JP2011192693A5 - 多層反射膜付基板の製造方法および反射型マスクブランクの製造方法 - Google Patents

多層反射膜付基板の製造方法および反射型マスクブランクの製造方法 Download PDF

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  1. 基板をスパッタ装置内に搬入し、前記基板上にスパッタリング法によって金属を含有する材料からなる層とケイ素を含有する材料からなる層を交互に積層して多層反射膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、
    基板が設置された前記スパッタ装置のスパッタ室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体に置換する工程、
    前記スパッタ室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、
    前記スパッタ室内で、基板上に前記多層反射膜をスパッタリング法によって成膜する工程
    をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。
  2. 基板をスパッタ装置内に搬入し、前記基板上にスパッタリング法によって金属を含有する材料からなる層とケイ素を含有する材料からなる層を交互に積層して多層反射膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、
    基板が設置された前記スパッタ装置の減圧室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体に置換する工程、
    前記減圧室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、
    前記減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、
    前記スパッタ室内で、基板上に前記多層反射膜をスパッタリング法によって成膜する工程
    をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013068930A (ja) 2011-09-05 2013-04-18 Ricoh Co Ltd 画像形成装置
WO2013141268A1 (ja) * 2012-03-23 2013-09-26 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィー用反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
KR20150097484A (ko) 2012-12-27 2015-08-26 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판처리장치, 마스크 블랭크용 기판처리방법, 마스크 블랭크용 기판의 제조방법, 마스크 블랭크의 제조방법 및 전사용 마스크의 제조방법
JP2014127630A (ja) * 2012-12-27 2014-07-07 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびその製造方法
US20140272684A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
US9417515B2 (en) * 2013-03-14 2016-08-16 Applied Materials, Inc. Ultra-smooth layer ultraviolet lithography mirrors and blanks, and manufacturing and lithography systems therefor
US9354508B2 (en) * 2013-03-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US9612522B2 (en) * 2014-07-11 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor
US9581889B2 (en) * 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor
JP6440996B2 (ja) * 2014-08-22 2018-12-19 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP6425951B2 (ja) * 2014-09-17 2018-11-21 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
WO2016043147A1 (ja) * 2014-09-17 2016-03-24 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
DE102015108569B4 (de) 2015-05-29 2020-10-08 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg Reflektierende Fotomaske und Reflexionstyp-Maskenrohling
TWI774375B (zh) 2016-07-27 2022-08-11 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
FR3057488B1 (fr) * 2016-10-13 2018-11-09 Addup Atelier mobile et securise de fabrication additive
JP6481138B2 (ja) * 2017-04-28 2019-03-13 アドバンストマテリアルテクノロジーズ株式会社 配向膜基板の製造方法、スパッタリング装置及びマルチチャンバー装置
JP7154572B2 (ja) * 2018-09-12 2022-10-18 Hoya株式会社 マスクブランク、転写用マスク、及び半導体デバイスの製造方法
TW202026770A (zh) * 2018-10-26 2020-07-16 美商應用材料股份有限公司 用於極紫外線掩模吸收劑的ta-cu合金材料
US11630385B2 (en) 2020-01-24 2023-04-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
TW202131087A (zh) 2020-01-27 2021-08-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收劑材料
TW202141165A (zh) 2020-03-27 2021-11-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TWI836207B (zh) 2020-04-17 2024-03-21 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料
TW202202641A (zh) 2020-07-13 2022-01-16 美商應用材料股份有限公司 極紫外線遮罩吸收劑材料
JP2022045936A (ja) * 2020-09-10 2022-03-23 信越化学工業株式会社 Ｅｕｖマスクブランク用多層反射膜付き基板、その製造方法及びｅｕｖマスクブランク
US11609490B2 (en) 2020-10-06 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
CN112458418A (zh) * 2020-11-25 2021-03-09 中国科学院上海光学精密机械研究所 磁控溅射镀膜中降低极紫外多层膜表面粗糙度的方法
US11513437B2 (en) 2021-01-11 2022-11-29 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11592738B2 (en) 2021-01-28 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask absorber materials

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000160322A (ja) * 1998-11-27 2000-06-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd スパッタリング方法及び装置
JP4553239B2 (ja) * 2004-06-29 2010-09-29 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
JP4692984B2 (ja) * 2004-09-24 2011-06-01 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及び多層膜反射鏡並びにこれらの製造方法
JP4652946B2 (ja) * 2005-10-19 2011-03-16 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法

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