JP2009098689A5 - - Google Patents
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Claims (14)
- 透光性基板上にパターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクにおいて、
該マスクブランクは、ドライエッチング処理により前記薄膜及び前記基板をエッチング加工するインプリント用モールドの製造方法に対応したものであり、
前記薄膜は、少なくとも上層と下層の積層膜よりなり、前記上層は、クロム（Ｃｒ）と窒素を含む材料で形成され、前記下層は、タンタル（Ｔａ）を主成分とする化合物、または、ハフニウム（Ｈｆ）とジルコニウム（Ｚｒ）の少なくとも一方の元素又はその化合物を含む材料で形成されていることを特徴とするマスクブランク。 - 前記薄膜の上層の膜厚が、１．５ｎｍ〜３ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランク。
- 前記薄膜の下層の膜厚が、３ｎｍ〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランク。
- 前記薄膜上に形成するレジスト膜の膜厚が、１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載のマスクブランク。
- 前記下層は、タンタルハフニウム（ＴａＨｆ）、タンタルジルコニウム（ＴａＺｒ）、またはタンタルハフニウムジルコニウム（ＴａＨｆＺｒ）のいずれかを主成分とする材料で形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載のマスクブランク。
- 前記薄膜は、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工が可能な材料で形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載のマスクブランク。
- 透光性基板上にパターンを形成するための薄膜を有するマスクブランクの製造方法において、
前記マスクブランクは、前記薄膜及び前記基板をドライエッチングでエッチング加工するインプリント用モールドの製造方法に対応したものであり、
前記薄膜は、少なくとも上層と下層の積層膜からなり、
透光性基板上に、タンタル（Ｔａ）を主成分とする化合物、または、ハフニウム（Ｈｆ）とジルコニウム（Ｚｒ）の少なくとも一方の元素又はその化合物を含む材料で下層を形成する工程と、
前記下層の上に、クロム（Ｃｒ）と窒素を含む材料で上層を形成する工程と、
前記上層を酸化させる工程と
を備えることを特徴とするマスクブランクの製造方法。 - 前記上層を酸化させる工程は、大気中放置、またはレジスト塗布工程におけるベーク処理であることを特徴とする請求項７に記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記上層を酸化させる工程後、膜厚が１００ｎｍ以下のレジスト膜を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項７又は８に記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜の上層の膜厚は、１．５ｎｍ〜３ｎｍであることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか一に記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記薄膜の下層の膜厚は、３ｎｍ〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一に記載のマスクブランクの製造方法。
- 前記下層は、タンタルハフニウム（ＴａＨｆ）、タンタルジルコニウム（ＴａＺｒ）、またはタンタルハフニウムジルコニウム（ＴａＨｆＺｒ）のいずれかを主成分とする材料で形成されることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか一に記載のマスクブランクの製造方法。
- 請求項１乃至６のいずれかに記載のマスクブランクにおける前記薄膜の上層及び下層を、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記薄膜のパターンを形成し、続いて該薄膜パターンをマスクとして前記基板を、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法。
- 請求項７乃至１２のいずれかに記載のマスクブランクの製造方法で製造されたマスクブランクを準備し、前記薄膜の上層及び下層を、酸素を実質的に含まない塩素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工して前記薄膜のパターンを形成し、続いて該薄膜パターンをマスクとして前記基板を、弗素系ガスを用いたドライエッチング処理によりエッチング加工することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法。
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