JP2011207163A5 - - Google Patents

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Claims (18)

  1. 元型モールドの表面に設けられている微細パターンをインプリントにより転写してモールドを製造する際に用いられるマスクブランクスであって、
    化学式ＣｒＯｘＮｙＣｚ（ただしｘ＞０）であるクロム化合物層を含み且つドライエッチングにより微細パターンを形成自在なハードマスク層を基板上に有し、前記ハードマスク層の厚みは５ｎｍ以下であることを特徴とするモールド製造用マスクブランクス。
  2. 前記クロム化合物層を含む前記ハードマスク層には導電層が設けられていないことを特徴とする請求項１に記載のモールド製造用マスクブランクス。
  3. 前記ハードマスク層は、酸化クロム層または酸化窒化クロム層のみからなることを特徴とする請求項１または２に記載のモールド製造用マスクブランクス。
  4. 前記基板は透光性基板であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のモールド製造用マスクブランクス。
  5. 前記基板は石英基板であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のモールド製造用マスクブランクス。
  6. 前記基板は炭化ケイ素またはシリコンウエハであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のモールド製造用マスクブランクス。
  7. 請求項１ないし６のいずれかに記載のモールド製造用マスクブランクスにおける前記ハードマスク層上にはパターン形成用のレジスト層が設けられることを特徴とするモールド製造用レジスト付きマスクブランクス。
  8. 前記レジスト層は光硬化性樹脂からなることを特徴とする請求項７に記載のモールド製造用レジスト付きマスクブランクス。
  9. 微細パターンに対応する溝が設けられたインプリント用の元型モールドからモールドを製造する方法であって、
    前記モールド用の基板上に、化学式ＣｒＯｘＮｙＣｚ（ただしｘ＞０）であるクロム化合物層を含み且つドライエッチングにより微細パターンを形成自在なハードマスク層を５ｎｍ以下の厚さで形成し、前記ハードマスク層上にパターン形成用のレジスト層を形成する工程と、
    光インプリントまたは熱インプリントにより、前記元型モールドの微細パターンを前記レジスト層に転写する工程と、
    微細パターンが転写された前記レジスト層をマスクとして、前記ハードマスク層に対してウェットエッチングを行う工程とを有することを特徴とするモールドの製造方法。
  10. 微細パターンに対応する溝が設けられたインプリント用の元型モールドからモールドを製造する方法であって、
    前記モールド用の基板上に、化学式ＣｒＯｘＮｙＣｚ（ただしｘ＞０）であるクロム化合物層を含み且つドライエッチングにより微細パターンを形成自在なハードマスク層を５ｎｍ以下の厚さで形成し、前記ハードマスク層上にパターン形成用のレジスト層を形成する工程と、
    光インプリントまたは熱インプリントにより、前記元型モールドの微細パターンを前記レジスト層に転写する工程と、
    微細パターンが転写された前記レジスト層をマスクとして、前記ハードマスク層に対して、実質的に酸素ガスを含まない雰囲気下で、塩素系ガスを含むガスによるドライエッチングを行う工程とを有することを特徴とするモールドの製造方法。
    ただし、実質的に酸素ガスを含まない雰囲気下とは、エッチングの際に酸素ガスが流入したとしても、異方性エッチングを行うことができる程度の流入量である雰囲気下であって、エッチング装置内の酸素含有量が０ではない雰囲気下のことをいう。
  11. 前記ドライエッチングには、塩素ガスが用いられることを特徴とする請求項１０に記載のモールドの製造方法。
  12. 前記クロム化合物層を含む前記ハードマスク層には導電層が設けられていないことを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載のモールドの製造方法。
  13. 前記ハードマスク層は、酸化クロム層または酸化窒化クロム層のみからなることを特徴とする請求項９ないし１２のいずれかに記載のモールドの製造方法。
  14. 前記基板は透光性基板であることを特徴とする請求項９ないし１３のいずれかに記載のモールドの製造方法。
  15. 前記基板は石英基板であることを特徴とする請求項９ないし１４のいずれかに記載のモールドの製造方法。
  16. 前記レジスト層は光硬化性樹脂からなり、前記レジスト層への微細パターン転写には光インプリントが用いられることを特徴とする請求項９ないし１５のいずれかに記載のモールドの製造方法。
  17. 前記元型モールドが非透光性基板により形成されている場合、光インプリントを行う際に、前記モールド用の被転写基板側から露光を行うことを特徴とする請求項１４に記載のモールドの製造方法。
  18. 前記基板は炭化ケイ素またはシリコンウエハであることを特徴とする請求項９ないし１４のいずれかに記載のモールドの製造方法。
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