JP2009206338A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. ガラス基板と該ガラス基板上に形成された薄膜とを有してなり、前記薄膜及び前記ガラス基板をエッチング加工してインプリントモールドを作製するためのインプリントモールド用マスクブランクであって、
   前記薄膜は、少なくとも上層と中間層と下層の積層膜よりなり、
   前記上層は、クロム（Ｃｒ）又は酸素を実質的に含まないクロム化合物を材料とし、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な厚さに形成され、
   前記中間層は、タンタル（Ｔａ）又は酸素を実質的に含まないタンタル化合物で形成され、
   前記下層は、クロム（Ｃｒ）又はクロム化合物で形成されていることを特徴とするインプリントモールド用マスクブランク。
2. 前記薄膜の中間層は、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリントモールド用マスクブランク。
3. 前記薄膜の中間層は、タンタルの窒化物を主成分とする材料で形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリントモールド用マスクブランク。
4. 前記薄膜の中間層の膜厚が、３ｎｍ〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
5. 前記薄膜の上層は、クロムの窒化物で形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
6. 前記薄膜の上層の膜厚が、１．５ｎｍ〜３ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
7. 前記薄膜上に形成するレジスト膜の膜厚が、１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランク。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランクにおける前記薄膜上に形成したレジストパターンをマスクとして前記薄膜の上層及び中間層を、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記上層及び中間層のパターンを形成する工程と、該上層及び中間層のパターンをマスクとして前記薄膜の下層を、酸素及び塩素の混合ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記下層のパターンを形成する工程と、該下層パターンをマスクとして前記ガラス基板を、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工する工程と、を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
9. 請求項１乃至７のいずれかに記載のインプリントモールド用マスクブランクにおける前記薄膜上に形成したレジストパターンをマスクとして前記薄膜の上層及び中間層を、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記上層及び中間層のパターンを形成する工程と、
   前記上層及び中間層のパターンを形成する工程後に前記レジストパターンを除去する工程と、
   前記中間層のパターンをマスクとして前記薄膜の下層を、酸素及び塩素の混合ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記下層のパターンを形成し、かつ前記上層のパターンを除去する工程と、
   前記下層パターンをマスクとして前記ガラス基板を、フッ素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工し、かつ前記中間層のパターンを除去する工程と、
   を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。