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  1. ガラス基板と、
    前記ガラス基板上に形成された絶縁膜と、
    前記絶縁膜上に形成された単結晶半導体層と、を有し、
    前記絶縁膜は、有機シランを材料の一つとして、熱ＣＶＤ法により５００℃以上８００℃以下の温度範囲で成膜された、リンガラス、ボロンガラス及びリンボロンガラスのいずれか一層若しくは複数層からなることを特徴とする半導体基板。
  2. ガラス基板と、
    前記ガラス基板上に形成された第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜上に形成された単結晶半導体層と、を有し、
    前記第１の絶縁膜は、有機シランを材料の一つとして、熱ＣＶＤ法により５００℃以上８００℃以下の温度範囲で成膜された、リンガラス、ボロンガラス及びリンボロンガラスのいずれか一層若しくは複数層からなることを特徴とする半導体基板。
  3. 請求項２において、前記第２の絶縁膜は、窒化シリコン層、酸化シリコン層、窒化酸化シリコン層及び酸化窒化シリコン層から選ばれた一層、又はこれらのうちの複数の層にからなる積層構造であることを特徴とする半導体基板。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
    前記単結晶半導体層はシリコン又はゲルマニウムであることを特徴とする半導体基板。
  5. 単結晶半導体基板上に熱ＣＶＤ法により有機シランを材料の一つとして５００℃以上８００℃以下の温度範囲で成膜したリンガラス、ボロンガラス及びリンボロンガラスのいずれか一層もしくは複数層からなる接合層を形成し、
    前記接合層を形成した面からイオンを添加することによって、前記単結晶半導体基板の一定の深さに損傷領域を形成し、
    前記単結晶半導体基板とガラス基板とを前記接合層を介して重ね合わせて接合した後、前記単結晶半導体基板を前記損傷領域で分離する熱処理を行い、
    前記ガラス基板上に前記単結晶半導体基板から剥離された半導体層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
  6. 単結晶半導体基板上に絶縁膜を形成し、
    前記絶縁膜上に熱ＣＶＤ法により有機シランを材料の一つとして５００℃以上８００℃以下の温度範囲で成膜したリンガラス、ボロンガラス及びリンボロンガラスのいずれか一層もしくは複数層からなる接合層を形成し、
    前記接合層を形成した面からイオンを添加することによって、前記単結晶半導体基板の一定の深さに損傷領域を形成し、
    前記単結晶半導体基板とガラス基板とを前記接合層を介して重ね合わせて接合した後、前記単結晶半導体基板を前記損傷領域で分離する熱処理を行い、
    前記ガラス基板上に前記単結晶半導体基板から剥離された半導体層を形成することを特徴とする半導体基板の作製方法。
  7. 請求項６において、前記絶縁膜は、窒化シリコン層、酸化シリコン層、窒化酸化シリコン層及び酸化窒化シリコン層から選ばれた一層、又はこれらのうちの複数の層にからなる積層構造であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
  8. 請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
    前記接合層を形成した後、８００℃以上１０００℃以下の温度範囲で前記接合層をリフローすることを特徴とする半導体基板の作製方法。
  9. 請求項５乃至請求項８のいずれか一項において、
    前記イオンは、水素イオン、ヘリウムイオン又はフッ素イオンであることを特徴とする半導体基板の作製方法。
  10. 請求項９において、
    前記水素イオンは、Ｈ ＋ 、Ｈ ２ ＋ 、Ｈ ３ ＋ を有し、前記Ｈ ＋ 、前記Ｈ ２ ＋ 、前記Ｈ ３ ＋ の総量に対してＨ ３ ＋ の割合が５０％以上であることを特徴とする半導体基板の作製方法。
  11. 請求項５乃至請求項１０のいずれか一項において、前記イオンは質量分離を伴わないイオンドーピング法により添加されることを特徴とする半導体基板の作製方法。
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