JP2010103514A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 単結晶半導体基板の表面に、気相エピタキシャル成長法を用いて単結晶半導体層を形成し、
   絶縁層を介して前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層とベース基板とを貼り合わせ、
   前記単結晶半導体基板と前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層との界面において、これらを分離して、前記ベース基板上に前記絶縁層を介して単結晶半導体層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記単結晶半導体基板として単結晶シリコン基板を用い、前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層として単結晶シリコン層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
3. 請求項２において、
   前記単結晶シリコン層は、シラン系ガスと水素との混合ガスを原料ガスとして用いて形成され、
   前記原料ガスにおいて、前記シラン系ガスの流量比に対する前記水素の流量比を４倍以上１０倍以下とすることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記ベース基板として、ガラス基板を用いることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
5. 単結晶半導体基板の表面に、気相エピタキシャル成長法を用いて単結晶半導体層を形成し、
   前記単結晶半導体基板及び前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層を加熱処理によって所定の温度に保持した状態で、前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層上に金属を含有する材料を塗布して金属層を形成し、
   前記単結晶半導体基板、前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層及び前記金属層を冷却することにより、前記単結晶半導体基板と前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層との界面において、これらを分離して、前記金属層と前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層の積層構造体を形成し、
   前記積層構造体から前記金属層を除去することを特徴とする単結晶半導体層の作製方法。
6. 請求項５において、
   前記単結晶半導体基板として単結晶シリコン基板を用い、前記気相エピタキシャル成長法を用いて形成された単結晶半導体層として単結晶シリコン層を形成することを特徴とする単結晶半導体層の作製方法。
7. 請求項６において、
   前記単結晶シリコン層は、シラン系ガスと水素との混合ガスを原料ガスとして用いて形成され、
   前記原料ガスにおいて、前記シラン系ガスの流量比に対する前記水素の流量比を４倍以上１０倍以下とすることを特徴とする単結晶半導体層の作製方法。
8. 請求項５乃至７のいずれか一において、
   前記金属を含有する材料として、アルミニウム又は銅を含む材料を用いることを特徴とする単結晶半導体層の作製方法。