JP2011192693A - 多層反射膜付基板、反射型マスクブランク及びそれらの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1上に、高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層してなる多層反射膜2をスパッタ成膜装置を用いてスパッタリング法で形成することにより、多層反射膜付基板を製造する。また、多層反射膜2上に保護膜3及び吸収体膜4を形成することにより、反射型マスクブランク10を製造する。ここで、基板1が搬入されるスパッタ成膜装置の室内の気体を水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換し終えた後に、該室内の減圧を行い、次いで多層反射膜2のスパッタリング法による成膜を開始する。
【選択図】図1
Description
こうして、マスクブランク用基板は製造され、得られたガラス基板の上面に遮光膜または位相シフト膜などを形成してマスクブランクが得られる。
このようなわけで、とくにEUV反射型マスクブランクの場合、表面欠陥に対する非常に高いレベルの条件を満たす必要がある。
本発明者は、マスクブランク用基板においては良好な欠陥品質レベルに仕上がっているものの、この基板を用いて製造されたマスクブランクにおいて多数の150nm相当未満の凸状欠陥が発生した反射型マスクブランクについて、その凸状欠陥を克明に調査した。その結果、このような凸状欠陥の多くは、その組成に酸素を多く含有していることが判明した。このような酸素を多く含有する凸状欠陥は、多層反射膜中の基板との界面近傍に存在する(或いは界面近傍から成長している)略球状(真球状だけでなく、平面視楕円状のものも含む)の微小欠陥であることも判明した。また、150nm相当未満のサイズの凹状欠陥の多くについても、その組成に酸素を含有しており、多層反射膜や保護膜や吸収体膜の組成に酸素を含む場合においては、膜中のその周囲よりも多く酸素を含有していることが判明した(本明細書においては、これらの酸素を多く含有する凸状欠陥および凹状欠陥等の欠陥を「高酸化物欠陥」と呼ぶことにする。)。さらに、欠陥検査装置で検出された150nm相当未満の大きさの凸状および凹上の高酸化物欠陥について、SEM等による観察で実際の大きさを調べたところ、いずれも150nm未満の微小サイズであることも判明した。このような微小な高酸化物欠陥は、近年要請されるようになってきた高いレベルの表面欠陥フリー(欠陥が存在しないこと)の要請を確認するために開発された欠陥検査装置によってはじめて確認することができたものである。近年、反射型マスクの微細パターン化が進み、それに伴って欠陥検査装置の検査精度も向上してきており、従来よりもサイズの小さな凸状欠陥や凹状欠陥も許容されなくなってきている。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
(構成1)
基板上に、高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層してなる多層反射膜を備える多層反射膜付基板において、前記多層反射膜は、少なくとも露光光の照射を受ける領域内において、膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する150nm未満の大きさの高酸化物欠陥が存在しないことを特徴とする多層反射膜付基板。
前記高酸化物欠陥は、前記多層反射膜中の前記基板との界面近傍に発生する欠陥であることを特徴とする構成1に記載の多層反射膜付基板。
(構成3)
前記高酸化物欠陥は、ほぼ球状の欠陥であることを特徴とする構成1又は2に記載の多層反射膜付基板。
前記金属を含有する材料は、モリブデンまたはモリブデン化合物であり、前記ケイ素を含有する材料は、ケイ素またはケイ素化合物であることを特徴とする構成1乃至3のいずれかに記載の多層反射膜付基板。
基板上に、高屈折率層および低屈折率層を交互に積層した多層反射膜と、前記多層反射膜上に形成される金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる保護膜とを備える多層反射膜付基板において、前記保護膜は、少なくとも露光光の照射を受ける領域内において、膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する150nm未満の大きさの高酸化物欠陥が存在しないことを特徴とする多層反射膜付基板。
(構成6)
構成1乃至5のいずれかに記載の多層反射膜付基板の前記多層反射膜上または前記保護膜上に吸収体膜を備えることを特徴とする反射型マスクブランク。
基板上に、高屈折率層および低屈折率層を交互に積層した多層反射膜と、前記多層反射膜上に形成される金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる吸収体膜とを備える反射型マスクブランクにおいて、前記吸収体膜は、膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する35nm以上150nm未満の大きさの高酸化物欠陥の存在個数が10個以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。
基板をスパッタ装置内に搬入し、前記基板上にスパッタリング法によって高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層して多層反射膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、基板が設置された前記スパッタ装置のスパッタ室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換する工程、前記スパッタ室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、前記スパッタ室内で、基板上に前記多層反射膜をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。
基板をスパッタ装置内に搬入し、前記基板上にスパッタリング法によって高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層して多層反射膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、基板が設置された前記スパッタ装置の減圧室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換する工程、前記減圧室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、前記減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、前記スパッタ室内で、基板上に前記多層反射膜をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。
前記水分および二酸化炭素を含有しない気体は、希ガス、水素ガス、窒素ガス、フッ素ガスおよび塩素ガスのうちいずれかの気体あるいはこれらから選ばれる2以上の気体の混合気体であることを特徴とする構成8又は9に記載の多層反射膜付基板の製造方法。
基板をスパッタ装置内に搬入し、前記基板上にスパッタリング法によって高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層して多層反射膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、加熱状態の基板が設置された前記スパッタ装置のスパッタ室内の気体を排気して真空減圧する工程、前記スパッタ室内で、基板上に前記多層反射膜をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。
基板をスパッタ装置内に搬入し、前記基板上にスパッタリング法によって高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層して多層反射膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、加熱状態の基板が設置された前記スパッタ装置の減圧室内の気体を排気して真空減圧する工程、前記減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、前記スパッタ室内で、基板上に前記多層反射膜をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。
多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の保護膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、基板が設置された前記スパッタ装置のスパッタ室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換する工程、前記スパッタ室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記保護膜または前記複数層の保護膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。
多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の保護膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、基板が設置された前記スパッタ装置の減圧室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換する工程、前記減圧室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、前記減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記保護膜または前記複数層の保護膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。
前記水分および二酸化炭素を含有しない気体は、希ガス、水素ガス、窒素ガス、フッ素ガスおよび塩素ガスのうちいずれかの気体あるいはこれらから選ばれる2以上の気体の混合気体であることを特徴とする構成13又は14に記載の多層反射膜付基板の製造方法。
多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の保護膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、加熱状態の基板が設置された前記スパッタ装置のスパッタ室内の気体を排気して真空減圧する工程、前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記保護膜または前記複数層の保護膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。
多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の保護膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、加熱状態の基板が設置された前記スパッタ装置の減圧室内の気体を排気して真空減圧する工程、前記減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記保護膜または前記複数層の保護膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。
構成8乃至17のいずれかに記載の多層反射膜付基板の製造方法で製造された多層反射膜付基板の多層反射膜上または保護膜上に吸収体膜を形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の吸収体膜を形成する反射型マスクブランクの製造方法において、基板が設置された前記スパッタ装置のスパッタ室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換する工程、前記スパッタ室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記吸収体膜または前記複数層の吸収体膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の吸収体膜を形成する反射型マスクブランクの製造方法において、基板が設置された前記スパッタ装置の減圧室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換する工程、前記減圧室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、前記減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記吸収体膜または前記複数層の吸収体膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
前記水分および二酸化炭素を含有しない気体は、希ガス、水素ガス、窒素ガス、フッ素ガスおよび塩素ガスのうちいずれかの気体あるいはこれらから選ばれる2以上の気体の混合気体であることを特徴とする構成19又は20に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の吸収体膜を形成する反射型マスクブランクの製造方法において、加熱状態の基板が設置された前記スパッタ装置のスパッタ室内の気体を排気して真空減圧する工程、前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記吸収体膜または前記複数層の吸収体膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の吸収体膜を形成する反射型マスクブランクの製造方法において、加熱状態の基板が設置された前記スパッタ装置の減圧室内の気体を排気して真空減圧する工程、前記減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記吸収体膜または前記複数層の吸収体膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
本発明は、基板上に、高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層してなる多層反射膜を備える多層反射膜付基板において、前記多層反射膜は、膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する150nm未満の大きさの高酸化物欠陥が存在しないことを特徴とする多層反射膜付基板である。また、この多層反射膜付基板の多層反射膜上に保護膜(必要な場合)や吸収体膜が形成された反射型マスクブランクである。
ここで、基板1は、後述するようにSiO2−TiO2系低熱膨張ガラス基板が好適である。
上記多層反射膜2は、上記のように屈折率の異なる材料が周期的に積層された多層膜であり、詳しくは後述する。また、上記保護膜3と吸収体膜4についても詳しくは後述する。
本願発明が特に低減することを目的としている多層反射膜の欠陥は、スパッタ装置内に基板を導入後の真空引き時に発生する氷やドライアイスのような酸素を含有するパーティクルが核となる高酸化物欠陥であり、従来広く使用されている150nm感度の欠陥検査装置では検出できず、それよりも高感度の欠陥検査装置(140nm感度、100nm感度等の欠陥検査装置等)で検出される大きさ(150nm未満、140nm以下、100nm以下、60nm以下等)である。
本願発明が特に低減することを目的としている吸収体膜の欠陥は、スパッタ装置内に基板を導入後の真空引き時に発生する氷やドライアイスのような酸素を含有するパーティクルが核となる高酸化物欠陥であり、従来広く使用されている150nm感度の欠陥検査装置では検出できず、それよりも高感度の欠陥検査装置(140nm感度、100nm感度等の欠陥検査装置等)で検出される大きさ(150nm未満、140nm以下、100nm以下、60nm以下等)である。その上で、EUV露光光による露光転写に用いられる反射型マスクであり、DRAM hp45nm世代以降の反射型マスクを作製するための反射型マスクブランクに適用可能とするには、吸収体膜について、少なくとも35nm以上の高酸化物欠陥について最大の存在個数を保証する必要がある。このような微細な大きさの高酸化物欠陥が吸収体膜に存在することが許容される最大の存在個数は、転写パターン領域内(反射型マスクを作製するときに、吸収体膜に転写パターンが形成される領域、例えば、反射型マスクブランクの中心を基準に132mm角内の領域)で10個以下である。高酸化物欠陥の存在個数が10個までであれば、吸収体膜に形成する転写パターンの配置の位置調整や欠陥修正で対応することが可能な範囲である。
本願発明が特に低減することを目的としている保護膜の欠陥は、スパッタ装置内に基板を導入後の真空引き時に発生する氷やドライアイスのような酸素を含有するパーティクルが核となる高酸化物欠陥であり、従来広く使用されている150nm感度の欠陥検査装置では検出できず、それよりも高感度の欠陥検査装置(140nm感度、100nm感度等の欠陥検査装置等)で検出される大きさ(150nm未満、140nm以下、100nm以下、60nm以下等)である。
本発明に係る多層反射膜付基板や反射型マスクブランクの製造方法の第1の実施の形態は、基板が設置されたスパッタ装置のスパッタ室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換する工程、スパッタ室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、スパッタ室内で、基板上に多層反射膜(保護膜、または吸収体膜)をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うことに特徴がある。
図2に示すスパッタ装置20は、スパッタ室(成膜室)21、搬送装置(搬送ロボット)22を備えており、このスパッタ装置20は、大気中にある基板1(多層反射膜2が形成された基板1、または多層反射膜2および保護膜3が形成された基板1)をスパッタ室21に直接搬入する構成である。このような構成のスパッタ装置20の場合、まず、大気(クリーンルーム室内の空気)中に置かれている基板1を搬送装置22によって、開閉ゲート(ゲートバルブ)23が開かれて室内が大気開放されているスパッタ室21内に搬入し、開閉ゲート23を閉じる。そして、スパッタ室21内の気体(クリーンルーム室内の空気とほぼ同じであり、水分や二酸化炭素を含んだ空気)を排気しつつ、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体(置換ガス)を導入して、スパッタ室21内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換する。置換後、スパッタ室21内の気体を排気する真空減圧を行い、スパッタ室21内を所定の真空度にする。その後、スパッタ室21内にスパッタガスを導入し、所定ガス圧になったところで、スパッタリング法(イオンビームスパッタ法、DCスパッタ法、RFスパッタ法等)によって、基板1上に多層反射膜2(保護膜3、または吸収体膜4)を形成する。
スパッタ室21内へ前記の置換ガスを導入する手段としては、置換ガスを供給する配管を、スパッタ室21内にスパッタガスを供給する配管やスパッタ室21内の内圧を大気圧に戻すときに使用する気体を供給する配管に分岐継ぎ手を介して接続した構成とすることや、直接スパッタ室21に接続する構成等が適用できる。
本発明に係る多層反射膜付基板や反射型マスクブランクの製造方法の第2の実施の形態は、基板が設置されたスパッタ装置の減圧室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換する工程、減圧室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、スパッタ室内で、基板上に多層反射膜(保護膜、または吸収体膜)をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うことに特徴がある。
図3に示すスパッタ装置30は、スパッタ室(成膜室)31、開閉ゲート33を介して連結する減圧室(ロードロック室)34を備え、さらに減圧室34内に搬送装置(搬送ロボット)32が設置されている。このスパッタ装置30は、大気中にある基板1(多層反射膜2が形成された基板1、または多層反射膜2および保護膜3が形成された基板1)を搬送装置32で減圧室34内に搬入し、基板1が設置された減圧室34内で真空減圧を行うものであり、スパッタ室31は、メンテナンスのような場合を除き、通常時は室内を大気開放とはしない構成となっている。
なお、置換ガスに関するその他の事項については、第1の実施の形態と同様である。
このスパッタ装置30においても、基板1が減圧室34に置かれている段階で真空減圧するのではなく、第1の実施の形態と同様に、一度大気圧に戻されたスパッタ室31内に基板1を搬入し、スパッタ室31内を前記の置換ガスに置換してから真空減圧するようにしても、氷、ドライアイス等の凝固物質の発生の抑制や、それに起因して生じる多層反射膜2(保護膜3、または吸収体膜4)内の高酸化物欠陥の発生の抑制については、第1の実施の形態と同等の効果は得られる。
減圧室34内へ前記の置換ガスを導入する手段としては、置換ガスを供給する配管を、減圧室34内の内圧を大気圧に戻すときに使用する気体を供給する配管に分岐継ぎ手を介して接続した構成とすることや、直接減圧室34に接続する構成等が適用できる。また、スパッタ室31内へ前記の置換ガスを導入する手段としては、第1の実施の形態と同様である。
図4に示すスパッタ装置40は、マルチチャンバー型(クラスター型)スパッタ装置である。その構成としては、搬送装置(搬送ロボット)42が設置された搬送室(トランスファー室)47を中心に、基板搬入専用および基板搬出専用の各減圧室(ロードロック室)44A,44Bがそれぞれ開閉ゲート(ゲートバルブ)46A,46Bを介して連結されており、さらに、複数のスパッタ室41A,41Bがそれぞれ開閉ゲート(ゲートバルブ)43A,43Bを介して連結されてなる。また、減圧室44Aに基板1(多層反射膜2が形成された基板1、または多層反射膜2および保護膜3が形成された基板1)を搬入し、減圧室44Bから基板1を搬出するための搬送装置(搬送ロボット)48を備えている。
このスパッタ装置40は、大気中にある基板1を搬送装置48で減圧室44A内に搬入し、基板1が設置された減圧室44A内で真空減圧を行うものであり、スパッタ室41A,42Aや搬送室47は、メンテナンスのような場合を除き、通常時は室内を大気開放とはしない構成となっている。
保護膜3(吸収体膜4)が複数層からなるものであり、同じスパッタターゲットで成膜可能な場合は、1層目を形成後、基板1をそのままスパッタ室41Aに置いたまま、大気開放せずにスパッタガスを入れ替えて2層目以降を形成する。
なお、置換ガスに関するその他の事項については、第1の実施の形態と同様である。
このスパッタ装置40において、基板1が減圧室44Aに置かれている段階で真空減圧するのではなく、搬送室47を減圧室として兼用する形態、すなわち、一度大気圧に戻された搬送室47にある段階で、搬送室47内を前記の置換ガスに置換してから真空減圧してもよい。この場合、氷、ドライアイス等の凝固物質の発生の抑制や、それに起因して生じる多層反射膜2(保護膜3、または吸収体膜4)内の高酸化物欠陥の発生の抑制については、第1の実施の形態と同等の効果は得られる。
減圧室44A内や搬送室47内へ前記の置換ガスを導入する手段としては、置換ガスを供給する配管を、減圧室44A内や搬送室47内の内圧を大気圧に戻すときに使用する気体を供給する配管に分岐継ぎ手を介して接続した構成とすることや、直接減圧室44Aや搬送室47内に接続する構成等が適用できる。スパッタ室41A,41B内へ前記の置換ガスを導入する手段としては、第1の実施の形態の場合と同様である。
さらに、使用ガス自体のコスト的な観点を考慮すると、水素ガス、窒素ガスが望ましく、ガス管理の容易性を考慮すると、窒素ガスが最適である。
本発明に係る多層反射膜付基板や反射型マスクブランクの製造方法の第3の実施の形態は、加熱状態の基板が設置されたスパッタ装置のスパッタ室内の気体を排気して真空減圧する工程、前記スパッタ室内で、基板上に前記多層反射膜(保護膜、または吸収体膜)をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うものである。
開閉ゲート23を閉じるタイミングについては、遅くともスパッタ室21内の真空減圧の開始前には行う必要がある。クリーンルームからのパーティクルのスパッタ室21内への流入を低減するには、基板1を搬入・設置後、すぐに開閉ゲート23を閉じることが望ましい。
本発明に係る多層反射膜付基板や反射型マスクブランクの製造方法の第4の実施の形態は、加熱状態の基板が設置された前記スパッタ装置の減圧室内の気体を排気して真空減圧する工程、減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、スパッタ室内で、基板上に多層反射膜(保護膜、または吸収体膜)をスパッタリング法によって成膜する工程をこの順に行うものである。
加熱装置を作動させるタイミングは、減圧室34内での所定の真空度になるまでの真空減圧(真空引き)が終わるまでに、基板1(多層反射膜2、保護膜3)の表面に高酸化物欠陥の発生要因となる凝固物質を蒸発させ、高酸化物欠陥が発生しないようにすることができるのであれば、どの段階であってもよい。減圧室34内の真空引き中により確実に基板1(多層反射膜2、保護膜3)の表面が所定温度以上になるようにするには、真空引きを始める前には、加熱装置を作動させると好適である。
このスパッタ装置30における第4の実施の形態に係るマスクブランクの製造方法では、スパッタ室31内を通常時は大気開放しない構成であるので、クリーンルーム室内のパーティクルや汚染物質等がスパッタ室31内に入り込むことも抑制できる。
この第4の実施の形態を適用するスパッタ装置40においても、同じく第4の実施の形態を適用するスパッタ装置30の場合と同様、減圧室(ロードロック室)44A内に基板1を加熱するための加熱装置が設けられたスパッタ装置の構成となっている。この場合のスパッタ装置40は、大気中にある基板1を搬送装置48で減圧室44A内に搬入・設置し、開閉ゲート45Aを閉じ、加熱装置を作動させて基板1の多層反射膜2(保護膜3、または吸収体膜4)を成膜する側の最表面が第3の実施の形態と同様の所定温度以上になるまで加熱する。そして、減圧室44A内の気体を排気する真空減圧を行い、所定の真空度にする。その後の工程は、前記第2の実施の形態を適用するスパッタ装置40の場合と同様である。
加熱装置を作動させるタイミングは、減圧室44A内での所定の真空度になるまでの真空減圧(真空引き)が終わるまでに、基板1(多層反射膜2、保護膜3)の表面に高酸化物欠陥の発生要因となる凝固物質を蒸発させ、高酸化物欠陥が発生しないようにすることができるのであれば、どの段階であってもよい。減圧室44A内の真空引き中により確実に基板1(多層反射膜2、保護膜3)の表面が所定温度以上になるようにするには、真空引きを始める前には、加熱装置を作動させると好適である。
このスパッタ装置40における第4の実施の形態に係るマスクブランクの製造方法では、スパッタ室41A,41B内や、基板1の搬送経路である搬送室47内を通常時は大気開放しない構成であるので、クリーンルーム室内のパーティクルや汚染物質等がスパッタ室41A,41B内および搬送室47内に入り込むことも抑制できる。
図1に示すように、反射型マスクブランク10は、基板1上に多層反射膜2が形成され、その上に保護膜3及び吸収体膜4の各層が形成された構造をしている。なお、図1に示す構成のうち、基板1上に多層反射膜2が形成されただけの構成(保護膜3及び吸収体膜4がない構成)、あるいは、それに保護膜3が形成された構成が、多層反射膜付基板となる。上記基板1は、露光光にEUV光を用いる反射型マスクブランク用基板として好適なように、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、0±1.0×10−7/℃の範囲内、より好ましくは0±0.3×10−7/℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましい。この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えばアモルファスガラスであれば、SiO2に例えば5〜10重量%程度の範囲内でTiO2を添加したSiO2−TiO2系ガラス基板が好ましく挙げられる。
なお、平滑性を示す単位Rqは、二乗平均平方根粗さであり、原子間力顕微鏡で測定することができる。また平坦度は、TIR(Total Indicated Reading)で示される表面の反り(変形量)を表す値で、基板表面を基準として最小自乗法で定められる平面を焦平面とし、この焦平面より上にある基板表面の最も高い位置と、焦平面より下にある基板表面の最も低い位置との高低差の絶対値である。
例えば、波長13〜14nmのEUV光に対する多層反射膜としては、Mo膜とSi膜を交互に40周期程度積層したMo/Si周期積層膜が好ましく用いられる。その他に、EUV光の領域で使用される多層反射膜として、Ru/Si周期多層膜、Mo/Be周期多層膜、Mo化合物/Si化合物周期多層膜、Si/Nb周期多層膜、Si/Mo/Ru周期多層膜、Si/Mo/Ru/Mo周期多層膜、Si/Ru/Mo/Ru周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択すればよい。
多層反射膜2は、DCマグネトロンスパッタ法や、イオンビームスパッタ法などにより、各層を成膜することにより形成できる。上述したMo/Si周期多層膜の場合、まずSiターゲットを用いて厚さ数nm程度のSi膜を成膜し、その後Moターゲットを用いて厚さ数nm程度のMo膜を成膜し、これを一周期として、40〜60周期積層した後、最後に、Si膜を成膜する。
なお、保護膜3の膜厚は、たとえば集束イオンビーム(FIB)を用いた吸収体膜パターンの修正を行う場合には、20〜60nm程度とするのが好ましいが、電子線とアシストガス(XeF2等)を用いた吸収体膜パターンの修正を行う場合には、5〜15nm程度とすることができる。
このタイプの保護膜3に適する材料としては、たとえば、Ru、RuNb、RuZr、RuMo、RuY、RuTi、RuLa、RuSi、RuB等の材料があげられる。このタイプの保護膜3の場合、吸収体膜パターンの修正は、電子線とアシストガス(XeF2等)を用いることが好ましい。この場合、保護膜3の膜厚は、0.8〜5nm程度とするのが好ましい。
Taを主成分とする材料としては、TaとBを含む材料、TaとNを含む材料、TaとBを含み、更にOとNの少なくとも何れかを含む材料、TaとSiを含む材料、TaとSiとNを含む材料、TaとGeを含む材料、TaとGeとNを含む材料、TaとHfを含む材料、TaとHfとNを含む材料、TaとZrを含む材料、TaとZrとNを含む材料、等を用いることが出来る。TaにBやSi、Ge等を加えることにより、アモルファス状の材料が容易に得られ、平滑性を向上させることができる。また、TaにNやOを加えれば、酸化に対する耐性が向上するため、経時的な安定性を向上させることが出来るという効果が得られる。
このようなTa単体又はTaを主成分とする吸収体膜4は、マグネトロンスパッタリングなどのスパッタ法で形成するのが好ましい。例えば、TaBN膜の場合、タンタルとホウ素を含むターゲットを用い、窒素を添加したアルゴンガスを用いたスパッタリング法で成膜することができる。
吸収体膜4の膜厚は、露光光である例えばEUV光が十分に吸収できる厚みであれば良いが、通常30〜100nm程度である。なお、吸収体膜4は、材料や組成の異なる複数層の積層構造としてもよい。
上記反射型マスクブランクを使用して得られる反射型マスクとしては、以下のような態様が挙げられる。
(1)基板上に形成された多層反射膜上に保護膜が形成され、この保護膜上に所定の転写パターンを有する吸収体膜パターンが形成された反射型マスク。
(2)基板上に形成された多層反射膜上に、所定の転写パターンを有する保護膜と吸収体膜のパターンが形成された反射型マスク。
(3)基板上に形成された多層反射膜上に、所定の転写パターンを有する吸収体膜パターンが形成された反射型マスク(保護膜を有していない場合)。
(実施例1)
使用する基板は、SiO2−TiO2系のガラス基板(6インチ角、厚さが6.35mm)である。この基板の熱膨張係数は0.2×10−7/℃、ヤング率は67GPaである。
このガラス基板の端面を面取加工、及び研削加工、更に酸化セリウム砥粒を含む研磨液で粗研磨処理を終えたガラス基板を両面研磨装置のキャリアにセットし、研磨液にコロイダルシリカ砥粒を含むアルカリ水溶液を用い、所定の研磨条件で精密研磨を行った。精密研磨終了後、所定の洗浄処理を行った。
この得られたガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置(レーザーテック社製 M7360)を用いて、30nm相当以上の大きさの凸状欠陥および凹状欠陥について欠陥検査を行い、これらの欠陥が検出されないガラス基板を10枚選定した。
上記スパッタ装置は、前述の図3に示すような減圧室(ロードロック室)34、およびスパッタ室31を備えている。まず、開閉ゲート35を開き、搬送ロボット(搬送装置)32によって上記基板1を減圧室34内に搬入し、開閉ゲート35を閉じる。次に、減圧室34内の気体(クリーンルーム内の空気)を排気しつつ、窒素ガスを供給し、減圧室34内の気体を窒素ガス(水分および二酸化炭素を含有しない気体)に置換し終えた後、減圧室34内の真空減圧を開始した。減圧室34内の減圧が完了した時点で、開閉ゲート33を開き、基板1を減圧室34から同等の真空度のスパッタ室31内に搬入、成膜ステージに静電チャックで設置し、ここでイオンビームスパッタリング法による多層反射膜2の成膜を開始した。
さらに引き続き、同じスパッタ室で、ルテニウム(Ru)とニオブ(Nb)の混合ターゲットを用い、イオンビームスパッタ法によって、膜厚2.5nmの保護膜3を多層反射膜2上に成膜した。
このようにして多層反射膜付基板を得た。この多層反射膜2に対し、13.5nmのEUV光を入射角6.0度で反射率を測定したところ、反射率は65.9%であった。
実施例1と同様にして、反射型マスクブランク用ガラス基板を複数枚製造した。
この得られたガラス基板の主表面を前記と同じ欠陥検査装置(レーザーテック社製 M7360)を用いて、30nm相当以上の大きさの凸状欠陥および凹状欠陥について欠陥検査を行い、これらの欠陥が検出されないガラス基板を10枚選定した。
多層反射膜2および保護膜3の成膜完了までの手順としては、実施例1とほぼ同様としたが、この比較例では、減圧室34に基板1を搬入・設置後、減圧室34内の気体(クリーンルーム内の空気)を窒素ガスに置換する工程は行わずに、室内の気体を真空引きして所定の真空度にする真空減圧を行った。
吸収体膜4の成膜完了までの手順としては、実施例1とほぼ同様としたが、この比較例では、減圧室44Aに基板1を搬入・設置後、減圧室44A内の気体(クリーンルーム内の空気)をドライエアに置換する工程は行わずに、室内の気体を真空引きして所定の真空度にする真空減圧を行った。
実施例1と同様にして、反射型マスクブランク用ガラス基板を複数枚製造した。
この得られたガラス基板の主表面を前記と同じ欠陥検査装置(レーザーテック社製 M7360)を用いて、30nm相当以上の大きさの凸状欠陥および凹状欠陥について欠陥検査を行い、これらの欠陥が検出されないガラス基板を10枚選定した。
多層反射膜2および保護膜3の成膜完了までの手順としては、実施例1とほぼ同様としたが、この実施例2では、減圧室34にはセラミックヒーター(加熱装置)を備える載置台が設置されている点、搬送装置32でガラス基板1を、減圧室34内の載置台の上に搬入・設置する点、減圧室34内の気体(クリーンルーム内の空気)を窒素ガスに置換する工程は行わず、セラミックヒーターによってガラス基板1を加熱しながら、減圧室34内の気体(クリーンルーム内の空気)を真空引きして所定の真空度にする真空減圧を行う点が実施例1とは大きく異なる。このとき、セラミックヒーターでガラス基板1の主表面が50〜70℃になるように加熱した。
吸収体膜4の成膜完了までの手順としては、実施例1とほぼ同様としたが、この実施例2では、基板1を減圧室44Aに導入してから、減圧室44A内を真空引きによる真空減圧により所定の真空度にする際においては、前記の多層反射膜2の成膜の時と同様、減圧室44A内の気体(クリーンルーム内の空気)をドライエアに置換する工程は行わず、セラミックヒーターによって基板1を加熱しながら、減圧室44A内の気体(クリーンルーム内の空気)を真空引きして所定の真空度にする真空減圧を行った。
実施例1と同様にして、反射型マスクブランク用ガラス基板を複数枚製造した。
この得られたガラス基板の主表面を前記と同じ欠陥検査装置(レーザーテック社製 M7360)を用いて、30nm相当以上の大きさの凸状欠陥および凹状欠陥について欠陥検査を行い、これらの欠陥が検出されないガラス基板を10枚選定した。
多層反射膜2および保護膜3の成膜完了までの手順としては、実施例1とほぼ同様としたが、この実施例2では、減圧室34の外に配置されているセラミックヒーター(加熱装置)を備える載置台に基板1を設置し、基板1の主表面が90℃になるまで加熱後、搬送装置32で減圧室34内に搬送・設置した点、減圧室34内の気体(クリーンルーム内の空気)を窒素ガスに置換する工程は行わず、基板1が冷えない内に減圧室34内の気体(クリーンルーム内の空気)を真空引きして所定の真空度にする真空減圧を行う点が実施例1とは大きく異なる。
吸収体膜4の成膜完了までの手順としては、実施例1とほぼ同様としたが、この実施例3では、減圧室44A内を真空引きによる真空減圧により所定の真空度にする際においては、前記の多層反射膜2の成膜の時と同様、減圧室44Aの外に配置されているセラミックヒーター(加熱装置)を備える載置台で基板1を加熱してから減圧室44A内に搬送・設置し、減圧室44A内の気体(クリーンルーム内の空気)をドライエアに置換する工程は行わず、減圧室44A内の気体を真空引きして所定の真空度にする真空減圧を行った。
2 多層反射膜
3 保護膜
4 吸収体膜
10 反射型マスクブランク
20,30,40 スパッタ装置
21,31,41A,41B スパッタ室
22,32,42,48 搬送装置
23,33,35 開閉ゲート
34,44A,44B 減圧室
43A,43B,45A,45B,46A,46B 開閉ゲート
47 搬送室
Claims (23)
- 基板上に、高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層してなる多層反射膜を備える多層反射膜付基板において、
前記多層反射膜は、少なくとも露光光の照射を受ける領域内において、膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する150nm未満の大きさの高酸化物欠陥が存在しないことを特徴とする多層反射膜付基板。 - 前記高酸化物欠陥は、前記多層反射膜中の前記基板との界面近傍に発生する欠陥であることを特徴とする請求項1に記載の多層反射膜付基板。
- 前記高酸化物欠陥は、ほぼ球状の欠陥であることを特徴とする請求項1又は2に記載の多層反射膜付基板。
- 前記金属を含有する材料は、モリブデンまたはモリブデン化合物であり、前記ケイ素を含有する材料は、ケイ素またはケイ素化合物であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の多層反射膜付基板。
- 基板上に、高屈折率層および低屈折率層を交互に積層した多層反射膜と、前記多層反射膜上に形成される金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる保護膜とを備える多層反射膜付基板において、
前記保護膜は、少なくとも露光光の照射を受ける領域内において、膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する150nm未満の大きさの高酸化物欠陥が存在しないことを特徴とする多層反射膜付基板。 - 請求項1乃至5のいずれかに記載の多層反射膜付基板の前記多層反射膜上または前記保護膜上に吸収体膜を備えることを特徴とする反射型マスクブランク。
- 基板上に、高屈折率層および低屈折率層を交互に積層した多層反射膜と、前記多層反射膜上に形成される金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる吸収体膜とを備える反射型マスクブランクにおいて、
前記吸収体膜は、膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する35nm以上150nm未満の大きさの高酸化物欠陥の存在個数が10個以下であることを特徴とする反射型マスクブランク。 - 基板をスパッタ装置内に搬入し、前記基板上にスパッタリング法によって高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層して多層反射膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、
基板が設置された前記スパッタ装置のスパッタ室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換する工程、
前記スパッタ室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、
前記スパッタ室内で、基板上に前記多層反射膜をスパッタリング法によって成膜する工程
をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。 - 基板をスパッタ装置内に搬入し、前記基板上にスパッタリング法によって高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層して多層反射膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、
基板が設置された前記スパッタ装置の減圧室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換する工程、
前記減圧室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、
前記減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、
前記スパッタ室内で、基板上に前記多層反射膜をスパッタリング法によって成膜する工程
をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。 - 前記水分および二酸化炭素を含有しない気体は、希ガス、水素ガス、窒素ガス、フッ素ガスおよび塩素ガスのうちいずれかの気体あるいはこれらから選ばれる2以上の気体の混合気体であることを特徴とする請求項8又は9に記載の多層反射膜付基板の製造方法。
- 基板をスパッタ装置内に搬入し、前記基板上にスパッタリング法によって高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層して多層反射膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、
加熱状態の基板が設置された前記スパッタ装置のスパッタ室内の気体を排気して真空減圧する工程、
前記スパッタ室内で、基板上に前記多層反射膜をスパッタリング法によって成膜する工程
をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。 - 基板をスパッタ装置内に搬入し、前記基板上にスパッタリング法によって高屈折率材料である金属を含有する材料からなる高屈折率層と低屈折率材料であるケイ素を含有する材料からなる低屈折率層を交互に積層して多層反射膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、
加熱状態の基板が設置された前記スパッタ装置の減圧室内の気体を排気して真空減圧する工程、
前記減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、
前記スパッタ室内で、基板上に前記多層反射膜をスパッタリング法によって成膜する工程
をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。 - 多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の保護膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、
基板が設置された前記スパッタ装置のスパッタ室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換する工程、
前記スパッタ室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、
前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記保護膜または前記複数層の保護膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程
をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。 - 多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の保護膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、
基板が設置された前記スパッタ装置の減圧室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換する工程、
前記減圧室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、
前記減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、
前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記保護膜または前記複数層の保護膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程
をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。 - 前記水分および二酸化炭素を含有しない気体は、希ガス、水素ガス、窒素ガス、フッ素ガスおよび塩素ガスのうちいずれかの気体あるいはこれらから選ばれる2以上の気体の混合気体であることを特徴とする請求項13又は14に記載の多層反射膜付基板の製造方法。
- 多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の保護膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、
加熱状態の基板が設置された前記スパッタ装置のスパッタ室内の気体を排気して真空減圧する工程、
前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記保護膜または前記複数層の保護膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程
をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。 - 多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の保護膜を形成する多層反射膜付基板の製造方法において、
加熱状態の基板が設置された前記スパッタ装置の減圧室内の気体を排気して真空減圧する工程、
前記減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、
前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記保護膜または前記複数層の保護膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程
をこの順に行うことを特徴とする多層反射膜付基板の製造方法。 - 請求項8乃至17のいずれかに記載の多層反射膜付基板の製造方法で製造された多層反射膜付基板の多層反射膜上または保護膜上に吸収体膜を形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
- 多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の吸収体膜を形成する反射型マスクブランクの製造方法において、
基板が設置された前記スパッタ装置のスパッタ室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換する工程、
前記スパッタ室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、
前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記吸収体膜または前記複数層の吸収体膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程
をこの順に行うことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。 - 多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の吸収体膜を形成する反射型マスクブランクの製造方法において、
基板が設置された前記スパッタ装置の減圧室内の気体を、水分および二酸化炭素を含有しない気体、ドライエアまたはこれらの混合気体に置換する工程、
前記減圧室内から置換した気体を排気して真空減圧する工程、
前記減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、
前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記吸収体膜または前記複数層の吸収体膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程
をこの順に行うことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。 - 前記水分および二酸化炭素を含有しない気体は、希ガス、水素ガス、窒素ガス、フッ素ガスおよび塩素ガスのうちいずれかの気体あるいはこれらから選ばれる2以上の気体の混合気体であることを特徴とする請求項19又は20に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
- 多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の吸収体膜を形成する反射型マスクブランクの製造方法において、
加熱状態の基板が設置された前記スパッタ装置のスパッタ室内の気体を排気して真空減圧する工程、
前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記吸収体膜または前記複数層の吸収体膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程
をこの順に行うことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。 - 多層反射膜が形成された基板をスパッタ装置内に搬入し、前記多層反射膜上にスパッタリング法によって金属及びケイ素のうち少なくともいずれかを含有する材料からなる単層または複数層の吸収体膜を形成する反射型マスクブランクの製造方法において、
加熱状態の基板が設置された前記スパッタ装置の減圧室内の気体を排気して真空減圧する工程、
前記減圧室から基板を取り出して真空中を搬送し、真空減圧されたスパッタ室に設置する工程、
前記スパッタ室内で、前記多層反射膜上に前記吸収体膜または前記複数層の吸収体膜のうち少なくとも一層をスパッタリング法によって成膜する工程
をこの順に行うことを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
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