JP5677812B2 - 基板の再生方法、マスクブランクの製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法 - Google Patents
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Description
すなわち、基板の材料であるガラスは特許文献1に記載のエッチャントやフッ酸に対して可溶性であることから、薄膜除去後の基板表面に、白濁による変質層が形成されたり、あるいは高平滑に研磨されていた基板表面の表面粗さが大きくなるなどのダメージが発生してしまうことが避けられない。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
(構成1)
ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクまたは該マスクブランクを用いて作製された転写用マスクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法であって、前記マスクブランクまたは前記転写用マスクの前記薄膜を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちのいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法である。
前記薄膜は、単層あるいは複数層からなり、少なくとも前記基板に接する層は、フッ素系ガスでドライエッチング可能な材料で形成されていることを特徴とする構成1に記載の基板の再生方法である。
(構成3)
前記基板に接する層は、ケイ素(Si)を含有する材料、金属とケイ素(Si)を含有する材料、およびタンタル(Ta)を含有する材料のうちのいずれかにより形成されていることを特徴とする構成2に記載の基板の再生方法である。
前記基板は合成石英ガラスからなることを特徴とする構成1乃至3のいずれかに記載の基板の再生方法である。
(構成5)
構成1乃至4のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、パターン形成用の薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法である。
ガラスからなる基板の主表面上に低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜を備える多層反射膜付き基板の前記多層反射膜を除去して基板を再生する方法であって、前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちのいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法である。
前記低屈折率層はケイ素(Si)からなり、前記基板の主表面に接して形成されていることを特徴とする構成6に記載の基板の再生方法である。
(構成8)
前記基板はSiO2−TiO2系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする構成6又は7に記載の基板の再生方法である。
構成6乃至8のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜を形成することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法である。
ガラスからなる基板の主表面上に、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜と、パターン形成用の吸収体膜とを順に備える反射型マスクブランクまたは該反射型マスクブランクを用いて作製された反射型マスクの前記多層反射膜を除去して基板を再生する方法であって、前記反射型マスクブランクまたは前記反射型マスクの前記多層反射膜を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちのいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法である。
前記低屈折率層はケイ素(Si)からなり、前記基板の主表面に接して形成されていることを特徴とする構成10に記載の基板の再生方法である。
(構成12)
前記基板はSiO2−TiO2系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする構成10又は11に記載の基板の再生方法である。
構成10乃至12のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜と、パターン形成用の吸収体膜とを順に形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法である。
ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクにおいて、ドライエッチング処理により前記薄膜及び前記基板をエッチング加工するインプリント用モールドの作製方法に対応するマスクブランクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法であって、前記マスクブランクの前記薄膜を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちのいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法である。
前記薄膜は、単層あるいは複数層からなり、少なくとも前記基板に接する層は、タンタル(Ta)を主成分とする材料により形成されていることを特徴とする構成14に記載の基板の再生方法である。
(構成16)
前記基板は合成石英ガラスからなることを特徴とする構成14又は15に記載の基板の再生方法である。
構成14乃至16のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、パターン形成用の薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法である。
[第1の実施の形態]
本発明の第1の実施の形態は、ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクまたは該マスクブランクを用いて作製された転写用マスクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法に係るものであって、前記マスクブランクまたは前記転写用マスクの前記薄膜を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちのいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法である。
一方、水素イオンを含有するフッ酸溶液や珪フッ酸溶液は、水素イオンがガラス中のSi−Oの結合を切る作用を起こし、フッ素とケイ素が結び付きやすくするため、ガラスを溶解させやすく、本発明の作用効果を得ることは困難である。この点を考慮すると、非励起状態のフッ素系化合物の物質には、水素を実質的に含有しないことが望ましい。
マスクブランクまたは転写用マスクの前記薄膜を、本発明の化合物を含む非励起のガス状態の物質に接触させる場合の処理条件、例えばガス流量、ガス圧力、温度、処理時間については特に制約する必要はないが、本発明の作用を好ましく得る観点からは、薄膜の材料や層数(膜厚)によって適宜選定するのが望ましい。
この処理装置では、ガス充填容器13,14、流量制御器15,16、噴出ノズル17およびこれらの接続配管を備え、非励起ガス供給機が構成されている。マスクブランク等の処理基板11は、処理装置のチャンバー10内のステージ12上に設置される。そして、例えば2種類のガス充填容器13,14内のガスがそれぞれ流量制御器15,16で流量が調節された後、混合され、噴出ノズル17から噴出されチャンバー10内に導入される。また、チャンバー10内のガスは、排気管18を通って排気ガス処理装置19で除害処理後、適宜排気される。
上記2種類のガスは、本発明のフッ素系化合物を含む物質をガス状態で使用する場合、本発明のフッ素系化合物と窒素ガス、あるいはアルゴン(Ar)等の希ガスである。
このようにして、マスクブランクから薄膜を除去した後、基板の表面を短時間精密研磨することにより、薄膜除去前の高平滑な基板の表面粗さに回復させることができる。本発明による基板の再生方法は、薄膜の除去による基板表面のダメージが少ないため、再研磨する場合の研磨取代も少なくて済み、粗研磨から精密研磨に至る複数段階の研磨工程のうちの最終段階(精密研磨)へ戻すことが可能になる。したがって、再研磨の工程負荷も少なくなることで、基板の再生コストを低減することができ、しかも高品質の基板を再生することができる。本発明によれば、高品質の基板を低コストで再生することができるので、特に高付加価値を備えた高価な基材を用いたマスクブランクの基板再生に好適である。
本発明の第2の実施の形態は、ガラスからなる基板の主表面上に低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜を備える多層反射膜付き基板の前記多層反射膜を除去して基板を再生する方法に係るものであって、前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちのいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法である。
例えば、波長13〜14nmのEUV光に対する多層反射膜としては、Mo膜とSi膜を交互に40周期程度積層したMo/Si周期積層膜が好ましく用いられる。その他に、EUV光の領域で使用される多層反射膜として、Ru/Si周期多層膜、Mo/Be周期多層膜、Mo化合物/Si化合物周期多層膜、Si/Nb周期多層膜、Si/Mo/Ru周期多層膜、Si/Mo/Ru/Mo周期多層膜、Si/Ru/Mo/Ru周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択すればよい。
多層反射膜を本発明の化合物を含む非励起のガス状態の物質に接触させる場合の好ましい処理条件、例えばガス流量、ガス圧力、温度、処理時間の好ましい条件については、前述の第1の実施の形態の場合とほぼ同様であるが、多層反射膜の材料や層数(膜厚)によって適宜選定するのが望ましい。
このようにして、多層反射膜付き基板から多層反射膜を除去した後、基板の表面を再研磨することにより、多層反射膜除去前の高平滑な基板の表面粗さに回復させることができる。本発明による基板の再生方法は、多層反射膜の除去による基板表面のダメージが少ないため、再研磨する場合の研磨取代も少なくて済み、粗研磨から精密研磨に至る複数段階の研磨工程のうちの最終段階(精密研磨)へ戻すことが可能になる。したがって、再研磨の工程負荷も少なくなることで、基板の再生コストを低減することができ、しかも高品質の基板を再生することができる。本発明によれば、高品質の基板を低コストで再生することができるので、特に高付加価値を備えた高価な基材を用いた多層反射膜付き基板の基板再生に好適である。
反射型マスクブランクまたは反射型マスクの基板を再生する場合においても、本発明の化合物を含む物質をガス状態で使用する場合、本発明の化合物と窒素ガス、あるいはアルゴン(Ar)等との混合ガスを用いることができる。反射型マスクブランクまたは反射型マスクの基板を再生する場合においても、前述の本発明の化合物とアルゴン(Ar)との混合ガスを好ましく用いることができる。反射型マスクブランク等の多層反射膜を本発明の化合物を含む非励起のガス状態の物質に接触させる場合の好ましい処理条件、例えばガス流量、ガス圧力、温度、処理時間の好ましい条件については、前述の多層反射膜付き基板の場合とほぼ同様である。
本発明の第3の実施の形態は、ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクにおいて、ドライエッチング処理により前記薄膜及び前記基板をエッチング加工するインプリント用モールドの作製方法に対応するマスクブランクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法に係るものであって、前記マスクブランクの前記薄膜を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちのいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法である。
本発明に係る基板の再生方法は、上記マスクブランクにおける薄膜が単層あるいは複数層からなり、少なくとも前記基板に接する層が、タンタル(Ta)を主成分とする材料により形成されているマスクブランクの基板の再生に特に好適である。このようなマスクブランクとしては、例えば、上記薄膜が少なくとも上層と下層の積層膜よりなり、上層はCrを主成分とする材料で形成され、下層がタンタル(Ta)を主成分とする材料で形成され、且つこれらの薄膜が塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能なマスクブランクなどが一例として挙げられる。
このように本実施の形態においても、薄膜の除去による基板表面のダメージが少ないため、再研磨の工程負荷も少なくなることで、基板の再生コストを低減することができ、しかも高品質の基板を再生することができる。
(実施例1)
合成石英ガラスからなる透光性基板上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、スパッタターゲットにモリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混合ターゲット(原子%比 Mo:Si=12:88)を用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス圧0.3Pa,ガス流量比 Ar:N2:He=8:72:100)で、DC電源の電力を3.0kWとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、膜厚70nmのモリブデン、シリコン、及び窒素を主たる構成要素とする単層で構成されたArFエキシマレーザー(波長193nm)用位相シフト膜を形成して、位相シフトマスクブランクを作製した。なお、この位相シフト膜は、ArFエキシマレーザー(波長193nm)において、透過率は4.52%、位相差が182.5度となっていた。
すなわち、チャンバー内に上記位相シフトマスクブランクを設置し、該チャンバー内に、ClF3とArの混合ガス(流量比 ClF3:Ar=0.2:1.8(SLM))を導入してチャンバー内を該ガスで置換することにより、上記位相シフトマスクブランクの位相シフト膜を非励起状態の上記混合ガスに接触させるようにした。この時のガス圧力は488〜502Torr、温度は195〜202℃に調節し、処理時間は10分とした。
また、上記のようにして再生された基板上に、再度、上記位相シフト膜を形成することにより、高品質の再生基板を使用する位相シフト型マスクブランクを製造することができる。
合成石英ガラスからなる透光性基板上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、スパッタターゲットにモリブデン(Mo)とシリコン(Si)との混合ターゲット(原子%比 Mo:Si=21:79)を用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)との混合ガス雰囲気(ガス圧0.07Pa、ガス流量比 Ar:N2=25:28)で、DC電源の電力を2.1kWとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、MoSiN膜(遮光層)を膜厚50nmで成膜し、引き続いて、Mo/Siターゲット(原子%比 Mo:Si=4:96)を用い、アルゴン(Ar)と酸素(O2)と窒素(N2)とヘリウム(He)との混合ガス雰囲気(ガス圧0.1Pa、ガス流量比 Ar:O2:N2:He=6:3:11:17)で、DC電源の電力を3.0kWとし、MoSiON膜(表面反射防止層)を膜厚10nmで成膜することにより、MoSiN膜とMoSiON膜の積層からなるArFエキシマレーザー(波長193nm)用遮光膜を形成して、バイナリ型マスクブランクを作製した。なお、ArFエキシマレーザーに対する遮光膜の光学濃度は3.0であった。
すなわち、チャンバー内に上記バイナリ型マスクブランクを設置し、該チャンバー内に、ClF3とArの混合ガス(流量比 ClF3:Ar=0.2:1.8(SLM))を導入してチャンバー内を該ガスで置換することにより、上記バイナリ型マスクブランクの遮光膜を非励起状態の上記混合ガスに接触させるようにした。この時のガス圧力は495〜502Torr、温度は195〜201℃に調節し、処理時間は10分とした。
また、上記のようにして再生された基板上に、再度、上記遮光膜を形成することにより、高品質の再生基板を使用するバイナリ型マスクブランクを製造することができる。
合成石英ガラスからなる透光性基板上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、スパッタターゲットにタンタル(Ta)ターゲットを用い、キセノン(Xe)と窒素(N2)の混合ガス雰囲気(ガス圧0.076Pa、ガス流量比 Xe:N2=71:29)で、DC電源の電力を1.5kWとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、TaN膜を膜厚42nmで成膜し、引き続いて、Taターゲットを用い、アルゴン(Ar)と酸素(O2)の混合ガス雰囲気(ガス圧0.3Pa、ガス流量比 Ar:O2=58:32.5)で、DC電源の電力を2.0kWとし、TaO膜を膜厚9nmで成膜することにより、TaN膜とTaO膜の積層からなるArFエキシマレーザー(波長193nm)用遮光膜を形成して、バイナリ型マスクブランクを作製した。なお、ArFエキシマレーザーに対する遮光膜の光学濃度は3.1であった。
すなわち、チャンバー内に上記バイナリ型マスクブランクを設置し、該チャンバー内に、ClF3とArの混合ガス(流量比 ClF3:Ar=0.2:1.8(SLM))を導入してチャンバー内を該ガスで置換することにより、上記バイナリ型マスクブランクの遮光膜を非励起状態の上記混合ガスに接触させるようにした。この時のガス圧力は496〜504Torr、温度は198〜202℃に調節し、処理時間は10分とした。
また、上記のようにして再生された基板上に、再度、上記遮光膜を形成することにより、高品質の再生基板を使用するバイナリ型マスクブランクを製造することができる。
SiO2−TiO2系ガラス(熱膨張係数0.2・10-7/℃)からなる基板(平滑性0.15nmRq以下、平坦度50nm以下)上に、13〜14nmのEUV光波長域に適したMo/Si周期多層反射膜を形成した。即ち、多層反射膜は、MoターゲットとSiターゲットを使用し、イオンビームスパッタリングにより基板上に交互に積層して形成した。まず、Si膜を4.2nm、Mo膜を2.8nm成膜し、これを一周期として、40周期積層した後、Si膜を4.2nm成膜し、最後に保護膜として、RuNbターゲットを用いてRuNb膜を2.5nm成膜した。
このようにして多層反射膜付き基板を作製した。この多層反射膜に対し、13.5nmのEUV光を入射角6.0度で反射率を測定したところ、65.9%であった。
すなわち、チャンバー内に上記多層反射膜付き基板を設置し、該チャンバー内に、ClF3とArの混合ガス(流量比 ClF3:Ar=0.2:1.8(SLM))を導入してチャンバー内を該ガスで置換することにより、上記多層反射膜付き基板の多層反射膜を非励起状態の上記混合ガスに接触させるようにした。この時のガス圧力は495〜502Torr、温度は195〜201℃に調節し、処理時間は10分とした。
また、上記のようにして再生された基板上に、再度、上記多層反射膜を形成することにより、高品質の再生基板を使用する多層反射膜付き基板を製造することができる。
最初に、実施例4と同様の手順で多層反射膜付き基板を作製した。
次に、RuNb保護膜上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、スパッタターゲットにタンタル(Ta)とホウ素(B)の混合ターゲット(原子%比 Ta:B=80:20)を用い、キセノン(Xe)と窒素(N2)の混合ガス雰囲気(ガス流量比 Xe:N2=13:6)で、DC電源の電力を1.5kWとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、TaBN膜を膜厚50nmで成膜し、引き続いて、同じTaB混合ターゲットを用い、アルゴン(Ar)と酸素(O2)の混合ガス雰囲気(ガス流量比 Ar:O2=58:32.5)で、DC電源の電力を0.7kWとし、TaBO膜を膜厚15nmで成膜することにより、TaBN膜とTaBO膜の積層からなる吸収体膜を形成し、EUV露光光が適用される反射型マスクブランクを作製した。
すなわち、チャンバー内に上記反射型マスクブランクを設置し、該チャンバー内に、ClF3とArの混合ガス(流量比 ClF3:Ar=0.2:1.8(SLM))を導入してチャンバー内を該ガスで置換することにより、上記反射型マスクブランクの吸収体膜の表面に非励起状態の上記混合ガスを接触させるようにした。この時のガス圧力は495〜502Torr、温度は195〜201℃に調節し、処理時間は10分とした。
また、上記のようにして再生された基板上に、再度、上記多層反射膜、保護膜、および吸収体膜を形成することにより、高品質の再生基板を使用するEUV露光光が適用される反射型マスクブランクを製造することができる。
合成石英ガラスからなる透光性基板上に、枚葉式スパッタ装置を用いて、スパッタターゲットにタンタル(Ta)とハフニウム(Hf)の合金ターゲット(原子%比 Ta:Hf=80:20)を用い、アルゴンガス雰囲気(ガス圧0.3Pa)で、DC電源の電力を2.0kWとし、反応性スパッタリング(DCスパッタリング)により、TaHf膜(導電性膜)を膜厚7nmで成膜し、引き続いて、クロムターゲットを用い、アルゴン(Ar)と窒素(N2)の混合ガス雰囲気で、CrN膜(Cr:N=80:20原子%比)を膜厚2.5nmで成膜することにより、TaHf膜とCrN膜の積層薄膜を形成して、インプリント用モールドの作製に用いるマスクブランクを作製した。
すなわち、最初に、硝酸第2セリウムアンモニウム、過塩素酸および純水の混合液をノズルでCrN膜表面に噴き付け、CrN膜を除去した。
次に、チャンバー内に上記CrN膜を除去したマスクブランクを設置し、該チャンバー内に、ClF3とArの混合ガス(流量比 ClF3:Ar=0.2:1.8(SLM))を導入してチャンバー内を該ガスで置換することにより、上記マスクブランクのTaHf膜を非励起状態の上記混合ガスに接触させるようにした。この時のガス圧力は495〜502Torr、温度は195〜201℃に調節し、処理時間は10分とした。
また、上記のようにして再生された基板上に、再度、上記TaHf膜とCrN膜の積層薄膜を形成することにより、高品質の再生基板を使用するインプリント用モールド作製用のマスクブランクを製造することができる。
実施例1において作製された位相シフトマスクブランクの位相シフト膜を従来の方法によって除去して基板の再生を行った。
すなわち、上記位相シフトマスクブランクを処理槽に収容されたフッ酸溶液(濃度 0.2%)中に浸漬した。このときのフッ酸溶液の温度は40℃、処理時間は30分とした。なお、処理中はマスクブランクを適宜揺動しながら行った。
11 処理基板
12 ステージ
13,14 ガス充填容器
15,16 流量制御器
17 噴出ノズル
18 排気管
19 排気ガス処理装置
Claims (29)
- ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜でありスパッタリング法によって成膜された薄膜を備えるマスクブランクまたは該マスクブランクを用いて作製された転写用マスクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法であって、
前記マスクブランクまたは前記転写用マスクの前記薄膜を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちのいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法。 - 前記薄膜は、単層あるいは複数層からなり、少なくとも前記基板に接する層は、フッ素系ガスでドライエッチング可能な材料で形成されていることを特徴とする請求項1に記載の基板の再生方法。
- 前記基板に接する層は、ケイ素(Si)を含有する材料およびタンタル(Ta)を含有する材料のうちのいずれかにより形成されていることを特徴とする請求項2に記載の基板の再生方法。
- 前記基板は合成石英ガラスからなることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の基板の再生方法。
- 前記非励起状態の物質は、ガス状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の基板の再生方法。
- 前記非励起状態の物質は、100Torr以上760Torr以下の圧力の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項5に記載の基板の再生方法。
- 前記非励起状態の物質は、20℃以上500℃以下の温度の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項5又は6に記載の基板の再生方法。
- 請求項1乃至7のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、パターン形成用の薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
- ガラスからなる基板の主表面上に低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜を備える多層反射膜付き基板の前記多層反射膜を除去して基板を再生する方法であって、
前記多層反射膜はスパッタリング法によって成膜されており、
前記多層反射膜付き基板の前記多層反射膜を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちのいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法。 - 前記低屈折率層はケイ素(Si)からなり、前記基板の主表面に接して形成されていることを特徴とする請求項9に記載の基板の再生方法。
- 前記基板はSiO2−TiO2系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする請求項9又は10に記載の基板の再生方法。
- 前記非励起状態の物質は、ガス状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項9乃至11のいずれかに記載の基板の再生方法。
- 前記非励起状態の物質は、100Torr以上760Torr以下の圧力の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項12に記載の基板の再生方法。
- 前記非励起状態の物質は、20℃以上500℃以下の温度の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項12又は13に記載の基板の再生方法。
- 請求項9乃至14のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜を形成することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
- ガラスからなる基板の主表面上に、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜と、パターン形成用の吸収体膜とを順に備える反射型マスクブランクまたは該反射型マスクブランクを用いて作製された反射型マスクの前記多層反射膜を除去して基板を再生する方法であって、
前記多層反射膜および前記パターン形成用の吸収体膜はスパッタリング法によって成膜されており、
前記反射型マスクブランクまたは前記反射型マスクの前記多層反射膜を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちのいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法。 - 前記低屈折率層はケイ素(Si)からなり、前記基板の主表面に接して形成されていることを特徴とする請求項16に記載の基板の再生方法。
- 前記基板はSiO2−TiO2系低熱膨張ガラスからなることを特徴とする請求項16又は17に記載の基板の再生方法。
- 前記非励起状態の物質は、ガス状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項16乃至18のいずれかに記載の基板の再生方法。
- 前記非励起状態の物質は、100Torr以上760Torr以下の圧力の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項19に記載の基板の再生方法。
- 前記非励起状態の物質は、20℃以上500℃以下の温度の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項19又は20に記載の基板の再生方法。
- 請求項16乃至21のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた構造の多層反射膜と、パターン形成用の吸収体膜とを順に形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
- ガラスからなる基板の主表面上にパターン形成用の薄膜を備えるマスクブランクにおいて、ドライエッチング処理により前記薄膜及び前記基板をエッチング加工するインプリント用モールドの作製方法に対応するマスクブランクの前記薄膜を除去して基板を再生する方法であって、
前記パターン形成用の薄膜はスパッタリング法によって成膜されており、
前記マスクブランクの前記薄膜を、塩素(Cl)、臭素(Br)、ヨウ素(I)、およびキセノン(Xe)のうちのいずれかの元素とフッ素(F)との化合物を含む非励起状態の物質に接触させて除去することを特徴とする基板の再生方法。 - 前記薄膜は、単層あるいは複数層からなり、少なくとも前記基板に接する層は、タンタル(Ta)を主成分とする材料により形成されていることを特徴とする請求項23に記載の基板の再生方法。
- 前記基板は合成石英ガラスからなることを特徴とする請求項23又は24に記載の基板の再生方法。
- 前記非励起状態の物質は、ガス状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項23乃至25のいずれかに記載の基板の再生方法。
- 前記非励起状態の物質は、100Torr以上760Torr以下の圧力の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項26に記載の基板の再生方法。
- 前記非励起状態の物質は、20℃以上500℃以下の温度の状態で前記薄膜に接触することを特徴とする請求項26又は27に記載の基板の再生方法。
- 請求項23乃至28のいずれかに記載の基板の再生方法により再生された基板上に、パターン形成用の薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
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