JP2008270771A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. 第１単結晶シリコン基板を分断して、チップサイズの第２単結晶シリコン基板を複数形成し、
   前記第２単結晶シリコン基板の表面上に絶縁層を形成し、
   前記第２単結晶シリコン基板の所定の深さに脆化層を形成し、
   絶縁表面を有する基板と前記第２単結晶シリコン基板とを、前記絶縁層を介して貼り合わせ、
   熱処理することにより、前記脆化層に沿って前記第２単結晶シリコン基板を分断し、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶シリコン薄膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
2. 第１単結晶シリコン基板を分断して、チップサイズの第２単結晶シリコン基板を複数形成し、
   前記第２単結晶シリコン基板の表面上に第１の絶縁層を形成し、
   前記第２単結晶シリコン基板の所定の深さに第１の脆化層を形成し、
   第３単結晶シリコン基板を分断して、チップサイズの第４単結晶シリコン基板を複数形成し、
   前記第４単結晶シリコン基板の表面上に第２の絶縁層を形成し、
   前記第４単結晶シリコン基板の所定の深さに第２の脆化層を形成し、
   絶縁表面を有する基板と前記第２単結晶シリコン基板及び前記第４単結晶シリコン基板とを、前記第１及び前記第２の絶縁層を介して貼り合わせ、
   熱処理することにより、前記第１の脆化層に沿って前記第２単結晶シリコン基板を分断し、前記第２の脆化層に沿って前記第４単結晶シリコン基板を分断し、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶シリコン薄膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
3. 第１単結晶シリコン基板の表面上に絶縁層を形成し、
   前記第１単結晶シリコン基板の所定の深さに脆化層を形成し、
   前記第１単結晶シリコン基板を分断して、チップサイズの第２単結晶シリコン基板を複数形成し、
   絶縁表面を有する基板と前記第２単結晶シリコン基板とを、前記絶縁層を間に介して貼り合わせ、
   熱処理することにより、前記脆化層に沿って前記第２単結晶シリコン基板を分断し、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶シリコン薄膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
4. 第１単結晶シリコン基板の表面上に第１の絶縁層を形成し、
   前記第１単結晶シリコン基板の所定の深さに第１の脆化層を形成し、
   前記第１単結晶シリコン基板を分断して、チップサイズの第２単結晶シリコン基板を複数形成し、
   第３単結晶シリコン基板の表面上に第２の絶縁層を形成し、
   前記第３単結晶シリコン基板の所定の深さに第２の脆化層を形成し、
   前記第３単結晶シリコン基板を分断して、チップサイズの第４単結晶シリコン基板を複数形成し、
   絶縁表面を有する基板と前記第２単結晶シリコン基板及び前記第４単結晶シリコン基板とを、前記第１及び前記第２の絶縁層を介して貼り合わせ、
   熱処理することにより、前記第１の脆化層に沿って前記第２単結晶シリコン基板を分断し、前記第２の脆化層に沿って前記第４単結晶シリコン基板を分断し、前記絶縁表面を有する基板上に単結晶シリコン薄膜を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記チップサイズとは、１０ｍｍ角乃至２０ｍｍ角の大きさであることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記絶縁表面を有する基板はガラス基板であることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。