JP2011127221A5 - - Google Patents

Claims (29)

1. ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクまたは該マスクブランクを用いて作製された転写用マスクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法であって、
   前記マスクブランクまたは前記転写用マスクの前記薄膜を、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、およびキセノン（Ｘｅ）のうちのいずれかの元素とフッ素（Ｆ）との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法。
2. 前記薄膜は、単層あるいは複数層からなり、少なくとも前記基板に接する層は、フッ素系ガスでドライエッチング可能な材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板の再生方法。
3. 前記基板に接する層は、ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、およびタンタル（Ｔａ）を含有する材料のうちのいずれかにより形成されていることを特徴とする請求項２に記載の基板の再生方法。
4. 前記基板は合成石英ガラスからなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板の再生方法。
5. 前記非励起状態の物質は、ガス状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板の再生方法。
6. 前記非励起状態の物質は、１００Ｔｏｒｒ以上７６０Ｔｏｒｒ以下の圧力の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項５に記載の基板の再生方法。
7. 前記非励起状態の物質は、２０℃以上５００℃以下の温度の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項５又は６に記載の基板の再生方法。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、パターン形成用の薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
9. ガラスからなる基板の主表面上に低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜を備える多層反射膜付き基板の前記多層反射膜を除去して基板を再生する方法であって、
   前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜を、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、およびキセノン（Ｘｅ）のうちのいずれかの元素とフッ素（Ｆ）との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法。
10. 前記低屈折率層はケイ素（Ｓｉ）からなり、前記基板の主表面に接して形成されていることを特徴とする請求項９に記載の基板の再生方法。
11. 前記基板はＳｉＯ₂−ＴｉＯ₂系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする請求項９又は１０に記載の基板の再生方法。
12. 前記非励起状態の物質は、ガス状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項９乃至１１のいずれかに記載の基板の再生方法。
13. 前記非励起状態の物質は、１００Ｔｏｒｒ以上７６０Ｔｏｒｒ以下の圧力の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項１２に記載の基板の再生方法。
14. 前記非励起状態の物質は、２０℃以上５００℃以下の温度の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項１２又は１３に記載の基板の再生方法。
15. 請求項９乃至１４のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜を形成することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
16. ガラスからなる基板の主表面上に、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜と、パターン形成用の吸収体膜とを順に備える反射型マスクブランクまたは該反射型マスクブランクを用いて作製された反射型マスクの前記多層反射膜を除去して基板を再生する方法であって、
    前記反射型マスクブランクまたは前記反射型マスクの前記多層反射膜を、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、およびキセノン（Ｘｅ）のうちのいずれかの元素とフッ素（Ｆ）との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法。
17. 前記低屈折率層はケイ素（Ｓｉ）からなり、前記基板の主表面に接して形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の基板の再生方法。
18. 前記基板はＳｉＯ₂−ＴｉＯ₂系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の基板の再生方法。
19. 前記非励起状態の物質は、ガス状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項１６乃至１８のいずれかに記載の基板の再生方法。
20. 前記非励起状態の物質は、１００Ｔｏｒｒ以上７６０Ｔｏｒｒ以下の圧力の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項１９に記載の基板の再生方法。
21. 前記非励起状態の物質は、２０℃以上５００℃以下の温度の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項１９又は２０に記載の基板の再生方法。
22. 請求項１６乃至２１のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜と、パターン形成用の吸収体膜とを順に形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
23. ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクにおいて、ドライエッチング処理により前記薄膜及び前記基板をエッチング加工するインプリント用モールドの作製方法に対応するマスクブランクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法であって、
    前記マスクブランクの前記薄膜を、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、およびキセノン（Ｘｅ）のうちのいずれかの元素とフッ素（Ｆ）との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法。
24. 前記薄膜は、単層あるいは複数層からなり、少なくとも前記基板に接する層は、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料により形成されていることを特徴とする請求項２３に記載の基板の再生方法。
25. 前記基板は合成石英ガラスからなることを特徴とする請求項２３又は２４に記載の基板の再生方法。
26. 前記非励起状態の物質は、ガス状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項２３乃至２５のいずれかに記載の基板の再生方法。
27. 前記非励起状態の物質は、１００Ｔｏｒｒ以上７６０Ｔｏｒｒ以下の圧力の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項２６に記載の基板の再生方法。
28. 前記非励起状態の物質は、２０℃以上５００℃以下の温度の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項２６又は２７に記載の基板の再生方法。
29. 請求項２３乃至２８のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、パターン形成用の薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。