JP2013131740A5 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents

Claims (4)

1. 酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上に、絶縁膜を形成し、
   前記絶縁膜上に、導電膜を形成し、
   前記絶縁膜を介して前記導電膜から前記酸化物半導体膜へ酸素を供給し、
   前記導電膜を加工して、ゲート電極を形成し、
   前記絶縁膜を加工して、ゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上に、第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜上に、導電膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜を介して前記導電膜から前記酸化物半導体膜へ酸素を供給し、
   前記導電膜を加工して、ゲート電極を形成し、
   前記第１の絶縁膜を加工して、ゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート電極上に、第２の絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜を加工して、前記ゲート電極の側面及び前記ゲート絶縁膜の側面を覆う第３の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
   前記第３の絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜よりも酸素を透過させ難いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上に、第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜上に、導電膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜を介して前記導電膜から前記酸化物半導体膜へ酸素を供給し、
   前記導電膜を加工して、ゲート電極を形成し、
   前記第１の絶縁膜を加工して、ゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート電極上に、第２の絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜を加工して、前記ゲート電極の側面及び前記ゲート絶縁膜の側面を覆う第３の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
   前記第３の絶縁膜の酸素透過性は、前記ゲート絶縁膜の酸素透過性よりも低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜上に、第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜上に、導電膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜を介して前記導電膜から前記酸化物半導体膜へ酸素を供給し、
   前記導電膜を加工して、ゲート電極を形成し、
   前記第１の絶縁膜を加工して、ゲート絶縁膜を形成し、
   前記ゲート電極上に、第２の絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜を加工して、前記ゲート電極の側面及び前記ゲート絶縁膜の側面を覆う第３の絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
   前記第３の絶縁膜の酸素の拡散係数は、前記ゲート絶縁膜の酸素の拡散係数よりも低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。