JP2011207163A - モールド製造用マスクブランクス、モールド製造用レジスト付きマスクブランクスおよびモールドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】元型モールド30の表面に設けられている微細パターンをインプリントにより転写してサブマスターモールド20を製造する際に用いられるマスクブランクスであって、化学式CrOxNyCz(ただしx>0)であるクロム化合物層を含むハードマスク層を基板1上に有する。
【選択図】図1
Description
なお、ここでいう光インプリント用のサブマスターモールドの作製とは直接関係ないが、関連技術として、石英ガラスなどの透光性基板上に窒化クロム層を形成し、その上にレジストを塗布した後、電子線描画などを用いてレジストパターンを形成する技術が本出願人により開示されている(例えば、特許文献1参照)。この特許文献1においては、このレジストパターンをマスクとして窒化クロム層に対してエッチング加工を行うことにより微細パターンを形成している。その後、窒化クロム層における微細パターンをマスクとして透光性基板に溝加工を施している。
本発明の第2の態様は、第1の態様に記載の発明において、前記ハードマスク層において、前記クロム化合物層上には導電層が設けられていないことを特徴とするモールド製造用マスクブランクスである。
本発明の第3の態様は、第1または第2の態様に記載の発明において、前記ハードマスク層は、酸化クロム層または酸化窒化クロム層のみからなることを特徴とするモールド製造用マスクブランクスである。
本発明の第4の態様は、第1ないし第3のいずれかの態様に記載の発明において、前記基板は透光性基板であることを特徴とするモールド製造用マスクブランクスである。
本発明の第5の態様は、第1ないし第4のいずれかの態様に記載の発明において、前記基板は石英基板であることを特徴とするモールド製造用マスクブランクスである。
本発明の第6の態様は、第1ないし第3のいずれかの態様に記載の発明において、前記基板は炭化ケイ素またはシリコンウエハであることを特徴とするモールド製造用マスクブランクスである。
本発明の第7の態様は、第1ないし第6のいずれかの態様に記載のモールド製造用マスクブランクスにおける、前記ハードマスク層上にはパターン形成用レジスト層が設けられることを特徴とするモールド製造用レジスト付きマスクブランクスである。
本発明の第8の態様は、第7の態様に記載の発明において、前記レジスト層は光硬化性樹脂からなることを特徴とするモールド製造用レジスト付きマスクブランクスである。
本発明の第9の態様は、第7の態様に記載の発明において、前記レジスト層は熱可塑性樹脂からなることを特徴とするモールド製造用レジスト付きマスクブランクスである。
本発明の第10の態様は、第7ないし第9のいずれかの態様に記載の発明において、インプリントによりマスクブランクスに転写される微細パターンは、基板上に溝が設けられることにより形成されるものであり、前記溝の深さが0nmを上回り80nm以下のとき、前記ハードマスク層の厚みは2nm以上5nm以下であることを特徴とするモールド製造用レジスト付きマスクブランクスである。
本発明の第11の態様は、微細パターンに対応する溝が設けられたインプリント用の元型モールドからモールドを製造する方法であって、前記モールド用の基板上に、化学式CrOxNyCz(ただしx>0)であるクロム化合物層を含むハードマスク層を形成し、前記ハードマスク層上にパターン形成用レジスト層を形成する工程と、光インプリントまたは熱インプリントにより、前記元型モールドの微細パターンを前記レジスト層に転写する工程と、微細パターンが転写された前記レジスト層をマスクとして、前記ハードマスク層に対してウェットエッチングを行う工程と、を有することを特徴とするモールドの製造方法である。
本発明の第12の態様は、微細パターンに対応する溝が設けられたインプリント用の元型モールドからモールドを製造する方法であって、前記モールド用の基板上に、化学式CrOxNyCz(ただしx>0)であるクロム化合物層を含むハードマスク層を形成し、前記ハードマスク層上にパターン形成用レジスト層を形成する工程と、光インプリントまたは熱インプリントにより、前記元型モールドの微細パターンを前記レジスト層に転写する工程と、微細パターンが転写された前記レジスト層をマスクとして、前記ハードマスク層に対して、実質的に酸素ガスを含まない雰囲気下で、塩素系ガスを含むガスによるドライエッチングを行う工程と、を有することを特徴とするモールドの製造方法である。
ただし、実質的に酸素ガスを含まない雰囲気下とは、エッチングの際に酸素ガスが流入したとしても、異方性エッチングを行うことができる程度の流入量である雰囲気下であって、エッチング装置内の酸素含有量が0ではない雰囲気下のことをいう。
本発明の第13の態様は、第12の態様に記載の発明において、前記ドライエッチングには、塩素ガスが用いられることを特徴とするモールドの製造方法である。
本発明の第14の態様は、第11ないし第13のいずれかの態様に記載の発明において、前記ハードマスク層において、前記クロム化合物層上には導電層が設けられていないことを特徴とするモールドの製造方法である。
本発明の第15の態様は、第11ないし第14のいずれかの態様に記載の発明において、前記ハードマスク層は、酸化クロム層または酸化窒化クロム層のみからなることを特徴とするモールドの製造方法である。
本発明の第16の態様は、第11ないし第15のいずれかの態様に記載の発明において、前記基板は透光性基板であることを特徴とするモールドの製造方法である。
本発明の第17の態様は、第11ないし第16のいずれかの態様に記載の発明において、前記基板は石英基板であることを特徴とするモールドの製造方法である。
本発明の第18の態様は、第11ないし第17のいずれかの態様に記載の発明において、前記レジスト層は光硬化性樹脂からなり、前記レジスト層への微細パターン転写には光インプリントが用いられることを特徴とするモールドの製造方法である。
本発明の第19の態様は、第18の態様に記載の発明において、前記元型モールドが非透光性基板により形成されている場合、光インプリントを行う際に、前記モールド用の被転写基板側から露光を行うことを特徴とするモールドの製造方法である。
本発明の第20の態様は、第11ないし第15のいずれかの態様に記載の発明において、前記基板は炭化ケイ素またはシリコンウエハであることを特徴とするモールドの製造方法である。
本発明の第21の態様は、第11ないし第17のいずれかの態様に記載の発明において、前記レジスト層は熱可塑性樹脂からなり、前記レジスト層への微細パターン転写には熱インプリントが用いられることを特徴とするモールドの製造方法である。
本発明の第22の態様は、第11ないし第21のいずれかの態様に記載の発明において、インプリントによりマスクブランクスに転写される微細パターンは、基板上に溝が設けられることにより形成されるものであり、前記溝の深さが0nmを上回り80nm以下のとき、前記ハードマスク層の厚みは2nm以上5nm以下であることを特徴とするモールドの製造方法である。
以下、本発明を実施するための形態を、図1に基づき説明する。
まず図1(a)に示すように、サブマスターモールド20のための基板1を用意する。
この基板1は、サブマスターモールド20として用いることができるのならば従来のものでも良いが、光インプリントを行う場合は被転写材への光照射の観点から透光性基板であることが好ましい。この透光性基板1としては、石英基板などのガラス基板が挙げられる。なお、微細パターンが形成されたマスターモールド(または元型となるワーキングモールド)が透光性を有するのならば、Si基板などの非透光性基板であっても構わない。
本実施形態においては、円盤形状の石英基板1を用いて説明する。
具体的には、本実施形態においては、クロムターゲットをアルゴンと窒素の混合ガスでスパッタリングして窒化クロム層を基板1上に成膜した後にベーク処理を行う。こうして、酸化窒化クロム層3のみからなるハードマスク層(すなわちx>0且つy>0であるクロム化合物層3)を基板1上に設ける。こうして、本実施形態に係るマスクブランクスを形成する。
なお、この酸化窒化クロムは、クロムターゲットをアルゴンと酸素と窒素の混合ガスでスパッタリングして元々酸化窒化クロムである化合物を層状にしてもよいし、上述のように窒化クロムをベークにより酸化させて酸化窒化クロム層を形成してもよい。
なお、このハードマスク層には、酸化窒化クロム層のみならず、導電層以外に、密着層を別途設けてもよい。
このように、基板上にハードマスク層を設けたものを、本実施形態においてはインプリントブランクス(或いは単にブランクス)という。
また、このハードマスク層の厚みは、X線反射率法により決定した。具体的には、X線源としてCuのKα線を、0度から7度までの低角度で入射させて、反射率の角度依存性を測定した。この測定結果を、膜厚、密度、界面粗さを構造パラメータとした、石英基板上のCrN単層モデルまたはCrON/CrN複層モデルのいずれかとフィッティングし、最適化したモデルよりハードマスク層の厚みを得た。
次に、基板上にレジストパターンが形成された基板1を、ドライエッチング装置に導入する。通常だと、酸化窒化クロム層3ではなく窒化クロム層が設けられていたため、酸素無存在下の雰囲気において、塩素系ガスのみの第1のエッチングを行うことは困難であった。そのため、塩素ガスと酸素ガスとによる等方的なエッチングを行う必要があった。
ただし、エッチングに際して、酸化窒化クロム層3は通常、塩化クロミル(CrO2Cl2)を形成せずにCr2O3を形成してしまう。このCr2O3から塩化クロミル(CrO2Cl2)へと変化させるためには、若干量の酸素が必要となる。そのため、本実施形態においては、完全に酸素無存在下でドライエッチングを行うというわけではない。故に、本実施形態における「実質的に酸素ガスを含まない雰囲気下」とは、上記の設定に加えて、「エッチング装置内の酸素含有量が0ではない」ものであることを指すものとする。
本実施形態においては、塩素ガスのみを導入した場合について説明する。
続いて、第1のエッチングで用いられたガスを真空排気した後、同じドライエッチング装置内で、フッ素系ガスを用いた第2のエッチングを、石英基板1に対して行う。この際、前記ハードマスク層をマスクとして石英基板1をエッチング加工し、図1(h)に示すように、微細パターンに対応した溝を基板1に施す。なお、アライメントマークが施されている場合、基板1上にはアライメントマーク用の溝も形成されている。
本実施形態における第3のエッチングにおいては、ウェットエッチングを行う。まず、レジストを除去した後の残存ハードマスク層除去前モールド10をウェットエッチング装置に導入する。そして、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液によりウェットエッチングを行う。この際、過塩素酸との混合液を用いてもよい。なお、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液以外であっても、酸化窒化クロム層を除去することができる溶液であればよい。
すなわち、上記石英に溝加工を施した残存ハードマスク層除去前モールド10上に台座構造用レジスト6を塗布し、紫外線による露光と現像を行う(図2(a))。なお、アライメントマークが基板1上に施されている場合は、このアライメントマーク上にも台座構造用レジスト6を塗布する。
そして、上記レジストパターンを形成した残存ハードマスク層除去前モールド10について、フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合液にてウェットエッチングを行い、さらに所定の酸洗浄によりレジストを除去する(図2(b))。こうして、台座構造を有する残存ハードマスク層除去前モールド10を作製し(図2(c))、ウェットエッチングまたはドライエッチングを経てサブマスターモールド20を作製してもよい。
まず、電子線の直接描画でワーキングモールドを作製するのではなく、サブマスターモールド20製造用マスクブランクスに対して光インプリントにより元型モールド30の微細パターンを転写するため、サブマスターモールド20の製造時間を大幅に短縮できる。
また、導電層を含まないハードマスク層としていることから、ハードマスク層に対するエッチング工程に要する時間を短縮化することができる。
また、ドライエッチングを用いた場合であっても、導電層に配慮したガスを用いることなく、塩素系ガスを用いたシンプルなドライエッチングで済む。さらには、導電層を設けるためのスパッタ用ターゲットが不要になり、コストの削減に寄与する。
先に述べた実施の形態1においては、光インプリント用マスターモールドに対するサブマスターモールド20について述べた。
その一方、本実施形態においては、熱インプリント用マスターモールドに対するサブマスターモールド20について説明する。なお、以下の説明において特筆しない部分については、実施の形態1と同様である。
本実施形態においては、円盤形状のSiC基板を用いて説明する。
先に述べた実施の形態2においては、熱インプリント用のサブマスターモールド20の基板としてシリコンウエハを例示した。このシリコンウエハは紫外線に対して不透明であるため、光インプリント用のモールドとしては必ずしも適切ではないと考えられていた。
しかしながら、シリコンウエハを用いた元型モールド30であっても、サブマスターモールド20用のマスクブランクス側(つまりは透光性石英基板1側)から紫外線を照射すれば、好適にパターン転写を行うことができる。本実施形態においてはマスクブランクス側からの紫外線照射について説明する。
以降、実施の形態1と同様に、サブマスターモールド20を作製する。
本実施例においては、基板1として円盤状合成石英基板(外径150mm、厚み0.7mm)を用いた(図1(a))。この石英基板1をスパッタリング装置に導入した。そして、クロムターゲットをアルゴンと酸素の混合ガスでスパッタリングし、さらにベーク処理を行うことにより、酸化窒化クロム層3を2.5nmの厚みで成膜した(図1(b))。こうして、酸化窒化クロム層3のみからなるハードマスク層を形成した石英基板1上に、光インプリント用の紫外線光硬化性レジスト層4(東洋合成社製PAK−01)をスピンコートにより45nmの厚みに塗布した(図1(c))。
実施例により得られたインプリント用のサブマスターモールド20について、走査型電子顕微鏡を用いて観察した。その結果を図3に示す。図3は実施例におけるインプリント用のサブマスターモールドの表面を示す写真である。
3 酸化窒化クロム層(ハードマスク層)
4 微細パターン形成用レジスト層
10 残存ハードマスク層除去前モールド
20 サブマスターモールド
30 元型モールド
6 台座構造用レジスト層
Claims (22)
- 元型モールドの表面に設けられている微細パターンをインプリントにより転写してモールドを製造する際に用いられるマスクブランクスであって、
化学式CrOxNyCz(ただしx>0)であるクロム化合物層を含むハードマスク層を基板上に有することを特徴とするモールド製造用マスクブランクス。 - 前記ハードマスク層において、前記クロム化合物層上には導電層が設けられていないことを特徴とする請求項1に記載のモールド製造用マスクブランクス。
- 前記ハードマスク層は、酸化クロム層または酸化窒化クロム層のみからなることを特徴とする請求項1または2に記載のモールド製造用マスクブランクス。
- 前記基板は透光性基板であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のモールド製造用マスクブランクス。
- 前記基板は石英基板であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のモールド製造用マスクブランクス。
- 前記基板は炭化ケイ素またはシリコンウエハであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載のモールド製造用マスクブランクス。
- 請求項1ないし6のいずれかに記載のモールド製造用マスクブランクスにおける前記ハードマスク層上にはパターン形成用レジスト層が設けられることを特徴とするモールド製造用レジスト付きマスクブランクス。
- 前記レジスト層は光硬化性樹脂からなることを特徴とする請求項7に記載のモールド製造用レジスト付きマスクブランクス。
- 前記レジスト層は熱可塑性樹脂からなることを特徴とする請求項7に記載のモールド製造用レジスト付きマスクブランクス。
- インプリントによりマスクブランクスに転写される微細パターンは、基板上に溝が設けられることにより形成されるものであり、前記溝の深さが0nmを上回り80nm以下のとき、前記ハードマスク層の厚みは2nm以上5nm以下であることを特徴とする請求項7ないし9のいずれかに記載のモールド製造用レジスト付きマスクブランクス。
- 微細パターンに対応する溝が設けられたインプリント用の元型モールドからサブマスターモールドを製造する方法であって、
前記サブマスターモールド用の基板上に、化学式CrOxNyCz(ただしx>0)であるクロム化合物層を含むハードマスク層を形成し、前記ハードマスク層上にパターン形成用レジスト層を形成する工程と、
光インプリントまたは熱インプリントにより、前記元型モールドの微細パターンを前記レジスト層に転写する工程と、
微細パターンが転写された前記レジスト層をマスクとして、前記ハードマスク層に対してウェットエッチングを行う工程とを有することを特徴とするモールドの製造方法。 - 微細パターンに対応する溝が設けられたインプリント用の元型モールドからモールドを製造する方法であって、
前記サブマスターモールド用の基板上に、化学式CrOxNyCz(ただしx>0)であるクロム化合物層を含むハードマスク層を形成し、前記ハードマスク層上にパターン形成用レジスト層を形成する工程と、
光インプリントまたは熱インプリントにより、前記元型モールドの微細パターンを前記レジスト層に転写する工程と、
微細パターンが転写された前記レジスト層をマスクとして、前記ハードマスク層に対して、実質的に酸素ガスを含まない雰囲気下で、塩素系ガスを含むガスによるドライエッチングを行う工程とを有することを特徴とするモールドの製造方法。
ただし、実質的に酸素ガスを含まない雰囲気下とは、エッチングの際に酸素ガスが流入したとしても、異方性エッチングを行うことができる程度の流入量である雰囲気下であって、エッチング装置内の酸素含有量が0ではない雰囲気下のことをいう。 - 前記ドライエッチングには、塩素ガスが用いられることを特徴とする請求項12に記載のモールドの製造方法。
- 前記ハードマスク層において、前記クロム化合物層上には導電層が設けられていないことを特徴とする請求項11ないし13のいずれかに記載のモールドの製造方法。
- 前記ハードマスク層は、酸化クロム層または酸化窒化クロム層のみからなることを特徴とする請求項11ないし14のいずれかに記載のモールドの製造方法。
- 前記基板は透光性基板であることを特徴とする請求項11ないし15のいずれかに記載のモールドの製造方法。
- 前記基板は石英基板であることを特徴とする請求項11ないし16のいずれかに記載のモールドの製造方法。
- 前記レジスト層は光硬化性樹脂からなり、前記レジスト層への微細パターン転写には光インプリントが用いられることを特徴とする請求項11ないし17のいずれかに記載のモールドの製造方法。
- 前記元型モールドが非透光性基板により形成されている場合、光インプリントを行う際に、前記サブマスターモールド用の被転写基板側から露光を行うことを特徴とする請求項18に記載のモールドの製造方法。
- 前記基板は炭化ケイ素またはシリコンウエハであることを特徴とする請求項11ないし15のいずれかに記載のモールドの製造方法。
- 前記レジスト層は熱可塑性樹脂からなり、前記レジスト層への微細パターン転写には熱インプリントが用いられることを特徴とする請求項11ないし17のいずれかに記載のモールドの製造方法。
- インプリントによりマスクブランクスに転写される微細パターンは、基板上に溝が設けられることにより形成されるものであり、前記溝の深さが0nmを上回り80nm以下のとき、前記ハードマスク層の厚みは2nm以上5nm以下であることを特徴とする請求項11ないし21のいずれかに記載のモールドの製造方法。
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