JP2008311635A5 - - Google Patents

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  1. ハロゲンを含む酸化雰囲気中で熱処理を行い半導体基板の表面に第１の酸化層を形成し、
    前記第１の酸化層の一部及び前記半導体基板の一部をエッチングして、凸部を有する半導体基板と前記凸部の表面上の第２の酸化層とを形成し、
    前記凸部側から前記凸部を有する半導体基板に一又は複数の原子からなる質量の異なるイオンを照射して、前記凸部を有する半導体基板の表面から一定の深さを有する領域に、脆弱領域を形成し、
    支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを前記第２の酸化層を挟んで重ね合わせて接合し、
    熱処理により、前記脆弱領域において前記凸部を有する半導体基板を分離することで、前記支持基板上に半導体層を残し、
    前記半導体層を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  2. ハロゲンを含む酸化雰囲気中で熱処理を行い半導体基板の表面に第１の酸化層を形成し、
    前記第１の酸化層の一部及び前記半導体基板の一部をエッチングして、凸部を有する半導体基板と前記凸部の表面上の第２の酸化層とを形成し、
    前記凸部側から前記凸部を有する半導体基板に一又は複数の原子からなる質量の異なるイオンを照射して、前記凸部を有する半導体基板の表面から一定の深さを有する領域に、脆弱領域を形成し、
    支持基板上に接合層を形成し、
    前記支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを前記第２の酸化層及び前記接合層を挟んで重ね合わせて接合し、
    熱処理により、前記脆弱領域において前記凸部を有する半導体基板を分離することで、前記支持基板上に半導体層を残し、
    前記半導体層を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  3. ハロゲンを含む酸化雰囲気中で熱処理を行い半導体基板の表面に第１の酸化層を形成し、
    前記第１の酸化層の一部及び前記半導体基板の一部をエッチングして、凸部を有する半導体基板と前記凸部の表面上の第２の酸化層とを形成し、
    前記凸部側から前記凸部を有する半導体基板に一又は複数の原子からなる質量の異なるイオンを照射して、前記凸部を有する半導体基板の表面から一定の深さを有する領域に、脆弱領域を形成し、
    支持基板上に剥離層を形成し、
    支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを前記第２の酸化層及び前記剥離層を挟んで重ね合わせて接合し、
    熱処理により、前記脆弱領域において前記凸部を有する半導体基板を分離することで、前記支持基板上に半導体層を残し、
    前記半導体層を用いて形成した半導体素子を有する素子層を形成し、
    前記素子層上に可撓性基板を設け、
    前記可撓性基板及び前記素子層から、前記支持基板を前記剥離層で剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  4. ハロゲンを含む酸化雰囲気中で熱処理を行い半導体基板の表面に第１の酸化層を形成し、
    前記第１の酸化層の一部及び前記半導体基板の一部をエッチングして、凸部を有する半導体基板と前記凸部の表面上の第２の酸化層とを形成し、
    前記凸部側から前記凸部を有する半導体基板に一又は複数の原子からなる質量の異なるイオンを照射して、前記凸部を有する半導体基板の表面から一定の深さを有する領域に、脆弱領域を形成し、
    支持基板上に、剥離層及び前記剥離層上の接合層を形成し、
    前記支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを、前記第２の酸化層、前記剥離層及び前記接合層を挟んで重ね合わせて接合し、
    熱処理により、前記脆弱領域において前記凸部を有する半導体基板を分離することで、前記支持基板上に半導体層を残し、
    前記半導体層を用いて形成した半導体素子を有する素子層を形成し、
    前記素子層上に可撓性基板を設け、
    前記可撓性基板及び前記素子層から、前記支持基板を前記剥離層で剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  5. 請求項１において、前記支持基板上にブロッキング層が設けられた状態で、前記支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを、前記ブロッキング層を挟んで重ね合わせて接合することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  6. 請求項２において、前記支持基板と前記接合層との間にブロッキング層が設けられた状態で、前記支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを、前記ブロッキング層を挟んで重ね合わせて接合することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  7. 請求項３において、前記剥離層上にブロッキング層が設けられた状態で、前記支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを、前記ブロッキング層を挟んで重ね合わせて接合することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  8. 請求項４において、前記剥離層と前記接合層との間にブロッキング層が設けられた状態で、前記支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを、前記ブロッキング層を挟んで重ね合わせて接合することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  9. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記第２の酸化層上にブロッキング層が設けられた状態で、前記支持基板と前記凸部を有する半導体基板とを、前記ブロッキング層を挟んで重ね合わせて接合することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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