JP5327046B2 - Ｅｕｖマスクブランク - Google Patents
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Description
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」という。）、および該マスクブランクの製造に使用される基板（以下、本明細書において、「マスクブランク用基板」という。）、もしくは該基板上に反射層、保護層等の機能膜が形成された機能膜付基板に関する。
また、本発明は、本発明のＥＵＶマスクブランク、マスクブランク用基板、もしくは機能膜付基板を用いた欠点検査方法、欠点修正方法に関する。
また、本発明は、本発明のＥＵＶマスクブランクを用いたＥＵＶマスクの製造方法に関する。
また、本発明は、本発明のＥＵＶマスクブランク、マスクブランク用基板、もしくは機能膜付基板を用いた欠点検査方法、欠点修正方法に関する。
また、本発明は、本発明のＥＵＶマスクブランクを用いたＥＵＶマスクの製造方法に関する。
半導体デバイスの高集積化に伴い、リソグラフィ用のマスクブランク、およびマスクブランク用基板に許容される欠点の最大サイズがますます小さくなっている。具体的にはハーフピッチ３２ｎｍ以下の半導体デバイスを作製するためのリソグラフィ技術として、波長約１３．５ｎｍの光を使用したＥＵＶリソグラフィが検討されているが、ＥＵＶリソグラフィ用マスクブランク（以下、「ＥＵＶマスクブランク」という。）、およびマスクブランク用基板においては、大きさが球相当直径で約３０ｎｍ程度以上の凹凸欠点が存在しないことが要求されている。
しかしながら、球相当直径で３０ｎｍといった非常に小さな欠点が全く存在しないＥＵＶマスクブランクおよびＥＵＶマスクブランク用基板を実現することは非常に困難である。このため、ＥＵＶマスクブランクおよびマスクブランク用基板の欠点を修正する方法がいろいろ提案されている。たとえば、マスクブランク用基板上に存在するパーティクルを除去する方法として、レーザ光を局所的に照射することにより、基板を局所的に加熱し、基板／パーティクル間の熱膨張差により、パーティクルを除去する方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。また、ＥＵＶマスクブランクにおいては、反射多層膜中に埋まったパーティクルによる段差（位相欠点）を解消するために、電子ビームなどを局所的に照射し、シリサイド形成による体積収縮を理由した段差解消方法が検討されている（たとえば、特許文献２参照）。
これら方法を用いて欠点を修正するためには、欠点の位置を正確に把握する必要がある。しかしながら、現状のＥＵＶマスクブランクおよびマスクブランク用基板は、各種プロセス装置（パターニング装置、欠点修正装置など）や評価装置（欠点検査機など）において基板外形を基準に位置決めされることが通常であるが、位置決め精度が５０〜１００ｕｍ程度と低く、球相当直径で３０ｎｍといった非常に小さな欠点の位置を正確に特定することは困難であった。また、位置決め精度が低いため、欠点の位置を特定するのに長時間を要していた。
これら方法を用いて欠点を修正するためには、欠点の位置を正確に把握する必要がある。しかしながら、現状のＥＵＶマスクブランクおよびマスクブランク用基板は、各種プロセス装置（パターニング装置、欠点修正装置など）や評価装置（欠点検査機など）において基板外形を基準に位置決めされることが通常であるが、位置決め精度が５０〜１００ｕｍ程度と低く、球相当直径で３０ｎｍといった非常に小さな欠点の位置を正確に特定することは困難であった。また、位置決め精度が低いため、欠点の位置を特定するのに長時間を要していた。
上記した従来技術の問題点を解決するため、球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠点の位置を正確に特定することができるＥＵＶマスクブランク、マスクブランク用基板、および機能膜付基板を提供することを目的とする。
また、本発明は、これらＥＵＶマスクブランク、マスクブランク用基板、若しくは機能膜付基板を用いた欠点検査方法、欠点修正方法およびＥＵＶマスクの製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、これらＥＵＶマスクブランク、マスクブランク用基板、若しくは機能膜付基板を用いた欠点検査方法、欠点修正方法およびＥＵＶマスクの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は上記の目的を達成するため、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板であって、
基板の成膜面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板（以下、「本発明のマスクブランク用基板」という。）を提供する。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）成膜面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
基板の成膜面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板（以下、「本発明のマスクブランク用基板」という。）を提供する。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）成膜面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
また、本発明は、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層が形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板であって、
前記反射層表面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板（以下、「本発明の反射層付基板」という。）を提供する。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）反射層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
前記反射層表面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板（以下、「本発明の反射層付基板」という。）を提供する。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）反射層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層を保護する保護層とがこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板であって、
前記保護層表面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板（以下、「本発明の反射層・保護層付基板」という。）を提供する。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）保護層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
前記保護層表面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板（以下、「本発明の反射層・保護層付基板」という。）を提供する。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）保護層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
以下、本明細書において、上記した本発明のマスクブランク用基板、本発明の反射層付基板および本発明の反射層・保護層付基板を総称して、本発明のＥＵＶマスクブランク用基板（広義）という場合もある。
また、本発明は、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記吸収体層表面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク（Ａ）を提供する。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）吸収体層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
前記吸収体層表面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク（Ａ）を提供する。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）吸収体層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
また、本発明は、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層、およびマスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層がこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記低反射層表面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク（Ｂ）を提供する。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）低反射層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
前記低反射層表面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク（Ｂ）を提供する。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）低反射層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
以下、本明細書において、前述のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク（Ａ）および（Ｂ）を総称して、本発明のＥＵＶマスクブランクという。
本発明のＥＵＶマスクブランクにおいて、前記反射層と、前記吸収体層と、の間に、前記吸収体層を保護する保護層が形成されていることが好ましい。
本発明のＥＵＶマスクブランク、マスクブランク用基板、反射層付基板、および反射層・保護層付基板において、マークが、パターニング時の露光領域外に形成されていることが好ましい。
また、本発明のマスクブランク用基板において、前記マークが、前記成膜面の１０８×１３２ｍｍ□〜１４９×１４９ｍｍ□の範囲内に形成されていることが好ましい。
また、本発明の反射層付基板において、前記マークが、前記反射層表面の１０８×１３２ｍｍ□〜１４９×１４９ｍｍ□の範囲内に形成されていることが好ましい。
また、本発明の反射層・保護層付基板において、前記マークが、前記保護層表面の１０８×１３２ｍｍ□〜１４９×１４９ｍｍ□の範囲内に形成されていることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ）において、前記マークが、前記吸収体層表面の１０８×１３２ｍｍ□〜１４９×１４９ｍｍ□の範囲内に形成されていることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ｂ）において、前記マークが、前記低反射層表面の１０８×１３２ｍｍ□〜１４９×１４９ｍｍ□の範囲内に形成されていることが好ましい。
本発明のＥＵＶマスクブランク、マスクブランク用基板、反射層付基板、および反射層・保護層付基板において、前記マーク間の距離が、それぞれ１５０ｎｍ以上離れていることが好ましい。
また、本発明のマスクブランク用基板において、さらに、前記基板の成膜面に、前記マークを識別するための補助マークが形成されていることが好ましい。
また、本発明の反射層付基板において、さらに、前記反射層表面に、前記マークを識別するための補助マークが形成されていることが好ましい。
また、本発明の反射層・保護層付基板において、さらに、前記保護層表面に、前記マークを識別するための補助マークが形成されていることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ａ）において、さらに、前記吸収体層表面に、前記マークを識別するための補助マークが形成されていることが好ましい。
また、本発明のＥＵＶマスクブランク（Ｂ）において、さらに、前記低反射層表面に前記マークを識別するための補助マークが形成されていることが好ましい。
また、本発明は、前記成膜面に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程を含む本発明のマスクブランク用基板の欠点検査方法を提供する。
また、本発明は、前記成膜面に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程、および該工程で位置が特定された欠点を修正する工程を含む本発明のマスクブランク用基板の欠点修正方法を提供する。
また、本発明は、前記反射層表面に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程を含む本発明の反射層付基板の欠点検査方法を提供する。
また、本発明は、前記反射層表面に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程、および該工程で位置が特定された欠点を修正する工程を含む本発明の反射層付基板の欠点修正方法を提供する。
また、本発明は、前記保護層表面に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程を含む本発明の反射層・保護層付基板の欠点検査方法を提供する。
また、本発明は、前記保護層表面に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程、および該工程で位置が特定された欠点を修正する工程を含む本発明の反射層・保護層付基板の欠点修正方法を提供する。
また、本発明は、前記吸収体層表面に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程を含む本発明のＥＵＶマスクブランクの欠点検査方法を提供する。
また、本発明は、前記吸収体層表面に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程、および該工程で特定された欠点の位置に基づいて、マスクブランクにパターニングする位置を微調整する工程を含む、本発明のＥＵＶマスクブランクを用いてＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクを製造する方法（Ｃ）を提供する。
また、本発明は、前記低反射層表面に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程を含む本発明のＥＵＶマスクブランクの欠点検査方法を提供する。
また、本発明は、前記低反射層表面に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程、および該工程で特定された欠点の位置に基づいて、マスクブランクにパターニングする位置を微調整する工程を含む、本発明のＥＵＶマスクブランクを用いてＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクを製造する方法（Ｄ）を提供する。
以下、本明細書において、前述のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクを製造する方法（Ｃ）および（Ｄ）のことを本発明のＥＵＶマスクの製造方法という。
本発明によれば、ＥＵＶマスクブランクもしくはＥＵＶマスクブランク用基板（広義）の検査の際に、球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠点の位置を正確に特定することができる。
また、本発明によれば、ＥＵＶマスクブランクもしくはＥＵＶマスクブランク用基板（広義）の欠点修正の際に、球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠点の位置を正確に特定し、位置が特定された欠点を修正するため、ＥＵＶリソグラフィの実施に悪影響を及ぼすおそれのある欠点のないＥＵＶマスクブランクもしくはＥＵＶマスクブランク用基板（広義）を得ることができる。
また、本発明によれば、球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠点の位置を正確に特定し、特定された欠点の位置に基づいて、ＥＵＶマスクブランクにパターニングする位置を微調整するため、パターンに影響を及ぼす位置に欠点のない、あるいは欠点が及ぼすパターン精度への影響が最小限に抑えられたＥＵＶマスクを得ることができる。
また、本発明によれば、ＥＵＶマスクブランクもしくはＥＵＶマスクブランク用基板（広義）の欠点修正の際に、球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠点の位置を正確に特定し、位置が特定された欠点を修正するため、ＥＵＶリソグラフィの実施に悪影響を及ぼすおそれのある欠点のないＥＵＶマスクブランクもしくはＥＵＶマスクブランク用基板（広義）を得ることができる。
また、本発明によれば、球相当直径で３０ｎｍ程度の微小な欠点の位置を正確に特定し、特定された欠点の位置に基づいて、ＥＵＶマスクブランクにパターニングする位置を微調整するため、パターンに影響を及ぼす位置に欠点のない、あるいは欠点が及ぼすパターン精度への影響が最小限に抑えられたＥＵＶマスクを得ることができる。
１：基板
１１：１０８×１３２ｍｍ□
１２：１４９×１４９ｍｍ□
２ａ〜２ｃ：マーク
２０，２１：マーク間を結ぶ軸
３ａ〜２ｃ：欠点
１１：１０８×１３２ｍｍ□
１２：１４９×１４９ｍｍ□
２ａ〜２ｃ：マーク
２０，２１：マーク間を結ぶ軸
３ａ〜２ｃ：欠点
以下、図面を参照して本発明を説明する。
＜マスクブランク用基板＞
図１は、本発明のマスクブランク用基板の一例を示した平面図である。図１では、基板１の成膜面、すなわち、ＥＵＶマスクブランクの製造工程でその上に多層反射膜および吸収体層が形成される側の基板表面が示されている。なお、図１中の各構成要素は、理解を容易にするため、実際とは異なる寸法で示されている場合がある。
本発明のマスクブランク用基板１では、該基板１の成膜面に存在する欠点（３ａ，３ｂ，３ｃ）の位置を正確に特定するため、該成膜面上に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）が形成されている。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）成膜面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
＜マスクブランク用基板＞
図１は、本発明のマスクブランク用基板の一例を示した平面図である。図１では、基板１の成膜面、すなわち、ＥＵＶマスクブランクの製造工程でその上に多層反射膜および吸収体層が形成される側の基板表面が示されている。なお、図１中の各構成要素は、理解を容易にするため、実際とは異なる寸法で示されている場合がある。
本発明のマスクブランク用基板１では、該基板１の成膜面に存在する欠点（３ａ，３ｂ，３ｃ）の位置を正確に特定するため、該成膜面上に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）が形成されている。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）成膜面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
本発明において、マスクブランク用基板１の成膜面にマーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）を形成する目的は、欠点検査機を用いて成膜面を検査した際に、マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）との相対位置として、より具体的には、マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）間を結ぶ軸（２０，２１）との相対位置として、基板１の成膜面における欠点（３ａ，３ｂ，３ｃ）の位置を特定するためである。
したがって、マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）は、欠点検査機によって検出可能であることが要求される。このため、マスクブランク用基板１の成膜面に形成するマーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）は、成膜面に対して凹状または凸状に変形した部位を有する。
したがって、マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）は、欠点検査機によって検出可能であることが要求される。このため、マスクブランク用基板１の成膜面に形成するマーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）は、成膜面に対して凹状または凸状に変形した部位を有する。
本発明でマークの大きさの指標として用いる球相当直径ＳＥＶＤ（ｎｍ）は、このような成膜面から凹状または凸状に変形した部位の体積から下記式により算出することができる。
ＳＥＶＤ＝２（３Ｖ／４π）1/3
ここで、Ｖは、図２に示すように、成膜面から測定した凹部の最大深さをｈとした場合に、成膜面から０．９ｈに相当する深さまでの凹部の体積（ｎｍ3）である。マークが成膜面に対して凸状に変形した部位を有する場合、成膜面から０．９ｈ（ｈは成膜面から測定した凸部の最大高さ）に相当する高さまでの凸部の体積である。なお、Ｖは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定することができる。
マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）の大きさが球相当直径で３０ｎｍ以上であれば欠点検査機により十分検出可能である。
一方、マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）の大きさが、球相当直径で１００ｎｍ超だと、欠点検査機によるマークの検出位置精度が低い。例えば、成膜面を欠点検査機で検査した際に、検出されるマークの位置にばらつきが生じ、マークの検出位置再現性が低い。その結果、マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）間を結ぶ軸（２０，２１）との相対位置として特定される欠点（３ａ，３ｂ，３ｃ）の位置の精度が低い。つまり、マークが大きすぎるとマークの位置を正確に検出することが困難となり、マークとの相対位置として特定される欠点の位置がかえって不明確になる。
ＳＥＶＤ＝２（３Ｖ／４π）1/3
ここで、Ｖは、図２に示すように、成膜面から測定した凹部の最大深さをｈとした場合に、成膜面から０．９ｈに相当する深さまでの凹部の体積（ｎｍ3）である。マークが成膜面に対して凸状に変形した部位を有する場合、成膜面から０．９ｈ（ｈは成膜面から測定した凸部の最大高さ）に相当する高さまでの凸部の体積である。なお、Ｖは原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により測定することができる。
マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）の大きさが球相当直径で３０ｎｍ以上であれば欠点検査機により十分検出可能である。
一方、マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）の大きさが、球相当直径で１００ｎｍ超だと、欠点検査機によるマークの検出位置精度が低い。例えば、成膜面を欠点検査機で検査した際に、検出されるマークの位置にばらつきが生じ、マークの検出位置再現性が低い。その結果、マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）間を結ぶ軸（２０，２１）との相対位置として特定される欠点（３ａ，３ｂ，３ｃ）の位置の精度が低い。つまり、マークが大きすぎるとマークの位置を正確に検出することが困難となり、マークとの相対位置として特定される欠点の位置がかえって不明確になる。
特開２００７−３３８５７号公報に記載されているように、製造管理等のための識別コードや基板検査データ情報等を含むマークをマスクブランク用基板に設けることは従来行われている。しかしながら、これらの目的で設けられるマークは、通常走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や光学顕微鏡で検出可能であることが必要であること、および識別コード、基板検査データ情報等の情報を含める必要があること等の理由から比較的大きく、マイクロメートルオーダーの大きさであった。例えば、特開２００７−３３８５７号公報には、開口部幅が１００〜５００μｍで深さが３〜２０μｍの凹部をマークとして基板に形成すると記載されている。このような大きさのマークを有する基板を欠点検出機で検査した場合、マークの検出位置精度が極めて低い。例えば、検出されるマークの位置にかなりのばらつきが生じ、マークの検出位置再現性が極めて低くなり、マークの検出位置のずれ量が＋／−５００ｎｍ超となる。
このような検出位置精度が低いマークとの相対位置として欠点の位置を特定したとしても、特定される欠点の位置の精度は極めて低く、欠点の修正等に用いるには不十分である。
このような検出位置精度が低いマークとの相対位置として欠点の位置を特定したとしても、特定される欠点の位置の精度は極めて低く、欠点の修正等に用いるには不十分である。
マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍであれば、欠点検査機で検出可能であり、かつマークの検出位置精度に優れ、例えば、マークの検出位置再現性に優れ、検出位置のずれ量が＋／−１５０ｎｍ以下である。より好ましいマークの大きさは、球相当直径で４０〜８０ｎｍである。
この点に関して、特開２００７−３３８５７号公報に記載のマークのような製造管理等のための識別コードや基板検査データ情報等を含む従来のマーク、および本発明において基板に成膜面に形成されるマークについて、欠点検査機による検出位置再現性を比較する比較実験を実施した。
この点に関して、特開２００７−３３８５７号公報に記載のマークのような製造管理等のための識別コードや基板検査データ情報等を含む従来のマーク、および本発明において基板に成膜面に形成されるマークについて、欠点検査機による検出位置再現性を比較する比較実験を実施した。
比較実験
欠点検査機を用いて、表面に様々な大きさのマーク（基板表面に対して凸状に変形した部位を有するもの）を有する基板をロード／アンロードすることなく繰り返し５回連続検査して、マークの検出位置のずれ量を求めた。
表１に、従来のマーク（ピクセル１２８６、球相当直径（ＳＥＶＤ）２μｍ）についての結果を示す。表１には、各回の検査結果と、１回目の検査結果（検出座標）を基準とした場合の２〜５回目の検査時の検出座標の変位量、および下記式を用いて求めたずれ量が示されている。
ずれ＝｛（ｘ方向変位量）2＋（ｙ方向変位量）2｝0.5
表１において、最大ずれ量は４５５５ｎｍであった。
表２には、本発明に係るマーク（ピクセル８.４、球相当直径（ＳＥＶＤ）７０ｎｍ）についての上記と同様の結果を示す。表２において、最大ずれ量は２０６ｎｍであった。
欠点検査機を用いて、表面に様々な大きさのマーク（基板表面に対して凸状に変形した部位を有するもの）を有する基板をロード／アンロードすることなく繰り返し５回連続検査して、マークの検出位置のずれ量を求めた。
表１に、従来のマーク（ピクセル１２８６、球相当直径（ＳＥＶＤ）２μｍ）についての結果を示す。表１には、各回の検査結果と、１回目の検査結果（検出座標）を基準とした場合の２〜５回目の検査時の検出座標の変位量、および下記式を用いて求めたずれ量が示されている。
ずれ＝｛（ｘ方向変位量）2＋（ｙ方向変位量）2｝0.5
表１において、最大ずれ量は４５５５ｎｍであった。
これらと同様に、ピクセル１２８６（球相当直径（ＳＥＶＤ）約２μｍ）〜ピクセル６．２（球相当直径（ＳＥＶＤ）６４ｎｍ）の計９個のマークについて、検出位置のずれ量を求めた。結果を表３に示す。
ピクセル６．２（球相当直径（ＳＥＶＤ）６４ｎｍ）〜ピクセル４４（球相当直径（ＳＥＶＤ）３７０ｎｍ）の計６個のマークについて、最大ずれ量とＳＥＶＤとの関係を図３に示した。図３から明らかなように、ＳＥＶＤ１００ｎｍ以下（ピクセル１０以下）のマークでは、最大ずれ量は高々３００ｎｍ（したがって、ずれ量が＋／−１５０ｎｍ以下）と問題ないレベルである。一方、ＳＥＶＤ２００ｎｍ以上（ピクセル２０以上）のマークでは、最大ずれ量は１μｍを超えていた（したがって、ずれ量が＋／−５００ｎｍ超）。
さらにＳＥＶＤが大きなマークでは、ＳＥＶＤ約４ｕｍ（ピクセル２０４）のマークの場合、最大ずれ量が３．６ｕｍ、ＳＥＶＤ約１２ｕｍ（ピクセル６９３）のマークの場合、最大ずれ量が１１ｕｍと、最大ずれ量がさらに大きかった。
さらにＳＥＶＤが大きなマークでは、ＳＥＶＤ約４ｕｍ（ピクセル２０４）のマークの場合、最大ずれ量が３．６ｕｍ、ＳＥＶＤ約１２ｕｍ（ピクセル６９３）のマークの場合、最大ずれ量が１１ｕｍと、最大ずれ量がさらに大きかった。
なお、欠点検査機でマークを検出した際の検出位置再現性が＋／−１５０ｎｍ以下であることを考慮すると、各マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）間の距離は１５０ｎｍ以上離れていることが好ましく、１ｃｍ以上離れていることがより好ましく、５ｃｍ以上離れていることがさらに好ましい。
マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）間を結ぶ軸（２０，２１）との相対位置として、基板１の成膜面における欠点（３ａ，３ｂ，３ｃ）の正確な位置を特定するためには、少なくとも２軸必要である。このため、成膜面には少なくとも３つのマーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）を設ける必要があり、かつこれら３つのマーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）が成膜面上で同一の仮想直線に載らないよう配置することが必要となる。
なお、成膜面に形成するマークの数は３つに限定されず、４つ以上であってもよい。マークの数が４つ以上の場合、これらのマークのうち、３つが成膜面上で同一の仮想直線に載らないように配置すればよい。
なお、成膜面に形成するマークの数は３つに限定されず、４つ以上であってもよい。マークの数が４つ以上の場合、これらのマークのうち、３つが成膜面上で同一の仮想直線に載らないように配置すればよい。
マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）は、その大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍである限りその形状は特に限定されず、成膜面における平面形状が、三角形、矩形、若しくは他の多角形形状であってもよく、楕円形であってもよく、３本のラインを平行配置した川の字形状、２本のラインが交差する十字形状のような複数の要素で１つのマークを構成するものであってもよい。但し、欠点検査機によるマークの検出位置精度という点から、成膜面における平面形状が円形であることが好ましい。
欠点の位置を特定するのに用いるマークの周囲には、該マークを識別するための補助マークを形成することが好ましい。欠点の位置を特定するのに用いるマークは、その大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍであるため、欠点検査機による検査を行う前にマークの有無を確認すること、すなわち、検査を行う面がマークが形成されている側か否か確認することや、マークが形成されている位置を大まかに特定することが比較的困難である。欠点の位置を特定するのに用いるマークの周囲に補助マークを形成することで、マークの有無の確認や、マークが形成されている位置を大まかに特定することが容易になり、欠点検査機による検査に要する時間が短縮される。
したがって、補助マークは走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や光学顕微鏡で容易に存在を認識できる大きさであることが必要である。ここで、走査型電子顕微鏡で容易に存在を認識できる十分な大きさとは球相当直径で５００ｎｍ超の大きさであり、光学顕微鏡で容易に存在を認識できる十分な大きさとは球相当直径で５００ｎｍ超の大きさである。補助マークの大きさは球相当直径１〜１０μｍ程度であることが好ましく、２〜６μｍ程度であることがより好ましい。
また、欠点検査機によるマークの検出位置精度を損なうことがないように、マークから十分な間隔をあけて補助マークを形成する必要がある。マークと補助マークとの距離は、欠点検査機によるマークの検出位置精度が損なわれることがない１０μｍ以上が好ましく、２０μｍ以上がより好ましい。
また、欠点検査機によるマークの検出位置精度を損なうことがないように、マークから十分な間隔をあけて補助マークを形成する必要がある。マークと補助マークとの距離は、欠点検査機によるマークの検出位置精度が損なわれることがない１０μｍ以上が好ましく、２０μｍ以上がより好ましい。
図４にマークと補助マークとの配置の一例を示す。図４では、欠点の位置を特定するのに用いる、球相当直径３０〜１００ｎｍのマーク２の周囲に、全体で略十字形をなすように４つの補助マーク４が形成されている。ここで、補助マーク４の長手方向の長さは例えば１００μｍである。また、マーク２と補助マーク４との距離は例えば１０μｍであり、５μｍ以上であることが好ましい。
補助マークの形状および配置は図示したものに限定されず、マークを識別するうえで好ましい形状および配置を適宜選択することができる。例えば、図４でマーク２の上下に形成された２つの補助マーク４のみであってもよく、マーク２の左右に形成された２つの補助マーク４のみであってもよい。また、マークがその内部に位置するように、円形、楕円形、三角形、四角形、六角形、八角形等の形状をした補助マークを形成してもよい。
基板１の成膜面に形成するマーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）は、球相当直径で３０〜１００ｎｍの大きさであるため、パターニング時の露光領域内、より具体的には、該基板１を用いて製造されるマスクブランクのパターニング時の露光領域１１内にマーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）が存在すると、マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）自身がマスクブランクの欠点となるおそれがある。このため、マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）は、パターニング時の露光領域外に形成することが好ましい。例えば、現行のスペックでは、１５２．０×１５２．０ｍｍ□（縦１５２．０ｍｍ×横１５２．０ｍｍ）の基板の場合、パターニング時の露光領域は１０８×１３２ｍｍ□（図１中、線１１で示される領域）であるので、この領域よりも外側にマークを形成することが好ましい。なお、この露光領域は通常基板の中心に位置する。
一方、基板を把持する都合等により、基板の外端付近は基板の他の部位に比べて、欠点検査機による検出精度が低くなる。例えば、１５２．０×１５２．０ｍｍ□の基板の検査に使用される既存の欠点検査機の場合、品質保証領域は１４９×１４９ｍｍ□（図１中、線１２で示される領域）であるので、この領域内にマークを形成することが好ましい。
したがって、１５２．０×１５２．０ｍｍ□の基板に関する現行のスペックに従い、既存の欠点検査機を用いて欠点を検出する場合、１０８×１３２ｍｍ□〜１４９×１４９ｍｍ□の領域（図１中、線１１と線１２との間の領域）にマークを設けることが好ましい。
以上、基板の成膜面にマークを形成する位置に関して、１５２．０×１５２．０ｍｍ□の基板についての現行のスペックおよび、既存の欠点検査機の品質保証領域に基づいて説明したが、基板の寸法、パターニング時の露光領域に関するスペック、使用する欠点検査機の品質保証領域等が異なる場合、これらの条件に応じて適宜選択することができる。
したがって、１５２．０×１５２．０ｍｍ□の基板に関する現行のスペックに従い、既存の欠点検査機を用いて欠点を検出する場合、１０８×１３２ｍｍ□〜１４９×１４９ｍｍ□の領域（図１中、線１１と線１２との間の領域）にマークを設けることが好ましい。
以上、基板の成膜面にマークを形成する位置に関して、１５２．０×１５２．０ｍｍ□の基板についての現行のスペックおよび、既存の欠点検査機の品質保証領域に基づいて説明したが、基板の寸法、パターニング時の露光領域に関するスペック、使用する欠点検査機の品質保証領域等が異なる場合、これらの条件に応じて適宜選択することができる。
基板１の成膜面にマーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）を形成する方法は、基板のマークを形成する部位以外に悪影響を及ぼすことなしに、基板１の成膜面に球相当直径で３０〜１００ｎｍの大きさのマークを形成できる限り特に限定されない。例えば、基板１の成膜面の所望の位置にレーザ光を照射して、照射部位の昇華、融解、若しくは体積収縮、またはこれら２以上の組み合わせにより、基板１の成膜面から凹状に変形した部位を有するマークを形成する方法、リソグラフィプロセスによりマークを形成する方法、および微小圧子によるインデンテーションによりマークを形成する方法が挙げられる。
基板１は、ＥＵＶマスクブランク用の基板としての特性を満たすことが要求される。そのため、基板１は、低熱膨張係数（具体的には、２０℃における熱膨張係数が０±０．０５×１０-7／℃であることが好ましく、特に好ましくは０±０．０３×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびＥＵＶマスクブランクまたはパターニング後のＥＵＶマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板を用いることもできる。
基板１は、表面粗さ（ｒｍｓ）０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターニング後のＥＵＶマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
基板１の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものであるが、最も一般的なのは外形が１５２．０×１５２．０ｍｍ□で、厚さ６．３５ｍｍのものである。
基板１は、表面粗さ（ｒｍｓ）０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることがパターニング後のＥＵＶマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
基板１の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものであるが、最も一般的なのは外形が１５２．０×１５２．０ｍｍ□で、厚さ６．３５ｍｍのものである。
＜反射層付基板＞
本発明の反射層付基板では、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層が形成されており、該反射層表面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されている。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）反射層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
ここで、反射層表面に形成されるマークは、マークが形成される部位が反射層表面であること以外、上記した基板の成膜面に形成されるマークと同様なので記載を省略する。なお、反射層表面に形成するマークの周囲にも、該マークを識別するための補助マークを形成することが好ましい。
また、基板についても、成膜面にマークを形成しない点以外は、上記と同様なので記載を省略する。
本発明の反射層付基板では、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層が形成されており、該反射層表面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されている。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）反射層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
ここで、反射層表面に形成されるマークは、マークが形成される部位が反射層表面であること以外、上記した基板の成膜面に形成されるマークと同様なので記載を省略する。なお、反射層表面に形成するマークの周囲にも、該マークを識別するための補助マークを形成することが好ましい。
また、基板についても、成膜面にマークを形成しない点以外は、上記と同様なので記載を省略する。
反射層は、ＥＵＶマスクブランクの反射層として所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、反射層に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率であることである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましく、６５％以上であることがより好ましい。
反射層は、高ＥＵＶ光線反射率を達成できることから、通常は高屈折率層と低屈折率層を交互に複数回積層させた多層反射膜が反射層として用いられる。反射層をなす多層反射膜において、高屈折率層には、Ｍｏが広く使用され、低屈折率層にはＳｉが広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も用いることができる。
反射層をなす多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および反射層に要求されるＥＵＶ光線反射率に応じて適宜選択することができる。Ｍｏ／Ｓｉ反射膜を例にとると、ＥＵＶ光線反射率の最大値が６０％以上の反射層とするには、多層反射膜は膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層とを繰り返し単位数が３０〜６０になるように積層させればよい。
なお、反射層をなす多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＳｉ／Ｍｏ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４．５ｎｍとなるようにＳｉ膜を成膜し、次に、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２．３ｎｍとなるようにＭｏ膜を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｓｉ膜およびＭｏ膜を４０〜５０周期積層させることによりＳｉ／Ｍｏ多層反射膜が成膜される。
反射層表面が酸化されるのを防止するため、反射層をなす多層反射膜の最上層は酸化されにくい材料の層とすることが好ましい。酸化されにくい材料の層は反射層のキャップ層として機能する。キャップ層として機能する酸化されにくい材料の層の具体例としては、Ｓｉ層を例示することができる。反射層をなす多層反射膜がＳｉ／Ｍｏ膜である場合、最上層をＳｉ層とすることによって、該最上層をキャップ層として機能させることができる。その場合キャップ層の膜厚は、１１．０±１．０ｎｍであることが好ましい。
＜反射層・保護層付基板＞
本発明の反射層・保護層付基板では、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層を保護する保護層とがこの順に形成されており、
該保護層表面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されている。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）保護層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
ここで、保護層表面に形成されるマークは、マークが形成される部位が保護層表面であること以外、上記した基板の成膜面に形成されるマークと同様なので記載を省略する。なお、保護層表面に形成するマークの周囲にも、該マークを識別するための補助マークを形成することが好ましい。
また、基板についても、成膜面にマークを形成しない点以外は上記と同様なので記載を省略する。
また、反射層についても、反射層表面にマークを形成しない点以外は上記と同様なので記載を省略する。
本発明の反射層・保護層付基板では、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層を保護する保護層とがこの順に形成されており、
該保護層表面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されている。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）保護層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
ここで、保護層表面に形成されるマークは、マークが形成される部位が保護層表面であること以外、上記した基板の成膜面に形成されるマークと同様なので記載を省略する。なお、保護層表面に形成するマークの周囲にも、該マークを識別するための補助マークを形成することが好ましい。
また、基板についても、成膜面にマークを形成しない点以外は上記と同様なので記載を省略する。
また、反射層についても、反射層表面にマークを形成しない点以外は上記と同様なので記載を省略する。
保護層は、エッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスによってＥＵＶマスクブランクの吸収体層にパターン形成する際に、反射層がエッチングプロセスによるダメージを受けないよう、反射層を保護することを目的として設けられる。したがって保護層の材質としては、吸収体層のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収体層よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。この条件を満たす物質としては、たとえばＣｒ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｔａ及びこれらの窒化物、ならびにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3やこれらの混合物が例示される。これらの中でも、Ｒｕ、ＣｒＮおよびＳｉＯ2が好ましく、Ｒｕが特に好ましい。
保護層の厚さ１〜６０ｎｍであることが好ましく、１〜２０ｎｍであることがより好ましい。
保護層の厚さ１〜６０ｎｍであることが好ましく、１〜２０ｎｍであることがより好ましい。
保護層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜する。マグネトロンスパッタリング法によりＲｕ膜を成膜する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ）を使用して投入電力３０Ｗ〜５００Ｗ、成膜速度５〜５０ｎｍ／ｍｉｎで厚さ２〜５ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
＜ＥＵＶマスクブランク＞
本発明のＥＵＶマスクブランクでは、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されており、
該吸収体層表面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されている。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）吸収体層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
ここで、吸収体層表面に形成されるマークは、マークが形成される部位が吸収体層表面であること以外、上記した基板の成膜面に形成されるマークと同様なので記載を省略する。なお、吸収体層表面に形成するマークの周囲にも、該マークを識別するための補助マークを形成することが好ましい。
また、基板についても、成膜面にマークを形成しない点以外は上記と同様なので記載を省略する。反射層についても、反射層表面にマークを形成しない点以外は上記と同様なので記載を省略する。
本発明のＥＵＶマスクブランクでは、反射層と、吸収体層と、の間に、該反射層を保護する保護層を設けてもよい。保護層は、表面にマークを形成しない点以外は上記と同様なので省略する。
本発明のＥＵＶマスクブランクでは、基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されており、
該吸収体層表面に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されている。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）吸収体層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。
ここで、吸収体層表面に形成されるマークは、マークが形成される部位が吸収体層表面であること以外、上記した基板の成膜面に形成されるマークと同様なので記載を省略する。なお、吸収体層表面に形成するマークの周囲にも、該マークを識別するための補助マークを形成することが好ましい。
また、基板についても、成膜面にマークを形成しない点以外は上記と同様なので記載を省略する。反射層についても、反射層表面にマークを形成しない点以外は上記と同様なので記載を省略する。
本発明のＥＵＶマスクブランクでは、反射層と、吸収体層と、の間に、該反射層を保護する保護層を設けてもよい。保護層は、表面にマークを形成しない点以外は上記と同様なので省略する。
吸収体層に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収体層表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率が０．５％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがより好ましい。
吸収体層は、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料で構成され、具体的には、ＣｒやＴａを含有する層、例えば、ＣｒやＴａの窒化物を含有する層や、ＴａおよびＨｆを含有する層（ＴａＨｆ層）、Ｔａ、Ｂ、ＳｉおよびＮを含有する層（ＴａＢＳｉＮ層）が挙げられる。
吸収体層は、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料で構成され、具体的には、ＣｒやＴａを含有する層、例えば、ＣｒやＴａの窒化物を含有する層や、ＴａおよびＨｆを含有する層（ＴａＨｆ層）、Ｔａ、Ｂ、ＳｉおよびＮを含有する層（ＴａＢＳｉＮ層）が挙げられる。
吸収体層としては、上記特性を満たす限り特に限定されないが、中でも、ＴａＨｆ層、およびＴａＢＳｉＮ層が、ＥＵＶ光線反射率が極めて低く、しかも層の結晶状態がアモルファスとなり、吸収体層表面の平滑性に優れることから好ましい。吸収体層表面の表面粗さが大きいと、吸収体層に形成されるパターンのエッジラフネスが大きくなり、パターンの寸法精度が悪くなる。パターンが微細になるに従いエッジラフネスの影響が顕著になるため、吸収体層表面は平滑であることが要求される。
吸収体層がＴａＨｆ層またはＴａＢＳｉＮ層であれば、アモルファス構造の膜または微結晶構造の膜となるため、吸収体層表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であり、吸収体層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。吸収体層表面の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
吸収体層がＴａＨｆ層またはＴａＢＳｉＮ層であれば、アモルファス構造の膜または微結晶構造の膜となるため、吸収体層表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であり、吸収体層表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。吸収体層表面の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
なお、本明細書において、「結晶状態がアモルファスである」と言った場合、全く結晶構造を持たないアモルファス構造となっているもの以外に、微結晶構造のものを含む。吸収体層が、アモルファス構造の膜または微結晶構造の膜であれば、吸収体層表面が平滑性に優れている。
なお、吸収体層の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、または微結晶構造であることは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法によって確認することができる。吸収体層の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、ＸＲＤ測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
なお、吸収体層の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、または微結晶構造であることは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法によって確認することができる。吸収体層の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、ＸＲＤ測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
吸収体層がＴａＨｆ層である場合、ＴａおよびＨｆを以下に記載する特定の割合で含有することが好ましい。
吸収体層のＨｆの含有率が２０〜６０ａｔ％（atomic percent）であることが、吸収体層の結晶状態がアモルファスとなりやすく、吸収体表面が平滑性に優れるので好ましい。また、吸収体層が、ＥＵＶ光の光線反射率、およびパターン検査光の波長域の光線反射率が低い等、ＥＵＶマスクブランクとして優れた特性を有している。
吸収体層のＨｆの含有率は、３０〜５０ａｔ％であることがより好ましく、３０〜４５ａｔ％であることがさらに好ましい。
吸収体層のＨｆの含有率が２０〜６０ａｔ％（atomic percent）であることが、吸収体層の結晶状態がアモルファスとなりやすく、吸収体表面が平滑性に優れるので好ましい。また、吸収体層が、ＥＵＶ光の光線反射率、およびパターン検査光の波長域の光線反射率が低い等、ＥＵＶマスクブランクとして優れた特性を有している。
吸収体層のＨｆの含有率は、３０〜５０ａｔ％であることがより好ましく、３０〜４５ａｔ％であることがさらに好ましい。
吸収体層において、Ｈｆを除いた残部はＴａであることが好ましい。したがって、吸収体層におけるＴａの含有率は、４０〜８０ａｔ％であることが好ましい。吸収体層におけるＴａの含有率は５０〜７０ａｔ％であることがより好ましく、５５〜７０ａｔ％であることがさらに好ましい。
吸収体層において、ＴａとＨｆの組成比（Ｔａ：Ｈｆの原子比）は、７：３〜４：６であることがより好ましく、６．５：３．５〜４．５：５．５であることがさらに好ましく、６：４〜５：５であることがさらに好ましい。
ＴａＨｆ層は、不活性ガス雰囲気下で、ＴａＨｆ化合物ターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより形成することができる。
ＴａＨｆ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝３０〜７０ａｔ％、Ｈｆ＝７０〜３０ａｔ％であることが、所望の組成の吸収体層を得ることができ、かつ膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましい。
ＴａＨｆ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝３０〜７０ａｔ％、Ｈｆ＝７０〜３０ａｔ％であることが、所望の組成の吸収体層を得ることができ、かつ膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましい。
上記した方法でＴａＨｆ層を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
スパッタガス：Ａｒガス(ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-１Ｐａ)
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
吸収体層がＴａＢＳｉＮ層である場合、Ｔａ、Ｂ、ＳｉおよびＮを以下に述べる特定の比率で含有することが好ましい。
スパッタガス：Ａｒガス(ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-１Ｐａ)
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
吸収体層がＴａＢＳｉＮ層である場合、Ｔａ、Ｂ、ＳｉおよびＮを以下に述べる特定の比率で含有することが好ましい。
ＴａＢＳｉＮ層のＢの含有率は１ａｔ％以上５ａｔ％未満であることが好ましい。従来、吸収体層として、ＴａとＢを含む膜（ＴａＢ膜、ＴａＢＮ膜、ＴａＢＯ膜、ＴａＢＮＯ膜）を使用した場合、膜の結晶状態をアモルファスとするには、膜のＢの含有率を５ａｔ％以上にする必要があった。しかしながら、膜のＢの含有率を５ａｔ％以上とした場合、成膜速度が遅くなることや、膜のＢの含有率や膜厚を制御することが困難になるという問題があった。
本発明では、ＴａＢＳｉＮ層がＴａ、Ｂ、ＳｉおよびＮを特定の比率で含有することにより、Ｂの含有率が５ａｔ％未満であっても結晶状態がアモルファスとなる。
Ｂの含有率が１ａｔ％未満だと、結晶状態をアモルファスとするのにＳｉ添加量を増やす必要がある。具体的には、Ｓｉの含有率を２５ａｔ％超とする必要であり、ＥＵＶ光線反射率を０．５％以下とするのに必要な膜厚が厚くなってしまうため好ましくない。Ｂの含有率が５ａｔ％以上であると、成膜速度が遅くなること等の上記した問題が生じる。
Ｂの含有率は、１〜４．５ａｔ％であることがより好ましく、１．５〜４ａｔ％であることがさらに好ましい。１．５〜４ａｔ％であれば、成膜を安定的に行うことができるほか、マスクの必要とされる特性である平滑性等にも優れ、これらがよいバランスとなるため、非常に好ましい。
Ｂの含有率が１ａｔ％未満だと、結晶状態をアモルファスとするのにＳｉ添加量を増やす必要がある。具体的には、Ｓｉの含有率を２５ａｔ％超とする必要であり、ＥＵＶ光線反射率を０．５％以下とするのに必要な膜厚が厚くなってしまうため好ましくない。Ｂの含有率が５ａｔ％以上であると、成膜速度が遅くなること等の上記した問題が生じる。
Ｂの含有率は、１〜４．５ａｔ％であることがより好ましく、１．５〜４ａｔ％であることがさらに好ましい。１．５〜４ａｔ％であれば、成膜を安定的に行うことができるほか、マスクの必要とされる特性である平滑性等にも優れ、これらがよいバランスとなるため、非常に好ましい。
ＴａＢＳｉＮ層のＳｉの含有率は１〜２５ａｔ％である。Ｓｉの含有率が１ａｔ％未満であると、結晶状態がアモルファスにならない。ＳｉはＥＵＶ光の吸収係数が低い材料であるため、Ｓｉの含有率が２５ａｔ％超であると、ＥＵＶ光線反射率を０．５％以下とするのに必要な膜厚が厚くなってしまうため好ましくない。
Ｓｉの含有率は、１〜２０ａｔ％であることがより好ましく、２〜１２ａｔ％であることがさらに好ましい。
Ｓｉの含有率は、１〜２０ａｔ％であることがより好ましく、２〜１２ａｔ％であることがさらに好ましい。
ＴａＢＳｉＮ層において、ＢおよびＳｉを除いた残部はＴａおよびＮである。ＴａＢＳｉＮ層におけるＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎの原子比）は８：１〜１：１である。上記組成比よりもＴａの割合が高いと、パターン検査光の波長域の光線反射率を十分低くすることができない。一方、上記組成比よりもＮの割合が高い場合、膜密度が下がり、ＥＵＶ光の吸収係数が低下し、十分なＥＵＶ光線の吸収特性が得られない。また、耐酸性が低下する。
また、Ｔａの含有率は、５０〜９０ａｔ％であることがより好ましく、６０〜８０ａｔ％であることがさらに好ましい。Ｎの含有率は、５〜３０ａｔ％であることがより好ましく、１０〜２５ａｔ％であることがさらに好ましい。
なお、ＴａＢＳｉＮ層はＴａ、Ｂ、Ｓｉ、Ｎ以外の元素を含んでいてもよいが、ＥＵＶ光線の吸収特性等のマスクブランクとしての適性を満たす必要がある。
また、Ｔａの含有率は、５０〜９０ａｔ％であることがより好ましく、６０〜８０ａｔ％であることがさらに好ましい。Ｎの含有率は、５〜３０ａｔ％であることがより好ましく、１０〜２５ａｔ％であることがさらに好ましい。
なお、ＴａＢＳｉＮ層はＴａ、Ｂ、Ｓｉ、Ｎ以外の元素を含んでいてもよいが、ＥＵＶ光線の吸収特性等のマスクブランクとしての適性を満たす必要がある。
ＴａＢＳｉＮ層は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて形成することができる。マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、下記（１）〜（３）の方法で形成することができる。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、アルゴン（Ａｒ）で希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによってＴａＢＳｉＮ層を形成する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをアルゴンで希釈した窒素雰囲気中で同時放電させることによってＴａＢＳｉＮ層を形成する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをアルゴンで希釈した窒素雰囲気中で放電させることによってＴａＢＳｉＮ層を形成する。なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、形成される吸収体層の組成を制御することができる。
上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０〜９４ａｔ％、Ｓｉ＝５〜３０ａｔ％、Ｂ＝１〜２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、アルゴン（Ａｒ）で希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによってＴａＢＳｉＮ層を形成する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをアルゴンで希釈した窒素雰囲気中で同時放電させることによってＴａＢＳｉＮ層を形成する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをアルゴンで希釈した窒素雰囲気中で放電させることによってＴａＢＳｉＮ層を形成する。なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、形成される吸収体層の組成を制御することができる。
上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０〜９４ａｔ％、Ｓｉ＝５〜３０ａｔ％、Ｂ＝１〜２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
上記例示した方法でＴａＢＳｉＮ層を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
吸収体層上にはマスクパターンの検査に使用する検査光に対する反射率が低い低反射層を設けてもよい。なお、吸収体層上に低反射層を設けた場合、吸収体層表面ではなく、低反射層表面にマークを形成する。なお、低反射層表面に形成するマークの周囲にも、該マークを識別するための補助マークを形成することが好ましい。
ＥＵＶマスクを作製する際、吸収体層にパターンを形成した後、このパターンが設計通りに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として通常２５７ｎｍ程度の光を使用した検査機が使用される。つまり、この２５７ｎｍ程度の光の反射率の差、具体的には、吸収体層がパターニングにより除去されて露出した面と、パターニングにより除去されずに残った吸収体層表面と、の反射率の差によって検査される。ここで、前者は反射層表面または保護層表面であり、通常は保護層表面である。したがって、検査光の波長に対する保護層表面と吸収体層表面との反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査が出来ないことになる。
ＥＵＶマスクを作製する際、吸収体層にパターンを形成した後、このパターンが設計通りに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として通常２５７ｎｍ程度の光を使用した検査機が使用される。つまり、この２５７ｎｍ程度の光の反射率の差、具体的には、吸収体層がパターニングにより除去されて露出した面と、パターニングにより除去されずに残った吸収体層表面と、の反射率の差によって検査される。ここで、前者は反射層表面または保護層表面であり、通常は保護層表面である。したがって、検査光の波長に対する保護層表面と吸収体層表面との反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査が出来ないことになる。
ＴａＨｆ層およびＴａＢＳｉＮ層は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低く、ＥＵＶマスクブランクの吸収体層として優れた特性を有しているが、検査光の波長について見た場合、光線反射率が必ずしも十分低いとは言えない。この結果、検査光の波長での吸収体層表面の反射率と保護層表面の反射率との差が小さくなり、検査時のコントラストが十分得られない可能性がある。検査時のコントラストが十分得られないと、マスク検査においてパターンの欠陥を十分判別できず、正確な欠陥検査を行えないことになる。
ＴａＨｆ層およびＴａＢＳｉＮ層上に低反射層を形成することにより、検査時のコントラストが良好となる、別の言い方をすると、検査光の波長での光線反射率が極めて低くなる。具体的には、検査光の波長領域の光線を低反射層表面に照射した際に、該検査光の波長の最大光線反射率が１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることがさらに好ましい。
検査光の波長の光線反射率が１５％以下であれば、該検査時のコントラストが良好である。具体的には、保護層表面における検査光の波長の反射光と、低反射層表面における検査光の波長の反射光と、のコントラストが、３０％以上となる。
ＴａＨｆ層およびＴａＢＳｉＮ層上に低反射層を形成することにより、検査時のコントラストが良好となる、別の言い方をすると、検査光の波長での光線反射率が極めて低くなる。具体的には、検査光の波長領域の光線を低反射層表面に照射した際に、該検査光の波長の最大光線反射率が１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることがさらに好ましい。
検査光の波長の光線反射率が１５％以下であれば、該検査時のコントラストが良好である。具体的には、保護層表面における検査光の波長の反射光と、低反射層表面における検査光の波長の反射光と、のコントラストが、３０％以上となる。
本明細書において、コントラストは下記式を用いて求めることができる。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2−Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
ここで、検査光の波長におけるＲ2は保護層表面での反射率であり、Ｒ1は低反射層表面での反射率である。なお、上記Ｒ1およびＲ2は、ＥＵＶマスクブランクの吸収体層にパターニングした状態で測定する。上記Ｒ2は、パターニングによって吸収体層が除去され、外部に露出した反射層表面または保護層表面で測定した値であり、Ｒ1はパターニングによって除去されずに残った低反射層表面で測定した値である。
本発明において、上記式で表されるコントラストが４５％以上であることがより好ましく、６０％以上であることがさらに好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2−Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
ここで、検査光の波長におけるＲ2は保護層表面での反射率であり、Ｒ1は低反射層表面での反射率である。なお、上記Ｒ1およびＲ2は、ＥＵＶマスクブランクの吸収体層にパターニングした状態で測定する。上記Ｒ2は、パターニングによって吸収体層が除去され、外部に露出した反射層表面または保護層表面で測定した値であり、Ｒ1はパターニングによって除去されずに残った低反射層表面で測定した値である。
本発明において、上記式で表されるコントラストが４５％以上であることがより好ましく、６０％以上であることがさらに好ましく、８０％以上であることが特に好ましい。
低反射層は、上記の特性を達成するため、ＴａＨｆ層およびＴａＢＳｉＮ層よりも検査光の波長の屈折率が低い材料で構成され、その結晶状態がアモルファスであることが好ましい。
ＴａＨｆ層上に形成する低反射層は、Ｔａ、ＨｆおよびＯを含有する層（ＴａＨｆＯ層）であることが好ましい。低反射層がＴａＨｆＯ層である場合、Ｔａ、ＨｆおよびＯを以下に述べる特定の比率で含有することが好ましい。
ＴａＨｆＯ層は、ＴａおよびＨｆの合計含有率が３０〜８０ａｔ％であり、ＴａとＨｆとの組成比（Ｔａ：Ｈｆの原子比）は８：２〜４：６であることが好ましい。ＴａおよびＨｆの合計含有率が３０ａｔ％未満であると、ＴａＨｆＯ層の導電性が低下し、電子線描画する際にチャージアップの問題が生じる可能性がある。ＴａおよびＨｆの合計含有率が８０ａｔ％超であると、パターン検査光の光線反射率を十分低くすることができない。また、Ｈｆが上記組成比より低い場合（つまり、Ｈｆ／（Ｔａ＋Ｈｆ）＜４である場合）、結晶状態がアモルファスとなりにくい。Ｈｆが上記組成比より高い場合（つまり、Ｈｆ／（Ｔａ＋Ｈｆ）＞８である場合）、エッチング特性が悪化し、要求されるエッチング選択比を満足することができない可能性がある。
ＴａＨｆＯ層におけるＯの含有率が２０〜７０ａｔ％であることが好ましい。Ｏの含有率が２０ａｔ％より低い場合、パターン検査光の波長域の光線反射率を十分低くすることができない可能性がある。Ｏの含有率が７０ａｔ％より高い場合、耐酸性が低下し、低反絶縁性が増し電子線描画する際にチャージアップが起こる等の問題が生じる可能性がある。
ＴａＨｆＯ層におけるＴａおよびＨｆの合計含有率は、３５〜８０ａｔ％であることがより好ましく、３５〜７５ａｔ％であることがさらに好ましい。また、ＴａとＨｆの組成比は、Ｔａ：Ｈｆ＝７：３〜４：６であることがより好ましく、６．５：３．５〜４．５：５．５であることがさらに好ましく、６：４〜５：５であることがさらに好ましい。Ｏの含有率は、２０〜６５ａｔ％であることがより好ましく、２５〜６５ａｔ％であることがさらに好ましい。
なお、ＴａＨｆＯ層は、必要に応じてＴａ、ＨｆおよびＯ以外の元素を含んでいてもよい。この場合、ＴａＨｆＯ層に含める元素は、ＥＵＶ光線の吸収特性等のマスクブランクとしての適性を満たす必要がある。
ＴａＨｆＯ層に含めることができる元素の一例として、Ｎが挙げられる。この場合、ＴａＨｆＯ層がＮを含有することにより、表面の平滑性が向上すると考えられる。
ＴａＨｆＯ層がＮを含有する場合（すなわち、ＴａＨｆＯＮ層である場合）、ＴａおよびＨｆの合計含有率は３０〜８０ａｔ％であり、ＴａとＨｆの組成比がＴａ：Ｈｆ＝８：２〜４：６であり、ＮおよびＯの合計含有率は２０〜７０ａｔ％であり、ＮとＯの組成比（Ｎ：Ｏの原子比）が９：１〜１：９であることが好ましい。ＴａおよびＨｆの合計含有率が３０ａｔ％未満であると、導電性が低下し、電子線描画する際にチャージアップの問題が生じる可能性がある。ＴａおよびＨｆの合計含有率が８０ａｔ％超であると、パターン検査光の光線反射率を十分低くすることができない。Ｈｆが上記組成比より低い場合、結晶状態がアモルファスとならない可能性がある。Ｈｆが上記組成比より高い場合、エッチング特性が悪化し、要求されるエッチング選択比を満足することができない可能性がある。また、ＮおよびＯの含有率が２０ａｔ％より低い場合、パターン検査光の波長域の光線反射率を十分低くすることができない可能性がある。ＮおよびＯの含有率が７０ａｔ％より高い場合、耐酸性が低下し、絶縁性が増し電子線描画する際にチャージアップが起こる等の問題が生じる可能性がある。
ＴａＨｆＯ層に含めることができる元素の一例として、Ｎが挙げられる。この場合、ＴａＨｆＯ層がＮを含有することにより、表面の平滑性が向上すると考えられる。
ＴａＨｆＯ層がＮを含有する場合（すなわち、ＴａＨｆＯＮ層である場合）、ＴａおよびＨｆの合計含有率は３０〜８０ａｔ％であり、ＴａとＨｆの組成比がＴａ：Ｈｆ＝８：２〜４：６であり、ＮおよびＯの合計含有率は２０〜７０ａｔ％であり、ＮとＯの組成比（Ｎ：Ｏの原子比）が９：１〜１：９であることが好ましい。ＴａおよびＨｆの合計含有率が３０ａｔ％未満であると、導電性が低下し、電子線描画する際にチャージアップの問題が生じる可能性がある。ＴａおよびＨｆの合計含有率が８０ａｔ％超であると、パターン検査光の光線反射率を十分低くすることができない。Ｈｆが上記組成比より低い場合、結晶状態がアモルファスとならない可能性がある。Ｈｆが上記組成比より高い場合、エッチング特性が悪化し、要求されるエッチング選択比を満足することができない可能性がある。また、ＮおよびＯの含有率が２０ａｔ％より低い場合、パターン検査光の波長域の光線反射率を十分低くすることができない可能性がある。ＮおよびＯの含有率が７０ａｔ％より高い場合、耐酸性が低下し、絶縁性が増し電子線描画する際にチャージアップが起こる等の問題が生じる可能性がある。
ＴａＨｆＯＮ層において、ＴａおよびＨｆの合計含有率は、３５〜８０ａｔ％であることがより好ましく、３５〜７５ａｔ％であることがさらに好ましい。また、ＴａとＨｆの組成比（原子比）は、Ｔａ：Ｈｆ＝７：３〜４：６であることがより好ましく、６．５：３．５〜４．５：５．５であることがさらに好ましく、６：４〜５：５であることがさらに好ましい。ＮおよびＯの合計含有率は、２０〜６５ａｔ％であることがより好ましく、２５〜６５ａｔ％であることがさらに好ましい。
ＴａＨｆＯＮ層は、上記の構成であることにより、その結晶状態はアモルファスであり、その表面が平滑性に優れている。具体的には、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下である。
上記したように、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度の悪化が防止するため、吸収体層表面は平滑であることが要求される。吸収体層上に低反射層として形成されるＴａＨｆＯＮ層は、その表面が平滑であることが要求される。
ＴａＨｆＯＮ層表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であれば、表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。ＴａＨｆＯＮ層表面の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
上記したように、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度の悪化が防止するため、吸収体層表面は平滑であることが要求される。吸収体層上に低反射層として形成されるＴａＨｆＯＮ層は、その表面が平滑であることが要求される。
ＴａＨｆＯＮ層表面の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であれば、表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。ＴａＨｆＯＮ層表面の表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
なお、ＴａＨｆＯＮ層の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、または微結晶構造であることは、Ｘ線回折（ＸＲＤ）法によって確認することができる。ＴａＨｆＯＮ層の結晶状態がアモルファス構造であるか、または微結晶構造であれば、ＸＲＤ測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
ＴａＨｆＯ層およびＴａＨｆＯＮ層は、ＴａＨｆ化合物ターゲットを用いたスパッタリング法、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法を実施することにより形成することができる。
なお、ＴａＨｆＯ層の場合、例えばアルゴン、で希釈した酸素（Ｏ2）雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させることによって形成する。または、不活性ガス雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させてＴａおよびＨｆを含有する膜を形成した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、形成された膜を酸化することにより、ＴａＨｆＯ層としてもよい。
一方、ＴａＨｆＯＮ層の場合、アルゴンで希釈した酸素（Ｏ2）・窒素（Ｎ2）混合ガス雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させることによって形成する。または、アルゴンで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させることによってＴａ、ＨｆおよびＮを含有する膜を形成した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、形成された膜を酸化することにより、ＴａＨｆＯＮ層としてもよい。
ＴａＨｆ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝３０〜７０ａｔ％、Ｈｆ＝７０〜３０ａｔ％であることが、所望の組成のＴａＨｆＯ層およびＴａＨｆＯＮ層を得ることができ、かつ膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましい。ＴａＨｆ化合物ターゲットは、Ｚｒを０．１〜５．０ａｔ％含有してもよい。
なお、ＴａＨｆＯ層の場合、例えばアルゴン、で希釈した酸素（Ｏ2）雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させることによって形成する。または、不活性ガス雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させてＴａおよびＨｆを含有する膜を形成した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、形成された膜を酸化することにより、ＴａＨｆＯ層としてもよい。
一方、ＴａＨｆＯＮ層の場合、アルゴンで希釈した酸素（Ｏ2）・窒素（Ｎ2）混合ガス雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させることによって形成する。または、アルゴンで希釈した窒素（Ｎ2）雰囲気中でＴａＨｆ化合物ターゲットを放電させることによってＴａ、ＨｆおよびＮを含有する膜を形成した後、例えば酸素プラズマ中にさらしたり、酸素を用いたイオンビームを照射することによって、形成された膜を酸化することにより、ＴａＨｆＯＮ層としてもよい。
ＴａＨｆ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝３０〜７０ａｔ％、Ｈｆ＝７０〜３０ａｔ％であることが、所望の組成のＴａＨｆＯ層およびＴａＨｆＯＮ層を得ることができ、かつ膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましい。ＴａＨｆ化合物ターゲットは、Ｚｒを０．１〜５．０ａｔ％含有してもよい。
上記した方法でＴａＨｆＯ層およびＴａＨｆＯＮ層を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＨｆＯ層を形成する場合
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜６０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜４０ｖｏｌ％；ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＨｆＯＮ層を形成する場合
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜４０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜４０ｖｏｌ％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜３５ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度６〜３５ｖｏｌ％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％；ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＨｆＯ層を形成する場合
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜６０ｖｏｌ％、より好ましくは１０〜４０ｖｏｌ％；ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＨｆＯＮ層を形成する場合
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜４０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜４０ｖｏｌ％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜３５ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度６〜３５ｖｏｌ％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１０〜３０ｖｏｌ％；ガス圧１．０×１０-1Ｐａ〜５０×１０-1Ｐａ、好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜４０×１０-1Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-1Ｐａ〜３０×１０-1Ｐａ）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＢＳｉＮ層上に形成する低反射層は、Ｔａ、Ｂ、ＳｉおよびＯを含有する層（ＴａＢＳｉＯ層）であることが好ましい。低反射層がＴａＢＳｉＯ層である場合、Ｔａ、Ｂ、ＳｉおよびＯを以下に述べる特定の比率で含有することが好ましい。
ＴａＢＳｉＯ層のＢの含有率は１ａｔ％以上５ａｔ％未満である。吸収体層について上述したように、ＴａとＢを含む膜（ＴａＢ膜、ＴａＢＮ膜、ＴａＢＯ膜、ＴａＢＮＯ膜）を使用した場合、膜の結晶状態をアモルファスとするには、膜のＢの含有率を５ａｔ％以上にする必要があった。本発明では、ＴａＢＳｉＯ層がＴａ、Ｂ、ＳｉおよびＯを特定の比率で含有することにより、Ｂの含有率が５ａｔ％未満であっても結晶状態がアモルファスとなる。
Ｂの含有率が１ａｔ％未満だと、結晶状態をアモルファスとするのにＳｉ添加量を増やす必要がある。具体的には、Ｓｉの含有率を２５ａｔ％超とする必要があり、ＴａＢＳｉＮ層のＳｉの含有率や膜厚にもよるが、ＥＵＶ光線反射率を０．５％以下とするのに必要な吸収体層と低反射層の膜厚の合計が大きくなってしまうため好ましくない。Ｂの含有率が５ａｔ％以上であると、成膜速度が遅くなること等、ＴａＢＳｉＮ層について記載したのと同様の問題が生じる。
Ｂの含有率は、１〜４．５ａｔ％であることがより好ましく、１．５〜４ａｔ％であることがさらに好ましい。
Ｂの含有率が１ａｔ％未満だと、結晶状態をアモルファスとするのにＳｉ添加量を増やす必要がある。具体的には、Ｓｉの含有率を２５ａｔ％超とする必要があり、ＴａＢＳｉＮ層のＳｉの含有率や膜厚にもよるが、ＥＵＶ光線反射率を０．５％以下とするのに必要な吸収体層と低反射層の膜厚の合計が大きくなってしまうため好ましくない。Ｂの含有率が５ａｔ％以上であると、成膜速度が遅くなること等、ＴａＢＳｉＮ層について記載したのと同様の問題が生じる。
Ｂの含有率は、１〜４．５ａｔ％であることがより好ましく、１．５〜４ａｔ％であることがさらに好ましい。
Ｓｉの含有率は１〜２５ａｔ％である。Ｓｉの含有率が１ａｔ％未満であると、結晶状態がアモルファスにならない。ＳｉはＥＵＶ光の吸収係数が低い材料であるため、Ｓｉの含有率が２５ａｔ％超であると、ＴａＢＳｉＮ層のＳｉの含有率や膜厚にもよるが、ＥＵＶ光線反射率を０．５％以下とするのに必要な吸収体層と低反射層の膜厚の合計が大きくなってしまうため好ましくない。
Ｓｉの含有率は、１〜２０ａｔ％であることがより好ましく、２〜１０ａｔ％であることがさらに好ましい。
Ｓｉの含有率は、１〜２０ａｔ％であることがより好ましく、２〜１０ａｔ％であることがさらに好ましい。
ＴａＢＳｉＯ層において、ＢおよびＳｉを除いた残部はＴａおよびＯである。ＴａＢＳｉＯ層におけるＴａとＯとの組成比（Ｔａ：Ｏの原子比）は７：２〜１：２である。上記組成比よりもＴａの割合が高いと、パターン検査光の波長域の光線反射率を十分低くすることができない。一方、上記組成比よりもＯの割合が高い場合、絶縁性が高くなり、電子線描画する際によりチャージアップが起こる、膜密度が下がり、絶縁性が増し、電子線描画する際にチャージアップが起こるので好ましくない。なお、ＴａＢＳｉＯ層は、ＴａＢＳｉＮ層よりも膜厚が薄く、チャージアップは比較的起こりにくい。このため、ＴａＢＳｉＮ層に比べてＯの含有率の上限が緩やかである。
ＴａＢＳｉＯ層におけるＴａとＯとの組成比（Ｔａ：Ｏの原子比）は７：２〜１：１であることが好ましく、２：１〜１：１であることがさらに好ましい。
ＴａＢＳｉＯ層におけるＴａとＯとの組成比（Ｔａ：Ｏの原子比）は７：２〜１：１であることが好ましく、２：１〜１：１であることがさらに好ましい。
ＴａＢＳｉＯ層はＴａ、Ｂ、ＳｉおよびＯに加えてＮを含有してもよい。すなわち、ＴａＢＳｉＯＮ層であってもよい。
ＴａＢＳｉＯＮ層は、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＮを以下に述べる特定の比率で含有することが好ましい。
なお、ＴａＢＳｉＯＮ層はＮを含有することにより、表面の平滑性が向上すると考えられる。
ＴａＢＳｉＯＮ層は、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＮを以下に述べる特定の比率で含有することが好ましい。
なお、ＴａＢＳｉＯＮ層はＮを含有することにより、表面の平滑性が向上すると考えられる。
ＴａＢＳｉＯＮ層のＢの含有率は１ａｔ％以上５ａｔ％未満である。Ｂの含有率が１ａｔ％未満だと、結晶状態をアモルファスとするのにＳｉ添加量を増やす必要がある。具体的には、Ｓｉの含有率を２５ａｔ％超とする必要であり、吸収体層のＳｉの含有率や膜厚にもよるが、ＥＵＶ光線反射率を０．５％以下とするのに必要な吸収体層と低反射層の膜の合計が大きくなってしまうため好ましくない。Ｂの含有率が５ａｔ％以上であると、成膜速度が遅くなること等、ＴａＢＳｉＮ層について記載したのと同様の問題が生じる。
Ｂの含有率は、１〜４．５ａｔ％であることがより好ましく、２〜４．０ａｔ％であることがさらに好ましい。
Ｂの含有率は、１〜４．５ａｔ％であることがより好ましく、２〜４．０ａｔ％であることがさらに好ましい。
ＴａＢＳｉＯＮ層のＳｉの含有率は１〜２５ａｔ％である。Ｓｉの含有率が１ａｔ％未満であると、結晶状態がアモルファスにならない。ＳｉはＥＵＶ光の吸収係数が低い材料であるため、Ｓｉの含有率が２５ａｔ％超であると、ＴａＢＳｉＮ層のＳｉの含有率や膜厚にもよるが、ＥＵＶ光線反射率を０．５％以下とするのに必要な吸収体層と低反射層の膜厚の合計が大きくなってしまうため好ましくない。
Ｓｉの含有率は、１〜２０ａｔ％であることがより好ましく、２〜１０ａｔ％であることがさらに好ましい。
Ｓｉの含有率は、１〜２０ａｔ％であることがより好ましく、２〜１０ａｔ％であることがさらに好ましい。
ＴａＢＳｉＯＮ層において、ＢおよびＳｉを除いた残部はＴａ、ＯおよびＮである。ＴａＢＳｉＯＮ層におけるＴａとＯ及びＮの組成比（Ｔａ：（Ｏ＋Ｎの原子比）が７：２〜１：２である。上記組成比よりもＴａの割合が高いと、パターン検査光の波長域の光線反射率を十分低くすることができない。一方、上記組成比よりもＯ及びＮの割合が高い場合、耐酸性が低下する、絶縁性が増し、電子線描画する際にチャージアップが起こる等の問題が生じる。
ＴａＢＳｉＯＮ層におけるＴａとＯ及びＮの組成比（Ｔａ：（Ｏ＋Ｎの原子比）は７：２〜１：１であることが好ましく、２：１〜１：１であることがさらに好ましい。
ＴａＢＳｉＯＮ層におけるＴａとＯ及びＮの組成比（Ｔａ：（Ｏ＋Ｎの原子比）は７：２〜１：１であることが好ましく、２：１〜１：１であることがさらに好ましい。
ＴａＢＳｉＯ層およびＴａＢＳｉＯＮ層は、上記の構成であることにより、その結晶状態はアモルファスであり、その表面が平滑性に優れている。具体的には、表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下である。
上記したように、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度の悪化が防止するため、吸収体層表面は平滑であることが要求される。このため、吸収体層上に低反射層として形成されるＴａＢＳｉＯ層およびＴａＢＳｉＯＮ層は、その表面が平滑であることが要求される。
ＴａＢＳｉＯ層およびＴａＢＳｉＯＮ層の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であれば、表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
ＴａＢＳｉＯ層よりもＴａＢＳｉＯＮ層のほうが平滑性の点で好ましい。
上記したように、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度の悪化が防止するため、吸収体層表面は平滑であることが要求される。このため、吸収体層上に低反射層として形成されるＴａＢＳｉＯ層およびＴａＢＳｉＯＮ層は、その表面が平滑であることが要求される。
ＴａＢＳｉＯ層およびＴａＢＳｉＯＮ層の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であれば、表面が十分平滑であるため、エッジラフネスの影響によってパターンの寸法精度が悪化するおそれがない。表面粗さ（ｒｍｓ）は０．４ｎｍ以下であることがより好ましく、０．３ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
ＴａＢＳｉＯ層よりもＴａＢＳｉＯＮ層のほうが平滑性の点で好ましい。
ＴａＢＳｉＯ層およびＴａＢＳｉＯＮ層は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて形成することができ、マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、下記（１）〜（３）の方法でＴａＢＳｉＯ層を形成することができる。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、アルゴン（Ａｒ）で希釈した酸素（Ｏ2）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによってＴａＢＳｉＯ層を形成する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをアルゴンで希釈した酸素雰囲気中で同時放電させることによってＴａＢＳｉＯ層を形成する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをアルゴンで希釈した酸素雰囲気中で放電させることによってＴａＢＳｉＯ層を形成する。
なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、形成されるＴａＢＳｉＯ層の組成を制御することができる。
上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０〜９４ａｔ％、Ｓｉ＝５〜３０ａｔ％、Ｂ＝１〜２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
ＴａＢＳｉＯＮ層を形成する場合、アルゴンで希釈した酸素雰囲気の代わりにアルゴンで希釈した酸素・窒素混合ガス雰囲気で、上記と同様の手順を実施すればよい。
（１）Ｔａターゲット、ＢターゲットおよびＳｉターゲットを使用し、アルゴン（Ａｒ）で希釈した酸素（Ｏ2）雰囲気中でこれらの個々のターゲットを同時に放電させることによってＴａＢＳｉＯ層を形成する。
（２）ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを用いて、これらのターゲットをアルゴンで希釈した酸素雰囲気中で同時放電させることによってＴａＢＳｉＯ層を形成する。
（３）ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを用いて、この３元素が一体化されたターゲットをアルゴンで希釈した酸素雰囲気中で放電させることによってＴａＢＳｉＯ層を形成する。
なお、上述した方法のうち、２以上のターゲットを同時に放電させる方法（（１）、（２））では、各ターゲットの投入電力を調節することによって、形成されるＴａＢＳｉＯ層の組成を制御することができる。
上記の中でも（２）および（３）の方法が、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で好ましく、（３）の方法が特に好ましい。ＴａＢＳｉ化合物ターゲットは、その組成がＴａ＝５０〜９４ａｔ％、Ｓｉ＝５〜３０ａｔ％、Ｂ＝１〜２０ａｔ％であることが、放電の不安定化や膜の組成や膜厚のばらつきを回避できる点で特に好ましい。
ＴａＢＳｉＯＮ層を形成する場合、アルゴンで希釈した酸素雰囲気の代わりにアルゴンで希釈した酸素・窒素混合ガス雰囲気で、上記と同様の手順を実施すればよい。
上記の方法でＴａＢＳｉＯ層を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜５０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは２．５〜３５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜２５ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは３．５〜４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＯ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度３〜８０ｖｏｌ％、好ましくは５〜３０ｖｏｌ％、より好ましくは８〜１５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-１Ｐａ〜１０×１０-１Ｐａ、好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜５×１０-１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-１Ｐａ〜３×１０-１Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜５０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは２．５〜３５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜２５ｎｍ／ｍｉｎ
上記の方法でＴａＢＳｉＯＮ層を形成するには、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜３０ｖｏｌ％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜２５ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度６〜２５ｖｏｌ％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜２０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１５〜２５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-2Ｐａ〜１０×１０-2Ｐａ、好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜５×１０-2Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜３×１０-2Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜５０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは２．５〜３５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜２５ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜３０ｖｏｌ％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜２５ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度６〜２５ｖｏｌ％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜２０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１５〜２５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-2Ｐａ〜１０×１０-2Ｐａ、好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜５×１０-2Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜３×１０-2Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜５０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは２．５〜３５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜２５ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＢ化合物ターゲットおよびＳｉターゲットを使用する方法（２）
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜３０ｖｏｌ％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜２５ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度６〜２５ｖｏｌ％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜２０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１５〜２５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-2Ｐａ〜１０×１０-2Ｐａ、好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜５×１０-2Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜３×１０-2Ｐａ。）
投入電力（各ターゲットについて）：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜５０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは２．５〜３５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜２５ｎｍ／ｍｉｎ
ＴａＢＳｉ化合物ターゲットを使用する方法（３）
スパッタガス：ＡｒとＯ2とＮ2の混合ガス（Ｏ2ガス濃度５〜３０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度５〜３０ｖｏｌ％、好ましくはＯ2ガス濃度６〜２５ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度６〜２５ｖｏｌ％、より好ましくはＯ2ガス濃度１０〜２０ｖｏｌ％、Ｎ2ガス濃度１５〜２５ｖｏｌ％。ガス圧１．０×１０-2Ｐａ〜１０×１０-2Ｐａ、好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜５×１０-2Ｐａ、より好ましくは１．０×１０-2Ｐａ〜３×１０-2Ｐａ。）
投入電力：３０〜１０００Ｗ、好ましくは５０〜７５０Ｗ、より好ましくは８０〜５００Ｗ
成膜速度：２．０〜５０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは２．５〜３５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは５〜２５ｎｍ／ｍｉｎ
吸収体層の厚さは５０〜１００ｎｍであることが好ましい。また、吸収体層上に低反射層が形成されている場合、吸収体層と、低反射層と、の合計膜厚が上記の範囲を満たすことが好ましい。但し、低反射層の膜厚が吸収体層の膜厚よりも大きいと、吸収体層のＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層の膜厚は吸収体層の膜厚よりも小さいことが好ましい。このため、低反射層の厚さは５〜３０ｎｍであることが好ましく、１０〜２０ｎｍであることがより好ましい。
本発明のＥＵＶマスクブランクは、反射層、保護層、吸収体層、低反射層以外に、ＥＵＶマスクブランクの分野において公知の機能膜を有していてもよい。このような機能膜の具体例としては、例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載されているものように、基板の静電チャッキングを促すために、基板の裏面側（成膜面に対して）に施される高誘電性コーティングが挙げられる。このような目的で基板の裏面に施す高誘電性コーティングは、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。高誘電性コーティングの構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択することができる。例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載の高誘電率のコーティング、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、ＴａＳｉからなるコーティングを適用することができる。高誘電性コーティングの厚さは、例えば１０〜１０００ｎｍとすることができる。本発明のマスクブランク用基板、反射層付基板および反射層・保護層付基板もこのような公知の機能膜を有していてもよい。
高誘電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成することができる。
高誘電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成することができる。
＜欠点検査方法＞
本発明のマスクブランク用基板の欠点検査方法では、欠点検査機を用いて基板１の成膜面を検査する際に、基板１の成膜面に設けられたマーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）との相対位置として、より具体的には、マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）間を結ぶ軸（２０，２１）との相対位置として、基板１の成膜面に存在する欠点（３ａ，３ｂ，３ｃ）の位置を特定する。ここで、基板の成膜面に存在する欠点とは、平滑な基板の成膜面から、凹状あるいは凸状に変形した部位を指し、特に、球相当直径で３０ｎｍ以上の大きさの凹状あるいは凸状に変形した部位を指す。凹状に変形した部位の具体例としては、研磨等によるピットやスクラッチが挙げられる。凸状に変形した部位の具体例としては、基板の成膜面に存在する異物等が挙げられる。本発明のマスクブランク用基板の欠点検査方法では、このような欠点の成膜面のおける位置、すなわち、成膜面での二次元的位置を特定する。
図１では、２軸（２０，２１）との相対位置として、欠点３ｃの成膜面における二次元的位置を特定している。
従来の欠点検査方法では、基板の外形を基準に位置決めするので、位置決め精度が５０〜１００μｍ程度と低く、球相当直径で３０ｎｍといった非常に小さな欠点の位置を正確に特定することは困難であった。また、位置決め精度が低いため、欠点の位置を特定するのに長時間を要していた。本発明では、２軸（２０，２１）との相対位置として、欠点（３ａ，３ｂ，３ｃ）の位置を特定するため、球相当直径で３０ｎｍといった非常に小さな欠点の位置を、短時間で、かつ高い検出位置精度で特定することができる。例えば、検出位置ずれ量が＋／−１５０ｎｍ以下という高い検出位置再現性で、欠点の位置を特定することができる。
本発明のマスクブランク用基板の欠点検査方法では、欠点検査機を用いて基板１の成膜面を検査する際に、基板１の成膜面に設けられたマーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）との相対位置として、より具体的には、マーク（２ａ，２ｂ，２ｃ）間を結ぶ軸（２０，２１）との相対位置として、基板１の成膜面に存在する欠点（３ａ，３ｂ，３ｃ）の位置を特定する。ここで、基板の成膜面に存在する欠点とは、平滑な基板の成膜面から、凹状あるいは凸状に変形した部位を指し、特に、球相当直径で３０ｎｍ以上の大きさの凹状あるいは凸状に変形した部位を指す。凹状に変形した部位の具体例としては、研磨等によるピットやスクラッチが挙げられる。凸状に変形した部位の具体例としては、基板の成膜面に存在する異物等が挙げられる。本発明のマスクブランク用基板の欠点検査方法では、このような欠点の成膜面のおける位置、すなわち、成膜面での二次元的位置を特定する。
図１では、２軸（２０，２１）との相対位置として、欠点３ｃの成膜面における二次元的位置を特定している。
従来の欠点検査方法では、基板の外形を基準に位置決めするので、位置決め精度が５０〜１００μｍ程度と低く、球相当直径で３０ｎｍといった非常に小さな欠点の位置を正確に特定することは困難であった。また、位置決め精度が低いため、欠点の位置を特定するのに長時間を要していた。本発明では、２軸（２０，２１）との相対位置として、欠点（３ａ，３ｂ，３ｃ）の位置を特定するため、球相当直径で３０ｎｍといった非常に小さな欠点の位置を、短時間で、かつ高い検出位置精度で特定することができる。例えば、検出位置ずれ量が＋／−１５０ｎｍ以下という高い検出位置再現性で、欠点の位置を特定することができる。
なお、本発明の反射層付基板の検査方法、反射層・保護層付基板の検査方法、ＥＵＶマスクブランクの検査方法では、上記と同様の手順で反射層表面、保護層表面、吸収体層表面に形成されたマーク間を結ぶ２軸との相対位置として、反射層に存在する欠点、保護層に存在する欠点、吸収体層に存在する欠点の位置を特定する。ここで、反射層に存在する欠点、保護層に存在する欠点、吸収体層に存在する欠点とは、それぞれ平滑な反射層表面、保護層表面、吸収体層表面から、凹状あるいは凸状に変形した部位と指し、特に、球相当直径で３０ｎｍ以上の大きさの凹状あるいは凸状に変形した部位を指す。このような部位の具体例としては、反射層中、保護層中、吸収体層中に異物が存在することによって、反射層表面、保護層表面、吸収体層表面に生じる凸状に変形した部位や、欠点を有する表面上に反射層、保護層、吸収体層が形成されることによって、反射層表面、保護層表面、吸収体層表面に生じる凸状に変形した部位や凹状に変形した部位、例えば、欠点を有する基板の成膜面に反射層を形成した結果として、反射層表面に生じる凸状に変形した部位や凹状に変形した部位、欠点を有する反射層表面または保護層表面に吸収体層を形成した結果として、吸収体層表面に生じる凸状に変形した部位や凹状に変形した部位が挙げられる。
＜欠点修正方法＞
本発明のマスクブランク用基板の欠点修正方法では、上記の手順で位置が特定された、基板の成膜面に存在する欠点を修正する。欠点の修正方法としては、例えば、凸欠点の場合、エッチング液を用いたウェットエッチングにより欠点を除去するリフトオフ法や、ブラシ洗浄、精密研磨等によって欠点を除去する方法がある。凹欠点の場合、成膜面に基板材料からなる膜、または基板材料と性質が類似した材料からなる膜を形成し、凹欠点を埋めることにより欠点を修正する方法がある。また、レーザ照射により凹欠点付近の基板材料を膨張させることにより欠点を修正する方法がある。
なお、本発明の反射層付基板の欠点修正方法、反射層・保護層付基板の欠点修正方法の場合も同様に、上記の手順で位置が特定された反射層に存在する欠点、保護層に存在する欠点を修正する。
本発明のマスクブランク用基板の欠点修正方法では、上記の手順で位置が特定された、基板の成膜面に存在する欠点を修正する。欠点の修正方法としては、例えば、凸欠点の場合、エッチング液を用いたウェットエッチングにより欠点を除去するリフトオフ法や、ブラシ洗浄、精密研磨等によって欠点を除去する方法がある。凹欠点の場合、成膜面に基板材料からなる膜、または基板材料と性質が類似した材料からなる膜を形成し、凹欠点を埋めることにより欠点を修正する方法がある。また、レーザ照射により凹欠点付近の基板材料を膨張させることにより欠点を修正する方法がある。
なお、本発明の反射層付基板の欠点修正方法、反射層・保護層付基板の欠点修正方法の場合も同様に、上記の手順で位置が特定された反射層に存在する欠点、保護層に存在する欠点を修正する。
＜ＥＵＶマスクの製造方法＞
本発明のＥＵＶマスクの製造方法では、上記の手順で特定された欠点の位置に基づいて、ＥＵＶマスクブランクにパターニングする位置を微調整する。具体的には、形成されるパターンに影響をおよぼす位置に欠点が存在しないように、あるいは欠点が及ぼすパターニング精度への悪影響が最小限となるように、ＥＵＶマスクブランクにパターニングする位置を微調整する。パターニングによって吸収体層が除去され、外部に露出した反射層または保護層に欠点が存在すると、形成されるパターンに悪影響をおよぼす。
このような欠点が、パターニング後に吸収体層が残存する領域に位置するよう、パターニングする位置を微調整することで、形成されるパターンに悪影響がおよばないようにすることができる。また、例えば、パターニングによって吸収体層が除去され、外部に露出した反射層または保護層に欠点が存在すると、ウェハー上レジストに縮小転写された半導体デバイス回路の寸法を目標値から変位させ、パターニング精度を損なうため、好ましくない。ここで欠点によるパターニング精度への影響は、パターニング後に残存する吸収体層と、外部に露出した欠点と、の水平方向距離に依存するため、その影響が最小となるようパターニングする位置を微調整することにより、パターニング精度への悪影響を最小限におさえることができる。
本発明のＥＵＶマスクの製造方法では、上記の手順で特定された欠点の位置に基づいて、ＥＵＶマスクブランクにパターニングする位置を微調整する。具体的には、形成されるパターンに影響をおよぼす位置に欠点が存在しないように、あるいは欠点が及ぼすパターニング精度への悪影響が最小限となるように、ＥＵＶマスクブランクにパターニングする位置を微調整する。パターニングによって吸収体層が除去され、外部に露出した反射層または保護層に欠点が存在すると、形成されるパターンに悪影響をおよぼす。
このような欠点が、パターニング後に吸収体層が残存する領域に位置するよう、パターニングする位置を微調整することで、形成されるパターンに悪影響がおよばないようにすることができる。また、例えば、パターニングによって吸収体層が除去され、外部に露出した反射層または保護層に欠点が存在すると、ウェハー上レジストに縮小転写された半導体デバイス回路の寸法を目標値から変位させ、パターニング精度を損なうため、好ましくない。ここで欠点によるパターニング精度への影響は、パターニング後に残存する吸収体層と、外部に露出した欠点と、の水平方向距離に依存するため、その影響が最小となるようパターニングする位置を微調整することにより、パターニング精度への悪影響を最小限におさえることができる。
半導体デバイスの高集積化に伴い求められている、パターンに影響を及ぼす位置に欠点のない、あるいは欠点が及ぼすパターン精度への影響が最小限に抑えられたＥＵＶマスクの製造に、利用することができる。
なお、２００７年４月１７日に出願された日本特許出願２００７−１０８０６０号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
なお、２００７年４月１７日に出願された日本特許出願２００７−１０８０６０号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
Claims (24)
- ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板であって、
該基板の成膜面のパターニング時の露光領域外に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）成膜面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。 - 前記マーク間の距離が、１５０ｎｍ以上離れている請求項１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板。
- さらに、前記基板の成膜面のパターニング時の露光領域外に、前記マークを識別するための補助マークが形成されている請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板。
- 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層が形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板であって、
前記反射層表面のパターニング時の露光領域外に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）反射層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。 - 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、該反射層を保護する保護層とがこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板であって、
前記保護層表面のパターニング時の露光領域外に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）保護層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。 - 前記マーク間の距離が、１５０ｎｍ以上離れている請求項４または５に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板。
- さらに、前記反射層表面のパターニング時の露光領域外に、前記マークを識別するための補助マークが形成されていることを特徴とする請求項４に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板。
- さらに、前記保護層表面のパターニング時の露光領域外に、前記マークを識別するための補助マークが形成されている請求項５に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板。
- 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、がこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記吸収体層表面のパターニング時の露光領域外に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）吸収体層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。 - 基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層、およびマスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層がこの順に形成されたＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記低反射層表面のパターニング時の露光領域外に下記（１），（２）を満たす少なくとも３つのマークが形成されていることを特徴とするＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１）マークの大きさが球相当直径で３０〜１００ｎｍ。
（２）低反射層表面上で３つのマークが同一の仮想直線に載らない。 - 前記反射層と、前記吸収体層と、の間に、前記吸収体層を保護する保護層が形成されていることを特徴とする請求項１１または１２に記載ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
- 前記マーク間の距離が、１５０ｎｍ以上離れている請求項９〜１１のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
- さらに、前記吸収体層表面のパターニング時の露光領域外に、前記マークを識別するための補助マークが形成されている請求項９に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
- さらに、前記低反射層表面のパターニング時の露光領域外に、前記マークを識別するための補助マークが形成されている請求項１０に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
- 前記成膜面のパターニング時の露光領域外に形成されたマークを用いて欠点の位置を特定する工程を含む請求項１〜３のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板の欠点検査方法。
- 前記成膜面のパターニング時の露光領域外に形成されたマークを用いて欠点の位置を特定する工程、および該工程で位置が特定された欠点を修正する工程を含む請求項１〜３のいずれかに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク用基板の欠点修正方法。
- 前記反射層表面のパターニング時の露光領域外に形成されたマークを用いて欠点の位置を特定する工程を含む請求項４に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板の欠点検査方法。
- 前記反射層表面のパターニング時の露光領域外に形成されたマークを用いて欠点の位置を特定する工程、および該工程で位置が特定された欠点を修正する工程を含む請求項４に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板の欠点修正方法。
- 前記保護層表面のパターニング時の露光領域外に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程を含む請求項５に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板の欠点検査方法。
- 前記保護層表面のパターニング時の露光領域外に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程、および該工程で位置が特定された欠点を修正する工程を含む請求項５に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射層付基板の欠点修正方法。
- 前記吸収体層表面のパターニング時の露光領域外に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程を含む請求項９に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの欠点検査方法。
- 前記吸収体層表面のパターニング時の露光領域外に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程、および該工程で特定された欠点の位置に基づいて、マスクブランクにパターニングする位置を微調整する工程を含む請求項９に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを用いてＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクを製造する方法。
- 前記低反射層表面のパターニング時の露光領域外に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程を含む請求項１０に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの欠点検査方法。
- 前記反射層表面のパターニング時の露光領域外に形成されたマークを用いて、欠点の位置を特定する工程、および該工程で特定された欠点の位置に基づいて、マスクブランクにパターニングする位置を微調整する工程を含む請求項１０に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクを用いてＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクを製造する方法。
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