JP6420383B2 - マスクブランク用ガラス基板、多層反射膜付き基板、マスクブランク及びマスク - Google Patents
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Description
本発明は、半導体装置等の製造に用いられるマスクブランク用ガラス基板、多層反射膜付き基板、マスクブランク及びマスク、並びにそれらの製造方法に関する。
一般に、半導体装置の製造工程では、フォトリソグラフィー法を用いて微細パターンの形成が行われている。また、この微細パターンの形成には通常何枚ものフォトマスクと呼ばれている転写用マスクが使用される。この転写用マスクは、一般に透光性のガラス基板上に、金属薄膜等からなる微細パターンを設けたものであり、この転写用マスクの製造においてもフォトリソグラフィー法が用いられている。
フォトリソグラフィー法による転写用マスクの製造には、ガラス基板等の透光性基板上に転写パターン（マスクパターン）を形成するための薄膜（例えば遮光膜など）を有するマスクブランクが用いられる。このマスクブランクを用いた転写用マスクの製造は、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し、所望のパターン描画を施す描画工程と、描画後、前記レジスト膜を現像して所望のレジストパターンを形成する現像工程と、このレジストパターンをマスクとして前記薄膜をエッチングするエッチング工程と、残存するレジストパターンを剥離除去する工程とを有して行われている。上記現像工程では、マスクブランク上に形成されたレジスト膜に対し所望のパターン描画を施した後に現像液を供給して、現像液に可溶なレジスト膜の部位を溶解し、レジストパターンを形成する。また、上記エッチング工程では、このレジストパターンをマスクとして、ドライエッチング又はウェットエッチングによって、レジストパターンの形成されていない薄膜が露出した部位を除去し、これにより所望のマスクパターンを透光性基板上に形成する。こうして、転写用マスクが出来上がる。
また、転写用マスクの種類としては、従来の透光性基板上にクロム系材料からなる遮光膜パターンを有するバイナリ型マスクのほかに、位相シフト型マスクが知られている。この位相シフト型マスクは、透光性基板上に位相シフト膜を有する構造のもので、この位相シフト膜は、所定の位相差を有するものであり、例えばモリブデンシリサイド化合物を含む材料等が用いられる。また、モリブデン等の金属のシリサイド化合物を含む材料を遮光膜として用いるバイナリ型マスクも用いられるようになってきている。
また、近年、半導体産業において、半導体デバイスの高集積化に伴い、従来の紫外光を用いたフォトリソグラフィ法の転写限界を上回る微細パターンが必要とされてきている。このような微細パターン形成を可能とするため、極紫外（Extreme Ultra Violet：以下、EUVと呼称する）光を用いた露光技術であるEUVリソグラフィが有望視されている。ここで、EUV光とは、軟X線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。このEUVリソグラフィにおいて用いられるマスクとして反射型マスクが提案されている。このような反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。
以上のように、リソグラフィ工程での微細化に対する要求が高まることにより、そのリソグラフィ工程での課題が顕著になりつつある。その１つが、リソグラフィ工程で用いられるマスクブランク用基板の欠陥情報に関する問題である。
従来は、ブランクス検査等において、基板の欠陥の存在位置を、基板センターを原点(0,0)とし、その位置からの距離で特定していた。このため、位置精度が低く、パターン描画時に、欠陥を避けてパターン形成用薄膜にパターニングする場合でもμｍオーダーでの回避は困難であった。このため、パターンを転写する方向を変えたり、転写する位置をｍｍオーダーでラフにずらして欠陥を回避していた。
従来は、ブランクス検査等において、基板の欠陥の存在位置を、基板センターを原点(0,0)とし、その位置からの距離で特定していた。このため、位置精度が低く、パターン描画時に、欠陥を避けてパターン形成用薄膜にパターニングする場合でもμｍオーダーでの回避は困難であった。このため、パターンを転写する方向を変えたり、転写する位置をｍｍオーダーでラフにずらして欠陥を回避していた。
このような状況下、欠陥位置の検査精度を上げることを目的に、例えばマスクブランク用基板に基準マークを形成し、これを基準位置として欠陥の位置を特定する提案がいくつかなされている。
特許文献１には、球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠陥の位置を正確に特定できるように、EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板の成膜面に、大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍの少なくとも３つのマークを形成することが開示されている。また、特許文献２には、透明基板の表面に、凹部で構成されている基準マークを設けることが開示されている。
特許文献１には、球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠陥の位置を正確に特定できるように、EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板の成膜面に、大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍの少なくとも３つのマークを形成することが開示されている。また、特許文献２には、透明基板の表面に、凹部で構成されている基準マークを設けることが開示されている。
上記特許文献１または特許文献２に開示されている方法によりマスクブランクの欠陥位置の検査精度を上げることは可能である。しかし、このような従来方法では、マスクブランク用の基板（一般にはガラス基板）を掘り込んで直接基準マークを形成しているため、たとえば、基板上にパターン形成用の薄膜を成膜後、表面欠陥が発見されたマスクブランク、あるいは、マスクブランクを用いて作製された転写用マスクにおいて修正が困難なパターン欠陥が発見された該転写用マスクを不良品としてそのまま廃棄せずに、基板上から薄膜を剥離除去して基板を再生することが困難である。近年の半導体デバイス等の電子部品の低価格化競争は厳しくなる一方であり、転写用マスクの製造コストの抑制も重要な課題となっている。このような背景から、基板の再生（再利用）も重要な課題となっている。また、近年では半導体装置等におけるパターンの高微細化に伴い、高精度、高品質の転写マスクが要求されており、このような転写マスクを製造するためのマスクブランクにおいても高付加価値を備えた高価な基材が多く用いられるようになってきており、転写用マスクの製造コストの抑制を図るうえで、マスクブランクの基板再生は、従来にも増して重要な課題となってきている。
また、上記ＥＵＶ反射型マスク用の基板としては、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラスなどの低熱膨張係数を有する素材が用いられる。このようなガラス素材は、精密研磨により、表面粗さとして例えばＲＭＳで０．１ｎｍ以下の高平滑性を実現することが困難である。そのため、このようなガラス素材からなるＥＵＶ反射型マスク用基板表面に直接基準マークを形成しても、高感度の欠陥検査装置においては、表面粗さによるバックグランドノイズが大きくなり、擬似欠陥検出が増加するという問題が発生する。
そこで本発明は、このような従来の問題に鑑みなされたものであり、その目的とするところは、第一に、高感度の欠陥検査装置において、擬似欠陥検出を抑制でき、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度を高め、しかも、ガラス基板の再生（再利用）が可能なマスクブランク用ガラス基板、多層反射膜付き基板、及びそれらの製造方法を提供することであり、第二に、これらマスクブランク用ガラス基板等を使用するマスクブランク、マスク、及びそれらの製造方法を提供することである。
本発明者は、上記課題を解決するため、鋭意検討した結果、転写パターンが形成される側のマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、基板の表面粗さの低減、若しくは基板表面の欠陥を低減する下地層を形成し、この下地層に欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成することにより、ガラス基板のガラス組成に関わらず、擬似欠陥検出を抑制でき、欠陥位置等の検出精度を高められることを見出した。また、このような下地層に基準マークを形成することで、あとからガラス基板の再生が可能になることも見出した。
本発明者は、以上の解明事実に基づき、さらに鋭意研究を続けた結果、本発明を完成したものである。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
転写パターンが形成される側のマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、前記基板の表面粗さの低減、若しくは前記基板表面の欠陥を低減する下地層が形成されており、前記下地層表面は精密研磨された表面であり、前記下地層に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されていることを特徴とするマスクブランク用ガラス基板。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
転写パターンが形成される側のマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、前記基板の表面粗さの低減、若しくは前記基板表面の欠陥を低減する下地層が形成されており、前記下地層表面は精密研磨された表面であり、前記下地層に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されていることを特徴とするマスクブランク用ガラス基板。
構成１のように、転写パターンが形成される側のマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、基板の表面粗さの低減、若しくは基板表面の欠陥を低減する下地層が形成されており、この下地層表面は精密研磨された表面であるため、下地層表面は高い平滑性を有している。すなわち、下地層表面は、基板主表面のもつ主表面粗さよりも小さい下地層表面粗さを有している。この表面平滑性の高い下地層に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されているため、高感度の欠陥検査装置において、表面粗さによるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出を抑制でき、その結果、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度が向上する。また、この下地層に基準マークが形成されているため、基板上にパターン形成用の薄膜を成膜後、表面欠陥が発見されたマスクブランク、あるいは、マスクブランクを用いて作製された転写用マスクにおいて修正が困難なパターン欠陥が発見された該転写用マスクを不良品としてそのまま廃棄せずに、基板上から薄膜及び下地層を剥離除去してガラス基板を再生（再利用）することが可能である。
（構成２）
前記下地層は、Si又はSiを含有するケイ素化合物からなることを特徴とする構成１に記載のマスクブランク用ガラス基板。
構成２にあるように、下地層の材質がSi又はSiを含有するケイ素化合物であることにより、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）に対する透光性を有するので、これらの光源を露光光とするマスクブランク用ガラス基板として好適である。また、Si又はSiを含有するケイ素化合物からなる薄膜は、コロイダルシリカ等の研磨砥粒を含む研磨液で、その薄膜表面を精密研磨すると、比較的容易に極めて高い平滑性が得られる点でも好適である。
前記下地層は、Si又はSiを含有するケイ素化合物からなることを特徴とする構成１に記載のマスクブランク用ガラス基板。
構成２にあるように、下地層の材質がSi又はSiを含有するケイ素化合物であることにより、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）に対する透光性を有するので、これらの光源を露光光とするマスクブランク用ガラス基板として好適である。また、Si又はSiを含有するケイ素化合物からなる薄膜は、コロイダルシリカ等の研磨砥粒を含む研磨液で、その薄膜表面を精密研磨すると、比較的容易に極めて高い平滑性が得られる点でも好適である。
（構成３）
前記下地層は、塩素系ガスによるエッチング除去が可能な材料であることを特徴とする構成１に記載のマスクブランク用ガラス基板。
（構成４）
前記下地層は、Al、Ta、Zr、Ti、Cr又はこれらのうちの少なくとも一つの元素を含有する材料からなることを特徴とする構成３に記載のマスクブランク用ガラス基板。
前記下地層は、塩素系ガスによるエッチング除去が可能な材料であることを特徴とする構成１に記載のマスクブランク用ガラス基板。
（構成４）
前記下地層は、Al、Ta、Zr、Ti、Cr又はこれらのうちの少なくとも一つの元素を含有する材料からなることを特徴とする構成３に記載のマスクブランク用ガラス基板。
構成３にあるように、下地層が、ガラス基板に対してダメージの少ない塩素系ガスによるエッチング除去が可能な材料で構成される場合、ガラス基板にダメージを与えることなく、基板から下地層を剥離除去することができるので、基板の再生に好適である。
このような塩素系ガスによるエッチング除去が可能な材料としては、例えば構成４にあるようなAl、Ta、Zr、Ti、Cr又はこれらのうちの少なくとも一つの元素を含有する材料が好ましく挙げられる。
このような塩素系ガスによるエッチング除去が可能な材料としては、例えば構成４にあるようなAl、Ta、Zr、Ti、Cr又はこれらのうちの少なくとも一つの元素を含有する材料が好ましく挙げられる。
（構成５）
前記ガラス基板は、SiO2-TiO2系ガラス、多成分系ガラスセラミックスの何れかであることを特徴とする構成１乃至４の何れか一に記載のマスクブランク用ガラス基板。
構成５のように、前記ガラス基板は、SiO2-TiO2系ガラス、多成分系ガラスセラミックスの何れかである場合、このガラス基板の主表面上に、基板の表面粗さの低減、若しくは基板表面の欠陥を低減する下地層が形成されていることにより、基板表面の高い平滑性が得られる。
前記ガラス基板は、SiO2-TiO2系ガラス、多成分系ガラスセラミックスの何れかであることを特徴とする構成１乃至４の何れか一に記載のマスクブランク用ガラス基板。
構成５のように、前記ガラス基板は、SiO2-TiO2系ガラス、多成分系ガラスセラミックスの何れかである場合、このガラス基板の主表面上に、基板の表面粗さの低減、若しくは基板表面の欠陥を低減する下地層が形成されていることにより、基板表面の高い平滑性が得られる。
（構成６）
構成１乃至５の何れか一に記載のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層の表面又は下地層上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されていることを特徴とする多層反射膜付き基板。
上記構成のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層の表面又は下地層上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されていることにより、基準マークが形成されており、表面平滑性の高い、しかもガラス基板の再生が可能な多層反射膜付き基板が得られる。
即ち、基板の表面粗さの低減、もしくは基板表面の欠陥を低減し、表面平滑性の高い下地層上に多層反射膜が形成されているので、上記多層反射膜表面も高い平滑性が得られる。したがって、多層反射膜表面の欠陥検査の際、擬似欠陥検出を抑制でき、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度を高めることができる多層反射膜付き基板が得られる。
構成１乃至５の何れか一に記載のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層の表面又は下地層上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されていることを特徴とする多層反射膜付き基板。
上記構成のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層の表面又は下地層上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されていることにより、基準マークが形成されており、表面平滑性の高い、しかもガラス基板の再生が可能な多層反射膜付き基板が得られる。
即ち、基板の表面粗さの低減、もしくは基板表面の欠陥を低減し、表面平滑性の高い下地層上に多層反射膜が形成されているので、上記多層反射膜表面も高い平滑性が得られる。したがって、多層反射膜表面の欠陥検査の際、擬似欠陥検出を抑制でき、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度を高めることができる多層反射膜付き基板が得られる。
（構成７）
構成１乃至５の何れか一に記載のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層上、又は構成６に記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる薄膜が形成されていることを特徴とするマスクブランク。
上記構成のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層上、又は多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる薄膜が形成されていることにより、欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、表面平滑性の高い、しかもガラス基板の再生が可能なマスクブランクが得られる。
即ち、基板の表面粗さの低減、もしくは基板表面の欠陥を低減し、表面平滑性の高い下地層上（上記構成６の多層反射膜付き基板においては多層反射膜上）に転写パターンとなる薄膜が形成されているので、上記転写パターンとなる薄膜表面も高い平滑性が得られる。したがって、マスクブランクの欠陥検査の際、擬似欠陥検出を抑制でき、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度を高めることができるマスクブランクが得られる。
構成１乃至５の何れか一に記載のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層上、又は構成６に記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる薄膜が形成されていることを特徴とするマスクブランク。
上記構成のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層上、又は多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる薄膜が形成されていることにより、欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、表面平滑性の高い、しかもガラス基板の再生が可能なマスクブランクが得られる。
即ち、基板の表面粗さの低減、もしくは基板表面の欠陥を低減し、表面平滑性の高い下地層上（上記構成６の多層反射膜付き基板においては多層反射膜上）に転写パターンとなる薄膜が形成されているので、上記転写パターンとなる薄膜表面も高い平滑性が得られる。したがって、マスクブランクの欠陥検査の際、擬似欠陥検出を抑制でき、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度を高めることができるマスクブランクが得られる。
（構成８）
構成７に記載のマスクブランクにおける前記薄膜がパターニングされていることを特徴とするマスク。
構成８のマスクは、修正が困難なパターン欠陥が発見された場合、基板上から薄膜及び下地層を、上記構成６の多層反射膜付き基板の場合には、多層反射膜を含めて上記薄膜及び下地層を剥離除去してガラス基板を再生（再利用）することが可能である。
構成７に記載のマスクブランクにおける前記薄膜がパターニングされていることを特徴とするマスク。
構成８のマスクは、修正が困難なパターン欠陥が発見された場合、基板上から薄膜及び下地層を、上記構成６の多層反射膜付き基板の場合には、多層反射膜を含めて上記薄膜及び下地層を剥離除去してガラス基板を再生（再利用）することが可能である。
（構成９）
マスクブランク用ガラス基板の主表面を所定の平坦度となるように表面加工を行う表面加工工程と、
前記基板の主表面上に、前記基板の表面粗さの低減、若しくは前記基板表面の欠陥を低減する下地層を形成する下地層形成工程と、
前記下地層表面を所定の表面粗さとなるように精密研磨を行う精密研磨工程と、
前記下地層に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する基準マーク形成工程と、
を有することを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
マスクブランク用ガラス基板の主表面を所定の平坦度となるように表面加工を行う表面加工工程と、
前記基板の主表面上に、前記基板の表面粗さの低減、若しくは前記基板表面の欠陥を低減する下地層を形成する下地層形成工程と、
前記下地層表面を所定の表面粗さとなるように精密研磨を行う精密研磨工程と、
前記下地層に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する基準マーク形成工程と、
を有することを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
構成９のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によれば、転写パターンが形成される側のマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、基板の表面粗さの低減、若しくは基板表面の欠陥を低減し、表面平滑性の高い下地層を形成することができ、この下地層に欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されるため、高感度の欠陥検査装置において、表面粗さによるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出を抑制でき、その結果、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度を向上させることができる。また、この下地層に基準マークが形成されるため、得られたガラス基板上にパターン形成用の薄膜を成膜後、表面欠陥が発見されたマスクブランク、あるいは、マスクブランクを用いて作製された転写用マスクにおいて修正が困難なパターン欠陥が発見された該転写用マスクを不良品としてそのまま廃棄せずに、基板上から薄膜及び下地層を剥離除去してガラス基板を再生（再利用）することが可能である。
（構成１０）
前記基準マーク形成工程は、前記精密研磨工程の後に行うことを特徴とする構成９に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
構成１０にあるように、基準マークの形状制御、欠陥発生抑制の観点から、前記基準マーク形成工程は、前記精密研磨工程の後に行うことが好ましい。即ち、基準マーク形成工程は精密研磨工程の後に行うので、基準マークの断面形状が悪化することない。したがって、基準マークを検出する際の検出光によるコントラストが低下することがない。また、精密研磨工程後は通常、精密研磨工程に使用した研磨砥粒を除去する目的で洗浄工程が行われるが、該洗浄工程は、基準マーク形成工程の前に行われるので、基準マークが形成される下地層表面は平滑であり、研磨砥粒の残渣による新たな欠陥が発生するのを抑制することができる。
前記基準マーク形成工程は、前記精密研磨工程の後に行うことを特徴とする構成９に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
構成１０にあるように、基準マークの形状制御、欠陥発生抑制の観点から、前記基準マーク形成工程は、前記精密研磨工程の後に行うことが好ましい。即ち、基準マーク形成工程は精密研磨工程の後に行うので、基準マークの断面形状が悪化することない。したがって、基準マークを検出する際の検出光によるコントラストが低下することがない。また、精密研磨工程後は通常、精密研磨工程に使用した研磨砥粒を除去する目的で洗浄工程が行われるが、該洗浄工程は、基準マーク形成工程の前に行われるので、基準マークが形成される下地層表面は平滑であり、研磨砥粒の残渣による新たな欠陥が発生するのを抑制することができる。
（構成１１）
前記精密研磨工程と前記基準マーク形成工程との間に、前記下地層の欠陥検査を行う欠陥検査工程を有することを特徴とする構成１０に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
前記精密研磨工程と前記基準マーク形成工程との間に、前記下地層の欠陥検査を行う欠陥検査工程を有することを特徴とする構成１０に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
（構成１２）
前記欠陥検査の測定データは、欠陥サイズ、欠陥個数を含み、該欠陥検査の結果、合格と判定された基板については、前記基準マーク形成工程を行い、不合格と判定された基板については、前記欠陥の修復、前記下地層表面の再研磨、前記下地層剥離による基板再利用の何れかを行うことを特徴とする構成１１に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
前記欠陥検査の測定データは、欠陥サイズ、欠陥個数を含み、該欠陥検査の結果、合格と判定された基板については、前記基準マーク形成工程を行い、不合格と判定された基板については、前記欠陥の修復、前記下地層表面の再研磨、前記下地層剥離による基板再利用の何れかを行うことを特徴とする構成１１に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
構成１１にあるように、前記精密研磨工程と前記基準マーク形成工程との間に、前記下地層の欠陥検査を行う欠陥検査工程を有することにより、基準マーク形成に先立って、欠陥検査の結果、不合格と判定された基板については、例えば構成１２のように、前記欠陥の修復、前記下地層表面の再研磨、前記下地層剥離による基板再利用の何れかを行うことができる。
（構成１３）
構成９乃至１２の何れか一に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法により得られるマスクブランク用ガラス基板における前記下地層の表面、又は前記下地層上にEUV光を反射する多層反射膜を形成する多層反射膜形成工程を有することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
得られた上記構成のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層の表面、又は前記下地層上にEUV光を反射する多層反射膜を形成することにより、基準マークが形成されており、基板表面平滑性の高い、しかもガラス基板の再生が可能な多層反射膜付き基板が得られる。
即ち、基板の表面粗さの低減、もしくは基板表面の欠陥を低減し、表面平滑性の高い下地層上に多層反射膜が形成されているので、上記多層反射膜表面の高い平滑性が得られる。したがって、多層反射膜表面の欠陥検査の際、疑似欠陥を抑制でき、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度を高めることができる多層反射膜付き基板が得られる。
構成９乃至１２の何れか一に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法により得られるマスクブランク用ガラス基板における前記下地層の表面、又は前記下地層上にEUV光を反射する多層反射膜を形成する多層反射膜形成工程を有することを特徴とする多層反射膜付き基板の製造方法。
得られた上記構成のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層の表面、又は前記下地層上にEUV光を反射する多層反射膜を形成することにより、基準マークが形成されており、基板表面平滑性の高い、しかもガラス基板の再生が可能な多層反射膜付き基板が得られる。
即ち、基板の表面粗さの低減、もしくは基板表面の欠陥を低減し、表面平滑性の高い下地層上に多層反射膜が形成されているので、上記多層反射膜表面の高い平滑性が得られる。したがって、多層反射膜表面の欠陥検査の際、疑似欠陥を抑制でき、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度を高めることができる多層反射膜付き基板が得られる。
（構成１４）
構成９乃至１２の何れか一に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法により得られるマスクブランク用ガラス基板における前記下地層上、又は構成１３に記載の多層反射膜付き基板の製造方法により得られる多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる薄膜を形成する転写パターン用薄膜形成工程を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
得られた上記構成のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層上、又は多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる薄膜を形成することにより、欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、表面平滑性の高い、しかもガラス基板の再生が可能なマスクブランクが得られる。
即ち、基板の表面粗さの低減、もしくは基板表面の欠陥を低減し、表面平滑性の高い下地層上（上記構成１３の多層反射膜付き基板においては多層反射膜上）に転写パターンとなる薄膜が形成されているので、上記転写パターンとなる薄膜表面も高い平滑性が得られる。したがって、マスクブランクの欠陥検査の際、擬似欠陥検出を抑制でき、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度を高めることができるマスクブランクが得られる。
構成９乃至１２の何れか一に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法により得られるマスクブランク用ガラス基板における前記下地層上、又は構成１３に記載の多層反射膜付き基板の製造方法により得られる多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる薄膜を形成する転写パターン用薄膜形成工程を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
得られた上記構成のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層上、又は多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる薄膜を形成することにより、欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、表面平滑性の高い、しかもガラス基板の再生が可能なマスクブランクが得られる。
即ち、基板の表面粗さの低減、もしくは基板表面の欠陥を低減し、表面平滑性の高い下地層上（上記構成１３の多層反射膜付き基板においては多層反射膜上）に転写パターンとなる薄膜が形成されているので、上記転写パターンとなる薄膜表面も高い平滑性が得られる。したがって、マスクブランクの欠陥検査の際、擬似欠陥検出を抑制でき、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度を高めることができるマスクブランクが得られる。
（構成１５）
構成１４に記載のマスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングすることを特徴とするマスクの製造方法。
構成１５により得られるマスクは、修正が困難なパターン欠陥が発見された場合、基板上から薄膜及び下地層を剥離除去してガラス基板を再生（再利用）することが可能である。
（構成１６）
構成１５において、前記マスクブランクの前記下地層に形成された前記基準マークを基準として、前記多層反射膜付き基板又は前記マスクブランクの欠陥検査を行った検査結果に基づいてマスクを製造することを特徴とするマスクの製造方法。
構成１６により得られるマスクは、多層反射膜表面の欠陥検査や、マスクブランクの欠陥検査の検査結果（欠陥位置情報を含む欠陥検査データ）に基づいて、基準マークを基準として、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、マスクブランクの欠陥による転写への影響が低減するように描画データを補正し、マスクを製造することで、欠陥のないマスクを製造することができる。さらに、この得られたマスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、マスク起因の転写パターンの欠陥もなく、良好なパターン転写を行うことができる。
構成１４に記載のマスクブランクの製造方法により得られるマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングすることを特徴とするマスクの製造方法。
構成１５により得られるマスクは、修正が困難なパターン欠陥が発見された場合、基板上から薄膜及び下地層を剥離除去してガラス基板を再生（再利用）することが可能である。
（構成１６）
構成１５において、前記マスクブランクの前記下地層に形成された前記基準マークを基準として、前記多層反射膜付き基板又は前記マスクブランクの欠陥検査を行った検査結果に基づいてマスクを製造することを特徴とするマスクの製造方法。
構成１６により得られるマスクは、多層反射膜表面の欠陥検査や、マスクブランクの欠陥検査の検査結果（欠陥位置情報を含む欠陥検査データ）に基づいて、基準マークを基準として、予め設計しておいた描画データ（マスクパターンデータ）と照合し、マスクブランクの欠陥による転写への影響が低減するように描画データを補正し、マスクを製造することで、欠陥のないマスクを製造することができる。さらに、この得られたマスクを露光装置にセットし、レジスト膜を形成した半導体基板上へのパターン転写を行う場合、マスク起因の転写パターンの欠陥もなく、良好なパターン転写を行うことができる。
本発明によれば、高感度の欠陥検査装置において、擬似欠陥検出を抑制でき、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度を向上することができ、しかも、ガラス基板の再生（再利用）が可能なマスクブランク用ガラス基板、又は該ガラス基板上に多層反射膜を形成した多層反射膜付き基板、及びそれらの製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、これらマスクブランク用ガラス基板、又は多層反射膜付き基板を使用し、高感度の欠陥検査装置において、擬似欠陥検出を抑制でき、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度の高い、しかもガラス基板の再生が可能なマスクブランク、マスク、及びそれらの製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、これらマスクブランク用ガラス基板、又は多層反射膜付き基板を使用し、高感度の欠陥検査装置において、擬似欠陥検出を抑制でき、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度の高い、しかもガラス基板の再生が可能なマスクブランク、マスク、及びそれらの製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態を詳述する。
［マスクブランク用ガラス基板］
まず、本発明に係るマスクブランク用ガラス基板について説明する。
上記のとおり、本発明に係るマスクブランク用ガラス基板は、転写パターンが形成される側のマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、前記基板の表面粗さの低減、若しくは前記基板表面の欠陥を低減する下地層が形成されており、前記下地層表面は精密研磨された表面であり、前記下地層に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されていることを特徴とするものである。
［マスクブランク用ガラス基板］
まず、本発明に係るマスクブランク用ガラス基板について説明する。
上記のとおり、本発明に係るマスクブランク用ガラス基板は、転写パターンが形成される側のマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、前記基板の表面粗さの低減、若しくは前記基板表面の欠陥を低減する下地層が形成されており、前記下地層表面は精密研磨された表面であり、前記下地層に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されていることを特徴とするものである。
図３は、本発明に係るマスクブランク用ガラス基板の一実施形態の断面図である。
図３に示すマスクブランク用ガラス基板２０は、ガラス基板１１の転写パターンが形成される側の主表面上に、下地層２１が形成されている。この下地層２１に、凹形状の基準マーク２２が形成されている。
図３に示すマスクブランク用ガラス基板２０は、ガラス基板１１の転写パターンが形成される側の主表面上に、下地層２１が形成されている。この下地層２１に、凹形状の基準マーク２２が形成されている。
上記マスクブランク用ガラス基板２０における上記下地層２１上に、転写パターンとなる薄膜が形成されることにより、露光用マスクブランクが得られる。具体的には、基板の主表面上に遮光膜を備える構造のバイナリマスクブランク、基板の主表面上に位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を備える構造の位相シフト型マスクブランクなどが挙げられ、露光光源としては、例えばＫｒＦエキシマレーザー露光用、あるいはＡｒＦエキシマレーザー露光用のマスクブランクである。
また、上記マスクブランク用ガラス基板２０における上記下地層２１の表面に、EUV光を反射する多層反射膜が形成されることにより、多層反射膜付き基板が得られる。さらに、この多層反射膜の上に、転写パターンとなる薄膜として、EUV光を反射する吸収体層が形成されることにより、EUV露光用反射型マスクブランクが得られる。
上記ガラス基板１１は、バイナリマスクブランクまたは位相シフト型マスクブランクに使用する場合、使用する露光波長に対して透明性を有するものであれば特に制限されず、合成石英基板、その他各種のガラス基板（例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス等）が用いられるが、この中でも合成石英基板は、ＡｒＦエキシマレーザー又はそれよりも短波長の領域で透明性が高いので、特に好ましく用いられる。
また、EUV露光用の場合、上記ガラス基板１１としては、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、０±１．０×１０−７／℃の範囲内、より好ましくは０±０．３×１０−７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましく用いられ、この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス、多成分系ガラスセラミックス等を用いることが出来る。
また、EUV露光用の場合、上記ガラス基板１１としては、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、０±１．０×１０−７／℃の範囲内、より好ましくは０±０．３×１０−７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましく用いられ、この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス、多成分系ガラスセラミックス等を用いることが出来る。
上記ガラス基板１１の転写パターンが形成される側の主表面は、少なくともパターン転写精度、位置精度を得る観点から高平坦度となるように表面加工されている。表面加工工程については後述する。例えば、ＫｒＦエキシマレーザー露光用、あるいはＡｒＦエキシマレーザー露光用の場合、ガラス基板１１の転写パターンが形成される側の主表面１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．３μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは０．１μｍ以下である。
また、EUV露光用の場合、ガラス基板１１の転写パターンが形成される側の主表面１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは０．０５μｍ以下である。また、転写パターンが形成される側と反対側の主表面は、露光装置にセットする時に静電チャックされる面であって、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下である。
また、マスクブランク用ガラス基板として要求される表面平滑度は、本発明においては最終的には下地層２１表面の表面粗さで調整することになるが、下地層表面への影響を考慮すると、上記ガラス基板１１の転写パターンが形成される側の主表面の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．３ｎｍ以下であることが好ましい。
上記下地層２１は、ガラス基板１１の表面粗さの低減、若しくはガラス基板１１表面の欠陥を低減する目的で形成されている。このような下地層２１の材料としては、バイナリマスクブランクまたは位相シフト型マスクブランクに使用する場合、露光光に対して透光性を有する材料が用いられる。例えばＫｒＦエキシマレーザー露光用、あるいはＡｒＦエキシマレーザー露光用の場合、Si又はSiを含有するケイ素化合物（例えばSiO2、SiONなど）が好ましく用いられる。
また、EUV露光用の場合は、露光光に対して透光性を有する必要はなく、下地層表面を精密研磨した時に高い平滑性が得られ、欠陥品質が良好となる材料が好ましく選択される。高い平滑性の観点から、下地層２１は、高い膜密度及び／又はアモルファス構造を有する材料が好ましい。例えば、Si又はSiを含有するケイ素化合物（例えばSiO2、SiONなど）は、精密研磨した時に高い平滑性が得られ、欠陥品質が良好なため、好ましく用いられる。特にSiが好ましい。特に、イオンビームスパッタリングにより成膜したSiが好ましい。
また、基板の再生（再利用）の観点からは、下地層２１の材料として、ガラス基板に対してダメージの少ない、つまりエッチング選択性のあるエッチャント、具体的には塩素系ガスによるエッチング除去が可能な材料を選定することが好ましい。このような塩素系ガスによるエッチング除去が可能な材料としては、例えばAl、Ta、Zr、Ti、Cr又はこれらのうちの少なくとも一つの元素を含有する材料（これらの１つの元素に酸素、窒素、炭素を含む化合物など）が好ましく挙げられる。また、高い平滑性の観点から、さらに好ましくは、下地層２１は、高い膜密度及び／又はアモルファス構造を有する材料が好ましい。上記挙げたAl、Ta、Zr、Ti、Cr又はこれらのうちの少なくとも一つの元素を含有する材料として、さらにホウ素（B）を含んでも構わない。その中でも、特に上記金属元素と窒素を含有する化合物は、高い平滑性が得られるので好適である。特に、Ta、Cr、又はそれらの窒化物（TaN、TaBN、CrN、CrBN）が好ましい。
また、基板の再生（再利用）の観点からは、下地層２１の材料として、ガラス基板に対してダメージの少ない、つまりエッチング選択性のあるエッチャント、具体的には塩素系ガスによるエッチング除去が可能な材料を選定することが好ましい。このような塩素系ガスによるエッチング除去が可能な材料としては、例えばAl、Ta、Zr、Ti、Cr又はこれらのうちの少なくとも一つの元素を含有する材料（これらの１つの元素に酸素、窒素、炭素を含む化合物など）が好ましく挙げられる。また、高い平滑性の観点から、さらに好ましくは、下地層２１は、高い膜密度及び／又はアモルファス構造を有する材料が好ましい。上記挙げたAl、Ta、Zr、Ti、Cr又はこれらのうちの少なくとも一つの元素を含有する材料として、さらにホウ素（B）を含んでも構わない。その中でも、特に上記金属元素と窒素を含有する化合物は、高い平滑性が得られるので好適である。特に、Ta、Cr、又はそれらの窒化物（TaN、TaBN、CrN、CrBN）が好ましい。
下地層２１の表面は、マスクブランク用基板として要求される平滑度となるように精密研磨された表面とすることが重要である。高感度の欠陥検査装置において、表面粗さによるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出を抑制でき、その結果、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度が向上するからである。下地層２１の表面は、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下、特に好ましくは０．１ｎｍ以下、さらに好ましくは０．０８ｎｍ以下となるように上記下地層材料の選定、及び、精密研磨されることが望ましい。また、下地層２１の表面は、下地層２１上に形成する多層反射膜の表面への影響を考慮すると、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）との関係において、Ｒｍａｘ／ＲＭＳが２〜１０であることが良く、特に好ましくは、２〜８となるように上記下地層材料の選定、及び、精密研磨されることが望ましい。
本発明において、上記下地層は、必ずしも単一層である必要はなく、異なる材質の積層構造としてもよい。
下地層２１の膜厚は、主に基準マーク形成、基準マーク識別、生産性等の観点から適宜設定される。基準マークとして、断面が凹形状又は凸形状のものを形成する場合、下地層の膜厚は上記の観点から、２０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲とすることが好ましい。また、EUV露光用マスクブランクにおいては、上記下地層上に多層反射膜及び吸収体層が少なくとも形成され、ＫｒＦエキシマレーザーやＡｒＦエキシマレーザー露光用マスクブランクにおいては、上記下地層上に、遮光層や位相シフト層などが形成されるので、そのようなマスクブランクにおいて凹形状又は凸形状の基準マークを識別できるようにする観点を考慮すると、下地層の膜厚は、特に７５ｎｍ〜３００ｎｍの範囲が好ましく、更に好ましくは１００ｎｍ〜３００ｎｍの範囲である。
次に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークについて詳しく説明する。
本発明においては、基準マークが上記下地層に形成されていることが特徴である。即ち、基準マークが上記下地層に形成され、マスクブランク用基板に達していないことが特徴である。ここで、マスクブランク用基板に達していないとは、基準マークの形成痕がマスクブランク用基板の主表面に「実質的に形成されていない」ことを言う。「実質的に形成されていない」とは、基準マークの形成痕を除去するために、マスクブランク用基板の主表面を所定量除去する加工処理を必要としない程度に、基準マークの形成痕がマスクブランク用基板の主表面に形成されている場合を含む。例えば、基準マークが凹形状の場合、基準マークの深さの最大値は、上記下地層の膜厚となる。また、基準マークが下地層に形成されていることにより、上記のとおり、ガラス基板の再生が可能になるという利点がある。
上記基準マークは、マスクブランク用基板、マスクブランクの欠陥情報における欠陥位置の基準となるものであり、このような基準マークの形状や大きさは、電子線描画の際の電子線や欠陥検査装置の検査光に対して認識し得るものであれば特に制約はなく、適宜設定される。図３においては、一例として、基準マークの断面形状を凹形状とし、基準マークの高さ方向に所望の深さを設けることで認識し得る基準マーク２２が形成されている。
本発明においては、基準マークが上記下地層に形成されていることが特徴である。即ち、基準マークが上記下地層に形成され、マスクブランク用基板に達していないことが特徴である。ここで、マスクブランク用基板に達していないとは、基準マークの形成痕がマスクブランク用基板の主表面に「実質的に形成されていない」ことを言う。「実質的に形成されていない」とは、基準マークの形成痕を除去するために、マスクブランク用基板の主表面を所定量除去する加工処理を必要としない程度に、基準マークの形成痕がマスクブランク用基板の主表面に形成されている場合を含む。例えば、基準マークが凹形状の場合、基準マークの深さの最大値は、上記下地層の膜厚となる。また、基準マークが下地層に形成されていることにより、上記のとおり、ガラス基板の再生が可能になるという利点がある。
上記基準マークは、マスクブランク用基板、マスクブランクの欠陥情報における欠陥位置の基準となるものであり、このような基準マークの形状や大きさは、電子線描画の際の電子線や欠陥検査装置の検査光に対して認識し得るものであれば特に制約はなく、適宜設定される。図３においては、一例として、基準マークの断面形状を凹形状とし、基準マークの高さ方向に所望の深さを設けることで認識し得る基準マーク２２が形成されている。
基準マークの高さ方向（換言すると下地層の膜厚方向）に所望の深さ、又は高さの段差を設けることで、基準マークを認識する場合、基準マークの断面形状としては、図３のような凹形状に限らず、凸形状、又は凹形状と凸形状の混合などが挙げられる。また、基準マークを光学的にコントラストを設けて認識する場合、必ずしも上記のような凹形状、凸形状のものである必要はなく、例えば断面形状がほぼ平坦であっても構わない。
図１は、基準マークの配置例を示すマスクブランク用ガラス基板の平面図である。また、図２は、基準マークの形状例を示す図である。
図１では、基準マークとして、相対的に大きさの大きなラフアライメントマーク１２ａと小さなファインマーク１２ｂの２種類のマークを形成している。なお、図１では、ガラス基板１１の表面にこれら基準マークを示しているが、これら基準マークがガラス基板に直接形成されていることを示すものではない。あくまでもガラス基板主表面上での基準マークの配置例を示すものであり、本発明では、基準マークは上記下地層に形成されている。
図１では、基準マークとして、相対的に大きさの大きなラフアライメントマーク１２ａと小さなファインマーク１２ｂの２種類のマークを形成している。なお、図１では、ガラス基板１１の表面にこれら基準マークを示しているが、これら基準マークがガラス基板に直接形成されていることを示すものではない。あくまでもガラス基板主表面上での基準マークの配置例を示すものであり、本発明では、基準マークは上記下地層に形成されている。
上記ファインマーク１２ｂは、マスクブランク用基板、マスクブランクの欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークの役割を有するものであり、上記ラフアライメントマーク１２ａは、それ自体は基準マークの役割は有していないが、上記ファインマーク１２ｂの位置を検出し易くするための役割を有している。上記ファインマーク１２ｂは大きさが小さく、目視で位置の目安を付けることは困難である。また、検査光や電子線で最初からファインマーク１２ｂを検出しようとすると、検出に時間が掛かり、レジスト膜が形成されている場合、不要なレジスト感光を発生させてしまう恐れがあるので好ましくない。上記ファインマーク１２ｂとの位置関係が予め決められている上記ラフアライメントマーク１２ａを設けることで、ファインマーク１２ｂの検出が迅速かつ容易に行える。
図１においては、上記ラフアライメントマーク１２ａを矩形状のガラス基板１１の主表面上のコーナー近傍の４箇所に、上記ファインマーク１２ｂを各ラフアライメントマーク１２ａの近傍に２箇所ずつ配置した例を示している。上記ラフアライメントマーク１２ａとファインマーク１２ｂはいずれも基板主表面上の破線Ａで示すパターン形成領域の境界線上、あるいはパターン形成領域より外周縁側に形成することが好適である。但し、基板外周縁にあまり近いと、基板主表面の平坦度があまり良好でない領域であったり、他の種類の認識マークと交差する可能性があるので好ましくない。
図１に示す例では、上記ラフアライメントマーク１２ａおよびファインマーク１２ｂはいずれも十字形状である。これらマークの大きさや幅、凹形状とする場合の深さ等は、電子線描画の際の電子線や欠陥検査装置の検査光に対して認識し得るものであれば任意に設定できる。具体例を挙げると、上記ラフアライメントマーク１２ａの場合、ｘ方向の大きさｘ１、ｙ方向の大きさｙ１（図２を参照）はいずれも０．５５ｍｍ、十字形状の線幅は５μｍ、深さは１００ｎｍ、上記ファインマーク１２ｂの場合、ｘ方向の大きさｘ２、ｙ方向の大きさｙ２（図２を参照）はいずれも０．１ｍｍ、十字形状の線幅は５μｍ、深さは１００ｎｍとすることができる。また、上記ラフアライメントマーク１２ａの中心点とファインマーク１２ｂの中心点間のｘ方向の距離ｘ３、ｙ方向の距離ｙ３（図２を参照）はいずれも１．５ｍｍとすることができる。
なお、図１及び図２に示すような基準マークの形状や配置例はあくまでも具体的な一例であって、本発明はこのような実施態様に限定されるものではない。基準マークとしてラフアライメントマーク１２ａは必須ではなく、ファインマーク１２ｂのみでも構わない。
なお、図１及び図２に示すような基準マークの形状や配置例はあくまでも具体的な一例であって、本発明はこのような実施態様に限定されるものではない。基準マークとしてラフアライメントマーク１２ａは必須ではなく、ファインマーク１２ｂのみでも構わない。
以上説明した本発明のマスクブランク用ガラス基板は、転写パターンが形成される側のマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、基板の表面粗さの低減、若しくは基板表面の欠陥を低減する下地層が形成されており、この下地層表面は精密研磨された表面であるため、下地層表面は高い平滑性を有している。また、この表面平滑性の高い下地層に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されているため、高感度の欠陥検査装置において、表面粗さによるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出を抑制でき、その結果、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度が向上する。また、この下地層に基準マークが形成されているため、基板上にパターン形成用の薄膜を成膜後、表面欠陥が発見されたマスクブランク、あるいは、マスクブランクを用いて作製された転写用マスクにおいて修正が困難なパターン欠陥が発見された該転写用マスクを不良品としてそのまま廃棄せずに、基板上から薄膜及び下地層を剥離除去してガラス基板を再生（再利用）することが可能である。
［マスクブランク用ガラス基板の製造方法］
次に、以上説明したマスクブランク用ガラス基板の製造方法について説明する。
本発明は、マスクブランク用ガラス基板の製造方法についても提供するものである。
すなわち、本発明のマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、
マスクブランク用ガラス基板の主表面を所定の平坦度となるように表面加工を行う表面加工工程と、
前記基板の主表面上に、前記基板の表面粗さの低減、若しくは前記基板表面の欠陥を低減する下地層を形成する下地層形成工程と、
前記下地層表面を所定の表面粗さとなるように精密研磨を行う精密研磨工程と、
前記下地層に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する基準マーク形成工程と、
を有することを特徴とするものである。
次に、以上説明したマスクブランク用ガラス基板の製造方法について説明する。
本発明は、マスクブランク用ガラス基板の製造方法についても提供するものである。
すなわち、本発明のマスクブランク用ガラス基板の製造方法は、
マスクブランク用ガラス基板の主表面を所定の平坦度となるように表面加工を行う表面加工工程と、
前記基板の主表面上に、前記基板の表面粗さの低減、若しくは前記基板表面の欠陥を低減する下地層を形成する下地層形成工程と、
前記下地層表面を所定の表面粗さとなるように精密研磨を行う精密研磨工程と、
前記下地層に、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを形成する基準マーク形成工程と、
を有することを特徴とするものである。
図９は、本発明のマスクブランク用ガラス基板の製造方法を説明するためのフローチャート図であり、図１０は、本発明のマスクブランク用ガラス基板の製造方法における表面加工工程を説明するためのフローチャート図である。これらの図を参照して説明する。
＜表面加工工程＞
表面加工工程は、ガラス基板を準備する準備工程（Ｐ−１）と、ガラス基板表面の凹凸形状を測定する凹凸形状測定工程（Ｐ−２）と、局所加工によってガラス基板表面の平坦度を制御する平坦度制御工程（Ｐ−３）と、ガラス基板表面を洗浄する洗浄工程（Ｐ−４）と、ガラス基板表面を仕上げ研磨する仕上げ研磨工程（Ｐ−５）とを有する（図１０を参照）。
表面加工工程は、ガラス基板を準備する準備工程（Ｐ−１）と、ガラス基板表面の凹凸形状を測定する凹凸形状測定工程（Ｐ−２）と、局所加工によってガラス基板表面の平坦度を制御する平坦度制御工程（Ｐ−３）と、ガラス基板表面を洗浄する洗浄工程（Ｐ−４）と、ガラス基板表面を仕上げ研磨する仕上げ研磨工程（Ｐ−５）とを有する（図１０を参照）。
[準備工程]
準備工程は、ガラス基板の片面又は両面が精密研磨され、表面粗さを二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で約０．４ｎｍ以下にしたガラス基板を準備する工程である。通常、この準備工程は、ガラス基板の両面を粗研磨する粗研磨工程と、粗研磨されたガラス基板の片面又は両面を精密研磨する精密研磨工程とを有し、段階的な研磨が行われる。この際、粗研磨工程では、例えば比較的砥粒径の大きな酸化セリウムを分散させた研磨剤が使用され、精密研磨工程では、例えば比較的砥粒径の小さなコロイダルシリカを分散させた研磨剤が使用される。
準備工程は、ガラス基板の片面又は両面が精密研磨され、表面粗さを二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で約０．４ｎｍ以下にしたガラス基板を準備する工程である。通常、この準備工程は、ガラス基板の両面を粗研磨する粗研磨工程と、粗研磨されたガラス基板の片面又は両面を精密研磨する精密研磨工程とを有し、段階的な研磨が行われる。この際、粗研磨工程では、例えば比較的砥粒径の大きな酸化セリウムを分散させた研磨剤が使用され、精密研磨工程では、例えば比較的砥粒径の小さなコロイダルシリカを分散させた研磨剤が使用される。
[凹凸形状測定工程]
凹凸形状測定工程は、準備工程で準備されたガラス基板表面の凹凸形状（平坦度）を測定する工程である。ガラス基板表面の凹凸形状の測定には、通常、光学干渉計が使用される。光学干渉計には、たとえばフリンジ観察干渉計や位相シフト干渉計などがある。上記光学干渉計によって測定された凹凸形状の測定結果は、コンピュータなどの記録媒体に保存される。
次に、コンピューターなどの演算処理手段によって、凹凸形状の測定結果と予め設定された所定の基準値（所望の平坦度）とが比較され、その差分がガラス基板表面の所定領域（例えば縦５ｍｍ×横５ｍｍの領域）ごとに算出される。すなわち、ガラス基板表面の凸部分の高さに応じて加工取り代が設定される。この差分（加工取り代）が、局所的な表面加工における各所定領域の必要除去量とされる。
凹凸形状測定工程は、準備工程で準備されたガラス基板表面の凹凸形状（平坦度）を測定する工程である。ガラス基板表面の凹凸形状の測定には、通常、光学干渉計が使用される。光学干渉計には、たとえばフリンジ観察干渉計や位相シフト干渉計などがある。上記光学干渉計によって測定された凹凸形状の測定結果は、コンピュータなどの記録媒体に保存される。
次に、コンピューターなどの演算処理手段によって、凹凸形状の測定結果と予め設定された所定の基準値（所望の平坦度）とが比較され、その差分がガラス基板表面の所定領域（例えば縦５ｍｍ×横５ｍｍの領域）ごとに算出される。すなわち、ガラス基板表面の凸部分の高さに応じて加工取り代が設定される。この差分（加工取り代）が、局所的な表面加工における各所定領域の必要除去量とされる。
[平坦度制御工程]
平坦度制御工程は、上記演算処理によって設定された加工取り代に応じた加工条件で、所定領域毎に凸部分を局所加工し、ガラス基板表面の平坦度を所定の基準値以下に制御する工程である。
局所的な表面加工法としては、鉄を含む磁性流体中に研磨砥粒を含有させた磁性研磨スラリーを用いて、ガラス基板表面に局所的に接触させるＭＲＦ（Magneto Rheological Finishing）加工法を用いることができる。ＭＲＦ加工法以外にも、GCIB（ガスクラクターイオンビーム）やプラズマエッチングによる局所加工法を用いてもよい。
平坦度制御工程は、上記演算処理によって設定された加工取り代に応じた加工条件で、所定領域毎に凸部分を局所加工し、ガラス基板表面の平坦度を所定の基準値以下に制御する工程である。
局所的な表面加工法としては、鉄を含む磁性流体中に研磨砥粒を含有させた磁性研磨スラリーを用いて、ガラス基板表面に局所的に接触させるＭＲＦ（Magneto Rheological Finishing）加工法を用いることができる。ＭＲＦ加工法以外にも、GCIB（ガスクラクターイオンビーム）やプラズマエッチングによる局所加工法を用いてもよい。
[洗浄工程]
ガラス基板の洗浄方法は特に制約されないが、上記平坦度制御工程においてＭＲＦ加工法を用いた場合には、磁性流体に含有された鉄成分が微量ではあるが、ガラス基板表面に付着している場合があるので、例えば塩酸などを用いた酸洗浄を行い、基板表面に付着した鉄成分を溶解除去することが望ましい。
洗浄方法としては、洗浄槽にガラス基板を浸漬させるディップ法や、洗浄液をノズルで基板表面に供給する方法など、任意である。さらに必要に応じて、超音波を印加したり、スクラブ洗浄により洗浄力を高めるようにしてもよい。
ガラス基板の洗浄方法は特に制約されないが、上記平坦度制御工程においてＭＲＦ加工法を用いた場合には、磁性流体に含有された鉄成分が微量ではあるが、ガラス基板表面に付着している場合があるので、例えば塩酸などを用いた酸洗浄を行い、基板表面に付着した鉄成分を溶解除去することが望ましい。
洗浄方法としては、洗浄槽にガラス基板を浸漬させるディップ法や、洗浄液をノズルで基板表面に供給する方法など、任意である。さらに必要に応じて、超音波を印加したり、スクラブ洗浄により洗浄力を高めるようにしてもよい。
[仕上げ研磨工程]
仕上げ研磨は、上述の平坦度制御工程において、ガラス基板表面に面荒れや加工変質層が生じた場合、これらの除去を目的として行うものであり、ガラス基板表面に除去が必要な面荒れや加工変質層が生じていない場合には、仕上げ研磨は特に行わなくてもよい。
この仕上げ研磨の方法としては、平坦度制御工程で得られた平坦度を維持しつつ、表面粗さが改善される研磨方法が好ましい。例えば、研磨パッドなどの研磨用工具面をガラス基板主表面と接触させて研磨液により精密研磨する方法や、ガラス基板主表面と研磨用工具面が直接接触することなく、両者の間に介在する加工液の作用で研磨を行う非接触研磨方法（例えば、フロートポリッシング法、ＥＥＭ（Elastic Emission Machining）法）などが挙げられる。
仕上げ研磨は、上述の平坦度制御工程において、ガラス基板表面に面荒れや加工変質層が生じた場合、これらの除去を目的として行うものであり、ガラス基板表面に除去が必要な面荒れや加工変質層が生じていない場合には、仕上げ研磨は特に行わなくてもよい。
この仕上げ研磨の方法としては、平坦度制御工程で得られた平坦度を維持しつつ、表面粗さが改善される研磨方法が好ましい。例えば、研磨パッドなどの研磨用工具面をガラス基板主表面と接触させて研磨液により精密研磨する方法や、ガラス基板主表面と研磨用工具面が直接接触することなく、両者の間に介在する加工液の作用で研磨を行う非接触研磨方法（例えば、フロートポリッシング法、ＥＥＭ（Elastic Emission Machining）法）などが挙げられる。
＜下地層形成工程＞
下地層の形成方法に特に制限はなく、例えば、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、イオンビームスパッタリング、ＣＶＤ法などが挙げられる。下地層の材料は前述したとおりである。
とくに、本発明においては、上述の表面加工工程で得られた高い平坦性を維持しつつ、基板面内で均一な下地層が形成されるように成膜することが望ましい。例えば、図１１に示すような成膜装置を用いてスパッタリング法で下地層を成膜する場合、図１２に示すような基板とターゲットの位置関係とすることが好ましい。
下地層の形成方法に特に制限はなく、例えば、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、イオンビームスパッタリング、ＣＶＤ法などが挙げられる。下地層の材料は前述したとおりである。
とくに、本発明においては、上述の表面加工工程で得られた高い平坦性を維持しつつ、基板面内で均一な下地層が形成されるように成膜することが望ましい。例えば、図１１に示すような成膜装置を用いてスパッタリング法で下地層を成膜する場合、図１２に示すような基板とターゲットの位置関係とすることが好ましい。
図１１に示す成膜装置は、一般的なＤＣマグネトロンスパッタリング装置の構成を示すもので、成膜チャンバ（真空槽）１を有しており、この成膜チャンバ１の内部にマグネトロンカソード２及び基板ホルダ３が配置されている。マグネトロンカソード２にはバッキングプレート４に接着されたスパッタリングターゲット５が装着されている。基板ホルダ３にはガラス基板６が装着されている。成膜チャンバ１は排気口７を介して真空ポンプにより排気されている。成膜チャンバ１内の雰囲気が所定の真空度まで達した後、ガス導入口８から成膜ガスが導入され、ＤＣ電源９を用いてマグネトロンカソード２に負電圧を加え、スパッタリングを行う。成膜チャンバ１内部の圧力は圧力計１０によって測定される。
そして、図１２に示すように、上記基板６とスパッタリングターゲット５の対向する面が所定の角度を有するように配置されている。基板６の被成膜面を上方に向けて水平面上で回転させ、基板６の中心軸と、ターゲット５の中心を通り基板６の中心軸と平行な直線がずれた位置で、基板６の被成膜面に対して所定の角度傾斜して対向配置されたターゲット５をスパッタリングすることによって薄膜（下地層）を成膜する。上記ターゲットの傾斜角は例えば１０〜３０度程度とすることが好ましい。また、基板６の中心軸と、ターゲット５の中心を通り基板６の中心軸と平行な直線との間の距離（オフセット距離）は例えば２００ｍｍ〜３５０ｍｍ程度とすることが好ましい。さらに、ターゲット５と基板６間の垂直距離は２００ｍｍ〜３８０ｍｍ程度とすることが好ましい。
また、イオンビームスパッタリング法で下地層を成膜する場合、図１３に示すように、基板主表面の法線に対する入射角度の関係とすることが好ましい。
図１３に、イオンビームスパッタリング法による成膜装置８０の概念図を示す。図１３に、イオンビームスパッタリングにおける、基板６の主表面の法線８５に対するスパッタ粒子８４の入射角度αを示す。スパッタ粒子８４の入射角度αは、５度〜８０度とすることが好ましい。基板６の被成膜面をスパッタリングターゲット８２に向け、イオンビーム発生装置８１から発せられたイオンビーム８３がスパッタリングターゲット８２に入射することにより発生するスパッタ粒子８４の入射角度αが上述の範囲になるように基板６を配置し、基板６を回転させながら、イオンビームスパッタリングすることによって下地層を成膜する。
また、イオンビームスパッタリング法で下地層を成膜する場合、図１３に示すように、基板主表面の法線に対する入射角度の関係とすることが好ましい。
図１３に、イオンビームスパッタリング法による成膜装置８０の概念図を示す。図１３に、イオンビームスパッタリングにおける、基板６の主表面の法線８５に対するスパッタ粒子８４の入射角度αを示す。スパッタ粒子８４の入射角度αは、５度〜８０度とすることが好ましい。基板６の被成膜面をスパッタリングターゲット８２に向け、イオンビーム発生装置８１から発せられたイオンビーム８３がスパッタリングターゲット８２に入射することにより発生するスパッタ粒子８４の入射角度αが上述の範囲になるように基板６を配置し、基板６を回転させながら、イオンビームスパッタリングすることによって下地層を成膜する。
スパッタリング法やイオンビームスパッタリング法で下地層を成膜する場合、図１２や図１３に示すような基板とターゲットの位置関係、スパッタ粒子の入射角度αとすることにより、上述の表面加工工程で得られた高い平坦性を維持しつつ、基板面内で膜厚ばらつきを低減でき、均一な下地層が形成されるように成膜することが可能である。
＜下地層精密研磨工程＞
この下地層精密研磨の方法としては、上記表面加工工程で得られた平坦度を維持しつつ、表面粗さが改善される研磨方法であればよい。例えば、研磨パッドなどの研磨用工具面をガラス基板主表面と接触させて研磨液により精密研磨する方法や、ガラス基板主表面と研磨用工具面が直接接触することなく、両者の間に介在する加工液の作用で研磨を行う非接触研磨方法（例えば、フロートポリッシング法、ＥＥＭ（Elastic Emission Machining）法）などが挙げられる。
この下地層精密研磨工程は、ガラス基板主表面のもつ主表面粗さよりも小さい下地層表面粗さを有するように精密研磨する。具体的には、下地層表面が、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下、特に好ましくは、０．１ｎｍ以下、さらに好ましくは、０．０８ｎｍ以下となるように精密研磨する。
高い平滑性を得るためには、研磨剤の平均粒径が１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下のコロイダルシリカスラリーを用いて精密研磨することが好ましい。
この下地層精密研磨の方法としては、上記表面加工工程で得られた平坦度を維持しつつ、表面粗さが改善される研磨方法であればよい。例えば、研磨パッドなどの研磨用工具面をガラス基板主表面と接触させて研磨液により精密研磨する方法や、ガラス基板主表面と研磨用工具面が直接接触することなく、両者の間に介在する加工液の作用で研磨を行う非接触研磨方法（例えば、フロートポリッシング法、ＥＥＭ（Elastic Emission Machining）法）などが挙げられる。
この下地層精密研磨工程は、ガラス基板主表面のもつ主表面粗さよりも小さい下地層表面粗さを有するように精密研磨する。具体的には、下地層表面が、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ以下、特に好ましくは、０．１ｎｍ以下、さらに好ましくは、０．０８ｎｍ以下となるように精密研磨する。
高い平滑性を得るためには、研磨剤の平均粒径が１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下のコロイダルシリカスラリーを用いて精密研磨することが好ましい。
＜基準マーク形成工程＞
上記下地層に形成する基準マークの形状や大きさ等の詳細については前述したとおりである。
基準マークの形成方法としては、特に限定されない。例えば前述の図３に示すような基準マークの断面形状が凹形状の場合、フォトリソ法、レーザー光やイオンビームによる凹部形成、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、微小圧子によるインデンション、インプリント法による型押しなどで形成することができる。また、基準マークの断面形状が凸形状の場合、ＦＩＢ（集束イオンビーム）やスパッタリング法などによる部分成膜などで形成することができる。
なお、上記基準マーク形成工程は、基準マークの形状制御の観点から、上記下地層精密研磨工程の後に行うことが好ましい。
上記下地層に形成する基準マークの形状や大きさ等の詳細については前述したとおりである。
基準マークの形成方法としては、特に限定されない。例えば前述の図３に示すような基準マークの断面形状が凹形状の場合、フォトリソ法、レーザー光やイオンビームによる凹部形成、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、微小圧子によるインデンション、インプリント法による型押しなどで形成することができる。また、基準マークの断面形状が凸形状の場合、ＦＩＢ（集束イオンビーム）やスパッタリング法などによる部分成膜などで形成することができる。
なお、上記基準マーク形成工程は、基準マークの形状制御の観点から、上記下地層精密研磨工程の後に行うことが好ましい。
＜下地層欠陥検査工程＞
本発明においては、上記下地層精密研磨工程と上記基準マーク形成工程との間に、下地層の欠陥検査を行う欠陥検査工程を有することが好ましい。
下地層の欠陥検査は、一般的な欠陥検査装置を用いて行うことができる。欠陥検査を行う場合、欠陥検査の測定データは、欠陥サイズ、欠陥個数を含むことが好ましい。この欠陥検査の結果、合格と判定された基板については、上記基準マーク形成工程を行う。また、不合格と判定された基板については、修復可能な欠陥については欠陥の修復、下地層表面の再研磨、下地層を剥離して基板再利用（下地層を再度形成）の何れかを選択して行うことが好ましい。
本発明においては、上記下地層精密研磨工程と上記基準マーク形成工程との間に、下地層の欠陥検査を行う欠陥検査工程を有することが好ましい。
下地層の欠陥検査は、一般的な欠陥検査装置を用いて行うことができる。欠陥検査を行う場合、欠陥検査の測定データは、欠陥サイズ、欠陥個数を含むことが好ましい。この欠陥検査の結果、合格と判定された基板については、上記基準マーク形成工程を行う。また、不合格と判定された基板については、修復可能な欠陥については欠陥の修復、下地層表面の再研磨、下地層を剥離して基板再利用（下地層を再度形成）の何れかを選択して行うことが好ましい。
以上のとおり、本発明のマスクブランク用ガラス基板の製造方法によれば、転写パターンが形成される側のマスクブランク用ガラス基板の主表面上に、基板の表面粗さの低減、若しくは基板表面の欠陥を低減し、表面平滑性の高い下地層を形成することができ、この下地層に欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークが形成されるため、高感度の欠陥検査装置において、表面粗さによるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出を抑制でき、その結果、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度を向上させることができる。また、この下地層に基準マークが形成されるため、得られたガラス基板上にパターン形成用の薄膜を成膜後、表面欠陥が発見されたマスクブランク、あるいは、マスクブランクを用いて作製された転写用マスクにおいて修正が困難なパターン欠陥が発見された該転写用マスクを不良品としてそのまま廃棄せずに、基板上から薄膜及び下地層を剥離除去してガラス基板を再生（再利用）することが可能である。
［多層反射膜付き基板］
本発明は、図４に示すように、上記構成のマスクブランク用ガラス基板２０における下地層２１の表面にEUV光を反射する多層反射膜３１が形成されている多層反射膜付き基板３０についても提供する。
上記構成のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層の表面にEUV光を反射する多層反射膜が形成されていることにより、基準マークが形成されており、表面平滑性の高い、しかもガラス基板の再生が可能な多層反射膜付き基板が得られる。
本発明は、図４に示すように、上記構成のマスクブランク用ガラス基板２０における下地層２１の表面にEUV光を反射する多層反射膜３１が形成されている多層反射膜付き基板３０についても提供する。
上記構成のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層の表面にEUV光を反射する多層反射膜が形成されていることにより、基準マークが形成されており、表面平滑性の高い、しかもガラス基板の再生が可能な多層反射膜付き基板が得られる。
上記多層反射膜は、低屈折率層と高屈折率層を交互に積層させた多層膜であり、一般的には、重元素又はその化合物の薄膜と、軽元素又はその化合物の薄膜とが交互に４０〜６０周期程度積層された多層膜が用いられる。
例えば、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が好ましく用いられる。その他に、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜として、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択すればよい。
例えば、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が好ましく用いられる。その他に、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜として、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択すればよい。
［マスクブランク］
本発明は、上記構成のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層上、又は多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクについても提供する。
上記構成のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層上、又は多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる薄膜が形成されていることにより、欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、表面平滑性の高い、しかもガラス基板の再生が可能なマスクブランクが得られる。
本発明は、上記構成のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層上、又は多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる薄膜が形成されているマスクブランクについても提供する。
上記構成のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層上、又は多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる薄膜が形成されていることにより、欠陥位置の基準となる基準マークが形成されており、表面平滑性の高い、しかもガラス基板の再生が可能なマスクブランクが得られる。
上記多層反射膜付き基板は、反射型マスクを製造するための反射型マスクブランク、すなわち、基板上に露光光を反射する多層反射膜と、露光光を吸収するパターン形成用の吸収体膜とを順に備える反射型マスクブランク用の基板として用いることができる。
図５は、図４の多層反射膜付き基板３０における多層反射膜３１上に、保護層（キャッピング層）３２及びEUV光を吸収するパターン形成用の吸収体膜４１が形成されている反射型マスクブランク４０を示す。なお、ガラス基板１１の多層反射膜等が形成されている側とは反対側に裏面導電膜４２が設けられている。
図５は、図４の多層反射膜付き基板３０における多層反射膜３１上に、保護層（キャッピング層）３２及びEUV光を吸収するパターン形成用の吸収体膜４１が形成されている反射型マスクブランク４０を示す。なお、ガラス基板１１の多層反射膜等が形成されている側とは反対側に裏面導電膜４２が設けられている。
上記吸収体膜４１は、露光光である例えばＥＵＶ光を吸収する機能を有するもので、例えばタンタル（Ｔａ）単体又はＴａを主成分とする材料が好ましく用いられる。Ｔａを主成分とする材料としては、ＴａとＢを含む材料、ＴａとＮを含む材料、ＴａとＢを含み、更にＯとＮの少なくとも何れかを含む材料、ＴａとＳｉを含む材料、ＴａとＳｉとＮを含む材料、ＴａとＧｅを含む材料、ＴａとＧｅとＮを含む材料、等が用いられる。
また、通常、上記吸収体膜４１のパターニング或いはパターン修正の際に多層反射膜を保護する目的で、多層反射膜と吸収体膜との間に上記保護膜３２やバッファ膜を設ける。保護膜の材料としては、ケイ素のほか、ルテニウムや、ルテニウムにニオブ、ジルコニウム、ロジウムのうち１以上の元素を含有するルテニウム化合物が用いられ、バッファ膜の材料としては、主に前記のクロム系材料が用いられる。
図６は、図３のマスクブランク用ガラス基板２０における下地層２１上に、遮光膜５１が形成されているバイナリマスクブランク５０を示す。
また、図示していないが、図３のマスクブランク用ガラス基板２０における下地層２１上に、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を備えることにより、位相シフト型マスクブランクが得られる。
この遮光膜は、単層でも複数層（例えば遮光層と反射防止層との積層構造）としてもよい。また、遮光膜を遮光層と反射防止層との積層構造とする場合、この遮光層を複数層からなる構造としてもよい。また、上記位相シフト膜についても、単層でも複数層としてもよい。
また、図示していないが、図３のマスクブランク用ガラス基板２０における下地層２１上に、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を備えることにより、位相シフト型マスクブランクが得られる。
この遮光膜は、単層でも複数層（例えば遮光層と反射防止層との積層構造）としてもよい。また、遮光膜を遮光層と反射防止層との積層構造とする場合、この遮光層を複数層からなる構造としてもよい。また、上記位相シフト膜についても、単層でも複数層としてもよい。
このようなマスクブランクとしては、例えば、クロム（Ｃｒ）を含有する材料により形成されている遮光膜を備えるバイナリマスクブランク、遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている遮光膜を備えるバイナリマスクブランク、タンタル（Ｔａ）を含有する材料により形成されている遮光膜を備えるバイナリ型マスクブランク、ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、あるいは遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている位相シフト膜を備える位相シフト型マスクブランクなどが挙げられる。
上記クロム（Ｃｒ）を含有する材料としては、クロム単体、クロム系材料（CrO，CrN，CrC，CrON，CrCN，CrOC，CrOCN等）が挙げられる。
上記タンタル（Ｔａ）を含有する材料としては、タンタル単体のほかに、タンタルと他の金属元素（例えば、Ｈｆ、Ｚｒ等）との化合物、タンタルにさらに窒素、酸素、炭素及びホウ素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、TaN、TaO，TaC，TaB，TaON，TaCN，TaBN，TaCO，TaBO，TaBC，TaCON，TaBON，TaBCN，TaBCONを含む材料などが挙げられる。
上記タンタル（Ｔａ）を含有する材料としては、タンタル単体のほかに、タンタルと他の金属元素（例えば、Ｈｆ、Ｚｒ等）との化合物、タンタルにさらに窒素、酸素、炭素及びホウ素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、TaN、TaO，TaC，TaB，TaON，TaCN，TaBN，TaCO，TaBO，TaBC，TaCON，TaBON，TaBCN，TaBCONを含む材料などが挙げられる。
上記ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、ケイ素に、さらに窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、ケイ素の窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。
また、上記遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、遷移金属とケイ素を含有する材料のほかに、遷移金属及びケイ素に、さらに窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料が挙げられる。具体的には、遷移金属シリサイド、または遷移金属シリサイドの窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、ニオブ等が適用可能である。この中でも特にモリブデンが好適である。
［マスク］
本発明は、上記構成のマスクブランクにおける前記薄膜がパターニングされているマスクについても提供する。
かかる構成のマスクは、修正が困難なパターン欠陥が発見された場合、基板上から薄膜及び下地層などを剥離除去してガラス基板を再生（再利用）することが可能である。
本発明は、上記構成のマスクブランクにおける前記薄膜がパターニングされているマスクについても提供する。
かかる構成のマスクは、修正が困難なパターン欠陥が発見された場合、基板上から薄膜及び下地層などを剥離除去してガラス基板を再生（再利用）することが可能である。
図７は、図５の反射型マスクブランク４０における吸収体膜４１がパターニングされた吸収体膜パターン４１ａを備える反射型マスク６０を示す。
また、図８は、図６のバイナリマスクブランク５０における遮光膜５１がパターニングされた遮光膜パターン５１ａを備えるバイナリマスク７０を示す。
マスクブランクにおける転写パターンとなる薄膜をパターニングする方法は、フォトリソグラフィー法が最も好適である。
また、図８は、図６のバイナリマスクブランク５０における遮光膜５１がパターニングされた遮光膜パターン５１ａを備えるバイナリマスク７０を示す。
マスクブランクにおける転写パターンとなる薄膜をパターニングする方法は、フォトリソグラフィー法が最も好適である。
なお、図示していないが、上述のマスクブランク用ガラス基板の下地層上に、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を備える構造の位相シフト型マスクブランクにおいても、転写パターンとなる薄膜をパターニングすることにより、位相シフト型マスクが得られる。
なお、本発明において欠陥情報を取得する欠陥検査装置は特に限定されない。欠陥検査装置に使用する検査光源波長としては、５３２ｎｍ、４８８ｎｍ、２６６ｎｍ、１９３ｎｍ、１３．５ｎｍなどがある。
なお、本発明において欠陥情報を取得する欠陥検査装置は特に限定されない。欠陥検査装置に使用する検査光源波長としては、５３２ｎｍ、４８８ｎｍ、２６６ｎｍ、１９３ｎｍ、１３．５ｎｍなどがある。
以下、実施例により、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。
（ 実施例１ ）
＜表面加工工程（ＳＰＲ１）＞
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理したＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２５ｎｍであった（原子間力顕微鏡にて測定した。測定領域は１μｍ×１μｍ。）。
（ 実施例１ ）
＜表面加工工程（ＳＰＲ１）＞
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理したＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２５ｎｍであった（原子間力顕微鏡にて測定した。測定領域は１μｍ×１μｍ。）。
このガラス基板の表裏両面の表面形状（表面形態、平坦度）を平坦度測定装置（トロッペル社製UltraFlat）で測定した（ 測定領域１４８ｍｍ×１４８ｍｍ）。
その結果、ガラス基板表面及び裏面の平坦度は約２９０ｎｍであった。
ガラス基板表面の表面形状（平坦度）の測定結果は、測定点ごとにある基準面に対する高さの情報としてコンピュータに保存するとともに、ガラス基板に必要な表面平坦度の基準値１００ｎｍ以下 、裏面平坦度の基準値１００ｎｍ以下と比較し、その差分（ 必要除去量）をコンピュータで計算した。
その結果、ガラス基板表面及び裏面の平坦度は約２９０ｎｍであった。
ガラス基板表面の表面形状（平坦度）の測定結果は、測定点ごとにある基準面に対する高さの情報としてコンピュータに保存するとともに、ガラス基板に必要な表面平坦度の基準値１００ｎｍ以下 、裏面平坦度の基準値１００ｎｍ以下と比較し、その差分（ 必要除去量）をコンピュータで計算した。
次に、ガラス基板面内を加工スポット形状領域ごとに、必要除去量に応じた局所表面加工の加工条件を設定した。
事前にダミー基板を用いて、実際の加工と同じようにダミー基板を、一定時間基板を移動させずにスポットで加工し、その形状を上記表裏面の表面形状を測定する装置と同じ測定機にて測定し、単位時間当たりにおけるスポットの加工体積を算出する。そして、スポットの情報とガラス基板の表面形状の情報より得られた必要除去量に従い、ガラス基板をラスタ走査する際の走査スピードを決定した。
事前にダミー基板を用いて、実際の加工と同じようにダミー基板を、一定時間基板を移動させずにスポットで加工し、その形状を上記表裏面の表面形状を測定する装置と同じ測定機にて測定し、単位時間当たりにおけるスポットの加工体積を算出する。そして、スポットの情報とガラス基板の表面形状の情報より得られた必要除去量に従い、ガラス基板をラスタ走査する際の走査スピードを決定した。
設定した加工条件に従い、磁気流体による基板仕上げ装置を用いてＭＲＦ（磁気流動的流体）加工法により、ガラス基板の表裏面平坦度が上記の基準値以下となるように局所的表面加工処理をして表面形状を調整した。
研磨スラリーは、酸化セリウムを使用した。
その後、ガラス基板を塩酸水溶液が入った洗浄槽に約１０分間浸漬した後、純水によるリンス、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）乾燥を行った。
得られたガラス基板表面の表面形状（表面形態、平坦度）と表面粗さを測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、表裏面の平坦度は８０ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。
研磨スラリーは、酸化セリウムを使用した。
その後、ガラス基板を塩酸水溶液が入った洗浄槽に約１０分間浸漬した後、純水によるリンス、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）乾燥を行った。
得られたガラス基板表面の表面形状（表面形態、平坦度）と表面粗さを測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、表裏面の平坦度は８０ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。
＜下地層形成工程（ＳＰＲ２）＞
次に、ＢドープＳｉターゲットを使用し、スパッタリングガスとしてＡｒガスとＨｅガスの混合ガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、１００ｎｍのＳｉ下地層を成膜（特許第4137667号記載のスパッタリング法）した後、Ｓｉ膜に熱エネルギーを付与して応力低減処理を行った。なお、熱エネルギーの付与は、キセノンランプやハロゲンランプによる光エネルギーによる付与や、高温槽による高温処理によって行ってもよい。
次に、ＢドープＳｉターゲットを使用し、スパッタリングガスとしてＡｒガスとＨｅガスの混合ガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、１００ｎｍのＳｉ下地層を成膜（特許第4137667号記載のスパッタリング法）した後、Ｓｉ膜に熱エネルギーを付与して応力低減処理を行った。なお、熱エネルギーの付与は、キセノンランプやハロゲンランプによる光エネルギーによる付与や、高温槽による高温処理によって行ってもよい。
＜下地層精密研磨工程（ＳＰＲ３）＞
その後、Ｓｉ下地層表面について、表面形状を維持し、表面粗さを低減するため、片面研磨装置を用いた精密研磨を行った。
この精密研磨は、研磨スラリーとして、平均粒径８０ｎｍのコロイダルシリカの研磨剤を使用し、スラリーがｐＨで１０以上となるように調整したものを使用した。また、Ｓｉ下地層表面にかかる面荷重を５０ｇ／ｃｍ２以下に設定し、研磨パッドとしてスェードパッドを使用した。
得られたＳｉ下地層表面の表面形状（表面形態、平坦度）と表面粗さを測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、８０ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．０８ｎｍとなっており極めて良好であった。ＲＭＳで０．１ｎｍ以下と極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．６０ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは７．５となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
その後、Ｓｉ下地層表面について、表面形状を維持し、表面粗さを低減するため、片面研磨装置を用いた精密研磨を行った。
この精密研磨は、研磨スラリーとして、平均粒径８０ｎｍのコロイダルシリカの研磨剤を使用し、スラリーがｐＨで１０以上となるように調整したものを使用した。また、Ｓｉ下地層表面にかかる面荷重を５０ｇ／ｃｍ２以下に設定し、研磨パッドとしてスェードパッドを使用した。
得られたＳｉ下地層表面の表面形状（表面形態、平坦度）と表面粗さを測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、８０ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．０８ｎｍとなっており極めて良好であった。ＲＭＳで０．１ｎｍ以下と極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．６０ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは７．５となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
＜下地層欠陥検査工程（ＳＰＲ４）＞
次に、Ｓｉ下地層表面をブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で欠陥検査したところ（検査領域１４２ｍｍ×１４２ｍｍ）、サイズ６０ｎｍの欠陥は０（ゼロ）個で良好であった。また、Ｓｉ下地層表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）欠陥検出個数は１６，４５７個であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
次に、Ｓｉ下地層表面をブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で欠陥検査したところ（検査領域１４２ｍｍ×１４２ｍｍ）、サイズ６０ｎｍの欠陥は０（ゼロ）個で良好であった。また、Ｓｉ下地層表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）欠陥検出個数は１６，４５７個であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
＜基準マーク形成工程（ＳＰＲ５）＞
次に、Ｓｉ下地層の所定の箇所にフォトリソ法により所定の大きさ、幅を有する十字形状で断面形状が凹形状の基準マークを形成した。基準マークの形成は以下のようにして行った。
Ｓｉ下地層上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法で塗布、ベーキングして膜厚２００ｎｍのレジスト膜を形成した。基準マークを形成する箇所に電子線描画装置により描画し、その後、現像してレジストパターンを形成した。レジストパターンをマスクにしてフッ素系ガス（ＣＦ４ガス）のドライエッチングにより、Ｓｉ下地層をエッチング除去し、熱硫酸によってレジスト膜を除去して、下地層に十字形状で断面形状が凹形状の基準マークを形成した。
次に、Ｓｉ下地層の所定の箇所にフォトリソ法により所定の大きさ、幅を有する十字形状で断面形状が凹形状の基準マークを形成した。基準マークの形成は以下のようにして行った。
Ｓｉ下地層上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法で塗布、ベーキングして膜厚２００ｎｍのレジスト膜を形成した。基準マークを形成する箇所に電子線描画装置により描画し、その後、現像してレジストパターンを形成した。レジストパターンをマスクにしてフッ素系ガス（ＣＦ４ガス）のドライエッチングにより、Ｓｉ下地層をエッチング除去し、熱硫酸によってレジスト膜を除去して、下地層に十字形状で断面形状が凹形状の基準マークを形成した。
なお、本実施例では、基準マークとして、前述のラフアライメントマークとファインマークを図１に示すような位置関係となるように形成した。ラフアライメントマークは、十字形状で大きさは０．５５ｍｍ、線幅は５μｍ、深さは１００ｎｍとした。また、ファインマークは、同じく十字形状で大きさは０．１ｍｍ、線幅は５μｍ、深さは１００ｎｍとした。
こうしてＥＵＶマスクブランク用ガラス基板を得た。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、断面がほぼ垂直に立っており良好であった。
こうしてＥＵＶマスクブランク用ガラス基板を得た。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、断面がほぼ垂直に立っており良好であった。
＜多層反射膜成膜工程（ＳＰＲ６）＞
次に、Ｓｉ下地層上に、イオンビームスパッタリング装置を用いて、Ｓｉ膜（膜厚：４．２ｎｍ）とＭｏ膜（膜厚：２．８ｎｍ）を一周期として、４０周期積層して多層反射膜を形成し、多層反射膜付き基板を得た。
Ｓｉ下地層に形成した凹形状の基準マークは、多層反射膜上にも形成され、電子線描画装置やブランクス検査装置で十分検出できることを確認した。
次に、Ｓｉ下地層上に、イオンビームスパッタリング装置を用いて、Ｓｉ膜（膜厚：４．２ｎｍ）とＭｏ膜（膜厚：２．８ｎｍ）を一周期として、４０周期積層して多層反射膜を形成し、多層反射膜付き基板を得た。
Ｓｉ下地層に形成した凹形状の基準マークは、多層反射膜上にも形成され、電子線描画装置やブランクス検査装置で十分検出できることを確認した。
＜多層反射膜欠陥検査工程（ＳＰＲ７）＞
次に、多層反射膜表面をブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で欠陥検査を行った。多層反射膜表面の欠陥個数は５個と良好であった。この欠陥検査では、上述の基準マークを基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得した。多層反射膜付き基板と、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付き多層反射膜付き基板を得た。この多層反射膜付き基板の多層反射膜表面の反射率を、EUV反射率計により評価したところ、下地層表面粗さばらつきが抑えられたことにより、６７％±０．２％と良好であった。
また、下地層に形成した基準マークにより、多層反射膜表面に反映され形成された基準マークは、上記マスク／ブランクス欠陥検査装置で、検査光に対するコントラストが０．５１と高く、精度良く検出でき、しかも欠陥検出位置のばらつきも９０ｎｍとなり再現性良く検出できることを確認した。尚、上記コントラストは、基準マークの底部の欠陥検査光強度をＩｍｉｎ、多層反射膜部の欠陥検査光強度をＩｍａｘとし、コントラスト＝（Ｉｍａｘ−Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋Ｉｍｉｎ）で求めた。また、欠陥検出位置のばらつきは、５回欠陥検査を行い、検出した基準座標をもとにした欠陥位置のばらつきにより求めた。また、多層反射膜表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）欠陥検出個数は１７，７２３個であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
次に、多層反射膜表面をブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で欠陥検査を行った。多層反射膜表面の欠陥個数は５個と良好であった。この欠陥検査では、上述の基準マークを基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得した。多層反射膜付き基板と、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付き多層反射膜付き基板を得た。この多層反射膜付き基板の多層反射膜表面の反射率を、EUV反射率計により評価したところ、下地層表面粗さばらつきが抑えられたことにより、６７％±０．２％と良好であった。
また、下地層に形成した基準マークにより、多層反射膜表面に反映され形成された基準マークは、上記マスク／ブランクス欠陥検査装置で、検査光に対するコントラストが０．５１と高く、精度良く検出でき、しかも欠陥検出位置のばらつきも９０ｎｍとなり再現性良く検出できることを確認した。尚、上記コントラストは、基準マークの底部の欠陥検査光強度をＩｍｉｎ、多層反射膜部の欠陥検査光強度をＩｍａｘとし、コントラスト＝（Ｉｍａｘ−Ｉｍｉｎ）／（Ｉｍａｘ＋Ｉｍｉｎ）で求めた。また、欠陥検出位置のばらつきは、５回欠陥検査を行い、検出した基準座標をもとにした欠陥位置のばらつきにより求めた。また、多層反射膜表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）欠陥検出個数は１７，７２３個であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
＜ＥＵＶ反射型マスクブランク製造工程（ＳＰＲ８）＞
次に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、多層反射膜上にＲｕＮｂからなるキャッピング層（膜厚：２．５ｎｍ）と、ＴａＢＮ膜（膜厚：５６ｎｍ）とＴａＢＯ膜（膜厚：１４ｎｍ）の積層膜からなる吸収体層を形成し、また、裏面にCrN導電膜（膜厚：２０ｎｍ）を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。
得られたＥＵＶ反射型マスクブランクについて、ブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で欠陥検査を行った。ＥＵＶ反射型マスクブランク表面の欠陥個数は７個と良好であった。上述と同様に上述の基準マークを基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、ＥＵＶ反射型マスクブランクと、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付きＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。なお、ＥＵＶ反射型マスクブランク表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）欠陥検出個数は１８，１０２個であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を容易に検出することができる。
次に、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、多層反射膜上にＲｕＮｂからなるキャッピング層（膜厚：２．５ｎｍ）と、ＴａＢＮ膜（膜厚：５６ｎｍ）とＴａＢＯ膜（膜厚：１４ｎｍ）の積層膜からなる吸収体層を形成し、また、裏面にCrN導電膜（膜厚：２０ｎｍ）を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。
得られたＥＵＶ反射型マスクブランクについて、ブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で欠陥検査を行った。ＥＵＶ反射型マスクブランク表面の欠陥個数は７個と良好であった。上述と同様に上述の基準マークを基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、ＥＵＶ反射型マスクブランクと、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付きＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。なお、ＥＵＶ反射型マスクブランク表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）欠陥検出個数は１８，１０２個であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を容易に検出することができる。
＜ＥＵＶ反射型マスク製造工程（ＳＰＲ９）＞
次に、この欠陥情報付きのＥＵＶ反射型マスクブランクを用いて、ＥＵＶ反射型マスクを作製した。
まず、ＥＵＶ反射型マスクブランク上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法により塗布、ベーキングしてレジスト膜を形成した。
次に、ＥＵＶ反射型マスクブランクの欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するか、修正パターンデータでも対応ができない欠陥については、マスク作製後の欠陥修正の負荷が低減できるマスクパターンデータに修正し、この修正されたマスクパターンデータに基づいて、上述のレジスト膜に対して電子線によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。
次に、この欠陥情報付きのＥＵＶ反射型マスクブランクを用いて、ＥＵＶ反射型マスクを作製した。
まず、ＥＵＶ反射型マスクブランク上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法により塗布、ベーキングしてレジスト膜を形成した。
次に、ＥＵＶ反射型マスクブランクの欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するか、修正パターンデータでも対応ができない欠陥については、マスク作製後の欠陥修正の負荷が低減できるマスクパターンデータに修正し、この修正されたマスクパターンデータに基づいて、上述のレジスト膜に対して電子線によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。
このレジストパターンをマスクとし、吸収体層をフッ素系ガス（ＣＦ４ガス）によりＴａＢＯ膜を、塩素系ガス（Ｃｌ２ガス）によりＴａＢＮ膜をエッチング除去して、キャッピング層上に吸収体層パターンを形成した。
さらに、吸収体層パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、ＥＵＶ反射型マスクを得た。
さらに、吸収体層パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、ＥＵＶ反射型マスクを得た。
（実施例２）
上述の実施例１において、Ｓｉ下地層の代わりに、膜の結晶構造がアモルファスからなるＣｒＮ下地層（Ｃｒ：９０ａｔ％、Ｎ：１０ａｔ％）を使用した。ＣｒＮ下地層は、Ｃｒターゲットを使用し、スパッタリングガスとしてＡｒガスとＨｅガスとＮ２ガスの混合ガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、１００ｎｍのＣｒＮ下地層を成膜した。
実施例１と同様の方法によりＣｒＮ下地層表面を精密研磨したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、平坦度は８５ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．１０ｎｍとなっており良好であった。
ＲＭＳで０．１ｎｍ以下と極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．９５ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは９．５となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
上述の実施例１において、Ｓｉ下地層の代わりに、膜の結晶構造がアモルファスからなるＣｒＮ下地層（Ｃｒ：９０ａｔ％、Ｎ：１０ａｔ％）を使用した。ＣｒＮ下地層は、Ｃｒターゲットを使用し、スパッタリングガスとしてＡｒガスとＨｅガスとＮ２ガスの混合ガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、１００ｎｍのＣｒＮ下地層を成膜した。
実施例１と同様の方法によりＣｒＮ下地層表面を精密研磨したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、平坦度は８５ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．１０ｎｍとなっており良好であった。
ＲＭＳで０．１ｎｍ以下と極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．９５ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは９．５となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
ＣｒＮ下地層表面をブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で欠陥検査したところ（検査領域１４２ｍｍ×１４２ｍｍ）、サイズ６０ｎｍの欠陥は０個で良好であった。また、ＣｒＮ下地層表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）欠陥検出個数は２４，７４４個であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
ＣｒＮ下地層への基準マークの形成は、レジストパターンをマスクにしたドライエッチングガスをＣｌ２＋Ｏ２の混合ガスとした以外は、実施例１と同様にして基準マークを形成したＥＵＶマスクブランク用ガラス基板を作製した。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、断面がほぼ垂直に立っており良好であった。
ＣｒＮ下地層への基準マークの形成は、レジストパターンをマスクにしたドライエッチングガスをＣｌ２＋Ｏ２の混合ガスとした以外は、実施例１と同様にして基準マークを形成したＥＵＶマスクブランク用ガラス基板を作製した。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、断面がほぼ垂直に立っており良好であった。
実施例１と同様にＣｒＮ下地層上に、多層反射膜を形成して多層反射膜付き基板を作製した後、さらに、ＲｕＮｂキャッピング層、ＴａＢＮ膜とＴａＢＯ膜の積層膜からなる吸収体層を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。
なお、多層反射膜付き基板の状態で、多層反射膜表面の反射率を、EUV反射率計により評価したところ、実施例１と同様に下地層表面粗さばらつきが抑えられたことにより、６７％±０．３％と良好であった。
なお、実施例１と同様に基準マークのコントラスト及び欠陥検出位置のばらつきを評価したところ、多層反射膜表面に反映され形成された基準マークは、上記マスク／ブランクス欠陥検査装置で、検査光に対するコントラストは０．５２、欠陥検出位置のばらつきは９３ｎｍと良好であった。また、多層反射膜表面、ＥＵＶ反射型マスクブランク表面を、ブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）、マスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、欠陥個数、欠陥検出個数はそれぞれ、数個、３５，０００個程度であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
さらに、ＥＵＶ反射型マスクブランクを用いてＥＵＶ反射型マスクを作製した。実施例１と同様に、ＥＵＶ反射型マスクブランク、ＥＵＶ反射型マスクも良好に作製することができた。
なお、多層反射膜付き基板の状態で、多層反射膜表面の反射率を、EUV反射率計により評価したところ、実施例１と同様に下地層表面粗さばらつきが抑えられたことにより、６７％±０．３％と良好であった。
なお、実施例１と同様に基準マークのコントラスト及び欠陥検出位置のばらつきを評価したところ、多層反射膜表面に反映され形成された基準マークは、上記マスク／ブランクス欠陥検査装置で、検査光に対するコントラストは０．５２、欠陥検出位置のばらつきは９３ｎｍと良好であった。また、多層反射膜表面、ＥＵＶ反射型マスクブランク表面を、ブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）、マスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、欠陥個数、欠陥検出個数はそれぞれ、数個、３５，０００個程度であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
さらに、ＥＵＶ反射型マスクブランクを用いてＥＵＶ反射型マスクを作製した。実施例１と同様に、ＥＵＶ反射型マスクブランク、ＥＵＶ反射型マスクも良好に作製することができた。
（実施例３）
次に、上述の実施例２において、下地層の欠陥検査において、欠陥が発見され、下地層を剥離してガラス基板を再利用する例を以下に説明する。
ＣｒＮ下地層表面をブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で欠陥検査したところ（検査領域１４２ｍｍ×１４２ｍｍ）、サイズ６０ｎｍの欠陥が多数検出されたため、ＣｒＮ下地層をＣｌ２＋Ｏ２の混合ガスによるドライエッチングにより全面エッチングを行って除去した。
この場合、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラスは、Ｃｌ２＋Ｏ２の混合ガスではエッチングされない。そのため、ＣｒＮ下地層を剥離した後のガラス基板主表面の表面粗さを測定したところ、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．４ｎｍであった。平坦度は８０ｎｍと良好であった。
次に、上述の実施例２において、下地層の欠陥検査において、欠陥が発見され、下地層を剥離してガラス基板を再利用する例を以下に説明する。
ＣｒＮ下地層表面をブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で欠陥検査したところ（検査領域１４２ｍｍ×１４２ｍｍ）、サイズ６０ｎｍの欠陥が多数検出されたため、ＣｒＮ下地層をＣｌ２＋Ｏ２の混合ガスによるドライエッチングにより全面エッチングを行って除去した。
この場合、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラスは、Ｃｌ２＋Ｏ２の混合ガスではエッチングされない。そのため、ＣｒＮ下地層を剥離した後のガラス基板主表面の表面粗さを測定したところ、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．４ｎｍであった。平坦度は８０ｎｍと良好であった。
ＣｒＮ下地層を剥離後、ガラス基板表面をアルカリ水溶液で洗浄した後、再度、ガラス基板主表面にＣｒＮ下地層を形成し、その後、実施例２と同様にＣｒＮ下地層表面を精密研磨した。ＣｒＮ下地層表面の平坦度、表面粗さを測定したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、８５ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．１０ｎｍとなっており良好であった。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．９６ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは９．６となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
また、ＣｒＮ下地層表面をブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で再度欠陥検査したところ（検査領域１４２ｍｍ×１４２ｍｍ）、サイズ６０ｎｍの欠陥は０個で良好であった。また、ＣｒＮ下地層表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）欠陥検出個数は２７，９０２個であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
その後、実施例２と同様にして、基準マークの形成、多層反射膜、キャッピング層、吸収体層、導電膜を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。
なお、実施例２と同様に基準マークのコントラスト及び欠陥検出位置のばらつきを評価したところ、実施例２と同様の結果が得られた。また、多層反射膜表面、ＥＵＶ反射型マスクブランク表面を、ブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）、マスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、欠陥個数、欠陥検出個数はそれぞれ数個、３７，０００個程度であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
上述の実施例３において、下地層表面の欠陥検査において、不合格となった例を挙げて本発明を説明したが、これに限らず、下地層表面の基準マーク形成工程において、基準マークの仕様が満たさなかった場合のガラス基板の再利用でも適用できることは言うまでもない。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．９６ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは９．６となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
また、ＣｒＮ下地層表面をブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で再度欠陥検査したところ（検査領域１４２ｍｍ×１４２ｍｍ）、サイズ６０ｎｍの欠陥は０個で良好であった。また、ＣｒＮ下地層表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）欠陥検出個数は２７，９０２個であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
その後、実施例２と同様にして、基準マークの形成、多層反射膜、キャッピング層、吸収体層、導電膜を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。
なお、実施例２と同様に基準マークのコントラスト及び欠陥検出位置のばらつきを評価したところ、実施例２と同様の結果が得られた。また、多層反射膜表面、ＥＵＶ反射型マスクブランク表面を、ブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）、マスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、欠陥個数、欠陥検出個数はそれぞれ数個、３７，０００個程度であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
上述の実施例３において、下地層表面の欠陥検査において、不合格となった例を挙げて本発明を説明したが、これに限らず、下地層表面の基準マーク形成工程において、基準マークの仕様が満たさなかった場合のガラス基板の再利用でも適用できることは言うまでもない。
（実施例４）
上述の実施例１において、Ｓｉ下地層の代わりに、膜の結晶構造がアモルファスからなるＣｒＮ層（Ｃｒ：９０ａｔ％、Ｎ：１０ａｔ％）とＳｉ層の積層下地層を使用した。ＣｒＮ層とＳｉ層の積層下地層は、まずＣｒターゲットを使用し、スパッタリングガスとしてＡｒガスとＨｅガスとＮ２ガスの混合ガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、５ｎｍのＣｒＮ層を成膜した。続いて、ＢドープＳｉターゲットを使用し、スパッタリングガスとしてＡｒガスとＨｅガスの混合ガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、１００ｎｍのＳｉ層を成膜した。
上述の実施例１において、Ｓｉ下地層の代わりに、膜の結晶構造がアモルファスからなるＣｒＮ層（Ｃｒ：９０ａｔ％、Ｎ：１０ａｔ％）とＳｉ層の積層下地層を使用した。ＣｒＮ層とＳｉ層の積層下地層は、まずＣｒターゲットを使用し、スパッタリングガスとしてＡｒガスとＨｅガスとＮ２ガスの混合ガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、５ｎｍのＣｒＮ層を成膜した。続いて、ＢドープＳｉターゲットを使用し、スパッタリングガスとしてＡｒガスとＨｅガスの混合ガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、１００ｎｍのＳｉ層を成膜した。
なお、上記ＣｒＮ層は、膜応力をなるべく小さくする必要があること、また上層に形成するＳｉ層の表面粗さの増加を防ぐ必要があることから、結晶構造がアモルファスであって、膜厚はなるべく薄い方がよい。一方、上層のＳｉ層に基準マークをフッ素系ドライエッチングで形成する場合のガラス基板に対するダメージを防ぐエッチングストッパーの機能を果たすためには、ある程度の膜厚が必要である。このような観点から、上記ＣｒＮ層の膜厚は、２〜２０ｎｍ、好ましくは３〜１５ｎｍとするのがよい。
実施例１と同様の方法によりＣｒＮ層とＳｉ層の積層下地層表面を精密研磨したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、平坦度は８５ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．０８ｎｍとなっており良好であった。
ＲＭＳで０．０８ｎｍ以下と極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．５０ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは６．２５となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
実施例１と同様の方法によりＣｒＮ層とＳｉ層の積層下地層表面を精密研磨したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、平坦度は８５ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．０８ｎｍとなっており良好であった。
ＲＭＳで０．０８ｎｍ以下と極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．５０ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは６．２５となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
ＣｒＮ層とＳｉ層の積層下地層表面をブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で欠陥検査したところ（検査領域１４２ｍｍ×１４２ｍｍ）、サイズ６０ｎｍの欠陥は０個で良好であった。また、上記積層下地層表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）欠陥検出個数は１５，０１３個であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
ＣｒＮ層とＳｉ層の積層下地層への基準マークの形成は、レジストパターンをマスクにしたフッ素系ガスによるドライエッチングにより、上層のＳｉ層に基準マーク（深さ：１００ｎｍ）を形成したこと以外は、実施例１と同様にして基準マークを形成したＥＵＶマスクブランク用ガラス基板を作製した。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、断面がほぼ垂直に立っており良好であった。
ＣｒＮ層とＳｉ層の積層下地層への基準マークの形成は、レジストパターンをマスクにしたフッ素系ガスによるドライエッチングにより、上層のＳｉ層に基準マーク（深さ：１００ｎｍ）を形成したこと以外は、実施例１と同様にして基準マークを形成したＥＵＶマスクブランク用ガラス基板を作製した。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、断面がほぼ垂直に立っており良好であった。
実施例１と同様にＣｒＮ層とＳｉ層の積層下地層上に、多層反射膜を形成して多層反射膜付き基板を作製した後、さらに、ＲｕＮｂキャッピング層、ＴａＢＮ膜とＴａＢＯ膜の積層膜からなる吸収体層を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。
なお、多層反射膜付き基板の状態で、多層反射膜表面の反射率を、EUV反射率計により評価したところ、実施例１と同様に下地層表面粗さばらつきを抑えたことにより、６７％±０．１５％と良好であった。
なお、実施例１と同様に基準マークのコントラスト及び欠陥検出位置のばらつきを評価したところ、多層反射膜表面に反映され形成された基準マークは、上記マスク／ブランクス欠陥検査装置で、検査光に対するコントラストは０．５０、欠陥検出位置のばらつきは９０ｎｍと良好であった。また、多層反射膜表面、ＥＵＶ反射型マスクブランク表面を、ブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）、マスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、欠陥個数、欠陥検出個数はそれぞれ、数個、１６，０００個程度であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
さらに、ＥＵＶ反射型マスクブランクを用いてＥＵＶ反射型マスクを作製した。実施例１と同様に、ＥＵＶ反射型マスクブランク、ＥＵＶ反射型マスクも良好に作製することができた。
なお、多層反射膜付き基板の状態で、多層反射膜表面の反射率を、EUV反射率計により評価したところ、実施例１と同様に下地層表面粗さばらつきを抑えたことにより、６７％±０．１５％と良好であった。
なお、実施例１と同様に基準マークのコントラスト及び欠陥検出位置のばらつきを評価したところ、多層反射膜表面に反映され形成された基準マークは、上記マスク／ブランクス欠陥検査装置で、検査光に対するコントラストは０．５０、欠陥検出位置のばらつきは９０ｎｍと良好であった。また、多層反射膜表面、ＥＵＶ反射型マスクブランク表面を、ブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）、マスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、欠陥個数、欠陥検出個数はそれぞれ、数個、１６，０００個程度であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
さらに、ＥＵＶ反射型マスクブランクを用いてＥＵＶ反射型マスクを作製した。実施例１と同様に、ＥＵＶ反射型マスクブランク、ＥＵＶ反射型マスクも良好に作製することができた。
（実施例５）
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理した合成石英基板（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２ｎｍであった。また、ガラス基板表面及び裏面の平坦度は約２９０ｎｍであった。
その後、実施例１と同様にして、表面加工工程を行った。
次に、得られたガラス基板上に、Ｓｉターゲットを使用し、スパッタリングガスとしてＡｒガスとＯ２ガスとＮ２ガスの混合ガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、１００ｎｍのＳｉＯＮ下地層を成膜した。ＳｉＯＮ下地層の組成は、Ｓｉ：４０原子％、Ｏ：２７原子％、Ｎ：３３原子％であった。
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理した合成石英基板（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．２ｎｍであった。また、ガラス基板表面及び裏面の平坦度は約２９０ｎｍであった。
その後、実施例１と同様にして、表面加工工程を行った。
次に、得られたガラス基板上に、Ｓｉターゲットを使用し、スパッタリングガスとしてＡｒガスとＯ２ガスとＮ２ガスの混合ガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、１００ｎｍのＳｉＯＮ下地層を成膜した。ＳｉＯＮ下地層の組成は、Ｓｉ：４０原子％、Ｏ：２７原子％、Ｎ：３３原子％であった。
実施例１と同様の方法によりＳｉＯＮ下地層表面を精密研磨したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、平坦度は８５ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．１０ｎｍとなっており良好であった。
ＲＭＳで０．１ｎｍ以下と極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、１．００ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは１０となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
ＲＭＳで０．１ｎｍ以下と極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、１．００ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは１０となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
ＳｉＯＮ下地層表面をブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳＭ１３５０）で欠陥検査したところ（検査領域１４２ｍｍ×１４２ｍｍ）、サイズ６０ｎｍの欠陥は０個で良好であった。また、ＳｉＯＮ下地層表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）欠陥検出個数は２９，５６３個であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
ＳｉＯＮ下地層への基準マークの形成は、実施例１と同様にして行い、基準マークを形成したバイナリマスクブランク用ガラス基板を作製した。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、断面がほぼ垂直に立っており良好であった。
ＳｉＯＮ下地層への基準マークの形成は、実施例１と同様にして行い、基準マークを形成したバイナリマスクブランク用ガラス基板を作製した。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、断面がほぼ垂直に立っており良好であった。
次に、上記ＳｉＯＮ下地層上に、以下のようにしてＴａＮ膜とＴａＯ膜の積層からなる遮光膜を形成した。
ターゲットにタンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（ガス圧０．０７６Ｐａ、ガス流量比 Ｘｅ：Ｎ２＝１１sccm：１５sccm）で、ＤＣ電源の電力を１．５ｋＷとし、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、ＴａＮ膜を膜厚４４．９ｎｍで成膜し、引き続いて、Ｔａターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ２）の混合ガス雰囲気（ガス圧０．３Ｐａ、ガス流量比 Ａｒ：Ｏ２＝５８sccm：３２．５sccm）で、ＤＣ電源の電力を０．７ｋＷとし、ＴａＯ膜を膜厚１３ｎｍで成膜することにより、ＴａＮ膜とＴａＯ膜の積層からなるＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）用遮光膜を形成して、バイナリマスクブランクを作製した。なお、ＡｒＦエキシマレーザーに対する遮光膜の光学濃度は３．０、表面反射率は１９．５％であった。
ターゲットにタンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（ガス圧０．０７６Ｐａ、ガス流量比 Ｘｅ：Ｎ２＝１１sccm：１５sccm）で、ＤＣ電源の電力を１．５ｋＷとし、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、ＴａＮ膜を膜厚４４．９ｎｍで成膜し、引き続いて、Ｔａターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ２）の混合ガス雰囲気（ガス圧０．３Ｐａ、ガス流量比 Ａｒ：Ｏ２＝５８sccm：３２．５sccm）で、ＤＣ電源の電力を０．７ｋＷとし、ＴａＯ膜を膜厚１３ｎｍで成膜することにより、ＴａＮ膜とＴａＯ膜の積層からなるＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）用遮光膜を形成して、バイナリマスクブランクを作製した。なお、ＡｒＦエキシマレーザーに対する遮光膜の光学濃度は３．０、表面反射率は１９．５％であった。
得られたバイナリマスクブランクについて、ブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で欠陥検査を行った。上述の下地層に形成した基準マークを基準として、凸、凹の欠陥位置情報と、欠陥サイズ情報を取得し、バイナリマスクブランクと、これら欠陥位置情報、欠陥サイズ情報とを対応させた欠陥情報付きバイナリマスクブランクを得た。なお、実施例１と同様に基準マークのコントラスト及び欠陥検出位置のばらつきを評価したところ、多層反射膜表面に反映され形成された基準マークは、上記マスク／ブランクス欠陥検査装置で、検査光に対するコントラストは０．５５、欠陥検出位置のばらつきは９２ｎｍと良好であった。また、バイナリマスクブランク表面を、ブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）、マスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、欠陥個数、欠陥検出個数はそれぞれ、数個、４０，０００個程度であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
次に、この欠陥情報付きのバイナリマスクブランクを用いて、バイナリマスクを作製した。
まず、バイナリマスクブランク上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法により塗布、ベーキングしてレジスト膜を形成した。
次に、実施例１と同様、バイナリマスクブランクの欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するか、修正パターンデータでも対応ができない欠陥については、マスク作製後の欠陥修正の負荷が低減できるマスクパターンデータに修正し、この修正されたマスクパターンデータに基づいて、上述のレジスト膜に対して電子線によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。
まず、バイナリマスクブランク上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法により塗布、ベーキングしてレジスト膜を形成した。
次に、実施例１と同様、バイナリマスクブランクの欠陥情報に基づいて、予め設計しておいたマスクパターンデータと照合し、露光装置を用いたパターン転写に影響のないマスクパターンデータに修正するか、パターン転写に影響があると判断した場合には、修正パターンデータを追加したマスクパターンデータに修正するか、修正パターンデータでも対応ができない欠陥については、マスク作製後の欠陥修正の負荷が低減できるマスクパターンデータに修正し、この修正されたマスクパターンデータに基づいて、上述のレジスト膜に対して電子線によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。
このレジストパターンをマスクとし、フッ素系ガス（ＣＦ４ガス）によりＴａＯ膜を、塩素系ガス（Ｃｌ２ガス）によりＴａＮ膜をエッチング除去して、遮光膜パターンを形成した。
さらに、遮光膜パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、バイナリマスクを得た。
さらに、遮光膜パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、バイナリマスクを得た。
（実施例６）
上述の実施例１において、Ｓｉ下地層の代わりに、ＴａＢＮ下地層（Ｔａ：８０ａｔ％、Ｂ：１０ａｔ％、Ｎ：１０ａｔ％）を使用した。ＴａＢＮ下地層は、ＴａＢターゲットを使用し、スパッタリングガスとしてＡｒガスとＮ２ガスの混合ガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、１５０ｎｍのＴａＢＮ下地層を成膜した。
実施例１と同様の方法によりＴａＢＮ下地層表面を精密研磨したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、平坦度は８５ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．０８５ｎｍとなっており非常に良好であった。
上述の実施例１において、Ｓｉ下地層の代わりに、ＴａＢＮ下地層（Ｔａ：８０ａｔ％、Ｂ：１０ａｔ％、Ｎ：１０ａｔ％）を使用した。ＴａＢＮ下地層は、ＴａＢターゲットを使用し、スパッタリングガスとしてＡｒガスとＮ２ガスの混合ガスを使用し、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより、１５０ｎｍのＴａＢＮ下地層を成膜した。
実施例１と同様の方法によりＴａＢＮ下地層表面を精密研磨したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、平坦度は８５ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．０８５ｎｍとなっており非常に良好であった。
ＲＭＳで０．１ｎｍ以下と極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．８ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは９．４となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
ＴａＢＮ下地層表面をブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で欠陥検査したところ（検査領域１４２ｍｍ×１４２ｍｍ）、サイズ６０ｎｍの欠陥は０個で良好であった。また、ＴａＢＮ下地層表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）欠陥検出個数は１９，３３７個であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．８ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは９．４となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。
ＴａＢＮ下地層表面をブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で欠陥検査したところ（検査領域１４２ｍｍ×１４２ｍｍ）、サイズ６０ｎｍの欠陥は０個で良好であった。また、ＴａＢＮ下地層表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）欠陥検出個数は１９，３３７個であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
ＴａＢＮ下地層への基準マークの形成は、ＦＩＢ（集束イオンビーム）で行った以外は、実施例１と同様にして基準マークを形成したＥＵＶマスクブランク用ガラス基板を作製した。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、断面がほぼ垂直に立っており良好であった。
実施例１と同様にＴａＢＮ下地層上に、多層反射膜を形成して多層反射膜付き基板を作製した後、さらに、ＲｕＮｂキャッピング層、ＴａＢＮ膜とＴａＢＯ膜の積層膜からなる吸収体層を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、断面がほぼ垂直に立っており良好であった。
実施例１と同様にＴａＢＮ下地層上に、多層反射膜を形成して多層反射膜付き基板を作製した後、さらに、ＲｕＮｂキャッピング層、ＴａＢＮ膜とＴａＢＯ膜の積層膜からなる吸収体層を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。
なお、多層反射膜付き基板の状態で、多層反射膜表面の反射率を、EUV反射率計により評価したところ、実施例１と同様に下地層表面粗さばらつきが抑えられたことにより、６７％±０．２５％と良好であった。
なお、実施例１と同様に基準マークのコントラスト及び欠陥検出位置のばらつきを評価したところ、多層反射膜表面に反映され形成された基準マークは、上記マスク／ブランクス欠陥検査装置で、検査光に対するコントラストは０．５１、欠陥検出位置のばらつきは９２ｎｍと良好であった。また、多層反射膜表面、ＥＵＶ反射型マスクブランク表面を、ブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）、マスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、欠陥個数、欠陥検出個数はそれぞれ、数個、２５，０００個程度であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
さらに、ＥＵＶ反射型マスクブランクを用いてＥＵＶ反射型マスクを作製した。実施例１と同様に、ＥＵＶ反射型マスクブランク、ＥＵＶ反射型マスクも良好に作製することができた。
なお、実施例１と同様に基準マークのコントラスト及び欠陥検出位置のばらつきを評価したところ、多層反射膜表面に反映され形成された基準マークは、上記マスク／ブランクス欠陥検査装置で、検査光に対するコントラストは０．５１、欠陥検出位置のばらつきは９２ｎｍと良好であった。また、多層反射膜表面、ＥＵＶ反射型マスクブランク表面を、ブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）、マスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、欠陥個数、欠陥検出個数はそれぞれ、数個、２５，０００個程度であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
さらに、ＥＵＶ反射型マスクブランクを用いてＥＵＶ反射型マスクを作製した。実施例１と同様に、ＥＵＶ反射型マスクブランク、ＥＵＶ反射型マスクも良好に作製することができた。
（実施例７）
上述の実施例１において、Ｓｉ下地層の形成をイオンビームスパッタリングにより行い、膜厚１００ｎｍを成膜した。
実施例１と同様の方法によりＳｉ下地層表面を精密研磨したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、平坦度は８５ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．０８ｎｍとなっており非常に良好であった。
ＲＭＳで０．０８ｎｍと極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。
上述の実施例１において、Ｓｉ下地層の形成をイオンビームスパッタリングにより行い、膜厚１００ｎｍを成膜した。
実施例１と同様の方法によりＳｉ下地層表面を精密研磨したところ、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの測定領域において、平坦度は８５ｎｍで、１００ｎｍ以下となっており良好であった。また、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．０８ｎｍとなっており非常に良好であった。
ＲＭＳで０．０８ｎｍと極めて高い平滑性を有しているので、高感度の欠陥検査装置におけるバックグランドノイズが低減し、擬似欠陥検出抑制の点でも効果がある。
また、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）は、１μｍ×１μｍの測定領域において、０．５５ｎｍで、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは６．８８となっており、表面粗さのばらつきは小さく良好であった。実施例１と比べ、表面粗さ及び表面粗さのばらつきが小さく良好であったのは、イオンビームスパッタリングにより成膜したＳｉ膜は、ＤＣマグネトロンスパッタリングにより成膜したＳｉ膜よりも、高い真空度で成膜するがゆえに、膜密度が高い緻密な膜が形成されたことによるものと考える。
Ｓｉ下地層表面をブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で欠陥検査したところ（検査領域１４２ｍｍ×１４２ｍｍ）、サイズ６０ｎｍの欠陥は０個で良好であった。また、Ｓｉ下地層表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）欠陥検出個数は１５，７４４個であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
Ｓｉ下地層表面をブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）で欠陥検査したところ（検査領域１４２ｍｍ×１４２ｍｍ）、サイズ６０ｎｍの欠陥は０個で良好であった。また、Ｓｉ下地層表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）欠陥検出個数は１５，７４４個であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果となった。この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
Ｓｉ下地層への基準マークの形成は、ＦＩＢ（集束イオンビーム）で行った以外は、実施例１と同様にして基準マークを形成したＥＵＶマスクブランク用ガラス基板を作製した。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、断面がほぼ垂直に立っており良好であった。
実施例１と同様にＳｉ下地層上に、多層反射膜を形成して多層反射膜付き基板を作製した後、さらに、ＲｕＮｂキャッピング層、ＴａＢＮ膜とＴａＢＯ膜の積層膜からなる吸収体層を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。
基準マークの断面形状を原子間力顕微鏡（AFM）により観察したところ、断面がほぼ垂直に立っており良好であった。
実施例１と同様にＳｉ下地層上に、多層反射膜を形成して多層反射膜付き基板を作製した後、さらに、ＲｕＮｂキャッピング層、ＴａＢＮ膜とＴａＢＯ膜の積層膜からなる吸収体層を形成してＥＵＶ反射型マスクブランクを得た。
なお、多層反射膜付き基板の状態で、多層反射膜表面の反射率を、EUV反射率計により評価したところ、実施例１と同様に下地層表面粗さばらつきが抑えられたことにより、６７％±０．２％と良好であった。
なお、実施例１と同様に基準マークのコントラスト及び欠陥検出位置のばらつきを評価したところ、多層反射膜表面に反映され形成された基準マークは、上記マスク／ブランクス欠陥検査装置で、検査光に対するコントラストは０．５１、欠陥検出位置のばらつきは９０ｎｍと良好であった。また、多層反射膜表面、ＥＵＶ反射型マスクブランク表面を、ブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）、マスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、欠陥個数、欠陥検出個数はそれぞれ、数個、１６，０００個程度であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果で、この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
さらに、ＥＵＶ反射型マスクブランクを用いてＥＵＶ反射型マスクを作製した。実施例１と同様に、ＥＵＶ反射型マスクブランク、ＥＵＶ反射型マスクも良好に作製することができた。
なお、実施例１と同様に基準マークのコントラスト及び欠陥検出位置のばらつきを評価したところ、多層反射膜表面に反映され形成された基準マークは、上記マスク／ブランクス欠陥検査装置で、検査光に対するコントラストは０．５１、欠陥検出位置のばらつきは９０ｎｍと良好であった。また、多層反射膜表面、ＥＵＶ反射型マスクブランク表面を、ブランクス欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ Ｍ１３５０）、マスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、欠陥個数、欠陥検出個数はそれぞれ、数個、１６，０００個程度であった。後述する参考例の欠陥検出個数１００，０００個超と比較して、欠陥検出個数が大幅に抑制された結果で、この程度の欠陥検出個数であれば、異物や傷などの致命欠陥の有無を検出することができる。
さらに、ＥＵＶ反射型マスクブランクを用いてＥＵＶ反射型マスクを作製した。実施例１と同様に、ＥＵＶ反射型マスクブランク、ＥＵＶ反射型マスクも良好に作製することができた。
（参考例）
実施例１と同様に表面加工工程を行ったＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）で１．７８ｎｍであった。また、このガラス基板表面及び裏面の平坦度は約２９０ｎｍであった。
実施例１と同様に表面加工工程を行ったＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板（大きさが約１５２．４ｍｍ×約１５２．４ｍｍ、厚さが約６．３５ｍｍ）を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．１５ｎｍ、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）で１．７８ｎｍであった。また、このガラス基板表面及び裏面の平坦度は約２９０ｎｍであった。
次に、上記ガラス基板の主表面に、ＣｒＯＣＮ（Ｃｒ：Ｏ：Ｃ：Ｎ＝３３：３６：２０：１１ 原子％比）からなるマーク形成用薄膜をスパッタリング法により１０ｎｍの膜厚で成膜した。
上記マーク形成用薄膜上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法で塗布、ベーキングして膜厚３００ｎｍのレジスト膜を形成した。基準マークを形成する箇所に電子線描画装置により描画し、その後、現像してレジストパターンを形成した。レジストパターンをマスクにして、塩素と酸素の混合ガスで上記マーク形成用薄膜をドライエッチングして、マーク形成用薄膜に基準マークのパターンを転写した。さらに、このマーク形成用薄膜のパターンをマスクとして、フッ素系ガス（ＣＦ４ガス）とＨｅガスの混合ガスでガラス基板をドライエッチングした。残っているマーク形成用薄膜を塩素と酸素の混合ガスでエッチング除去した。こうして、ガラス基板主表面に直接基準マークを形成した。
上記マーク形成用薄膜上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法で塗布、ベーキングして膜厚３００ｎｍのレジスト膜を形成した。基準マークを形成する箇所に電子線描画装置により描画し、その後、現像してレジストパターンを形成した。レジストパターンをマスクにして、塩素と酸素の混合ガスで上記マーク形成用薄膜をドライエッチングして、マーク形成用薄膜に基準マークのパターンを転写した。さらに、このマーク形成用薄膜のパターンをマスクとして、フッ素系ガス（ＣＦ４ガス）とＨｅガスの混合ガスでガラス基板をドライエッチングした。残っているマーク形成用薄膜を塩素と酸素の混合ガスでエッチング除去した。こうして、ガラス基板主表面に直接基準マークを形成した。
得られたガラス基板の表面粗さを測定したところ、表面粗さは、１μｍ×１μｍの測定領域において、二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．１６ｎｍ、最大表面粗さＲｍａｘで１．９５ｎｍであった。本参考例では、ＴｉＯ２−ＳｉＯ２系ガラス基板のため、表面粗さとしてＲＭＳで０．１ｎｍ以下の高平滑性を実現することが困難であった。高感度の欠陥検査において、表面粗さによるバックグランドノイズとなり、擬似欠陥検出が増加する恐れがある。実際に、上述の実施例１と同様にＣｒＯＣＮからなるマーク形成用薄膜表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、欠陥検出個数は１００，０００個を超え、異物や傷などの致命欠陥の有無を検査することができなかった。また、ガラス基板に直接基準マークを形成しているため、基準マーク形成後の基板再利用が困難である。
また、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは、１２．２となっており、上述の実施例と比較して大きな値となった。このガラス基板表面に、実施例１と同様にして多層反射膜を成膜した後、多層反射膜表面の反射率をEUV反射率計により評価したところ、６６％±０．３５％となり、上述の実施例と比べて悪い結果となった。
なお、実施例１と同様に基準マークのコントラスト及び欠陥検出位置のばらつきを評価したところ、多層反射膜表面に反映され形成された基準マークは、上記マスク／ブランクス欠陥検査装置で、検査光に対するコントラストは０．４８、欠陥検出位置のばらつきは９２ｎｍと実施例１とほぼ同じ結果であったが、多層反射膜表面、ＥＵＶ反射型マスクブランク表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、欠陥検出個数は１００，０００個を超え、異物や傷などの致命欠陥の有無を検査することができなかった。
また、Ｒｍａｘ／ＲＭＳは、１２．２となっており、上述の実施例と比較して大きな値となった。このガラス基板表面に、実施例１と同様にして多層反射膜を成膜した後、多層反射膜表面の反射率をEUV反射率計により評価したところ、６６％±０．３５％となり、上述の実施例と比べて悪い結果となった。
なお、実施例１と同様に基準マークのコントラスト及び欠陥検出位置のばらつきを評価したところ、多層反射膜表面に反映され形成された基準マークは、上記マスク／ブランクス欠陥検査装置で、検査光に対するコントラストは０．４８、欠陥検出位置のばらつきは９２ｎｍと実施例１とほぼ同じ結果であったが、多層反射膜表面、ＥＵＶ反射型マスクブランク表面をマスク／ブランク欠陥検査装置（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製Ｔｅｒｏｎ６００）で欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、欠陥検出個数は１００，０００個を超え、異物や傷などの致命欠陥の有無を検査することができなかった。
なお、上述の実施例では、いずれも基準マークをフォトリソ法により形成した例を挙げて説明したが、これに限定されない。前にも説明したとおり、基準マークの断面形状が凹形状の場合、レーザー光やイオンビームによる凹部形成、ダイヤモンド針を走査しての加工痕、微小圧子によるインデンション、インプリント法による型押しなどで形成することができる。また、基準マークの断面形状が凸形状の場合、ＦＩＢやスパッタリング法などによる部分成膜などで形成することができる。
また、上記で説明した実施の形態以外にも、以下の構成Ａ〜Ｄでも、高感度の欠陥検査装置において、擬似欠陥検出を抑制でき、基準マークを基準とする欠陥位置等の検出精度を向上させることができ、しかも、ガラス基板の再生（再利用）が可能なマスクブランク用基板、又は該基板上に多層反射膜を形成した多層反射膜付き基板、マスクブランク、及びマスクを得ることができる。
（構成Ａ）主表面粗さをもつ主表面を有する基板と、
前記主表面上に形成され、前記主表面粗さよりも小さい下地層表面粗さを有する下地層と、
前記下地層上に形成され、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを備えたマスクブランク用基板。
（構成Ｂ）構成Ａにおいて、前記下地層上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜を有することを特徴とする多層反射膜付き基板。
（構成Ｃ）構成Ａに記載のマスクブランク用基板における前記下地層上、又は構成Ｂに記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる薄膜を有することを特徴とするマスクブランク。
（構成Ｄ）構成Ａに記載のマスクブランク用基板における前記下地層上、又は構成Ｂに記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンを有することを特徴とするマスク。
なお、上述の構成Ａ〜Ｄのマスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、マスクブランク、マスクについては、さらに、上記発明を実施するための形態に記載している詳細な構成を備えることができる。
（構成Ａ）主表面粗さをもつ主表面を有する基板と、
前記主表面上に形成され、前記主表面粗さよりも小さい下地層表面粗さを有する下地層と、
前記下地層上に形成され、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを備えたマスクブランク用基板。
（構成Ｂ）構成Ａにおいて、前記下地層上にＥＵＶ光を反射する多層反射膜を有することを特徴とする多層反射膜付き基板。
（構成Ｃ）構成Ａに記載のマスクブランク用基板における前記下地層上、又は構成Ｂに記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる薄膜を有することを特徴とするマスクブランク。
（構成Ｄ）構成Ａに記載のマスクブランク用基板における前記下地層上、又は構成Ｂに記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンを有することを特徴とするマスク。
なお、上述の構成Ａ〜Ｄのマスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、マスクブランク、マスクについては、さらに、上記発明を実施するための形態に記載している詳細な構成を備えることができる。
１１ ガラス基板
１２ａ ラフアライメントマーク
１２ｂ ファインマーク
２０ マスクブランク用ガラス基板
２１ 下地層
２２ 基準マーク
３０ 多層反射膜付き基板
３１ 多層反射膜
３２ 保護層
４０ 反射型マスクブランク
４１ 吸収体層
５０ バイナリマスクブランク
５１ 遮光層
６０ 反射型マスク
７０ バイナリマスク
１２ａ ラフアライメントマーク
１２ｂ ファインマーク
２０ マスクブランク用ガラス基板
２１ 下地層
２２ 基準マーク
３０ 多層反射膜付き基板
３１ 多層反射膜
３２ 保護層
４０ 反射型マスクブランク
４１ 吸収体層
５０ バイナリマスクブランク
５１ 遮光層
６０ 反射型マスク
７０ バイナリマスク
Claims (10)
- マスクブランク用ガラス基板であって、
転写パターンが形成される側の前記マスクブランク用ガラス基板の主表面上に形成された下地層を備え、
前記下地層は、Si又はSiONからなる材料、または、Al、Ta、Zr、Cr又はこれらのうちの少なくとも一つの元素を含有する材料からなり、
前記下地層の表面は、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）が０．１５ｎｍ以下であり、最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）と二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）との関係において、Ｒｍａｘ／ＲＭＳが２〜１０であることを特徴とするマスクブランク用ガラス基板。 - 前記下地層は、アモルファス構造を有する材料からなることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用ガラス基板。
- 前記下地層は、塩素系ガスによるエッチング除去が可能な材料であることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用ガラス基板。
- 前記下地層は、異なる材質の積層構造であることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク用ガラス基板。
- 前記下地層は、欠陥情報における欠陥位置の基準となる基準マークを有することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載のマスクブランク用ガラス基板。
- 前記下地層の膜厚は、２０〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一に記載のマスクブランク用ガラス基板。
- 前記ガラス基板は、SiO2-TiO2系ガラス、多成分系ガラスセラミックスの何れかであることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一に記載のマスクブランク用ガラス基板。
- 請求項１乃至７の何れか一に記載のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層の表面又は前記下地層上にEUV光を反射する多層反射膜が形成されていることを特徴とする多層反射膜付き基板。
- 請求項１乃至７の何れか一に記載のマスクブランク用ガラス基板における前記下地層上、又は請求項８に記載の多層反射膜付き基板における前記多層反射膜上に、転写パターンとなる薄膜が形成されていることを特徴とするマスクブランク。
- 請求項９に記載のマスクブランクにおける前記薄膜がパターニングされていることを特徴とするマスク。
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