JP2009158939A5 - - Google Patents

Claims (3)

1. 第１の基板上に第１の無機絶縁膜を形成し、
   前記第１の無機絶縁膜上に第１の半導体素子層を形成し、
   前記第１の半導体素子層上に第２の無機絶縁膜を形成し、
   前記第２の無機絶縁膜を平坦化処理し、
   第２の基板上に第２の剥離層をスパッタリング法により形成し、
   前記第２の剥離層を逆スパッタリング法により平坦化処理し、
   前記平坦化処理された第２の剥離層上に第３の無機絶縁膜をスパッタリング法により形成し、
   前記第３の無機絶縁膜上に第２の半導体素子層を形成し、
   前記第２の半導体素子層に第１の保持基板を接着し、
   前記第２の剥離層において、前記第３の無機絶縁膜及び前記第２の半導体素子層を前記第２の基板より剥離し、
   前記剥離により前記第３の無機絶縁膜に残存した前記第２の剥離層を除去することにより、前記第３の無機絶縁膜を露出し、
   前記平坦化処理された第２の無機絶縁膜と、前記露出された第３の無機絶縁膜とを接合することにより、前記第２の無機絶縁膜及び前記第３の無機絶縁膜を介して前記第１の半導体素子層と前記第２の半導体素子層とを積層し、
   前記第１の保持基板を前記第２の半導体素子層より剥離し、
   前記第２の無機絶縁膜及び前記第３の無機絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成し、
   前記コンタクトホールに配線層を形成することにより、前記第１の半導体素子層に設けられた第１のトランジスタと前記第２の半導体素子層に設けられた第２のトランジスタとを電気的に接続し、
   前記第２の半導体素子層及び前記配線層上に樹脂層を形成し、
   前記樹脂層上に第２の保持基板を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 第１の基板上に第１の剥離層をスパッタリング法により形成し、
   前記第１の剥離層を逆スパッタリング法により平坦化処理し、
   前記平坦化処理された第１の剥離層上に第１の無機絶縁膜をスパッタリング法により形成し、
   前記第１の無機絶縁膜上に第１の半導体素子層を形成し、
   前記第１の半導体素子層上に第２の無機絶縁膜を形成し、
   前記第２の無機絶縁膜を平坦化処理し、
   第２の基板上に第２の剥離層をスパッタリング法により形成し、
   前記第２の剥離層を逆スパッタリング法により平坦化処理し、
   前記平坦化処理された第２の剥離層上に第３の無機絶縁膜をスパッタリング法により形成し、
   前記第３の無機絶縁膜上に第２の半導体素子層を形成し、
   前記第２の半導体素子層に第１の保持基板を接着し、
   前記第２の剥離層において、前記第３の無機絶縁膜及び前記第２の半導体素子層を前記第２の基板より剥離し、
   前記剥離により前記第３の無機絶縁膜に残存した前記第２の剥離層を除去することにより、前記第３の無機絶縁膜を露出し、
   前記平坦化処理された第２の無機絶縁膜と、前記露出された第３の無機絶縁膜とを接合することにより、前記第２の無機絶縁膜及び前記第３の無機絶縁膜を介して前記第１の半導体素子層と前記第２の半導体素子層とを積層し、
   前記第１の保持基板を前記第２の半導体素子層より剥離し、
   前記第２の無機絶縁膜及び前記第３の無機絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成し、
   前記コンタクトホールに配線層を形成することにより、前記第１の半導体素子層に設けられた第１のトランジスタと前記第２の半導体素子層に設けられた第２のトランジスタとを電気的に接続し、
   前記第２の半導体素子層及び前記配線層上に樹脂層を形成し、
   前記樹脂層上に第２の保持基板を接着し、
   前記第１の剥離層において、前記第１の基板を前記第１の無機絶縁膜より剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記平坦化処理された第２の無機絶縁膜及び前記露出された第３の無機絶縁膜の双方にプラズマ処理を行った後、前記平坦化処理された第２の無機絶縁膜と、前記露出された第３の無機絶縁膜とを接合することを特徴とする半導体装置の作製方法。