JP5240651B2 - 多層シリコン半導体ウェーハ及びその作製方法 - Google Patents
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Description
CZ法により、直径6インチ、初期酸素濃度14ppmaJEIDA、方位<100>の結晶棒を、通常の引き上げ速度(1.2mm/min)で引き上げた。この結晶棒を加工してシリコン半導体ウェーハとし、その表面にデバイスを形成した。ついで、このデバイス形成済みのシリコン半導体ウェーハの裏面を50μm厚まで研磨することで薄膜化したシリコン半導体ウェーハを得た。その薄膜化シリコン半導体ウェーハの裏面にサンドブラストを施すことによって、歪み層(ダメージ層)を形成し、個別シリコン半導体ウェーハを3枚作製し、これら3枚の個別シリコン半導体ウェーハを重ね、接着剤を用いて貼りあわせた。
CZ法により、直径6インチ、初期酸素濃度14ppmaJEIDA、方位<100>の結晶棒を、通常の引き上げ速度(1.2mm/min)で引き上げた。この結晶棒を加工してシリコン半導体ウェーハとし、その表面にデバイスを形成した。ついで、このデバイス形成済みのシリコン半導体ウェーハの裏面を50μm厚まで機械研削を施すことで歪み層(ダメージ層)を形成するとともに薄膜化したシリコン半導体ウェーハを得た。この個別シリコン半導体ウェーハを3枚作製し、これら3枚の個別シリコン半導体ウェーハを重ね、接着剤を用いて貼りあわせた。
CZ法により、直径6インチ、初期酸素濃度14ppmaJEIDA、方位<100>の結晶棒を、通常の引き上げ速度(1.2mm/min)で引き上げた。この結晶棒を加工してシリコン半導体ウェーハとし、その表面にデバイスを形成した。ついで、このデバイス形成済みのシリコン半導体ウェーハの裏面を50μm厚まで研磨することで薄膜化したシリコン半導体ウェーハを得た。その薄膜化シリコン半導体ウェーハの裏面に10J/cm2のエネルギー密度でYAGレーザーを照射して歪み層(ダメージ層)を形成し、個別シリコン半導体ウェーハを3枚作製し、これら3枚の個別シリコン半導体ウェーハを重ね、接着剤を用いて貼りあわせた。
CZ法により、直径6インチ、初期酸素濃度14ppmaJEIDA、方位<100>の結晶棒を、通常の引き上げ速度(1.2mm/min)で引き上げた。この結晶棒を加工してシリコン半導体ウェーハとし、このシリコン半導体ウェーハの裏面を50μm厚まで研磨することで薄膜化したシリコン半導体ウェーハを得た。この薄膜化したシリコン半導体ウェーハ3枚を重ね、接着剤を用いて貼りあわせ、1枚の多層シリコン半導体ウェーハとした。
Claims (4)
- デバイス形成済みのシリコン半導体ウェーハの裏面を研磨して薄膜化し、前記薄膜化したシリコン半導体ウェーハの裏面研磨面にダメージ層を形成して個別のシリコン半導体ウェーハを作製し、前記デバイス形成済でかつ裏面にダメージ層を形成した個別のシリコン半導体ウェーハの複数枚を積層して作製された多層シリコン半導体ウェーハであって、当該積層した各層がそれぞれ個別のデバイス及びダメージ層を具備し、かつ薄層の多層構造であってもゲッタリング能力を有することを特徴とする多層シリコン半導体ウェーハ。
- サンドブラストを施すことにより、又は機械的研削により、又はレーザー照射によって裏面に研磨傷やダメージを残存させることにより、前記ダメージ層を形成することを特徴とする請求項1記載の多層シリコン半導体ウェーハ。
- デバイス形成済みのシリコン半導体ウェーハの裏面を研磨し薄膜化する工程と、前記薄膜化したシリコン半導体ウェーハの裏面研磨面にダメージ層を形成して個別のシリコン半導体ウェーハを作製する工程と、前記デバイス形成済でかつ裏面にダメージ層を形成した個別のシリコン半導体ウェーハの複数枚を積層する工程と、を有し、当該積層した各層がそれぞれ個別のデバイス及びダメージ層を具備し、かつ薄層の多層構造であってもゲッタリング能力を有する多層シリコン半導体ウェーハを作製することを特徴とする多層シリコン半導体ウェーハの作製方法。
- サンドブラストを施すことにより、又は機械的研削により、又はレーザー照射によって裏面に研磨傷やダメージを残存させることにより、前記ダメージ層を形成することを特徴とする請求項3記載の方法。
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