JP2009135472A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 単結晶半導体基板の主表面にイオンを照射して、前記単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
   前記単結晶半導体基板の主表面に、第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層の表面に、接合層として機能する第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層と、絶縁表面を有する基板とを接合させ、
   前記単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離させることにより、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶半導体層を形成し、
   前記単結晶半導体層をエッチングして、複数の単結晶半導体領域に分離し、
   前記複数の単結晶半導体領域に対して、レーザー光の照射処理又は加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 複数の単結晶半導体基板の主表面にイオンを照射して、前記複数の単結晶半導体基板中に損傷領域を形成し、
   前記複数の単結晶半導体基板の主表面に、第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層の表面に、接合層として機能する第２の絶縁層を形成し、
   前記第２の絶縁層と、絶縁表面を有する基板とを接合させ、
   前記複数の単結晶半導体基板を、前記損傷領域において分離させることにより、前記絶縁表面を有する基板上に複数の単結晶半導体層を形成し、
   前記複数の単結晶半導体層をエッチングして、前記単結晶半導体層の各々を複数の単結晶半導体領域に分離し、
   前記複数の単結晶半導体領域に対して、レーザー光の照射処理又は加熱処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記第１の絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素のいずれかを含むこと特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第１の絶縁層は、積層構造により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第１の絶縁層は、前記単結晶半導体基板の主表面側から、酸化珪素又は酸化窒化珪素と、窒化珪素又は窒化酸化珪素の積層構造により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第１の絶縁層を残存させるように、前記単結晶半導体層のエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記第２の絶縁層は、有機シランガスを用いて化学気相成長法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至７のいずれか一において、
   前記単結晶半導体層は、矩形であり、その対角線の長さは２５０ｍｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至８のいずれか一において、
   前記単結晶半導体領域の中央部を用いて半導体素子を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。