JP5743920B2 - 微細パターンを有するガラス構造体の製造方法 - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
従来のインプリント用モールドの作製においては、石英ガラスなどの透光性基板上にクロム等の薄膜を形成したブランクが用いられ、このブランク上にレジストを塗布した後、電子線露光などを用いてレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして薄膜をエッチング加工することにより薄膜パターンを形成している。
下記特許文献1には、Crと酸素を含む上層と、Ta又はその化合物を含み、フッ素系ガスでドライエッチング可能な下層とからなる薄膜を有するインプリントモールド用マスクブランクが記載されている。
また、下記特許文献2には、ガラス基板上に、Cr又は酸素を実質的に含まないCr化合物を材料とした上層と、Ta又は酸素を実質的に含まないTa化合物で形成された中間層と、Cr又はCr化合物で形成された下層の積層膜を形成したインプリントモールド用マスクブランクが記載されている。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
ガラス基板の表面に微細パターンが形成されたガラス構造体の製造方法において、ガラス基板上に、フッ素系エッチャントによりエッチング可能な材料からなる下層、及びクロム(Cr)又はクロム(Cr)化合物からなる上層を含む薄膜を形成したガラス構造体用ブランクを用意する工程と、前記薄膜上に形成したレジストパターンをマスクとして、塩素系ガスを含む第1のエッチャントを用いて前記上層をエッチングすることにより、上層パターンを形成する工程と、少なくとも前記上層パターンをマスクとして、フッ素系ガス又は塩素系ガスを含む第2のエッチャントを用いて前記下層をエッチングすることにより、下層パターンを形成する工程と、少なくとも前記下層パターンをマスクとして、フッ素系ガスを含む第3のエッチャントを用いて、前記ガラス基板をエッチングすることにより、前記ガラス基板の表面に掘り込み部を形成する工程と、第4のエッチャントを用いて、前記上層パターンを除去する工程と、フッ素系の第5のエッチャントを用いて、前記下層パターンを除去するとともに、前記掘り込み部が形成された前記ガラス基板の表面を更にエッチングすることにより、前記微細パターンを形成する工程と、を有することを特徴とする微細パターンを有するガラス構造体の製造方法である。
前記微細パターンを形成する工程においては、前記掘り込み部を形成する工程よりも、エッチングの異方性が小さくなるエッチング条件を適用することを特徴とする構成1に記載の微細パターンを有するガラス構造体の製造方法である。
前記微細パターンを形成する工程において、前記ガラス基板に形成された前記掘り込み部の側壁のエッチングを更に進行させることにより、前記微細パターンの形状を形成することを特徴とする構成1又は2に記載の微細パターンを有するガラス構造体の製造方法である。
前記微細パターンを形成する工程において、前記ガラス基板に形成された前記掘り込み部の側壁のエッチングを更に進行させることにより、前記掘り込み部の側壁の傾斜を形成することを特徴とする構成1乃至3のいずれかに記載の微細パターンを有するガラス構造体の製造方法である。
前記下層は、遷移金属とシリコンを含む材料からなることを特徴とする構成1乃至4のいずれかに記載の微細パターンを有するガラス構造体の製造方法である。
構成1乃至5のいずれかに記載の製造方法で製造されたインプリント用モールドである。
(構成7)
ガラス基板表面に微細パターンが形成されたガラス構造体であって、前記微細パターン及び該微細パターンが形成された基板主面の全面が、フッ素系エッチャントによるエッチングを受けた被エッチング面であることを特徴とする微細パターンを有するガラス構造体である。
[ガラス構造体の製造方法]
本発明に係る微細パターンを有するガラス構造体の製造方法について説明する。
上記構成1にあるように、本発明に係るガラス基板の表面に微細パターンが形成されたガラス構造体の製造方法は、
ガラス基板上に、フッ素系エッチャントによりエッチング可能な材料からなる下層、及びクロム(Cr)又はクロム(Cr)化合物からなる上層を含む薄膜を形成したガラス構造体用ブランクを用意する工程と、
前記薄膜上に形成したレジストパターンをマスクとして、塩素系ガスを含む第1のエッチャントを用いて前記上層をエッチングすることにより、上層パターンを形成する工程と、
少なくとも前記上層パターンをマスクとして、フッ素系ガス又は塩素系ガスを含む第2のエッチャントを用いて前記下層をエッチングすることにより、下層パターンを形成する工程と、
少なくとも前記下層パターンをマスクとして、フッ素系ガスを含む第3のエッチャントを用いて、前記ガラス基板をエッチングすることにより、前記ガラス基板の表面に掘り込み部を形成する工程と、
第4のエッチャントを用いて、前記上層パターンを除去する工程と、
フッ素系の第5のエッチャントを用いて、前記下層パターンを除去するとともに、前記掘り込み部が形成された前記ガラス基板の表面を更にエッチングすることにより、前記微細パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とするものである。
ここで、エッチャントとは、ドライエッチングの場合にはエッチングガス、ウェットエッチングにおいてはエッチング液を意味する。
下層の材料としては、例えば、MoSi又はMoSi化合物(MoSiN、MoSiON、MoSiOCN等)を適用することができる。上記Ta系の膜は、大気との接触により表面に自然酸化膜(TaOx)を形成しやすい一方、Moとシリコンを含む材料には、その傾向が実質的に無いため、エッチング性が損なわれることが無く、有利である。
上記上層の膜厚は、厚すぎると、パターニング時のレジスト膜厚を厚くする必要が生じ、微細化上の支障になる一方、小さすぎるとエッチングマスクとしての機能に不都合が生じる。例えば5〜20nmが好ましく、より好ましくは5〜10nmである。また、上記下層の膜厚は、例えば20〜100nm程度が好ましく、より好ましくは50〜80nm程度である。
エッチングの異方性をより小さくするためには、例えば、ドライエッチングよりウェットエッチングの方が異方性が小さくなる(つまり等方性が大きくなる)ことを利用することができる。また、ドライエッチングにおいては、エッチングチャンバー内のガスの圧を大きくすると異方性が小さくなり、ガスの圧を小さくすると異方性が大きくなる傾向があることを利用することができる。或いは、RFパワーやエッチングガスの変更によって、エッチングの異方性を調整することも可能である。
また、等方性エッチングによって、掘り込み部のエッジの角部を曲面化することができる。この場合、モールドとして使用する際の、掘り込みエッジに生じる応力緩和することができ、離型性を向上することができる。
本発明により得られる微細パターンを有するガラス構造体は、前記構成7にあるように、ガラス基板表面に微細パターンが形成されたガラス構造体であって、前記微細パターン及び該微細パターンが形成された基板主面の全面(少なくともパターン形成領域)が、フッ素系エッチャントによるエッチングを受けた被エッチング面であることを特徴とするものである。本発明に係るガラス構造体は、例えば以上説明したような製造方法によって好適に得ることができる。
本発明のガラス構造体がもつ微細パターン形状に制限はない。ラインアンドスペースパターンであっても、ドットパターンであってもよく、用途に応じて選択すればよい。
(1)基板掘り込み部、非掘り込み部(基板主面)の表面状態を均一にすることができる。上記のとおり、基板掘り込み部はフッ素系ガスでエッチングされるが、最後の微細パターンを形成する工程において、前記下層パターンを除去するとともに、前記掘り込み部が形成された前記ガラス基板の表面を更にエッチングするので、掘り込み部とともに非掘り込み部(基板主面)もフッ素系エッチャント(例えばフッ素系ガス)でエッチングされる。従って、掘り込み部と非掘り込み部はいずれもフッ素系エッチャントによるエッチングを受けた被エッチング面となり、エッチング表面状態が均一になる。これは、例えばインプリント用モールドとしての離型時の応力を増加させない利点がある。
また、この際、掘り込み部のエッジ形状を曲面とする(角形状に丸みをつける、或いはいわゆる「Rをつける」)ことで、応力緩和することができ、得られるガラス構造体の強度を確保できる。つまり、エッチング条件を適宜調整してエッチングを進めることで掘り込み部の角が取れてRを形成できる。
(5)導電性を確保することが可能である。例えば上層がCrOCNなどの導電性が低い膜の場合には、下層の例えばMoSi系膜で導電性を確保することが可能である。
(実施例1)
本実施例では、インプリント用モールドとして使用するガラス構造体の製造方法について図1を参照して説明する。図1は、本発明のガラス構造体の製造工程を説明するための断面図である。
こうして、本実施例に使用するガラス構造体用ブランクを得た(図1(a)参照)。
次に、上記レジストパターン4aをマスクとして、薄膜3を塩素系ガス、具体的には、Cl2とO2の混合ガス(流量比 Cl2:O2=20:1)を用い、圧力2mTorrでドライエッチングを行い、上層パターン3aを形成した(図1(c)参照)。
なお、レジストパターン4a、上層パターン3a、下層パターン2aをマスクとして、透明基板1の表面に掘り込み部11を形成した後、レジストパターン4aを剥離してもよい。
次に、最初に薄膜2をエッチングしたときと同じ条件でドライエッチングを行い、下層パターン2aを除去するとともに、更に透明基板1のエッチングを進めて、所望のインプリント用モールド10が得られた(図1(g)参照)。
図1(a)〜(f)までの工程は、上記実施例1と同様に行った。
最後に、薄膜2(下層パターン2a)をフッ素系ガスでエッチングする条件のみを実施例1とは変更した。
具体的にはCF4とO2の混合ガス(流量比 CF4:O2=10:1)を用いて、圧力を50mTorr、RFパワーを実施例1よりも30%減少させた条件でドライエッチングを行い、所望のインプリント用モールド10Aが得られた(図2を参照)。本実施例の場合のエッチング条件では圧力を高くしRFパワーを小さくしていることで、エッチングの異方性が弱くなった。この結果、ガラス基板のエッチングレートが遅くなり、これと同時に、縦方向(基板主面と垂直方向)だけでなく横方向(基板主面と平行方向)にもエッチングが促進された。
最終的に得られたガラス基板表面の微細パターンは、掘り込み部11aの掘り込み幅が56nm、掘り込み深さが100nm、断面形状の角度(基板主面に対する側壁の角度)が87.5度であった。
上記実施例2で得られたインプリント用モールド10Aに対し、実施例2の最後の薄膜2のエッチング条件と同じ条件で更にエッチングを進めて、所望のインプリント用モールド10Bが得られた(図3の実線を参照。なお、図3の点線は、実施例2により形成された微細パターン形状、つまり図2の実線の状態を示す。)。
これにより、掘り込み部の縦方向のみならず横方向にもエッチングを進め、掘り込み部11bの掘り込み幅60nm、掘り込み深さ100nmを有する微細パターンを得た。
たとえば、上記実施例では、上層パターン3aを形成した後(薄膜2及び透明基板1のエッチング前)に残存するレジストパターン4aを剥離したが、これ以外のタイミングで、例えば前記のとおりレジストパターン4a、上層パターン3a、下層パターン2aをマスクとして、透明基板1の表面に掘り込み部11を形成した後に、剥離するようにしてもよい。
また、上記下層の薄膜2を構成するMoSiN膜は更なる薄膜でもよく、例えば導電性を確実に確保する点から組成も任意に調整することが可能である。
2 薄膜(下層)
3 薄膜(上層)
4 レジスト膜
10 インプリント用モールド
11 掘り込み部
Claims (5)
- ガラス基板の表面に微細パターンが形成されたガラス構造体の製造方法において、
ガラス基板上に、フッ素系エッチャントによりエッチング可能な材料からなる下層、及びクロム(Cr)又はクロム(Cr)化合物からなる上層を含む薄膜を形成したガラス構造体用ブランクを用意する工程と、
前記薄膜上に形成したレジストパターンをマスクとして、塩素系ガスを含む第1のエッチャントを用いて前記上層をエッチングすることにより、上層パターンを形成する工程と、
少なくとも前記上層パターンをマスクとして、フッ素系ガス又は塩素系ガスを含む第2のエッチャントを用いて前記下層をエッチングすることにより、下層パターンを形成する工程と、
少なくとも前記下層パターンをマスクとして、フッ素系ガスを含む第3のエッチャントを用いて、前記ガラス基板をエッチングすることにより、前記ガラス基板の表面に掘り込み部を形成する工程と、
第4のエッチャントを用いて、前記上層パターンを除去する工程と、
フッ素系の第5のエッチャントを用いて、前記下層パターンを除去するとともに、前記掘り込み部が形成された前記ガラス基板の表面を更にエッチングすることにより、前記微細パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする微細パターンを有するガラス構造体の製造方法。 - 前記微細パターンを形成する工程においては、前記掘り込み部を形成する工程よりも、エッチングの異方性が小さくなるエッチング条件を適用することを特徴とする請求項1に記載の微細パターンを有するガラス構造体の製造方法。
- 前記微細パターンを形成する工程において、前記ガラス基板に形成された前記掘り込み部の側壁のエッチングを更に進行させることにより、前記微細パターンの形状を形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の微細パターンを有するガラス構造体の製造方法。
- 前記微細パターンを形成する工程において、前記ガラス基板に形成された前記掘り込み部の側壁のエッチングを更に進行させることにより、前記掘り込み部の側壁の傾斜を形成することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の微細パターンを有するガラス構造体の製造方法。
- 前記下層は、遷移金属とシリコンを含む材料からなることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の微細パターンを有するガラス構造体の製造方法。
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