JP2009206339A5 - - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 16
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N Tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001845 chromium compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N nitride(3-) Chemical compound [N-3] TWXTWZIUMCFMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 claims 1
Claims (10)
- ガラス基板と該ガラス基板上に形成された薄膜とを有してなり、前記薄膜及び前記ガラス基板をエッチング加工してインプリントモールドを作製するためのインプリントモールド用マスクブランクであって、
前記薄膜は、少なくとも上層および下層の積層膜よりなり、
前記上層は、タンタル（Ｔａ）又はタンタル化合物、あるいはケイ素（Ｓｉ）又はケイ素化合物のいずれかを主成分とする材料で形成され、
前記下層は、クロム（Ｃｒ）又はクロム化合物で形成されていることを特徴とするインプリントモールド用マスクブランク。 - 前記薄膜の上層は、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリントモールド用マスクブランク。
- 前記薄膜の上層は、タンタルの窒化物を主成分とする材料で形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリントモールド用マスクブランク。
- 前記薄膜の上層は、モリブデン（Ｍｏ）のケイ素化合物を主成分とする材料で形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリントモールド用マスクブランク。
- 前記薄膜の上層の膜厚が、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
- 前記薄膜の下層は、クロムの窒化物で形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
- 前記薄膜の下層の膜厚が、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
- 前記薄膜上に形成するレジスト膜の膜厚が、１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
- 請求項１乃至８のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランクにおける前記薄膜上に形成したレジストパターンをマスクとして前記薄膜の上層を、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記上層のパターンを形成する工程と、該上層パターンをマスクとして前記薄膜の下層を、酸素及び塩素の混合ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記下層のパターンを形成する工程と、該下層パターンをマスクとして前記ガラス基板を、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工する工程と、を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
- 請求項１乃至８のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランクにおける前記薄膜上に形成したレジストパターンをマスクとして前記薄膜の上層を、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記上層のパターンを形成する工程と、
前記上層のパターンを形成する工程後に前記レジストパターンを除去する工程と、
前記上層パターンをマスクとして前記薄膜の下層を、酸素及び塩素の混合ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記下層のパターンを形成する工程と、
前記下層パターンをマスクとして前記ガラス基板を、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工し、かつ前記上層のパターンを除去する工程と、
を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008048027A JP2009206339A (ja) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008048027A JP2009206339A (ja) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009206339A JP2009206339A (ja) | 2009-09-10 |
| JP2009206339A5 true JP2009206339A5 (ja) | 2011-03-31 |
Family
ID=41148307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008048027A Pending JP2009206339A (ja) | 2008-02-28 | 2008-02-28 | インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2009206339A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011199136A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Toppan Printing Co Ltd | インプリント用モールド及びその作製方法並びにパターン転写体 |
| JP5453616B2 (ja) | 2010-04-16 | 2014-03-26 | Ｈｏｙａ株式会社 | インプリント用モールドの製造方法 |
| SG186226A1 (en) * | 2010-06-11 | 2013-01-30 | Hoya Corp | Substrate with adhesion promoting layer, method for producing mold, and method for producing master mold |
| JP2012190827A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | インプリントモールド及びその作製方法、パターン形成体 |
| JP5860244B2 (ja) * | 2011-08-24 | 2016-02-16 | 大日本印刷株式会社 | レジストパターン形成方法、並びにそれを用いたナノインプリント用モールド、フォトマスク及び半導体デバイスの製造方法 |
| WO2013111631A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | 旭硝子株式会社 | ナノインプリントモールド用ブランク、ナノインプリントモールドおよびそれらの製造方法 |
| JP5906963B2 (ja) * | 2012-06-28 | 2016-04-20 | 大日本印刷株式会社 | パターン構造体の製造方法およびパターン形成用基材 |
| JP6024377B2 (ja) * | 2012-10-18 | 2016-11-16 | 大日本印刷株式会社 | ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートブランク、その製造方法、および、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法 |
| TWI661076B (zh) | 2016-10-06 | 2019-06-01 | 南韓商圓益Ｉｐｓ股份有限公司 | 複合膜製造方法 |
| CN115280474A (zh) * | 2020-03-25 | 2022-11-01 | 富士胶片株式会社 | 结构体的制造方法及结构体 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4619043B2 (ja) * | 2004-06-02 | 2011-01-26 | Ｈｏｙａ株式会社 | 位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法 |
| JP4405443B2 (ja) * | 2004-10-22 | 2010-01-27 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
| US7341825B2 (en) * | 2006-05-25 | 2008-03-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for producing high resolution nano-imprinting masters |
-
2008
- 2008-02-28 JP JP2008048027A patent/JP2009206339A/ja active Pending
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