式会社 | モールドの製造方法 |
| JP5627990B2 (ja) * | 2010-10-25 | 2014-11-19 | Hoya株式会社 | インプリント用モールドの製造方法 |
| KR20140031248A (ko) * | 2011-04-06 | 2014-03-12 | 호야 가부시키가이샤 | 몰드 제조용 마스크 블랭크스 및 몰드의 제조 방법 |
| JP5743920B2 (ja) * | 2012-02-09 | 2015-07-01 | Hoya株式会社 | 微細パターンを有するガラス構造体の製造方法 |
| JP2015212720A (ja) * | 2014-05-01 | 2015-11-26 | Hoya株式会社 | 多階調フォトマスクの製造方法、多階調フォトマスク及び表示装置の製造方法 |
| JP5853071B2 (ja) * | 2014-08-12 | 2016-02-09 | Hoya株式会社 | モールド製造用マスクブランクスおよびモールド製造用レジスト付きマスクブランクス |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0823687B2 (ja) * | 1990-05-14 | 1996-03-06 | 凸版印刷株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにフォトマスクの製造方法 |
| JPH0463349A (ja) * | 1990-07-03 | 1992-02-28 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスク |
| JP2658966B2 (ja) * | 1995-04-20 | 1997-09-30 | 日本電気株式会社 | フォトマスク及びその製造方法 |
| JP3303745B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2002-07-22 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH11271958A (ja) * | 1998-02-06 | 1999-10-08 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 高解像フォトマスクおよびその製造方法 |
| JP4619043B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2011-01-26 | Ｈｏｙａ株式会社 | 位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法 |
| JP2006078825A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
| JP4614877B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-01-19 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
| TWI437358B (zh) * | 2007-09-27 | 2014-05-11 | Hoya Corp | 空白光罩、空白光罩之製造方法及壓印用模型之製造方法 |
-
2007
- 2007-09-27 JP JP2007251243A patent/JP2009080421A/ja active Pending
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