JP2009004736A5

JP2009004736A5 -

Info

Publication number: JP2009004736A5
Application number: JP2008064627A
Authority: JP
Filing date: 2008-03-13
Publication date: 2011-04-21
Anticipated expiration: 2028-03-13

Claims

水素又はハロゲンから選ばれたイオン種を第１の単結晶半導体基板にイオンドーピング法又はイオン注入法によって添加して、前記第１の単結晶半導体基板の表面から第１の深さの領域に第１の脆化層を形成し、
前記第１の単結晶半導体基板上に、有機シランガスを用いた化学気相成長法により第１の酸化シリコン膜を形成し、
前記第１の単結晶半導体基板及び前記第１の酸化シリコン膜に対し、マスクを用いたエッチングを行って、前記第１の酸化シリコン膜が上面に形成された第１の単結晶半導体層を形成し、
前記第１の単結晶半導体層と、絶縁基板とを、前記第１の酸化シリコン膜を介して重ね合わせ、
前記重ね合わされた状態で加熱処理を行って前記第１の脆化層に亀裂を生じさせ、前記絶縁基板上に前記第１の単結晶半導体層を残存させたまま前記第１の単結晶半導体基板を分離する第１の工程と、
水素又はハロゲンから選ばれたイオン種を第２の単結晶半導体基板にイオンドーピング法又はイオン注入法によって添加して、前記第２の単結晶半導体基板の表面から第２の深さの領域に第２の脆化層を形成し、
前記第２の単結晶半導体基板上に、有機シランガスを用いた化学気相成長法により第２の酸化シリコン膜を形成し、
前記第２の単結晶半導体基板及び前記第２の酸化シリコン膜に対し、マスクを用いたエッチングを行って、前記第２の酸化シリコン膜が上面に形成された第２の単結晶半導体層を形成し、
前記第２の単結晶半導体層と、前記絶縁基板とを、前記第２の酸化シリコン膜を介して重ね合わせ、
前記重ね合わされた状態で加熱処理を行って前記第２の脆化層に亀裂を生じさせ、前記絶縁基板上に前記第２の単結晶半導体層を残存させたまま前記第２の単結晶半導体基板を分離する第２の工程とを有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の深さは、前記絶縁基板上の前記第１の単結晶半導体層の膜厚であり、前記第２の深さは前記第２の単結晶半導体層の膜厚であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
水素又はハロゲンから選ばれたイオン種を第１の単結晶半導体基板にイオンドーピング法又はイオン注入法によって添加して、前記第１の単結晶半導体基板の表面から第１の深さの領域に第１の脆化層を形成し、
前記第１の単結晶半導体基板上に、最上層が有機シランガスを用いた化学気相成長法により第１の酸化シリコン膜でなる第１の接着層を形成し、
前記第１の単結晶半導体基板及び前記第１の接着層に対し、マスクを用いたエッチングを行って、前記第１の接着層が上面に形成された第１の単結晶半導体層を形成し、
前記第１の単結晶半導体層と、絶縁基板とを、前記第１の接着層を介して重ね合わせ、
前記重ね合わされた状態で加熱処理を行って前記第１の脆化層に亀裂を生じさせ、前記絶縁基板上に前記第１の単結晶半導体層を残存させたまま前記第１の単結晶半導体基板を分離する第１の工程と、
水素又はハロゲンから選ばれたイオン種を第２の単結晶半導体基板にイオンドーピング法又はイオン注入法によって添加して、前記第２の単結晶半導体基板の表面から第２の深さの領域に第２の脆化層を形成し、
前記第２の単結晶半導体基板上に、最上層が有機シランガスを用いた化学気相成長法により第２の酸化シリコン膜でなる第２の接着層を形成し、
前記第２の単結晶半導体基板及び前記第２の接着層に対し、マスクを用いたエッチングを行って、前記第２の接着層が上面に形成された第２の単結晶半導体層を形成し、
前記第２の単結晶半導体層と、前記絶縁基板とを、前記第２の接着層を介して重ね合わせ、
前記重ね合わされた状態で加熱処理を行って前記第２の脆化層に亀裂を生じさせ、前記絶縁基板上に前記第２の単結晶半導体層を残存させたまま前記第２の単結晶半導体基板を分離する第２の工程とを有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の深さは、前記絶縁基板上の前記第１の単結晶半導体層の膜厚であり、前記第２の深さは前記第２の単結晶半導体層の膜厚であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１又は２において、
前記第１の深さは、前記絶縁基板上の前記第１の単結晶半導体層の膜厚であり、前記第２の深さは前記第２の単結晶半導体層の膜厚であって、前記第１の深さは、前記第２の深さより浅いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記絶縁基板上に残存された前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層にレーザを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記絶縁基板上に残存された前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層に対して加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記絶縁基板上に残存された前記第２の単結晶半導体層のみをＣＭＰ法を用いて研磨し、前記第１及び第２の単結晶半導体層の膜厚を揃えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
絶縁基板の同一表面に設けられた複数の単結晶半導体を有し、
前記単結晶半導体は、ｎ型の不純物領域を有する第１の単結晶半導体層と、ｐ型の不純物領域を有する第２の単結晶半導体層とを含み、
前記第１の単結晶半導体層の結晶面と、前記第２の単結晶半導体層の結晶面とは同じであって、
前記第１の単結晶半導体層のチャネル長方向の結晶軸と、前記第２の単結晶半導体層のチャネル長方向の結晶軸とは異なることを特徴とする半導体装置。
請求項７において、
前記第１の単結晶半導体層及び前記第２の単結晶半導体層の結晶面は｛１１０｝であり、
前記第１の単結晶半導体層のチャネル長方向が＜１００＞方位であり、前記第２の単結晶半導体層のチャネル長方向が＜１１０＞方位であることを特徴とする半導体装置。