JPWO2013047195A1 - モールドブランク、マスターモールド、コピーモールドおよびモールドブランクの製造方法 - Google Patents
モールドブランク、マスターモールド、コピーモールドおよびモールドブランクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2013047195A1 JPWO2013047195A1 JP2013536147A JP2013536147A JPWO2013047195A1 JP WO2013047195 A1 JPWO2013047195 A1 JP WO2013047195A1 JP 2013536147 A JP2013536147 A JP 2013536147A JP 2013536147 A JP2013536147 A JP 2013536147A JP WO2013047195 A1 JPWO2013047195 A1 JP WO2013047195A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hard mask
- mask layer
- substrate
- layer
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
- B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/855—Coating only part of a support with a magnetic layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
- B29C33/3842—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
- B29C33/3857—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts
- B29C33/3878—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining by making impressions of one or more parts of models, e.g. shaped articles and including possible subsequent assembly of the parts used as masters for making successive impressions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/56—Coatings, e.g. enameled or galvanised; Releasing, lubricating or separating agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C2033/0094—Means for masking a part of the moulding surface
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
- B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
- B29C2059/023—Microembossing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/42—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the shape of the moulding surface, e.g. ribs or grooves
- B29C33/424—Moulding surfaces provided with means for marking or patterning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2905/00—Use of metals, their alloys or their compounds, as mould material
- B29K2905/08—Transition metals
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
Description
また、コピーモールドについても、マスターモールドの場合と同様に、モールドブランクを用いて製造される。ただし、コピーモールドの場合は、モールドブランクにおけるレジスト層に対して元型モールドの凹凸パターンを転写することでレジストパターンを形成する点で、マスターモールドの場合とは異なる。
以上のことから、インプリント用モールドブランクにおけるハードマスク層については、例えば、クロム(Cr)を含む材料で形成された層に加えて、タンタル(Ta)を含む材料で形成された導電層を備え、これらによる積層膜で構成することが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
この目的達成のために、本願発明者は、基板上にハードマスク層が形成されてなるモールドブランクについて、ハードマスク層の薄膜化について検討した。この点については、例えば従来のような積層膜構造を採用しないことで、ハードマスク層の薄膜化に対応することも考えられる。ただし、その場合には、後述するような表面酸化の影響によって、ハードマスク層の導電性が損なわれてしまうおそれがある。この表面酸化の影響は、特にハードマスク層を薄膜化した場合に無視できない程度に大きくなり得る。
また、本願発明者は、基板上にハードマスク層が形成されてなるモールドブランクについて、ハードマスク層の層厚方向組成分析を行って、その組成構造について検討した。その結果、ハードマスク層は、製造工程で行う処理(例えばレジスト塗布前ベーク)の影響で、表面側からの酸化が生じ得ることが判明した。このようなハードマスク層の酸化は、当該ハードマスク層の導電性が損なわれることに繋がるので、層厚方向全体に広がると好ましくない。
ところが、モールドブランクに対してレジスト塗布前ベークを行うと、レジスト塗布前ベークを行わない場合に比べて、ハードマスク層とその上層であるレジスト層との密着性が改善されることがわかった。よって、ハードマスク層の表面酸化は、レジスト層との密着性を確保する上で有効と言える。
これらのことから、本願発明者は、ハードマスク層を薄膜化しようとする場合に、ハードマスク層の酸化という事象に着目すると、ハードマスク層における導電性の確保と、その上層との密着性の確保とが、互いに相反する目的事項になり得るとの知見を得た。つまり、単にハードマスク層を酸化させたのでは、導電性の確保と密着性の確保の両立が困難である。
この点につき、本願発明者は、さらに鋭意検討を重ねた。そして、ハードマスク層に酸化抑制材として機能するものを含有させつつ、ハードマスク層の各組成物の層厚方向の含有率を適宜変化させ、これによりハードマスク層における酸化の層厚方向全体への広がりを抑制すれば、ハードマスク層の表面酸化が生じていても当該ハードマスク層における導電性が高く保たれるのではないかとの着想を得た。
本発明の第1の態様は、基板と、前記基板上に形成されて前記基板をエッチングする際のマスク材料となるハードマスク層と、を備えるモールドブランクであって、前記ハードマスク層は、クロム、窒素および酸素を含む組成を有するとともに、前記窒素の含有率が層厚方向で連続的または段階的に変化し、かつ、前記酸素の含有率が前記層厚方向で前記窒素とは実質的に逆向きへ連続的または段階的に変化する含有率変化構造を有することを特徴とするモールドブランクである。
本発明の第2の態様は、第1の態様に記載のモールドブランクにおいて、前記含有率変化構造は、前記基板の側ほど前記窒素の含有率が高く、前記基板とは反対の表面側ほど前記酸素の含有率が高いことを特徴とする。
本発明の第3の態様は、第2の態様に記載のモールドブランクにおいて、前記窒素は、層内の酸化を抑制する機能を有しており、前記酸素は、表面にレジスト層を形成する際の密着性を向上させる機能を有することを特徴とする。
本発明の第4の態様は、第3の態様に記載のモールドブランクにおいて、前記ハードマスク層の膜厚が5nm以下であることを特徴とする。
本発明の第5の態様は、第3の態様に記載のモールドブランクにおいて、前記基板が石英またはシリコンであることを特徴とする。
本発明の第6の態様は、第3の態様に記載のモールドブランクにおいて、前記ハードマスク層は、前記窒素の含有率が30[at%]以上の部分を含むことを特徴とする。
本発明の第7の態様は、基板と、前記基板上に形成されて前記基板をエッチングする際のマスク材料となるハードマスク層と、を備えるモールドブランクであって、前記ハードマスク層は、前記エッチングに対する耐性および導電性のある金属材を含む組成を有し、前記基板とは反対側の表面近傍領域に酸化部が形成されており、前記基板の側の領域には前記酸化部の層厚方向全体への広がりを抑制する酸化抑制材を含有することを特徴とするモールドブランクである。
本発明の第8の態様は、第7の態様に記載のモールドブランクにおいて、前記酸化抑制材が窒素であることを特徴とする。
本発明の第9の態様は、凹凸パターンを有し、第1ないし第8の態様のいずれかに記載のモールドブランクから形成されたことを特徴とするマスターモールドである。
本発明の第10の態様は、凹凸パターンを有し、第1ないし第8の態様のいずれかに記載のモールドブランクから形成されたことを特徴とするコピーモールドである。
本発明の第11の態様は、基板と、前記基板上に形成されて前記基板をエッチングする際のマスク材料となるハードマスク層と、を備えるモールドブランクの製造方法であって、クロムおよび窒素を含む組成の前記ハードマスク層を前記基板上に形成する第1の工程と、前記ハードマスク層における前記基板とは反対側の表面近傍領域に酸化部を形成するとともに、前記窒素を酸化抑制材として機能させることで前記酸化部の層厚方向全体への広がりを抑制する第2の工程と、を備えることを特徴とするモールドブランクの製造方法である。
本実施形態では、以下の順序で項分けして説明を行う。
1.モールドブランクの構成例
2.モールドブランクの製造方法の手順
3.モールドブランクを用いたモールド製造方法の手順
4.本実施形態の効果
5.変形例等
図1(c)に示すように、本実施形態で例に挙げるインプリント用モールドブランク(以下、単に「モールドブランク」という。)10は、基板11上にハードマスク層12およびレジスト層13が順に形成されてなるものである。
基板11は、詳細を後述するように凹凸パターンが形成されることで、マスターモールドまたはコピーモールドとなるものである。
ハードマスク層12は、基板11に凹凸パターンをエッチングで形成する際のマスク材料となるものであり、詳細を後述するように本実施形態のモールドブランク10において最も特徴的な構成要素である。
レジスト層13は、所定のパターン露光および現像、または、元型モールドからの凹凸パターンの転写によって、レジストパターンが形成されるものである。このレジストパターンに基づいて、基板11に凹凸パターンが形成されることになる。
以上のような構成のモールドブランク10は、以下に述べる手順で製造される。
モールドブランク10の製造にあたっては、先ず、図1(a)に示すように、基板11を用意する。
基板11は、マスターモールドまたはコピーモールドとして用いることができるものであればよく、例えば石英(SiO2)基板またはシリコン(Si)基板を用いることが考えられる。さらに具体的には、例えば光インプリントを行うモールドとして用いる場合であれば、被転写材への光照射の観点から、透光性基板であるSiO2基板を用いることが考えられる。また、例えば熱インプリントを行うモールドとして用いる場合であれば、ドライエッチングに用いられる塩素系ガスに耐性があるSi基板を用いることが考えられる。なお、熱インプリントの場合、Si基板ではなくSiC基板を用いることも可能である。
基板11の形状は、円盤形状が好ましい。レジスト塗布の際に、回転を利用した均一塗布が可能だからである。ただし、円盤形状に限定されることはなく、矩形、多角形、半円形等といった他の形状であっても構わない。
基板11を用意した後は、次いで、図1(b)に示すように、基板11上へのハードマスク層12の形成を行う。なお、本実施形態における「ハードマスク層」は、単一または複数の層からなり、基板11上への溝のエッチングの際にマスクとして用いられることになる層状のものを指す。
図2は、ハードマスク層12の層厚方向における組成分析結果の概要を例示する説明図である。図例では、横軸にハードマスク層12の層厚方向深さ(nm)をとり、縦軸に各組成物の含有率(アトミック%、以下「at%」と記す。)をとり、NおよびOのそれぞれについての深さ方向組成分析結果の概要を示している。
なお、図例では、含有率の変化が連続的である場合を示しているが、例えば酸化をベーク処理ではなく酸化膜の成膜によって行った場合には、含有率の変化が連続的ではなく段階的なものとなり得る。ここでいう「連続的」とは、減少方向または増加方向に向けて段差が生じることなく滑らかに変化している状態のことをいう。また、「段階的」とは、減少方向または増加方向に向けて段差を有した階段状に変化している状態のことをいう。
なお、ここでいう「実質的に逆向き」には、それぞれの含有率変化の方向(増減の方向)が完全に逆向きである場合を含むことは勿論、部分的に同方向となっている箇所があり完全に逆向きとは言えないが、当該箇所が僅かに存在するのみで、全体としては逆向きと扱っても支障ない場合をも含む。
本実施形態においては、このような膜厚のハードマスク層12であっても、上述した含有率変化構造を確実に実現することができる。つまり、Nが酸化抑制材としての機能を発揮することを利用しつつ、第1の工程および第2の工程を順に経ることで、膜厚の薄さに影響されることなく(すなわち5nm以下の膜厚であっても)、上述した含有率変化構造のハードマスク層12を形成することができる。
以上のようにしてハードマスク層12を形成した後は、次いで、図1(c)に示すように、ハードマスク層12へのレジスト層13の形成を行う。レジスト層13の形成は、例えばハードマスク層12に対して電子線描画用のレジストを塗布することによって行う。電子線描画用のレジストとしては、その後のエッチング工程に適するものであればよい。その場合、レジスト層13がポジ型レジストであるならば、電子線描画した箇所が基板11上の溝の位置に対応し、レジスト層13がネガ型レジストであるならば、その逆の位置となる。
次に、以上のような手順の製造方法によって得られるモールドブランク10を用いて、マスターモールドまたはコピーモールドを製造する場合の手順を説明する。
ここでは、先ず、電子線描画によりレジストパターンを形成する場合を説明する。
この場合は、電子線描画機を用いて、モールドブランク10のレジスト層13に微細パターンを描画する。この微細パターンはミクロンオーダーであってもよいが、近年の電子機器の性能という観点からはナノオーダーであってもよいし、最終製品の性能を考えると、その方が好ましい。
そして、微細パターン描画後は、図1(d)に示すように、レジスト層13を現像し、レジストにおける電子線描画した部分を除去し、所望の微細パターンに対応するレジストパターンを形成する。この描画された微細パターンの位置は、最終的に基板11に加工される溝の位置に対応している。
なお、電子線描画および現像を行った後は、必要に応じて、レジスト残渣(スカム)を除去するデスカム処理を行う。
続いて、電子線描画ではなく、元型モールドからのパターン転写によりレジストパターンを形成する場合を説明する。
この場合は、レジスト層13の上に、図示しない元型モールドを配置する。このとき、レジスト層13が液状であれば、元型モールドを載置するだけでよい。また、レジスト層13が固体形状であれば、元型モールドをレジスト層13に対して押圧して、元型モールドの微細パターンをレジスト層13に転写すればよい。
その後は、例えば光インプリントであれば、紫外線照射装置を用いて光硬化性樹脂を硬化し、微細パターン形状をレジストに固定する。このとき、紫外線の照射は、元型モールド側から行うのが通常であるが、基板11が透光性基板である場合は基板11側から行ってもよい。
なお、パターン転写にあたっては、元型モールドとモールドブランク10との間の位置ずれによる転写不良を防止するため、アライメントマーク用の溝を基板上に設ける準備を行ってもよい。具体的には、微細パターン転写のための露光の際、マスクアライナーをレジスト上に設ける。そのマスクアライナー上から露光を行うことにより、アライメントマーク部分のレジストが除去されたレジストパターンを形成することができる。
微細パターン転写後は、元型モールドをモールドブランク10から取り外し、元型モールドのパターンをモールドブランク10上のレジストに転写する。転写されたレジストパターンには、ハードマスク層12をエッチングするのに不要な残膜が存在している場合があるが、酸素、オゾン等のガスのプラズマを用いたアッシングにより除去する。これにより、図1(d)に示すように、レジストパターンが形成される。なお、このレジストパターンについては、レジストが形成されなかった部分において、基板11上に溝が形成されることになる。
レジストパターンの形成後は、電子線描画または元型モールドからのパターン転写のいずれの場合についても、形成したレジストパターンをマスクとしてハードマスク層12に対するエッチングを行う。具体的には、レジストパターンが形成された後のモールドブランク10をドライエッチング装置に導入して、例えば塩素ガスまたは塩素ガスを含む混合ガスによるドライエッチングを行い、レジスト層13の除去部分に対応させつつハードマスク層12を部分的に除去する。このようにハードマスク層12をエッチングすることで、図1(e)に示すように、微細パターンを有するハードマスクパターンを基板11上に形成する。なお、このときのエッチング終点は、反射光学式の終点検出器を用いることで判別すればよい。
ハードマスクパターンの形成後は、上述した第1のエッチングで用いられたガスを真空排気した後、同じドライエッチング装置内で、例えばフッ素系ガスを用いたドライエッチングを、基板11に対して行う。このとき、ハードマスクパターンをマスクとして基板11をエッチングし、図1(f)に示す微細パターンに対応した溝加工を基板11に施す。なお、アライメントマークが施されている場合、基板11上にはアライメントマーク用の溝も形成されている。
ここで用いられるフッ素系ガスとしては、CxFy(例えば、CF4、C2F6、C3F8)、CHF3、これらの混合ガスまたはこれらに添加ガスとして希ガス(He、Ar、Xeなど)を含むもの等が挙げられる。
こうして、微細パターンに対応する溝加工が基板11に施され、微細パターンを有するハードマスク層12が基板11の溝以外の部分上に形成され、過水硫酸などの酸溶液を用いてレジスト除去することによって、図1(f)に示すように、インプリント用モールド20のための残存ハードマスク層除去前モールドが作製される。なお、基板11の加工前にレジストを除去しても良い。
その後は、残存ハードマスク層除去前モールドに対して、ウェットエッチングを行う。具体的には、先ず、レジストを除去した後の残存ハードマスク層除去前モールドをウェットエッチング装置に導入する。そして、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液によりウェットエッチングを行って、ハードマスクパターン(すなわち基板11上に残存しているハードマスク層12)を除去する。このとき、過塩素酸との混合液を用いてもよい。なお、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液以外であっても、ハードマスク層12を除去することができる溶液であればよい。残存するハードマスク層12をエッチングで除去した後は、必要に応じて基板11の洗浄等を行う。このようにして、図1(g)に示すようなインプリント用モールド(すなわちマスターモールドまたはコピーモールド)20が完成されることになる。
なお、本実施形態においては、第1〜第2のエッチングおよび残存ハードマスク層の除去エッチングを行う場合を例に挙げたが、モールドブランク10の構成物質に応じて、別途エッチングを各エッチングの間に追加してもよい。
一方、残存ハードマスク層の除去エッチングについても、ウェットエッチングではなく、ドライエッチングを行ってもよい。残存ハードマスク層の除去エッチングの基本的な手順、ハードマスク層12を除去するドライエッチング用のガス、ドライエッチングの進行のメカニズムについては、上述の第1のエッチング(ドライエッチング)と同様である。
本実施形態で説明したモールドブランク10およびその製造方法によれば、以下のような効果が得られる。
、基板11とは反対の表面側ほどOの含有率が高い含有率変化構造であれば、ハードマスク層12の表面酸化の影響が層厚方向全体へ広がってしまうのを抑制することができる。したがって、ハードマスク層12における導電性を確保しつつ、ハードマスク層12の上層に相当するレジスト層13との密着性を確保する上で、非常に好ましいものとなる。
本実施形態で説明したように、ハードマスク層12は、レジスト層13から形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチングされる。ここで、レジスト層13とハードマスク層12とのエッチングレート差は、ハードマスク層12と基板11とのエッチングレート差よりも小さくなるのが通常である。すなわち、ハードマスク層12の組成をエッチング耐性の観点から検討する場合、(基板11よりも)レジスト層13とのエッチング選択比に着目して検討するのが通常である。この観点から言えば、ハードマスク層12のNの含有率[at%]が大きくなるほどエッチングレートが大きくなる傾向があることがわかった。そのため、Nの含有率[at%]を大きくすることでハードマスク層12の層厚に対してレジスト層13を薄膜化することが可能となり、微細パターンを形成する観点から好ましい。
以上に本発明の実施形態を説明したが、上記の開示内容は、本発明の例示的な実施形態を示すものである。すなわち、本発明の技術的範囲は、上記の例示的な実施形態に限定されるものではない。
以下に、上述した実施形態以外の変形例について説明する。
実施例1においては、基板11として円盤状合成石英基板(外径150mm、厚み0.7mm)を用いた(図1(a)参照)。この基板(以下「石英基板」という。)11をスパッタリング装置に導入した。
実施例2においては、CrN(窒素流量比率30%)からなるCrN層を2.3nmの厚みで成膜して、ハードマスク層12を形成した。そして、ハードマスク層12上におけるレジスト層13にホール径16.4nm、ピッチ30nmのドットパターンを描画して、レジストパターンを形成した。それ以外は、上述した実施例1の場合と同様の条件にて、本実施例におけるインプリントモールドを作成した。すなわち、実施例2は、ドットパターンのホール径およびピッチが実施例1の場合とは異なる。
実施例3においては、CrN(窒素流量比率30%)からなるCrN層を2.8nmの厚みで成膜して、ハードマスク層12を形成した。それ以外は、上述した実施例1の場合と同様の条件にて、本実施例におけるインプリントモールドを作成した。すなわち、実施例3は、ハードマスク層12の膜厚が実施例1の場合とは異なる。
実施例4においては、CrN(窒素流量比率30%)からなるCrN層を10.0nmの厚みで成膜して、ハードマスク層12を形成した。それ以外は、上述した実施例1の場合と同様の条件にて、本実施例におけるインプリントモールドを作成した。すなわち、実施例4は、ハードマスク層12の膜厚が実施例1の場合とは異なる。
実施例5においては、CrN(窒素流量比率10%)からなるCrN層を2.8nmの厚みで成膜して、ハードマスク層12を形成した。それ以外は、上述した実施例3の場合と同様の条件にて、本実施例におけるインプリントモールドを作成した。すなわち、実施例5は、ハードマスク層12における窒素流量比率が実施例3の場合とは異なる。
実施例6においては、CrN(窒素流量比率20%)からなるCrN層を2.8nmの厚みで成膜して、ハードマスク層12を形成した。それ以外は、上述した実施例3の場合と同様の条件にて、本実施例におけるインプリントモールドを作成した。すなわち、実施例6は、ハードマスク層12における窒素流量比率が実施例3,5の場合とは異なる。
実施例7においては、CrN(窒素流量比率50%)からなるCrN層を2.8nmの厚みで成膜して、ハードマスク層12を形成した。それ以外は、上述した実施例3の場合と同様の条件にて、本実施例におけるインプリントモールドを作成した。すなわち、実施例7は、ハードマスク層12における窒素流量比率が実施例3,5,6の場合とは異なる。
実施例8においては、CrN(窒素流量比率10%)からなるCrN層を2.3nmの厚みで成膜して、ハードマスク層12を形成した。それ以外は、上述した実施例1の場合と同様の条件にて、本実施例におけるインプリントモールドを作成した。すなわち、実施例8は、ハードマスク層12における窒素流量比率が実施例1の場合とは異なる。
実施例9においては、CrN(窒素流量比率10%)からなるCrN層を10.0nmの厚みで成膜して、ハードマスク層12を形成した。それ以外は、上述した実施例4の場合と同様の条件にて、本実施例におけるインプリントモールドを作成した。すなわち、実施例9は、ハードマスク層12における窒素流量比率が実施例4の場合とは異なる。
上述の実施例1,2について、走査型電子顕微鏡を用いて石英基板における形成パターンを観察した。
実施例1,2における石英基板11の形成パターンについては、走査型電子顕微鏡観察の結果、ハードマスク層12が2.3nmの厚みであるにもかかわらず、図3(a)および(b)に示すように、パターン欠陥が発生しておらず、微細な凹凸パターンが高精度に形成されていることがわかる。これは、ハードマスク層12において、電子線描画時のチャージアップ防止に必要な導電性が確保されており、さらにはレジスト層13またはレジストパターンとの密着性が確保されているからであると考えられる。
上述の実施例1,3,4について、X線反射率法(X-ray Reflectometer:以下「XRR」という。)および高分解能ラザフォード後方散乱分析(High resolution Rutherford Backscattering Spectrometry:以下「HR−RBS」という。)を用いてハードマスク層12の層厚方向における組成を分析した。具体的には、石英基板11上にハードマスク層12が形成された状態の試料に対して、XRRによる膜厚測定を行い、さらにHR−RBSによる組成分析を行った。HR−RBS分析結果は、石英基板11およびハードマスク層12に含有されていると考えられる元素であるSi、Cr、O、Nと、大気暴露の際に付着する可能性があるCの5元素について行い、当該5元素における組成元素含有率を求めた。なお、分析結果を示す図4中において、縦軸は組成元素の含有率、すなわち当該組成元素の層内における濃度(at%)を示している。また、横軸については、HR−RBSにより求めた「Cr」のデータに基づき、Cr濃度がそのピーク濃度の半分となる位置を石英基板11とハードマスク層12との界面とした上で、XRRによる膜厚測定で得られた値と、石英基板11についての仮定密度である2.65g/cm3(出典:理化学辞典)という値とから、組成元素の層厚方向の分布位置をnmに換算して示している(単位:[converted nm])。すなわち、層厚方向の分布位置は、実際の距離[nm]と必ずしも一致するわけではなく、また、それぞれのデータにおける1[converted nm]の幅が完全に一致するわけではない。なお、層厚方向深さが0[converted nm]は、ハードマスク層12表面に相当する。実施例1,3,4いずれのハードマスク層12においても、表面近傍領域はOリッチ状態であり、かつ深層領域においてはNリッチ領域であり、本発明の効果が得られていることが確認された。
実施例1,3,4におけるハードマスク層12の組成は、図4(a)に示すように、表面近傍領域がOリッチ状態となっている。そして、実施例1,3については、Oの含有率が連続的に減少した後、再び増加に転じている。これは、ハードマスク層12の下層である石英基板11に含有されているOの影響により検出されているものであると考えられる。また、実施例4については、深層側に向けてOの含有率が連続的に減少した後、再び増加に転ずることなく、低濃度状態を維持するように変化している。これは、下層(石英基板11)に含有されているOの影響が現れないほどに、ハードマスク層12の厚さがあるためと考えられる。
一方、実施例1,3,4において、Nの含有率については、図4(b)に示すように、ハードマスク層12の表面側に比べて深層側のほうが多く含有された状態となっている。また、実施例1,3については、Oの含有率変化に対応して、Nの含有率が連続的に増加した後、再び減少に転じている。実施例4についても、Oの含有率変化に対応して、Nの含有率が連続的に増加した後、高濃度状態を維持するようになっている。
つまり、図4(a)および(b)に示す組成分析結果からは、実施例1,3,4のいずれにおいても、ハードマスク層12の膜厚にかかわらず、OとNの含有率が実質的に互いに逆向きに変化する含有率変化構造を有していることがわかる。
上述の実施例3,5,6,7について、XRRおよびHR−RBSを用いてハードマスク層12の層厚方向における組成を分析した。すなわち、ハードマスク層12を膜厚一定とした場合のN濃度の変化による影響を調べるべく組成分析を行った。なお、分析結果を示す図5中における縦軸および横軸は、上述した図4の場合と同様である。実施例3,5,6,7いずれのハードマスク層12においても、表面近傍領域はOリッチ状態であり、かつ深層領域においてはNリッチ領域であり、本発明の効果が得られていることが確認された。
図5(a)に示す実施例5についての組成分析結果と、図5(b)に示す実施例6についての組成分析結果と、図5(c)に示す実施例3についての組成分析結果とを比較すると、実施例5よりも実施例6のほうが、さらには実施例6よりも実施例3のほうが(すなわち窒素流量比率が高いほど)、表面近傍の酸化部の厚さが低減できていることがわかる。ただし、実施例3の組成分析結果と、図5(d)に示す実施例7についての組成分析結果とを比較すると、表面近傍の酸化部の厚さに大きな違いはない。これらのことから、表面近傍の酸化部(酸化層)を薄く抑える上では窒素流量比率が多いほうが望ましく、具体的には窒素流量比率が30%以上であることが望ましいと言える。上述のHR−RBS分析結果におけるハードマスク層12中の含有N濃度においても、ハードマスク層12中のNの含有率が30[at%]以上であることが望ましいと言える。
なお、表面近傍の酸化部とはハードマスク層12において酸化が生じておりO濃度が所定値以上である部分のことであり、酸化部の厚さとはハードマスク層12の表面からO濃度が所定値である箇所までの層厚方向深さのことをいう。O濃度についての所定値は、予め定められた値であればよく、層厚方向で変化するO濃度の下限値のような可変値を用いてもよいし、O濃度30[at%]といった固定値を用いてもよい。
上述の実施例1,3,4,5,8,9のそれぞれについて、XRRおよびHR−RBSを用いてハードマスク層12の層厚方向における組成を分析した。すなわち、ハードマスク層12の膜厚が2.3nm、2.8nm、10.0nmのそれぞれにつき、窒素流量比率が30%の場合と10%の場合とを対比させるべく組成分析を行った。なお、分析結果を示す図5,6中における縦軸および横軸は、上述した図4の場合と同様である。いずれのハードマスク層12においても、表面近傍領域はOリッチ状態であり、かつ深層領域においてはNリッチ領域であり、本発明の効果が得られていることが確認された。
図6(a)に示す実施例1についての組成分析結果と、図6(b)に示す実施例8についての組成分析結果とを比較すると、膜厚2.3nmの場合においては、実施例1の場合のほうが表面近傍の酸化部の厚さが低減できていることがわかる。
図5(c)に示す実施例3についての組成分析結果と、図5(a)に示す実施例5についての組成分析結果とを比較すると、膜厚2.8nmの場合においては、実施例3の場合のほうが表面近傍の酸化部の厚さが低減できていることがわかる。
図6(c)に示す実施例4についての組成分析結果と、図6(d)に示す実施例9についての組成分析結果とを比較すると、膜厚10.0nmの場合においては、実施例4の場合のほうが表面近傍の酸化部の厚さが低減できていることがわかる。
つまり、いずれの膜厚の場合であっても、表面近傍の酸化部分(酸化層)を薄く抑える上では、Nの含有量が多いほうが望ましいと言える。
上述した評価1〜4の結果から、実施例1〜9のようなハードマスク層12中のOおよびNの含有率変化構造を採用すれば、ハードマスク層12の薄型化に対応する場合であっても、ハードマスク層12における導電性確保と密着性確保とを両立させることができ、その結果として基板11上に微細な凹凸パターンを高精度に形成可能であることがわかる。
11…基板(石英基板)
12…ハードマスク層
13…レジスト層
20…インプリント用モールド
Claims (11)
- 基板と、前記基板上に形成されて前記基板をエッチングする際のマスク材料となるハードマスク層と、を備えるモールドブランクであって、
前記ハードマスク層は、
クロム、窒素および酸素を含む組成を有するとともに、
前記窒素の含有率が層厚方向で連続的または段階的に変化し、かつ、前記酸素の含有率が前記層厚方向で前記窒素とは実質的に逆向きへ連続的または段階的に変化する含有率変化構造を有する
ことを特徴とするモールドブランク。 - 前記含有率変化構造は、前記基板の側ほど前記窒素の含有率が高く、前記基板とは反対の表面側ほど前記酸素の含有率が高い
ことを特徴とする請求項1記載のモールドブランク。 - 前記窒素は、層内の酸化を抑制する機能を有しており、
前記酸素は、表面にレジスト層を形成する際の密着性を向上させる機能を有する
ことを特徴とする請求項2記載のモールドブランク。 - 前記ハードマスク層の膜厚が5nm以下である
ことを特徴とする請求項3記載のモールドブランク。 - 前記基板が石英またはシリコンである
ことを特徴とする請求項3記載のモールドブランク。 - 前記ハードマスク層は、前記窒素の含有率が30[at%]以上の部分を含む
ことを特徴とする請求項3記載のモールドブランク。 - 基板と、前記基板上に形成されて前記基板をエッチングする際のマスク材料となるハードマスク層と、を備えるモールドブランクであって、
前記ハードマスク層は、
前記エッチングに対する耐性および導電性のある金属材を含む組成を有し、
前記基板とは反対側の表面近傍領域に酸化部が形成されており、
前記基板の側の領域には前記酸化部の層厚方向全体への広がりを抑制する酸化抑制材を含有する
ことを特徴とするモールドブランク。 - 前記酸化抑制材が窒素である
ことを特徴とする請求項7記載のモールドブランク。 - 凹凸パターンを有し、請求項1ないし8のいずれかに記載のモールドブランクから形成された
ことを特徴とするマスターモールド。 - 凹凸パターンを有し、請求項1ないし8のいずれかに記載のモールドブランクから形成された
ことを特徴とするコピーモールド。 - 基板と、前記基板上に形成されて前記基板をエッチングする際のマスク材料となるハードマスク層と、を備えるモールドブランクの製造方法であって、
クロムおよび窒素を含む組成の前記ハードマスク層を前記基板上に形成する第1の工程と、
前記ハードマスク層における前記基板とは反対側の表面近傍領域に酸化部を形成するとともに、前記窒素を酸化抑制材として機能させることで前記酸化部の層厚方向全体への広がりを抑制する第2の工程と、
を備えることを特徴とするモールドブランクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013536147A JPWO2013047195A1 (ja) | 2011-09-30 | 2012-09-12 | モールドブランク、マスターモールド、コピーモールドおよびモールドブランクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011217672 | 2011-09-30 | ||
JP2011217672 | 2011-09-30 | ||
JP2013536147A JPWO2013047195A1 (ja) | 2011-09-30 | 2012-09-12 | モールドブランク、マスターモールド、コピーモールドおよびモールドブランクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013047195A1 true JPWO2013047195A1 (ja) | 2015-03-26 |
Family
ID=47995229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013536147A Pending JPWO2013047195A1 (ja) | 2011-09-30 | 2012-09-12 | モールドブランク、マスターモールド、コピーモールドおよびモールドブランクの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140234468A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2013047195A1 (ja) |
KR (1) | KR20140072121A (ja) |
CN (1) | CN103828022A (ja) |
WO (1) | WO2013047195A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2005263A (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-30 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography. |
JP6420958B2 (ja) * | 2014-03-04 | 2018-11-07 | Hoya株式会社 | インプリント用モールドブランクおよびインプリント用モールド |
JP6459284B2 (ja) * | 2014-08-05 | 2019-01-30 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールドの検査方法及び製造方法 |
JP6479058B2 (ja) * | 2015-02-10 | 2019-03-06 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成マスク用薄膜層付基体およびパターン化基体の製造方法 |
KR101617727B1 (ko) * | 2015-07-24 | 2016-05-03 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
JP6341166B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2018-06-13 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
JP6451561B2 (ja) * | 2015-09-03 | 2019-01-16 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
JP6556029B2 (ja) * | 2015-11-18 | 2019-08-07 | Hoya株式会社 | レジスト層付きマスクブランク、レジスト層付きマスクブランクの製造方法、及び、転写用マスクの製造方法 |
KR102098764B1 (ko) * | 2017-03-07 | 2020-04-08 | 주식회사 엘지화학 | 정점 쌍 안정 액정 패널의 액정 배향을 위한 패턴 형성방법, 이에 따라 형성된 패턴을 포함하는 액정 배향기판 및 상기 패턴의 형성에 사용된 마스크 기판 |
CN108539016B (zh) * | 2018-03-29 | 2022-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性衬底及其制备方法、显示面板的制备方法和显示装置 |
CN109648703B (zh) * | 2018-12-26 | 2021-05-04 | 重庆中航新型材料科技有限公司 | 膨胀聚苯板线条砂浆涂抹用模具的制作方法 |
US11745453B2 (en) * | 2020-03-05 | 2023-09-05 | Continental Autonomous Mobility US, LLC | Method of making and using a reusable mold for fabrication of optical elements |
US11543751B2 (en) | 2020-04-16 | 2023-01-03 | International Business Machines Corporation | Organic photoresist adhesion to metal oxide hardmasks |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07140635A (ja) * | 1992-11-21 | 1995-06-02 | Ulvac Seibaku Kk | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法 |
JP2004006798A (ja) * | 2002-04-11 | 2004-01-08 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法 |
JP2005345737A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Hoya Corp | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法 |
JP2009206338A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Hoya Corp | インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法 |
WO2010061828A1 (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-03 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板 |
JP2011096686A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Hoya Corp | インプリント用モールドの製造方法、残存ハードマスク層除去前モールドおよびその製造方法、ならびにマスクブランクス |
JP2011186418A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-09-22 | Fujifilm Corp | 化学増幅型レジスト組成物、並びに、これを用いたモールドの作成方法、及び、レジスト膜 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998049601A1 (fr) * | 1997-04-30 | 1998-11-05 | Nippon Zeon Co., Ltd. | Composition de photoresine positive pour photomasque |
EP1498936B1 (en) * | 2002-04-11 | 2012-11-14 | Hoya Corporation | Reflection type mask blank and reflection type mask and production methods for them |
TWI437358B (zh) * | 2007-09-27 | 2014-05-11 | Hoya Corp | 空白光罩、空白光罩之製造方法及壓印用模型之製造方法 |
JP2010284814A (ja) * | 2009-06-09 | 2010-12-24 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | スタンパの製造方法 |
JP5541450B2 (ja) * | 2010-03-16 | 2014-07-09 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電素子の製造方法 |
JP5606826B2 (ja) * | 2010-08-24 | 2014-10-15 | Hoya株式会社 | インプリント用離型層、インプリント用離型層付きモールド及びインプリント用離型層付きモールドの製造方法 |
-
2012
- 2012-09-12 KR KR1020147010842A patent/KR20140072121A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-09-12 WO PCT/JP2012/073259 patent/WO2013047195A1/ja active Application Filing
- 2012-09-12 CN CN201280047339.6A patent/CN103828022A/zh active Pending
- 2012-09-12 US US14/347,748 patent/US20140234468A1/en not_active Abandoned
- 2012-09-12 JP JP2013536147A patent/JPWO2013047195A1/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07140635A (ja) * | 1992-11-21 | 1995-06-02 | Ulvac Seibaku Kk | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法 |
JP2004006798A (ja) * | 2002-04-11 | 2004-01-08 | Hoya Corp | 反射型マスクブランクス及び反射型マスク及びそれらの製造方法並びに半導体の製造方法 |
JP2005345737A (ja) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Hoya Corp | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法及びテンプレートの製造方法 |
JP2009206338A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Hoya Corp | インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法 |
WO2010061828A1 (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-03 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板 |
JP2011186418A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-09-22 | Fujifilm Corp | 化学増幅型レジスト組成物、並びに、これを用いたモールドの作成方法、及び、レジスト膜 |
JP2011096686A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-05-12 | Hoya Corp | インプリント用モールドの製造方法、残存ハードマスク層除去前モールドおよびその製造方法、ならびにマスクブランクス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20140234468A1 (en) | 2014-08-21 |
CN103828022A (zh) | 2014-05-28 |
WO2013047195A1 (ja) | 2013-04-04 |
KR20140072121A (ko) | 2014-06-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2013047195A1 (ja) | モールドブランク、マスターモールド、コピーモールドおよびモールドブランクの製造方法 | |
TWI437358B (zh) | 空白光罩、空白光罩之製造方法及壓印用模型之製造方法 | |
JP6150299B2 (ja) | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP5009649B2 (ja) | マスクブランク、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法、及びインプリント用テンプレートの製造方法 | |
KR102429244B1 (ko) | 마스크 블랭크 및 임프린트 몰드의 제조 방법 | |
JP2009206339A (ja) | インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法 | |
WO2012137324A1 (ja) | モールド製造用マスクブランクスおよびモールドの製造方法 | |
TW201740182A (zh) | 光罩基底、相偏移光罩之製造方法及半導體裝置之製造方法 | |
JP5221168B2 (ja) | インプリントモールド用マスクブランク及びインプリントモールドの製造方法 | |
US11435662B2 (en) | Mask blank, method for manufacturing transfer mask, and method for manufacturing semiconductor device | |
JP2011211083A (ja) | マスクブランクス、パターン形成方法及びモールドの製造方法 | |
JP6236918B2 (ja) | ナノインプリント用テンプレートの製造方法 | |
JP5599213B2 (ja) | モールドの製造方法 | |
JP5627990B2 (ja) | インプリント用モールドの製造方法 | |
JP5853071B2 (ja) | モールド製造用マスクブランクスおよびモールド製造用レジスト付きマスクブランクス | |
JP5453616B2 (ja) | インプリント用モールドの製造方法 | |
JP2021135370A (ja) | マスクブランク、モールド用マスクブランクの製造方法、及びインプリントモールドの製造方法 | |
WO2011040477A1 (ja) | インプリント用モールドの製造方法、残存ハードマスク層除去前モールドおよびその製造方法、ならびにマスクブランクス | |
JP5626613B2 (ja) | インプリントモールド用マスクブランク | |
WO2011040476A1 (ja) | インプリント用モールドの製造方法 | |
JP2011073304A (ja) | インプリント用モールドの製造方法 | |
JP2011156738A (ja) | サブマスターモールドの製造方法 | |
JP2011209628A (ja) | マスクブランクス及びモールドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150911 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150911 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160615 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160810 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161013 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170404 |