JP2010283337A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 表面に金属膜を有する基板又は金属基板を有し、
   前記金属基板上又は前記金属膜上の銅（Ｃｕ）メッキ膜を有し、
   前記Ｃｕメッキ膜上のバリア膜と、前記バリア膜上の単結晶シリコン膜と、前記単結晶シリコン膜上の電極層と、を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記金属基板上又は前記金属膜上に、シード膜を有し、
   前記Ｃｕメッキ膜は前記シード膜から成長して形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   前記金属基板はＣｕ基板であり、
   前記金属膜を有する前記基板は、前記金属膜としてＣｕ膜を有するガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
4. 単結晶シリコン基板である第１の基板に水素ガスから生成されるイオンをドープして前記単結晶シリコン基板内に脆化層を形成する工程と、
   前記単結晶シリコン基板上にバリア膜を形成する工程と、
   前記バリア膜上に銅（Ｃｕ）メッキ膜を形成する工程と、
   表面に金属膜を有する基板又は金属基板である第２の基板を用意する工程と、
   前記Ｃｕメッキ膜と、前記金属基板又は前記金属膜とを熱圧着して、前記Ｃｕメッキ膜を介して、前記単結晶シリコン基板と前記第２の基板とを接合させる工程と、
   熱処理により、前記脆化層から前記単結晶シリコン基板の一部をはく離して、前記第２の基板に前記Ｃｕメッキ膜を介して、単結晶シリコン膜を形成する工程と、
   前記単結晶シリコン膜上に電極層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項４において、
   前記熱圧着は１５０℃以上、３００℃以下、かつ０．５ＭＰａ以上、２０ＭＰａ以下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項４又は５において、
   前記バリア膜上にシード膜を形成し、該シード膜から前記Ｃｕメッキ膜を成長させて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項４乃至６のいずれか一において、
   前記金属基板はＣｕ基板であり、
   前記金属膜を有する前記基板は、前記金属膜としてＣｕ膜を有するガラス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。