JP2012028755A5 - 分離方法および半導体素子の作製方法 - Google Patents

Claims (10)

1. 保持基板上に、分離層及び半導体素子層を積層し、
   前記保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させ、
   前記半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、角部が曲面に面取り加工された多孔質体上に吸着保持させ、
   前記露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、前記露出した半導体素子層の一部を前記多孔質体の曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させ、
   前記半導体素子層の一部を湾曲させることにより、前記半導体素子層及び前記保持基板の間に隙間を形成し、
   前記保持基板を持ち上げることにより、前記分離層を介して、前記隙間から前記半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする分離方法。
2. 請求項１において、
   前記多孔質体は、多孔質構造を有するセラミック、多孔質構造を有する金属、多孔質構造を有する樹脂のいずれか１つを含むことを特徴とする分離方法。
3. 保持基板上に、分離層及び半導体素子層を積層し、
   前記保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させ、
   前記半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、曲面に面取り加工された角部を有するステージ上に吸着保持させ、
   前記露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、前記露出した半導体素子層の一部を前記ステージの曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させ、
   前記半導体素子層の一部を湾曲させることにより、前記半導体素子層及び前記保持基板の間に隙間を形成し、
   前記保持基板を持ち上げることにより、前記分離層を介して、前記隙間から前記半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする分離方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記半導体素子層に接して、強度保持層が形成されることを特徴とする分離方法。
5. 請求項４において、
   前記強度保持層は、ＵＶ剥離フィルムあるいは水溶性樹脂であることを特徴とする分離方法。
6. 保持基板上に、分離層を形成し、
   前記分離層上に、薄膜トランジスタを含む半導体素子層を形成し、
   前記保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させ、
   前記半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、角部が曲面に面取り加工された多孔質体上に吸着保持させ、
   前記露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、前記半導体素子層の一部を前記多孔質体の曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させ、
   前記半導体素子層の一部を湾曲させることにより、前記半導体素子層及び前記保持基板の間に隙間を形成し、
   前記保持基板を持ち上げることにより、前記分離層を介して、前記隙間から前記半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする半導体素子の作製方法。
7. 請求項６において、
   前記多孔質体は、多孔質構造を有するセラミック、多孔質構造を有する金属、多孔質構造を有する樹脂のいずれか１つを含むことを特徴とする半導体素子の作製方法。
8. 保持基板上に、分離層を形成し、
   前記分離層上に、薄膜トランジスタを含む半導体素子層を形成し、
   前記保持基板の一部及び分離層の一部を除去して、半導体素子層の一部を露出させ、
   前記半導体素子層、分離層、及び保持基板の積層体を、角部が曲面に面取り加工されたステージ上に吸着保持させ、
   前記露出した半導体素子層の一部を押し下げることにより、前記半導体素子層の一部を前記ステージの曲面に面取り加工された角部に沿って湾曲させ、
   前記半導体素子層の一部を湾曲させることにより、前記半導体素子層及び前記保持基板の間に隙間を形成し、
   前記保持基板を持ち上げることにより、前記分離層を介して、前記隙間から前記半導体素子層と保持基板を分離することを特徴とする半導体素子の作製方法。
9. 請求項６乃至請求項８のいずれか一おいて、
   前記半導体素子層に接して、強度保持層が形成されることを特徴とする半導体素子の作製方法。
10. 請求項９において、
    前記強度保持層は、ＵＶ剥離フィルムあるいは水溶性樹脂であることを特徴とする半導体素子の作製方法。